CN101788110A - 发光二极管照明模块与封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管照明模块与封装方法，该发光二极管照明模块于发光二极管封装过程中，考虑灯具配光需求，将发光二极管芯片通过发光二极管导线架接脚的弯折，使发光二极管芯片可以具有不同的倾斜角度，进而产生不同的发光效果，使发光二极管模块可以降低对控光元件的依赖，直接应用到发光二极管照明模块，同时，可将多个发光二极管芯片一次上板、一次对位，因此配光曲线不易偏差、上板工艺快速。

Description

发光二极管照明模块与封装方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管照明模块与封装方法，尤指一种从发光二极管灯具的发光二极管发光模块进行改善，在发光二极管封装过程中就考虑灯具的配光需求，通过导线架的弯折，使完成的发光二极管发光模块可以直接应用到灯具中，可简化后续灯具组装流程，也不需要增加控光元件，既可大幅降低灯具所需体积与元件数目，亦可使发光二极管灯具的出光效率最佳化；同时，可将多个发光二极管芯片一次上板、一次对位，因此配光曲线不易偏差、上板工艺快速。
背景技术
在照明领域中，由于发光二极管(LED)具有体积小、发光效率高、寿命长与色彩变化丰富等优点，所以发光二极管的应用越来越多，但是发光二极管发光元件不同于传统发光元件，单一发光二极管的发光强度不足，故发光二极管灯具大多采用多颗发光二极管排列于一平面，来提供足够的发光强度，而且发光二极管为指向性光源，所以发光二极管灯具通常通过发光二极管发光元件的倾斜排列，或加装控光元件来实现使用者的配光需求。但是发光二极管要在灯具中做倾斜排列会增加额外的开模成本与人工组装成本，造成发光二极管灯具成本居高不下，间接地降低发光二极管灯具的普及。再者，若通过加装控光元件的方式，则会降低灯具出光效率，导致发光二极管使用的数量要增加，既浪费电且增加灯具成本。
现有技术针对发光二极管灯具为了达到使用者的配光曲线要求，大多利用光学控光元件，如控光膜片、几何反射罩与发光二极管发光元件排列设计，来修正发光二极管发光元件的配光曲线。
针对现有专利而言，例如图1所公开美国发明专利早期公开第20060232976号“LIGHTING DEVICE WITH INTEGRATION SHEET”，以下的附图标记依照原案标示，其公开一种积分式膜板照明装置，包括一光源部21以及至少一膜板部22，该光源部21由发光体211及反射罩212组成，该膜板部22设置于该光源部21出射端，该膜板部22更包括有多个光分散区221、222、223，该光分散区221、222、223的表面具有可改变屈光度的若干个微结构阵列，通过控制该多个微结构的分布以改善光源部21造成的高斯分布，而将无效的光线聚集在待照射区域9的范围内，并将光源21中心较强的区域分散到待照射区域9，以达到提升光效率及亮度分布均匀的功效。
再如图2所示美国发明专利早期公开第20060139933号“REFLCTORWITH NEGATIVE FOCAL LENGTH”，以下的附图标记依照原案标示，其公开一种负焦型反射式灯具的结构，在灯罩20上方正焦面镜的部分，设计一单一负焦距镜面区51，并于其二侧设置有一侧壁区52，如此可导引灯源53所发出的上照光线，自该单一负焦距镜面区51至侧壁区52的反射，以产生多个出射光线54，可使光线的出射角度变大，达到减少眩光产生的目的，且可缩小灯具的高度。
上述图1至图2皆为针对单一光源(例如：钨丝灯泡或省电灯泡)所做出反射面的研发改良，与本案针对多发光二极管结构上的改变，有所区别。
