CN101815953A

CN101815953A - 磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器

Info

Publication number: CN101815953A
Application number: CN200880110503.7A
Authority: CN
Inventors: 本藏义信; 山本道治
Original assignee: Aichi Steel Corp
Current assignee: Aichi Steel Corp
Priority date: 2007-10-02
Filing date: 2008-10-02
Publication date: 2010-08-25
Anticipated expiration: 2028-10-02
Also published as: JP2010281828A; EP2199814B1; JPWO2009044820A1; WO2009044820A1; US8378670B1; US20130038323A1; KR101492825B1; CN101815953B; KR20100067648A; EP2199814A1; JP4655162B2; EP2199814A4

Abstract

一种磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器，该磁性阻抗元件具有感磁体(1)，感磁体(1)形成为线状，电磁特性随着从外部作用的磁场的变化而变化，并且从轴向的一端(1a)侧向另一端(1b)侧流过脉冲电流。导电层(3)隔着绝缘层(2)设在感磁体(1)的外表面上。而且，在感磁体(1)的轴向的另一端部(1b)，设有将感磁体(1)与导电层(3)电连接的连接部(4)。在导电层(3)的外周卷绕有检测线圈，当脉冲电流流过感磁体(1)时，该检测线圈输出与作用于感磁体(1)的外部磁场强度相对应的感应电压。并且，流过感磁体(1)的脉冲电流的方向与流过导电层(3)的脉冲电流的方向相反。

Description

磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器

技术领域

本发明涉及一种直线性优良的磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器。

背景技术

至今为止，作为使用磁性阻抗元件(下面也记作MI元件)的磁性传感器(下面也记作MI传感器)，已知有例如在非结晶线的外周卷绕有检测线圈的结构。专利文献1公开了一种MI传感器，其通过向非结晶线通以脉冲电流，并测定从检测线圈输出的感应电压的第1脉冲，从而能够高灵敏度地对外部磁场Hex检测。MI元件也称为巨型磁性阻抗元件或GMI元件。而且，MI传感器也称为巨型磁性阻抗传感器或GMI传感器。

专利文献1：日本特开2000-258517号公报。

这里，利用图10对采用MI元件的磁场检测原理进行说明。

如图所示，当在非结晶磁性线91中流过脉冲电流I时，由该脉冲电流I在环绕方向产生磁场H。并且，从检测线圈95输出感应电压(dH/dt)。接下来，如果在流过脉冲电流I的状态下施加外部磁场Hx的话，则配列在非结晶磁性线91的圆周方向的自旋产生共振并产生θ摆动。由该自旋共振θ所产生的感应电压(dMθ/dt)向检测线圈95输出并与感应电压(dH/dt)重叠。即，在施加外部磁场Hx的状态下，输出感应电压(dH/dt+dMθ/dt)。

图11是表示使用了MI元件的MI传感器对于脉冲电流的感应电压的输出的波形图。其是表示感应电压的时间上的变化的波形图101，该感应电压由在施加外部磁场Hx的状态下非结晶磁性线91中流过脉冲电流I时的检测线圈输出，并进行衰减振动。

接下来，在图12中，对于最初的脉冲峰值特性，波形图102表示该波形图101中的未施加外部磁场Hx时仅由脉冲电流I引起的时间上的变化，波形103、波形图104表示该波形图101中的施加有外部磁场Hx(+Hx和-Hx)的时间上的变化。

从图12可知，在波形图102～波形图104中，最初的脉冲衰减、感应电压零交的时间(t)不同并产生相位差。未施加外部磁场时仅由脉冲电流I引起的零交时间为t1，而当施加外部磁场+Hx时，零交时间变为t1+Δta而延迟Δta，当施加外部磁场-Hx时零交时间变为t1-Δtb而变快Δtb。

根据该结果可知，当外部磁场的极性从+Hx变为-Hx(图12)时零交时间产生变动，并且检测线圈的输出电压达到峰值的时间也产生变动。本申请的发明人等对其原因进行了认真的研究，得出以下观点。

源于脉冲电流的成分dH/dt所引起的输出电压的时间变化波形与随着外部磁场的变化而变化的成分dMθ/dt所引起的输出电压的时间变化波形在峰值时间上存在相位差。因此，作为两个波形的合成即产生于检测线圈的感应电压波形，相对于源于脉冲电流的成分dH/dt所引起的输出电压的峰值时间存在相位差。而且，随着外部磁场的变化而变化的成分dMθ/dt所引起的输出电压的时间变化波形，其峰值电压随着外部磁场的增大而上升。因此，可以认为作为两个波形的合成即产生于检测线圈的感应电压波形，相对于dH/dt所引起的输出电压的峰值时间的相位差随着外部磁场的变化而变化。

