CN101814565A - 一种发光二极管芯片的结构及其制造方法 - Google Patents

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张楠
周健华
郝茂盛
叶青
潘尧波
朱广敏
齐胜利
杨卫桥
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Abstract

本发明涉及一种发光二极管芯片结构及其制造方法，该结构包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。该结构增加了芯片侧壁的面积、调整了芯片的出光角度，明显改善了芯片的亮度。本发明通过侧壁微结构技术，提高了芯片整体的出光效率，出光效率提高25％以上。

Description

一种发光二极管芯片的结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光二极管制造领域，尤其是指可提高芯片出光效率的发光二极管芯片的结构及其制造方法。
背景技术
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。
传统的芯片制造工艺是在一片生长衬底上同时制备数百个甚至数千个芯片，每个芯片之间有一定的距离，在制备好这些芯片之后，进行划片、切割将他们分离，最后经后续的封装等工艺得到发光二极管。通常发光二极管的芯片结构为在Si生长衬底、SiC生长衬底或蓝宝石等生长衬底上依次外延了n型半导体层、有源层、p型半导体层，然后制备金属电极。最终的芯片经过封装等工艺后可以是正装结构、倒装结构、垂直结构等。
但是发光二极管的芯片由于划片后芯片侧面被刀片磨的光滑，以至于光线在芯片内部持续反射，大部分光被损耗掉，芯片出光效率不高，而出光效率低则直接制约了LED的发展。现有的方法之一是采用腐蚀的方法将划片后芯片侧面粗化，藉此以提高芯片的出光效率，但是该方法提高效率有限。
因此，如何突破现有技术提高芯片出光效率仍然是本领域技术人员亟待解决的技术课题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种发光二极管芯片的制造方法，用于增加芯片侧壁的面积和调整芯片的出光角度，改善芯片的亮度。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种发光二极管芯片结构，其包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述半导体外延层从下到上包括N型半导体层、有源层、及P型半导体层，所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。
本发明还涉及一种发光二极管芯片结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤A、首先采用激光划片工艺在生长衬底上划片并形成走道，通过调节激光源的脉冲频率将所述生长衬底的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；所述走道将芯片划分成与最终芯片大小相同的区间；
步骤B、清洗划片后的生长衬底及走道中残留的赃物；
步骤C、在被走道划分后的生长衬底上生长半导体外延层；
步骤D、在半导体外延层上制备电极。
本发明还涉及另一种发光二极管芯片结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤A、首先在衬底上生长半导体外延层；
步骤B、在步骤A完成后，采用激光划片工艺划分半导体外延层，通过调节激光源的脉冲频率将所述半导体外延层的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；
步骤C、清洗外延片及对走道做湿法处理；
步骤D、在半导体外延层上制备电极。
本发明还涉及又一种发光二极管芯片结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤A、首先在生长衬底上生长半导体外延层；
步骤B、在步骤A完成后，采用激光划片工艺划分半导体外延层，通过调节激光源的脉冲频率将所述半导体外延层的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；所述走道将芯片划分成与最终芯片大小相同的区间；
步骤C、清洗外延片及对走道做湿法处理；所述处理部分从上到下包括GAN层侧壁和生长衬底层侧壁
步骤D、在半导体外延层上制备电极。
本发明还涉及再一种发光二极管芯片结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤A、首先采用激光划片工艺在生长衬底上划片并形成走道，通过调节激光源的脉冲频率将所述生长衬底的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；所述走道将芯片划分成与最终芯片大小相同的区间；
步骤B、清洗划片后的生长衬底及走道中残留的赃物；
步骤C、在清洗后的生长生底上制作图形化生长衬底；
步骤D、在被走道划分后的图形化生长衬底上生长半导体外延层；
步骤E、在半导体外延层上制备电极。
相比于现有技术，本发明利用激光划片工艺，通过调节激光源的脉冲频率(调节激光频率，使连续的激光源成为间断的激光源，相当与在生长衬底或者半导体外延层的表面打点)将所述半导体外延层的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形。该方法可以在外延层生长前划分生长衬底，也可以在外延生长完成后划分外延片，直接将外延层的侧壁和生长衬底的侧壁划分成锯齿状或波浪状结构，该结构增加了芯片侧壁的面积、调整了芯片的出光角度，明显改善了芯片的亮度。该发明通过提高芯片的侧壁出光技术，提高芯片整体的出光效率，出光效率提高25％以上。