请参阅图3所示，美国专利US 5838247号“Solid state light system”，以下的附图标记依照原案标示，该专利所公开的灯具40，其包括多倾斜设置的发光二极管12、一具有倾斜角度A的反射机构44所构成，该反射机构44可为圆锥状或角锥状，通过发光二极管12及反射机构44两者倾斜角度相互配合，可形成平行于轴向36的反射光，借此提高出光效率，但其缺点在于该反射机构44为一平面，并无法与发光二极管12的发光角度准确配合，因此仍无法使所有反射光完全平行于轴向36射出，再者，为配合反射机构44的倾斜度，必须设置大量的发光二极管12，不仅成本高、浪费能源，且导致灯具的体积极为庞大，而其灯具的外型亦固定无变化性，本发明可有效改良图3所公开的结构缺失，且具有良好的照明效果。
发明内容
基于解决以上所述公知技术的问题，本发明提供一种发光二极管照明模块与封装方法，主要目的为有鉴于上述公知技术的缺点，提出一种新颖的发光二极管封装模块，考虑灯具的配光需求，在封装过程，通过发光二极管导线架接脚的弯折，使发光二极管芯片可以具有不同的倾斜角度，使此发光二极管模块发出的配光曲线符合使用者需求，不需额外排列发光二极管发光模块或加装控光元件，具有缩减发光二极管灯具体积、降低成本与增加灯具出光效率的功能。
为实现上述目的，本发明提供一种发光二极管照明模块，其包括有：
若干导线架，每一导线架可依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面；以及
若干发光二极管芯片，所述发光二极管芯片为固定于导线架的倾斜面上。
为实现上述目的，本发明又提供一种发光二极管照明模块，其包括有：
若干导线架，该导线架具有可弯折性；
若干发光二极管芯片，所述发光二极管芯片固定于该导线架上以及
一基板，设置于该导线架底部且与该导线架电性连接。
在本发明的一实施例中，该导线架可依配光曲线需求，将导线架弯折至一预定角度，经发光二极管固晶工艺、发光二极管打线工艺与发光二极管部分封胶，再通过调整模具完成导线架冲压成型，最后进行发光二极管完整封胶来完成发光二极管封装。
为实现上述目的，本发明提供一种发光二极管封装方法，其包括有：
于一导线架上置放一接合金属或金属粒子胶；
于金属或胶体处置放一发光二极管芯片；
将已置放发光二极管芯片的导线架予以加热，该发光二极管芯片将通过金属层或胶体与导线架作接合；
将发光二极管芯片进行内连线接合；
将导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面；
将已弯折的导线架与发光二极管芯片整体进行封胶程序，并进行烘烤，以形成一发光二极管；以及
将发光二极管进行测试程序。
为实现上述目的，本发明又提供一种发光二极管封装方法，其包括有：
一种发光二极管封装方法，其包括有：
在一导线架上置放一接合金属或金属粒子胶；
在该金属或胶体处置放一发光二极管芯片；
将该已置放发光二极管芯片的该导线架予以加热，该发光二极管芯片与该导线架接合；
将该发光二极管芯片进行内连线接合；
将已完成发光二极管芯片固晶、打线的导线架与基板的电路接点对位接合；
将已完成接合的导线架与基板进行封胶及烘烤；以及
将该立体式发光二极管进行测试程序。
为使本领域技术人员对于本发明的结构目的和功效有更进一步的了解与认同，兹配合附图示例详细说明如后。
附图说明
图1为现有单一灯源利用微结构将光线均匀化的结构图；
图2为现有单一灯源利用反光罩将光线反射的结构图；
图3为现有多发光二极管利用一反射机构将光线反射的结构图；
图4为本发明发光二极管照明模块第一实施例的剖面侧视封装结构图；
图5A为本发明发光二极管照明模块第二实施例的剖面侧视封装结构图；
图5B为本发明发光二极管照明模块第三实施例的剖面侧视封装结构图；
图5C为本发明发光二极管照明模块第四实施例的立体结构示意图；
图6为本发明发光二极管照明模块封装方法第一实施例流程图；
图7为本发明发光二极管照明模块通过一模具来弯折角度成型的结构示意图；