如后所述，公知的磁性阻抗传感器(下面适当记作MI传感器)是利用了如下原理的构件：检测线圈的输出电压的峰值相对于与磁性阻抗元件(下面，适当记作MI元件)所使用的感磁体平行的外部磁场成比例关系。

在目前的使用了MI元件的MI传感器中，如后述的图6所示，从脉冲电流上升的时间t1开始，在认为在产生于检测线圈的感应电压波形中获取峰值的规定时间t2，对模拟开关进行短时间的开闭，从而对与外部磁场对应的产生于检测线圈的输出电压的峰值进行检测。这里，当存在规定的输入电流波形和与其相对应的输出电压波形时，取样时间Δt是从认为在输出电压波形中获取峰值的规定时间t2中减去脉冲电流上升的时间t1而得到的值。(Δt＝t2-t1)

通常，也在将没有外部磁场时(图12中的102)的取样时间Δt固定且施加有外部磁场时进行测定。

因此，如图12所示，当检测线圈的输出电压达到峰值的时间随着外部磁场的变动而变动时，如果施加外部磁场的话，则在与此时输出电压达到峰值的时间错开后对电压进行取样，由于输出电压下降，因此灵敏度降低，直线性也下降。

而且，由于随着温度变化所产生的感磁体的电阻等材料特性的变化，流过感磁体的脉冲电流也产生变化。如果脉冲电流变化，由脉冲电流产生的环绕磁场H当然也产生变动。因此，由于温度变化，与感磁体的磁化(M)无关的脉冲电流所产生的环绕磁场H产生变化，由此，也产生了直线性降低、传感器的原点(在该例中是指无施加磁场的状态下的输出电压的峰值)漂移的问题。

发明所要解决的课题

但是，以往的磁性传感器存在如下问题：为了提高直线性，需要卷绕在非结晶磁性线91上的反馈线圈(未图示)和用于向该反馈线圈供给电流的反馈电路(未图示)。结果，可能使电路构成变得复杂且大型化。如果省略上述反馈电路，则有时无法获得足够的检测精度。而且，还存在为了驱动反馈线圈和反馈电路而使电力消耗增大的问题。

尤其，作为组装在手机等上的方位测量用磁性传感器，既需要通过提高直线性而高精度地检测磁场，又需要通过简化电路构成而降低电力消耗。

发明内容

本发明鉴于上述以往的磁性阻抗传感器的问题点而做成，其目的在于提供一种不使用反馈电路且直线性和温度特性优良的磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器。

用于解决课题的手段

第1发明是一种磁性阻抗原件，其特征在于，具有：

感磁体，其形成为线状，电磁特性随着从外部作用的磁场的变化而变化，并且从轴向的一端侧向另一端侧流过脉冲电流；

导电层，其隔着绝缘层设在上述感磁体的外表面上；

连接部，其设在上述感磁体的上述轴向的另一端部，将上述感磁体与上述导电层电连接；以及

检测线圈，其卷绕在上述导电层的外周，当上述脉冲电流流过上述感磁体时，输出与作用于该感磁体的上述外部磁场强度相对应的感应电压，

流过上述感磁体的上述脉冲电流的方向与流过上述导电层的该脉冲电流的方向相反。

发明的效果

下面，对本发明的效果进行说明。

在本发明中，在感磁体的外周形成有导电层，感磁体与导电层由上述连接部连接。

由此，感磁体中流动的脉冲电流的方向与导电层中流动的脉冲电流的方向相反，所以，由流过感磁体的脉冲电流产生的感磁体外部的磁场，与由流过导电层的脉冲电流产生的导电层外部的磁场抵消。由此，在从检测线圈输出的感应电压中，被认为是直线性等降低的原因的源于脉冲电流的成分dH/dt被削弱，可以仅对随外部磁场变化的成分dMθ/dt进行检测。