附图说明
图1是本发明的发光二极管芯片结构示意图，标示部分为单个芯片的结构示意图。
图2是现有的芯片的侧壁光入射角示意图。
图3为本发明芯片的侧壁光入射角示意图。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本发明的具体实施步骤。
请参照图1所示，一种发光二极管芯片结构，其包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述半导体外延层从下到上包括N型半导体层(N型半导体层位于生长衬底之上，与生长衬底相邻)、有源层、及P型半导体层，所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。
生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面是指垂直于外延生长方向的截面。该截面的边缘呈锯齿形或波浪形。
所述生长衬底为Si生长衬底、SiC生长衬底或蓝宝石生长衬底，图形化生长衬底中的一种。
上述结构的制备方法如下：
实施例一
步骤A、首先采用激光划片工艺在生长衬底上划片并形成走道，通过调节激光源的脉冲频率(调节激光频率，使连续的激光源成为间断的激光源，相当与在生长衬底的表面打点，正常划片机的频率为100KHZ，本发明的激光频率为30KHZ以下。将所述生长衬底的横截面(垂直于外延生长方向的截面)的边缘划成锯齿形或波浪形。
所述走道直接把生长衬底表面划分成和最终芯片尺寸相同的小区间，定义芯片大小(定义生长衬底)，形成的走道深度为15-50微米；一般走道深度较佳的范围为15-20微米，优选走道深度为20微米左右。所述生长衬底可以为Si生长衬底、SiC生长衬底、蓝宝石生长衬底等，本实施例优选蓝宝石生长衬底。所述生长衬底的尺寸为2英寸以上，本发明对大尺寸生长衬底的有益效果会更为明显。本实施例中采用8英寸的生长衬底，实际上生长衬底尺寸越大可同时制备更多的芯片，有利于节约生产成本。
在每个小区间生长外延并经过后续加工后，形成各个芯片的初始结构，在裂片工艺前，各个芯片的初始结构是独立的，经过裂片工艺后，各个芯片分离。因此，上述所指的尺寸相同，并非是完全意义上的尺寸丝毫不差，而是指小区间的尺寸基本决定了芯片的尺寸，由研磨、背减薄、裂片等造成的最终芯片尺寸与所述小区间的尺寸之间的微小差距，是可以忽略的。
步骤B、清洗。在完成步骤A之后，清洗将上述走道中残留的脏物去除。清洗时可采用热的强酸溶液或热的强碱溶液作为清洗剂进行湿法清洗，清洗剂优选为硫酸与磷酸的混合溶液。此外还可采用激光清洗的方法，通常激光清洗可以利用激光清洗装置完成，与传统的湿法清洗相比，激光清洗能有效去除亚微米级污染颗粒、有机物、油污等，对生长衬底不损伤、无污染。例如可利用248nm、30ns的KrF准分子激光对生长衬底进行清洗。
步骤C、在被走道划分后的生长衬底上生长半导体外延层。首先在被走道划分后的生长衬底上可以利用光刻和干法刻蚀技术或湿法刻蚀或干法与湿法相结合等技术形成图形，制作图形化生长衬底，在所述图形化生长衬底上依次外延生长半导体外延层，所述半导体外延层依次包括与生长衬底相邻的N型半导体层、有源层、及P型半导体层。所述N型半导体层优选为N型GaN层，P型半导体层优选为P型GaN层，有源层优选为GaN基量子阱层。由于生长衬底上已形成了走道，GaN等半导体材料无法在走道上生长，所以无需刻蚀，可外延自发生长成被所述走道向上延伸形成的深走道分隔的各个单体芯片结构。
作为本实施例的优选方案，步骤C之后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液，对步骤C后形成的结构的侧壁进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化。减少刻蚀损伤，有利于内量子效率的提高。
作为本实施例的另一种优选方案，步骤C之后生长保护层，采用光刻和刻蚀技术将走道露出，然后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化。所述保护层材料为为SiO2、SiN或Ag。
步骤D，在半导体外延层上制备电极。先采用光刻和刻蚀(ICP)技术对所述单体芯片结构进行刻蚀，至N型半导体层，以便拓宽所述深走道上半部宽度，经过刻蚀后所形成的深走道可呈上宽下窄的形状，其中，处于N型半导体层的部分比处于蓝宝石生长衬底的部分宽，以便于制造电极。然后在N型半导体层上制作N电极，在P型半导体层上制作P电极，可在所述单体芯片结构顶层上制造出透明电极，然后将透明电极制造成P电极。需注意的是，制作电极的步骤顺序可根据实际生产线进行相应调整，例如，可先在单体芯片结构顶层上制造出透明电极后再进行刻蚀至N型GaN层拓宽深走道上半部，然后将透明电极制造成P电极。
最后得到的结构经切割、封装等后续工艺，可得到出光率高的正装结构的发光二极管芯片。同样地，在步骤D之后还可以将单体芯片结构通过键合等工艺制成倒装结构的发光二极管芯片，其中涉及的其他工艺为本领域技术人员熟悉的常规工艺，在此不再赘述。
实施例二
步骤A、首先在生长衬底上生长半导体外延层。生长衬底上可以利用光刻和干法刻蚀技术或湿法刻蚀技术等技术形成图形，制作图形化生长衬底。在所述图形化生长衬底上依次外延生长出N型半导体层、有源层、及P型半导体层。所述N型半导体层优选为N型GaN层，P型半导体层优选为P型GaN层，有源层优选为GaN基量子阱层。
步骤B、通过调节激光源的脉冲频率(调节激光频率，使连续的激光源成为间断的激光源，相当与在生长衬底的表面打点)，激光源的脉冲频率为20KHZ，将所述半导体外延层的横截面(垂直于外延生长方向的截面)的边缘划成锯齿形或波浪形。