图8为本发明发光二极管照明模块之立体封装结构图；
图9A至图9C为本发明发光二极管照明模块第五实施例的封装过程示意图；
图10A至图10C为本发明发光二极管照明模块第六实施例的封装过程示意图；
图11A至图11C为本发明发光二极管照明模块第七实施例的封装过程示意图；
图12A为本发明发光二极管照明模块第四实施例(如图5C所示)的投射光线分布图；
图12B为本发明发光二极管照明模块第四实施例(如图5C所示)的照度分布图；
图13A为本发明发光二极管照明模块第六实施例(如图10A至图10C所示)的投射光线分布图；图13B为本发明发光二极管照明模块第六实施例(如图10A至图10C所示)的照度分布图；
图14A为本发明发光二极管照明模块第七实施例(如图11A至图11C所示)的投射光线分布图；
图14B为本发明发光二极管照明模块第七实施例(如图11A至图11C所示)的照度分布图。
图15为本发明发光二极管照明模块第五实施例(如图9A至图9C所示)的封装方法流程图。
图16为本发明发光二极管照明模块第六实施例(如图10A至图10C所示)、第七实施例(如图11A至图11C所示)的封装方法流程图。
其中，附图标记
1～发光二极管照明模块
11～导线架
111～杯形槽                    112～倾斜面
113～突出型杯形槽
12～发光二极管芯片             13～封胶
14～散热底座                   15～模具
21～28～步骤
4、5、6～发光二极管照明模块
31、41、51、61～导线架
311～接脚
312、312a～d、412a～d、512a～d、612a～d～承载片
32、42、52、62～发光二极管芯片
421、521、621～光线
33、43、53、63～封胶
34、44、54、64～导线
45、55、65～基板
451、551、651～焊接点
θ～角度
71～77、751、81～88、861～步骤
具体实施方式
请参阅图4所示，为本发明发光二极管照明模块第一实施例的剖面侧视封装结构图，其中立体发光二极管照明模块1的结构包括有一导线架11，导线架11可依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面112，该导线架11可由铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)等纯元素或合金所组成；若干发光二极管芯片12固定于导线架11的倾斜面112上，该发光二极管芯片12可为GaN、GaInN、AlInGaP与AlInGaN、AlN、InN、GaInAsN与GaInPN，该发光二极管芯片12型态可为水平式结构(Sapphire base)、垂直式结构(Thin-GaN LED)与覆晶(Flip-Chip)型态；于导线架11底部设置有一散热底座14，而导线架11、发光二极管芯片12及散热底座14外部更以一可透光的封胶13加以包覆，以形成本实施结构。
请参阅图5A所示，为本发明发光二极管照明模块第二实施例的剖面侧视封装结构图，与图4相异之处，在导线架11倾斜面112处更凹陷呈一杯形槽111，可通过该杯形槽111形成反射面，使发光二极管芯片12的发光更加均匀，每一发光二极管皆形成一小型灯具，所形成照明效果较图4所示为佳。
请同时参阅图5B所示本发明发光二极管照明模块第三实施例的剖面侧视封装结构图，以及图5C所示本发明发光二极管照明模块第四实施例的立体结构示意图，其中于导线架11倾斜面112处设置一突出型杯形槽113，可通过该突出型杯形槽113所形成反射面，使发光二极管芯片12的发光更加均匀，每一发光二极管皆形成一小型灯具，制造流程可利用射出成型的方式来达成，故一并纳入作为应用实施例。