因此，能够提高外部磁场与感应电压的直线性。而且，由于不需要设置反馈线圈和反馈电路，因此电力消耗少。

像上述说明的那样，采用本发明，能够提供一种不使用反馈电路且直线性优良的磁性阻抗元件。

附图说明

图1是表示实施例1的磁性阻抗元件的概要图。

图2是实施例1的磁性阻抗元件的概要剖视图。

图3是表示实施例1的流过感磁体和导电层的脉冲电流的方向的概要图。

图4是仅从图3取出感磁体的图。

图5是仅从图3取出导电层的图。

图6是表示实施例1的流过感磁体的脉冲电流与向检测线圈输出的感应电压的关系图。

图7是实施例1的磁性阻抗传感器的电路图。

图8是表示实施例1的检测线圈对于脉冲电流的输出特性的波形图。

图9是表示实施例1的磁性阻抗元件的制作过程的图。

图10是表示以往例的磁性阻抗元件的动作原理的图。

图11是表示以往例的检测线圈对于脉冲电流的输出特性的波形图。

图12是以往例的从检测线圈输出的第1脉冲的波形图，是将外部磁场设为+Hx、0、-Hx(G)时的图。

具体实施方式

对上述本发明的最佳实施形态进行说明。

在本发明中最好是，上述感磁体形成为剖面呈圆形，上述导电层形成为圆筒形，上述导电层相对上述感磁体同心地设置。

此时，与感磁体的剖面为非圆形时、或感磁体与导电层未设成同心的情况相比，能够使向导电层外侧放射的、由脉冲电流产生的磁场几乎为0。由此，在向检测线圈输出的感应电压中，dH/dt几乎消失，可仅对随外部磁场变化的成分dMθ/dt进行检测。

而且，上述感磁体最好是由非结晶磁性体形成。

非结晶磁性体，由于其显示出电磁特性随着从外部作用的磁场大小的变化而变化的性质(磁性阻抗效应)，因此可适于作为本发明的感磁体使用。

而且，作为上述非结晶磁性体，存在由CoFeSiB系合金构成的非结晶磁性体。

CoFeSiB系合金，由于是磁性特性随着从外部作用的磁场大小的变化而显著变化的软磁性材料，且存在低磁致伸缩，因此可适于作为本发明的感磁体使用。

另外，感磁体只要是具有上述特性的公知材料即可，也可以是CoMSiB系或Fe-Si系等的非结晶合金。

此外，上述导电层最好是由铜或铝构成的镀膜或溅射膜。

此时，利用电镀法或溅射法，可简单地形成薄导电层。

而且，本发明的磁性阻抗元件包括供给脉冲电流的非结晶磁性线、隔着绝缘层设在非结晶磁性线外周的导电层、以及在上述非结晶磁性线的一侧的端面将非结晶磁性线与导电层短路的由导电体构成的连接部。

本发明的特征在于，相对于以往的在非结晶磁性线的外周卷绕检测线圈的结构，在该非结晶磁性线的外周隔着绝缘层设置导电层，通过将作为导体的非结晶磁性线与导电层短路且电连接，从而构成为，流过上述非结晶磁性线的脉冲电流的方向与流过上述导电层的脉冲电流的方向相反。由此获得上述(发明的效果)所记载的效果。

而且，本发明的磁性阻抗传感器的特征在于，包括：上述磁性阻抗元件；脉冲电流发生器，其产生输入到上述感磁体中的脉冲电流；以及取样保持电路，其与上述检测线圈连接，对上述脉冲电流流过时从上述检测线圈输出的上述感应电压进行取样并保持。

此时，不需要像以往的磁性阻抗传感器那样的用于抵消外部磁场的反馈线圈和反馈电路，因此能够减少电力消耗。

本发明的巨型磁性阻抗元件(磁性阻抗元件)的特征在于，包括由非磁性体构成的基板、以施加脉冲电流的非结晶磁性线(感磁体)为轴的同轴型磁芯、以及形成在所述同轴型磁芯的外周的检测线圈。

作为由非磁性体构成的基板，可适当地使用绝缘性的氧化铝系陶瓷、半导体的硅片和导体的金属等。

同轴型磁芯是这样一种结构：具有非结晶磁性线(感磁体)和导电层，该导电层隔着绝缘体(绝缘层)设在该非结晶磁性线(感磁体)的外周，并且，在同轴型磁芯的一侧的端面，非结晶磁性线(感磁体)与导电层由导电体(连接部)短路。