作为本实施例的优选方案，步骤B之后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液，对步骤C后形成的结构的侧壁进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化。减少刻蚀损伤，有利于内量子效率的提高。
步骤C、清洗。在步骤B完成后，清洗上述结构去除残留的脏物。清洗方法可采用激光清洗的方法，或者采用热的强酸溶液或热的强碱溶液作为清洗剂进行清洗，优选为硫酸与磷酸的混合溶液。
步骤D，在半导体外延层上制备电极。本发明中涉及的其他工艺条件为常规工艺条件，属于本领域技术人员熟悉的范畴，在此不再赘述。
实施例三
实施例三与实施例二的区别仅在于通过调节激光源的脉冲频率(调节激光频率，使连续的激光源成为间断的激光源，相当与在生长衬底的表面打点)将所述半导体外延层以及所述生长衬底的横截面(垂直于外延生长方向的截面)的边缘划成锯齿形或波浪形，激光源的脉冲频率为25KHZ。即所述半导体外延层以及所述生长衬底的侧壁均划成波浪形。
请参阅图2，由于常规芯片的侧壁是竖直的，当辐射出的光子P以入射角θ1到达第一壁w1，经反射后会以入射角θ2到达第二壁w2(即侧壁)，再次反射后会以入射角θ3到达第三壁w3，则由入射角θ2＝90°-θ1，θ3＝θ1，而对于常用的氮化镓材料的LED芯片，其光逃逸锥形临界角(light escape cone critical angle)约为23.5o，因此，只要光子P的入射角θ1满足条件：23.5°＜θ1＜66.5°时，其会因不断地被各壁反射而导致能量在芯片内的消耗，最终无法出光，降低了光取出率。
请参阅图3，到达第二壁，即侧壁w2的光子，由于侧壁被粗化，改变了原有路线，因此只要入射光子的角度垂直于侧壁，光子就可逃逸出去，增加光子的逃逸率，即，增加了光取出率。同时通过优化腐蚀技术，发现当芯片侧壁形成凸形圆孢或锥状凸起，出光效果最佳。
本发明利用激光划片工艺，通过调节激光源的脉冲频率(调节激光频率，使连续的激光源成为间断的激光源，相当与在生长衬底或者半导体外延层的表面打点)将所述半导体外延层的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形。该方法可以在外延层生长前划分生长衬底，也可以在外延生长完成后划分外延片，直接将外延层的侧壁和生长衬底的侧壁划分成锯齿状或波浪状结构，该结构增加了芯片侧壁的面积、调整了芯片的出光角度，明显改善了芯片的亮度。该发明通过背面发射镜技术，提高芯片整体的出光效率，出光效率提高25％以上。
上述实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。任何不脱离本发明精神和范围的技术方案均应涵盖在本发明的专利申请范围当中。

Claims (16)

1.一种发光二极管芯片结构，其包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层，所述半导体外延层从下到上包括N型半导体层、有源层、及P型半导体层，其特征在于：所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。
2.如权利要求1所述的一种发光二极管芯片结构，其特征在于：所述生长衬底为Si生长衬底、SiC生长衬底、蓝宝石生长衬底或图形化生长衬底。
3.一种如权利要求1或2所述的发光二极管芯片结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、首先采用激光划片工艺在生长衬底上划片并形成走道，通过调节激光源的脉冲频率将所述生长衬底的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；所述走道将芯片划分成与最终芯片大小相同的区间；
步骤B、清洗划片后的生长衬底及走道中残留的赃物；
步骤C、在被走道划分后的生长衬底上生长半导体外延层；
步骤D、在半导体外延层上制备电极。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤A中的激光源的脉冲频率为30KHZ～10KHZ。
5.根据权利要求3所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤C之后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液，对步骤C后形成的结构的侧壁进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化。
6.根据权利要求3所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤C之后生长保护层，采用光刻和刻蚀技术将走道露出，然后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液或硫酸与磷酸的混合溶液或磷酸溶液进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化，所述保护层材料为为SiO2、SiN或Ag。
7.根据权利要求3或4所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤B中清洗采用激光清洗的方法，或者采用强酸溶液或强碱溶液作为清洗剂进行清洗。
8.一种如权利要求1或2所述的发光二极管芯片结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、首先在生长衬底上生长半导体外延层；