请参阅图6所示，为本发明发光二极管封装方法流程图，并同时参阅图7的发光二极管通过一模具15来使导线架弯折成特定角度的结构，其封装流程包括有：
21～在导线架上放置接合金属或金属粒子胶，接合金属组成可为单一元素或合金，如Sn、Au、Au-Sn、Sn-Pb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi与In-Sn或其它可能的组合，金属粒子胶则为金属粒子与高分子胶体的混合物，如银胶、铜胶或其它可能的组合，金属与金属粒子胶置放方式有电镀、网板印刷、蒸镀、溅镀或涂布等方式；
22～在接合金属处放置发光二极管芯片，为了顺利接合，发光二极管芯片背面与导线架上可作金属化处理如：Ti/Ni/Au、Al/Ni/Au与Cr/Ni/Au或其它可能的组合；
23～将已放置发光二极管芯片的导线架予以加热，发光二极管芯片将通过金属层或胶体与导线架作接合，即接合金属或金属粒子胶将和导线架与发光二极管芯片背面上的金属化层反应，达成接合的效果；
24～将发光二极管芯片进行内连线接合，内连线方式可为覆晶(Flip Chip)接点接合或金属导线打线接合，覆晶接点材料可为单一元素或合金如Sn、Au、Au-Sn、Sn-Pb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi与In-Sn或其它可能的组合，制作覆晶接点的方式有电镀、网板印刷、蒸镀等方式，金属导线则可由单一金属元素或合金所组成，如金线、铝线、铜线、Al-Si合金、铜线镀银或其他可能的组合，金属导线设置方式有热压、超音波或热压超音波等；
25～初步封胶，并进行第一次烘烤，为避免导线架弯折时损坏发光二极管芯片与导线，可在进行导线架弯折前，将进行初步封胶，封胶使用的胶体为透明高分子胶，如环氧树脂、硅酮树脂或其它可能的高分子胶体，但必须说明的是，本步骤并非必要步骤，其目的在于避免导线架弯折时损坏发光二极管芯片与导线，因此可依实际状况决定是否实施；
26～将导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面，该导线架可依配光曲线需求，通过如电脑光学模拟设计，将导线架设计弯折至一预定角度，并通过一模具来使导线架弯折成特定角度的结构；
27～将已弯折的导线架与发光二极管芯片整体进行封胶程序，并进行第二次烘烤，以形成一立体式发光二极管；
28～将立体式发光二极管进行测试程序。
上述的流程中，与传统平面式发光二极管的工艺差异点在于步骤26，因为导线架依照配光曲线需求弯折至一预定角度，故已形成照明所需要的角度，因此不需再使用任何光学元件来改变光效，即可形成使用者需求的配光曲线分布，但若采用图5所公开的结构，可使发光二极管的配光曲线分布更符合使用者需求。
请参阅图8所示本发明发光二极管照明模块第五实施例的封装结构立体图，本实施例的特点在于，该导线架31包括多行列的承载片312a～312d，每一承载片312a～312d搭配有一接脚311，该承载片312a～312d由该导线架31延伸而出且与该导线架31连接的片状结构，该接脚311则与导线架31以及该承载片312a～312d分离设置，于该承载片312a～312d上设有发光二极管芯片32，通过打线工艺(亦即图6步骤24的内连线接合工艺)，利用导线34电性连接该发光二极管芯片32与该接脚311，再于该导线架31、接脚311、承载片312a～312d、发光二极管芯片32及导线34外部以一可透光的封胶33加以包覆，以形成一发光二极管照明模块，由本实施例可了解本发明不需大幅更动发光二极管封装方法，即可达到具有缩减发光二极管灯具体积、降低成本与增加灯具出光效率的功能；此外，图8也显示出本发明该承载片312可依实际所需决定是否弯折以及弯折的角度，如图8所示该承载片312a～312d，其中，该承载片312a未经任何弯折，因此呈现平面状态，而该承载片312b的弯折倾斜度最大，再依次为该承载片312d、该承载片312c，而该承载片312b～312d即相当于图4、图5A～图5B的倾斜面112，除了图8所示该承载片312a～312d之外，该导线架31其他承载片分别呈现出其他不同倾斜角度，在此不予一一赘述。