输入用的电极端子包括与非结晶磁性线(感磁体)连接的电极端子和与导电层连接的电极端子。

采用这种结构，当向非结晶磁性线(感磁体)通以脉冲电流时，流过非结晶磁性线(感磁体)的脉冲电流在流过同轴型磁芯的端面的导电体(连接部)后，在非结晶磁性线(感磁体)的外周的导电层向与非结晶磁性线(感磁体)相反的方向使脉冲电流流过导电层。

因此，脉冲电流I流过非结晶磁性线(感磁体)而产生的环绕方向的磁场+H被流过导电层而产生的环绕方向的磁场-H抵消。其结果，在检测线圈5中不会产生由脉冲电压I引起的感应电压(dH/dt)。

同轴型磁芯的绝缘体是用于确保非结晶磁性线与导电层的绝缘，包括：覆盖非结晶磁性线的玻璃被膜、由CVD法形成的SiO₂膜等无机材料、有绝缘性的环氧树脂等有机材料。

同轴型磁芯的导电层，包括：镀铜、镀铝等镀膜，铜等的溅射膜，由PVD法或CVD法等形成的薄膜。最好是，该导电层由非磁性材料构成。如果具有磁性，则导电层自身因通过该导电层产生电流的环绕方向磁场而被磁化，产生噪声，导致传感器的直线性降低、S/N比降低。

除了上述镀膜或溅射膜以外，将同轴型磁芯的一侧的端面短路的连接部也可以是金等的接合结构。

检测线圈包括：下线圈，其由排列在基板的平坦面上的多个下部导体膜构成；以及上线圈，其由多个上部导体膜构成，该上部导体膜形成在绝缘体的表面并与下部导体膜同方向地排列，所述绝缘体配设在下线圈的表面并形成为将同轴型磁芯包在内部。

检测线圈的两端与输出用电极端子连接。

下部导体膜和上部导体膜，由铜或铝等的导电性金属的溅射膜、通过PVD法或CVD法而形成的薄膜、镀膜等形成。

而且，将同轴型磁芯包在内部的绝缘体，包括由CVD法形成的SiO₂膜等无机材料、有绝缘性的环氧树脂等有机材料。

实施例

(实施例1)

接下来，利用图1～图9对本发明的实施例的磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器进行说明。

图1是磁性阻抗元件10的概要图，图2是剖视图。图3是表示脉冲电流I流动方向的概要图。

如图1所示，本实施例的磁性阻抗元件10形成为线状，电磁特性随着从外部作用的磁场变化而变化，并且具有脉冲电流I从轴向的一端1a侧向另一端1b侧流动的感磁体1。

而且，感磁体1的外表面上隔着绝缘层2设有导电层3。

而且，在感磁体1的轴向的另一端1b，设有将感磁体1和导电层3电连接的连接部4。

此外，在导电层3的外周卷绕有检测线圈6，脉冲电流I流过感磁体1时，该检测线圈6输出与作用于感磁体1的外部磁场强度相对应的感应电压。

如图3所示，流过感磁体1的脉冲电流I的方向与流过导电层3的脉冲电流I的方向相反。

如图1所示，磁性阻抗元件10具有与感磁体1的一端部1a连接的第1电极7a、以及与导电层3连接的第2电极7b。在第1电极7a与第2电极7b之间施加有脉冲电压。并且，在第2电极7b和导电层3接触的接触部7c、与上述连接部4之间卷绕有检测线圈6。

图1是表示巨型磁性阻抗元件10(磁性阻抗元件10)的概要图。

在由非磁性的硅片构成的基板9的平坦面，包括：同轴型磁芯20，其由具有绝缘性的玻璃被膜2(绝缘层2)覆盖的非结晶磁性线1(感磁体1)、通过镀铜形成的导电层3、以及将非结晶磁性线1(感磁体1)与导电层3短路的由镀铜形成的导电体4(连接部4)构成；绝缘体5(外侧绝缘层5)，其由形成为将同轴型磁芯20包在内部的环氧树脂构成；以及检测线圈6，其从基板9的平坦面至绝缘体5(外侧绝缘层5)的外表面而形成。

输入用电极端子包括向非结晶磁性线1(感磁体1)供给脉冲电流I的电极端子7A、以及从导电层3返回的电极端子7B。

还具有输出电极端子8。

这里，感磁体1(非结晶磁性线)的直径为7μm、长度为1.5mm，非结晶磁性线的组成使用CoFeSiB合金，由玻璃被膜构成的绝缘层2的厚度为1μm。外侧绝缘层5的厚度为2μm，检测线圈6由环氧树脂覆盖。导电层3和连接部4的厚度为2mμ。