步骤B、在步骤A完成后，采用激光划片工艺划分半导体外延层，通过调节激光源的脉冲频率将所述半导体外延层的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；所述走道将芯片划分成与最终芯片大小相同的区间；
步骤C、清洗外延片及对走道做湿法处理；所述处理部分从上到下包括GAN层侧壁和生长衬底层侧壁。
步骤D、在半导体外延层上制备电极。
9.根据权利要求8所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤B中的激光源的脉冲频率为30KHZ～10KHZ。
10.根据权利要求8所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤C之后生长保护层，采用光刻和刻蚀技术将走道露出，然后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液或硫酸与磷酸的混合溶液或磷酸溶液进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化，所述保护层材料为为SiO2、SiN或Ag。
11.一种如权利要求1或2所述的发光二极管芯片结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A、首先采用激光划片工艺在生长衬底上划片并形成走道，通过调节激光源的脉冲频率将所述生长衬底的横截面的边缘划成锯齿形或波浪形；所述走道将芯片划分成与最终芯片大小相同的区间；
步骤B、清洗划片后的生长衬底及走道中残留的赃物；
步骤C、在清洗后的生长衬底上制作图形化生长衬底；
步骤D、在被走道划分后的图形化生长衬底上生长半导体外延层；
步骤E、在半导体外延层上制备电极。
12.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤A中的激光源的脉冲频率为30KHZ～10KHZ。
13.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤D之后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液，对步骤D后形成的结构的侧壁进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化。
14.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤D之后生长保护层，采用光刻和刻蚀技术将走道露出，然后使用温度范围为140-300度、容积比为2-20M/L的氢氧化钾与氢氧化钠的混合溶液或硫酸与磷酸的混合溶液或磷酸溶液进行3-30分钟的湿法腐蚀，使该侧壁被粗化，所述保护层材料为为SiO2、SiN或Ag。
15.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤B中清洗采用激光清洗的方法，或者采用强酸溶液或强碱溶液作为清洗剂进行清洗。
16.根据权利要求11所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤B之后的图形化生长衬底的制备方法包括干法图形化生长衬底，湿法图形化生长衬底及干法与湿法相结合的图形化生长衬底。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101944564A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN101944563A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN102217576A (zh) * 2011-06-23 2011-10-19 李万杨 一种钓鲶鱼的钓饵
CN102569543A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 比亚迪股份有限公司 一种发光二极管芯片的制作方法
CN102956775A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 山东浪潮华光光电子有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN103219437A (zh) * 2013-04-22 2013-07-24 中国科学院半导体研究所 蓝宝石图形衬底的制备方法
CN104916744A (zh) * 2014-03-12 2015-09-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种增加led芯片侧壁出光的方法
CN111223967A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基红光LED管芯侧壁粗化的制作方法
CN111276577A (zh) * 2019-12-18 2020-06-12 北京中科优唯科技有限公司 一种led芯片的制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040026700A1 (en) * 2002-01-29 2004-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting element and manufacturing method for the same
CN101106103A (zh) * 2006-07-14 2008-01-16 优迪那半导体有限公司 发光元件的制造方法