上述图4、图5A～图5C、图8所示的本发明发光二极管照明模块各实施例结构虽然不同，但所共同具有的特点在于，其设置发光二极管芯片的承载面，如图4、图5A～图5C的倾斜面112，以及图8的承载片312a～312d，均可依配光曲线需求而决定其角度，亦即可为水平面或弯折成不同倾斜角度，此外，当实施的发光二极管照明模块结构不同时，其发光二极管芯片与导线连接方式也会不同，例如图8公开利用导线34电性连接该发光二极管芯片32与接脚311的方式，除此之外，亦可通过以下方式达成电性连接目的。
请参阅图9A至图9C所示，该导线架41以图8所示该发光二极管照明模块的A-A’剖面为基准，但该导线架41的承载片412a～412d均未弯折，在各承载片412a～412d上均设置有一发光二极管芯片42，该发光二极管芯片42以银胶、焊锡或共晶固晶方式贴合于该承载片412a～412d上，并以打线方式将该发光二极管芯片42与该承载片412a～412d上的电接点(图中未示出)以导线44接合，构成如图9A所示的多晶发光二极管模块导线架；请参阅图9B所示，于一基板45上的电路接点处设有焊接点451，该基板45可为铜、铝、陶瓷与印刷电路板等材质的基板，该焊接点451可为利用网板印刷机涂布的锡膏451或以电镀方式形成的焊锡，再将设置有该发光二极管芯片42及导线44的导线架41，与该基板45进行对位并加热，使该导线架41与该基板45相互接合，锡膏可为无铅锡膏或有铅锡膏，锡膏加热接合方式可为热风式、红外线加热与热板加热；再依实际所需去除该导线架41多余的部分，例如该导线架41的框架，可采用刀模以整体式去框架工艺方式去除；将图9B形成的结构进行封胶及烘烤形成封胶43，该封胶43可采用Epoxy、Silicone等胶材，即可完成多晶发光二极管模块封装，形成如图9C所示的发光二极管照明模块4，由于该承载片412a～412d未弯折，因此该发光二极管芯片42所发出的光线421垂直朝向单一方向。必须强调说明的是，本实施例仅显示导线架的单一剖面，亦即单排结构，依据本实施例结构，可设置多行列阵列的导线架结构，如图8所示4×4态样，以此类推，可设置5×5、6×6或行列部等的不规则排列。
上述制作过程显示，由于本发明所提供的导线架可设置多个发光二极管芯片，且该发光二极管芯片彼此间相对贴合位置已于导线架制作过程中配置完成，因此本制作方法具有模块组装快速与发光二极管模块芯片相对位置精准的特性，如此将可避免发光二极管芯片的对位误差问题且可大幅缩短工艺时间；此外，由于本发明的发光二极管芯片具有可调整角度的特性，因此可利用本制制作工艺达到发光二极管芯片封装模块立体化的目标，请参阅图10A～图10C以及图11A～图11C所示不同实施例。
请参阅图10A至图10C所示实施例，该导线架51具有多个承载片512a～512d，于各承载片512a～512d上均设置有一发光二极管芯片52，该发光二极管芯片52通过导线54与该承载片512a～512d上的电接点(图中未示出)接合，构成如图10A所示的多晶发光二极管模块导线架，本实施例的特点在于，该承载片512a～512d均弯折一定角度θ；请参阅图10B所示，于基板55上的电路接点处设有焊接点551，将设置有该发光二极管芯片52及导线54的导线架51，与该基板55进行对位并加热，使该导线架51与该基板55相互接合；将图10B形成的结构进行封胶及烘烤形成封胶53，即可完成多晶发光二极管模块封装，形成如图10C所示的发光二极管照明模块5。