检测线圈6的匝数为30圈。

另外，如上所述，感磁体1形成为直径为7μm、长度为1.5mm的线状，但在图1中，表示了将轴向长度缩短后的概念图。

而且，除了非结晶磁性线以外的构件，基于与导电层相同的理由，最好是非磁性材料。

如图2所示，感磁体形成为截面呈圆形，导电层3形成为圆筒形，导电层3相对感磁体1设成同心。

更具体地说，感磁体1的外周面12覆盖有绝缘层2，该绝缘层2进一步覆盖有导电层3。而且，导电层3被外侧绝缘层5覆盖，在其外周卷绕有检测线圈6。

利用图4和图5对做成这种构造的理由进行说明。图4是仅从图3中取出感磁体1的图，图5是仅取出导电层3的图。如图4所示，在感磁体1中流过电流I从而在感磁体外部产生磁场H1。在离感磁体1中心距离为r的位置，由脉冲电流I所产生的磁场H1的强度，由于将感磁体1的截面做成圆形，故可表示为H1＝μ₀I/2πr。

而且，如图5所示，流过导电层3的脉冲电流I的大小与流过感磁体1的脉冲电流I的大小相同，流过导电层3的脉冲电流I的方向与流过感磁体1的脉冲电流I的方向相反。因此，在离导电层3中心距离为r的位置，由脉冲电流I产生的磁场H2，由于将导电层3做成圆筒形，并相对感磁体1设成同心，故可表示为H2＝-μ₀I/2πr。因此，如图3所示，当在导电层3的内侧存在感磁体1时，由流过感磁体1的脉冲电流I产生的感磁体1外侧的磁场H1、与由流过导电层3的脉冲电流I产生的导电层外侧的磁场H2互相抵消，成为H1+H2＝0。

而且，如图5所示，在导电层3内侧，由脉冲电流I产生的磁场Hin为0。因此，如图3所示，存在于导电层3内侧的感磁体1不受导电层3所产生的磁场的影响。

即，通过做成图3的构造，感磁体1不受导电层3所产生的磁场的影响，在导电层3的外侧，不会放射由脉冲电流I产生的磁场。

如上所述，由流过感磁体1的脉冲电流I产生的感磁体1外侧的磁场H1被由流过导电层3的脉冲电流I产生的导电层3外侧的磁场H2抵消(参考图4、图5)。因此，由脉冲电流I产生的磁场H(＝H1+H2)所引起的成分dH/dt不会从检测线圈6输出，检测线圈6仅输出由自旋s产生的磁化Mθ所引起的成分dMθ/dt。

图6表示从检测线圈6输出的感应电压的波形例。这样，当在感磁体1中流过脉冲电流I时，磁化Mθ发生大的变化，因此向检测线圈6输出如图所示的感应电压dMθ/dt。

另外，本例的感磁体1由非结晶磁性体构成，该非结晶磁性体由CoFeSiB系合金形成。

下面，对使用本例的磁性阻抗元件10的磁性阻抗传感器11进行说明。

如图7所示，磁性阻抗传感器11包括：磁性阻抗元件10；脉冲电流发生器200，其产生输入到感磁体1中的脉冲电流I；以及取样保持电路400，其与检测线圈6连接，对脉冲电流I流过时由检测线圈6输出的感应电压dMθ/dt进行取样并保持。另外，检测时间可以设为与脉冲电流I上升时或下降时对应的、图6的电压波形P1、P1′中的时间t2、t5。可在该时间进行检测作为电压V1、V1′。

而且，磁性阻抗元件中的R11，将感磁体1的电阻成分表示为等价电阻。

图8是使用本例的磁性阻抗传感器11而对上述第1脉冲P1进行测定时的波形图。作用于磁性阻抗传感器11的外部磁场Hex为+2G时的波形为112，0G时的波形为111。Hex为-2G时的波形为113。另外，测定时的脉冲电流为180mA，脉冲宽度时间为50ns。上升时间和下降时间为5ns。

从图8可知，当外界磁场Hex＝0时，如波形图111所示，检测线圈6的输出电压几乎以0mV推移。由此可知，向感磁体1通以脉冲电流I而形成的环绕磁场H所产生的干扰电压完全消失。