CN101290908A (zh) * 2007-04-20 2008-10-22 晶能光电（江西）有限公司 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
JP2008300645A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Sharp Corp 窒化物系半導体ｌｅｄチップの製造方法
US20090026468A1 (en) * 2006-02-28 2009-01-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Element
CN101436630A (zh) * 2007-11-13 2009-05-20 普光科技（广州）有限公司 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
CN101494273A (zh) * 2009-02-27 2009-07-29 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040026700A1 (en) * 2002-01-29 2004-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting element and manufacturing method for the same
US20090026468A1 (en) * 2006-02-28 2009-01-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Element
CN101106103A (zh) * 2006-07-14 2008-01-16 优迪那半导体有限公司 发光元件的制造方法
CN101290908A (zh) * 2007-04-20 2008-10-22 晶能光电（江西）有限公司 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
JP2008300645A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Sharp Corp 窒化物系半導体ｌｅｄチップの製造方法
CN101436630A (zh) * 2007-11-13 2009-05-20 普光科技（广州）有限公司 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
CN101494273A (zh) * 2009-02-27 2009-07-29 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101944563B (zh) * 2010-09-03 2013-03-20 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN101944563A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN101944564B (zh) * 2010-09-03 2013-06-05 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN101944564A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN102569543A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 比亚迪股份有限公司 一种发光二极管芯片的制作方法
CN102569543B (zh) * 2010-12-30 2015-09-02 比亚迪股份有限公司 一种发光二极管芯片的制作方法
CN102217576A (zh) * 2011-06-23 2011-10-19 李万杨 一种钓鲶鱼的钓饵
CN102956775A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 山东浪潮华光光电子有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN102956775B (zh) * 2011-08-22 2015-02-18 山东浪潮华光光电子有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN103219437A (zh) * 2013-04-22 2013-07-24 中国科学院半导体研究所 蓝宝石图形衬底的制备方法
CN104916744A (zh) * 2014-03-12 2015-09-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种增加led芯片侧壁出光的方法
CN104916744B (zh) * 2014-03-12 2018-02-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种增加led芯片侧壁出光的方法
CN111223967A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基红光LED管芯侧壁粗化的制作方法
CN111276577A (zh) * 2019-12-18 2020-06-12 北京中科优唯科技有限公司 一种led芯片的制造方法

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