请参阅图11A至图11C所示实施例，该导线架61具有多个承载片612a～612d，于各承载片612a～612d上均设置有一发光二极管芯片62，该发光二极管芯片62通过导线64与该承载片612a～612d上的电接点(图中未示出)接合，构成如图11A所示的多晶发光二极管模块导线架，本实施例的特点在于，位于导线架61左右两外侧的承载片612a、612d弯折一定角度θ，位于中央部位的该两承载片612b、612c未弯折；请参阅图11B所示，于基板65上的电路接点处设有焊接点651，将设置有该发光二极管芯片62及导线64的导线架61，与该基板65进行对位并加热，使该导线架61与该基板65相互接合；将图11B形成的结构进行封胶及烘烤形成封胶63，即可完成多晶发光二极管模块封装，形成如图11C所示的发光二极管照明模块6，由于位于导线架61左右两外侧的承载片612a、612d对称向外弯折一定角度θ，因此，该发光二极管照明模块6的投射光线621分布范围较广。
就上述不同实施例，可归纳出本发明所实施的态样包括：
一、导线架弯折朝向两种以上不同角度，且于导线架底部设有散热底座，如图4所示实施例。
二、导线架弯折为凹陷形杯型槽，该凹陷形杯型槽朝向两种以上不同角度，且于导线架底部设有散热底座，如图5A所示实施例。
三、导线架弯折为突出型杯型槽，且朝向两种以上不同角度，如图5B所示实施例。
四、导线架不弯折且具有杯型槽，如图5C所示实施例。
五、导线架完全不弯折，呈现平面状态，如图9A所示实施例。
六、导线架弯折相同角度，如图10A所示实施例。
七、导线架部分弯折、部分不弯折，如图8、图11A所示实施例。
请参阅图12A所示该投射光线分布图，其显示当导线架不弯折且具有杯型槽(如图5C所示该实施例)，发光二极管芯片投射光线分布集中，且照射区域较小，其照度分布图如图12B所示，其照度分布依据颜色深浅度不同代表不同的光线强度。此外，如图13A所示该投射光线分布图，其显示当导线架弯折相同角度(如图10A所示该实施例)，相较于图12A，本实施例投射光线仍朝单一方向照射，但是投射光线分布偏斜，其照度分布图如图13B所示；其次，请参阅图14A所示该投射光线分布图，其显示当导线架中央位置不弯折而外侧导线架弯折(如图11A所示实施例)，相较于图12A，本实施例投射光线分布较广，其照度分布图如图14B所示。
请参阅图15所示，综合上述本发明不同实施例结构，可归纳出本发明发光二极管封装方法另一实施例主要包括以下步骤：
71～在导线架上放置接合金属或金属粒子胶，接合金属组成可为单一元素或合金，如Sn、Au、Au-Sn、Sn-Pb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi与In-Sn或其它可能的组合，金属粒子胶则为金属粒子与高分子胶体的混合物，如银胶、铜胶或其它可能的组合，金属与金属粒子胶放置方式有电镀、网板印刷、蒸镀、溅镀或涂布等方式；
72～在接合金属处放置一发光二极管芯片，为了顺利接合，发光二极管芯片背面与导线架上可作金属化处理如：Ti/Ni/Au、Al/Ni/Au与Cr/Ni/Au或其它可能的组合；
73～将已放置发光二极管芯片的导线架予以加热，发光二极管芯片将通过金属层或胶体与导线架接合，即接合金属或金属粒子胶将和导线架与发光二极管芯片背面上的金属化层反应，达成接合的效果；
74～将发光二极管芯片进行内连线接合，内连线方式可为覆晶接点接合或金属导线打线接合，覆晶接点材料可为单一元素或合金如Sn、Au、Au-Sn、Sn-Pb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi与In-Sn或其它可能的组合，制作覆晶接点的方式有电镀、网板印刷、蒸镀等方式，金属导线则可由单一金属元素或合金所组成，如金线、铝线、铜线、Al-Si合金、铜线镀银或其他可能的组合，金属导线设置方式有热压、超音波或热压超音波等；