外部磁场Hex＝+2G的波形图112与外部磁场Hex＝-2G的波形图113为对称波形，零交时间t也相同。结果，可以获得输出电压对外部磁场优良的直线性。

接下来，利用图9对磁性阻抗元件10的制作过程进行说明。

图9是图1所示的磁性阻抗元件10的制造工序图，且是从长度方向看的剖视图。

首先，在由氧化铝系陶瓷构成的基板9的平坦面上，利用镀铜形成由2μm左右的下部导体膜构成的下线圈61。

为了使下线圈61与同轴型磁芯20的导电层3绝缘，利用CVD法形成由SiO₂膜层构成的绝缘层51。接下来，涂布形成由环氧树脂构成的绝缘层52。

接着，将由感磁体1(非结晶磁性线)、绝缘层2(玻璃被膜)、导电层3(镀铜)构成的同轴型磁芯20固定安装在绝缘层52上。

然后，为了使感磁体1(非结晶磁性线)与导电层3短路，在同轴型磁芯20的端面由铜溅射膜形成连接部4，并进一步利用CVD法形成SiO₂膜层的绝缘层53。

在同轴型磁芯20的上部，利用CVD法形成SiO₂膜层的绝缘层54，进一步利用镀铜形成由2μm左右的上部导体膜构成的上线圈62，由下线圈61和上线圈62形成螺旋状的检测线圈6。

将上线圈62用由CVD法形成的SiO₂膜的绝缘层55覆盖。

接下来，对本例的磁性阻抗元件10和磁性阻抗传感器11的作用效果进行说明。

在本例中，如图1所示，在感磁体1的外周形成有导电层3，感磁体1与导电层3由连接部4连接。由此，与流过感磁体1的脉冲电流大小相同、方向相反的脉冲电流流过导电层3。因此，流过感磁体1的脉冲电流I所产生的感磁体1外侧的磁场H1、与流过导电层3的脉冲电流I所产生的导电层3外侧的磁场H2，在导电层3的外侧互相抵消，在感磁体内部磁场被保持。由此，从检测线圈输出的感应电压中，源于脉冲电流的成分dH/dt被削弱，可仅以随外部磁场变化的成分dMθ/dt为主进行检测。

因此，能够提高外部磁场与感应电压的直线性及温度特性。而且，由于不需要设置反馈线圈和反馈电路，因此电力消耗少。

而且，如图2所示，感磁体1形成为截面呈圆形，导电层3形成为圆筒形，导电层3相对感磁体1同心地设置。

此时，与感磁体1的截面为非圆形时、或感磁体1与导电层3未同心设置时的情况相比，能够使放射到导电层3外侧的、由脉冲电流I产生的磁场几乎为0。由此，在向检测线圈6输出的感应电压中，dH/dt几乎消失，可仅对随外部磁场变化的成分dMθ/dt进行检测。

此外，导电层3是由铜或铝构成的镀膜或溅射膜。

此时，利用电镀法或溅射法，可简单地形成薄导电层3。

而且，本例的磁性阻抗传感器如图7所示，具有上述磁性阻抗元件10、脉冲电流发生器200、取样保持电路400。

这里，磁性阻抗元件被表述为MI元件。而且，基于相同的结构的元件称为巨型磁性阻抗元件或GMI元件。

磁性阻抗传感器也称为MI传感器、巨型磁性阻抗传感器或GMI传感器。

Claims

1.一种磁性阻抗元件，其特征在于，具有：

导电层，其隔着绝缘层设在上述感磁体的外表面上；

2.一种如权利要求1所述的磁性阻抗元件，其特征在于，

上述感磁体形成为截面呈圆形，上述导电层形成为圆筒形，上述导电层相对上述感磁体设成同心。

3.一种如权利要求1或2所述的磁性阻抗元件，其特征在于，

上述感磁体由非结晶磁性体构成。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的磁性阻抗元件，其特征在于，

上述导电层是由铜或铝构成的镀膜或溅射膜。

5.一种磁性阻抗元件，其特征在于，

具有供给有脉冲电流的非结晶磁性线、隔着绝缘层设在非结晶磁性线外周的导电层、以及由在上述非结晶磁性线的一侧的端面将非结晶磁性线与导电层短路的导电体构成的连接部。

6.一种磁性阻抗传感器，其特征在于，具有：

如权利要求1～5中任一项所述的磁性阻抗元件；

脉冲电流发生器，其产生输入到上述感磁体中的上述脉冲电流；以及

取样保持电路，其与上述检测线圈连接，对上述脉冲电流流过时从上述检测线圈输出的上述感应电压进行取样并保持。