75～将已完成发光二极管芯片固晶、打线的导线架，以一次对位的上板制造工艺方式，进行导线架与基板的电路接点对位接合；
76～将已完成接合的导线架与基板进行封胶及烘烤，可利用压模机，搭配上压模胶体，将多晶发光二极管模块进行一次性封装，形成一发光二极管照明模块；
77～将发光二极管照明模块进行测试程序。
于上述该步骤75之后，可包括一去除导线架框架的步骤751，利用刀模将导线架的框架去除。
上述步骤71～77针对当导线板未弯折的状态(如图9A所示状态)，若导线架必须弯折时(如图4、图5A、图5B、图7、图8、图10A、图11A所示状态)，则增加一弯折的步骤，如图16所示，本发明的发光二极管封装方法主要包括以下步骤：
81～在导线架上放置接合金属或金属粒子胶，接合金属组成可为单一元素或合金，如Sn、Au、Au-Sn、Sn-Pb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi与In-Sn或其它可能的组合，金属粒子胶则为金属粒子与高分子胶体的混合物，如银胶、铜胶或其它可能的组合，金属与金属粒子胶放置方式有电镀、网板印刷、蒸镀、溅镀或涂布等方式；
82～在接合金属处放置一发光二极管芯片，为了顺利接合，发光二极管芯片背面与导线架上可作金属化处理如：Ti/Ni/Au、Al/Ni/Au与Cr/Ni/Au或其它可能的组合；
83～将已放置发光二极管芯片的导线架予以加热，发光二极管芯片将通过金属层或胶体与导线架接合，即接合金属或金属粒子胶将和导线架与发光二极管芯片背面上的金属化层反应，达成接合的效果；
84～将发光二极管芯片进行内连线接合，内连线方式可为覆晶接点接合或金属导线打线接合，覆晶接点材料可为单一元素或合金如Sn、Au、Au-Sn、Sn-Pb、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi与In-Sn或其它可能的组合，制作覆晶接点的方式有电镀、网板印刷、蒸镀等方式，金属导线则可由单一金属元素或合金所组成，如金线、铝线、铜线、Al-Si合金、铜线镀银或其他可能的组合，金属导线设置方式有热压、超音波或热压超音波等；
85～将导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面，该导线架可依配光曲线需求，通过如电脑光学模拟设计，将导线架设计弯折至一预定角度，并通过一模具来使导线架弯折成特定角度的结构；
86～将已完成发光二极管芯片固晶、打线的导线架，以一次对位的上板制造工艺方式，进行导线架与基板的电路接点对位接合；
87～将已完成接合的导线架与基板进行封胶及烘烤，可利用压模机，搭配上压模胶体，将多晶发光二极管模块进行一次性封装，形成一发光二极管照明模块；
88～将发光二极管照明模块进行测试程序。
同样地，在上述该步骤86之后，可包括一去除导线架框架的步骤861，利用刀模将导线架的框架去除。
此外，为避免导线架弯折时损坏发光二极管芯片与导线，可在进行导线架弯折前，将进行初步封胶并进行第一次烘烤的步骤841，封胶使用的胶体为透明高分子胶，如环氧树脂、硅酮树脂或其它可能的高分子胶体；当进行步骤841后，则步骤87为第二次封胶及烘烤。
通过上述不同实施例即可了解本发明的应用层面极广，通过矩阵型导线架的倾斜面设计，可为平面、单一朝向倾斜一定角度、朝向导线架中心点倾斜，或为向外部倾斜，所呈现投射光线分布及照射区域皆不相同，相较于传统发光二极管模块制造工艺方法，本发明明显具有更高的性能、产能与弹性。
以下为本发明与图3的公知技术比较表，由表1中可看二方案具有极明显的差异：
表1
现有技术与本专利比较表
  本案   公知技术
技术特征   发光二极管封装模块：在封装过程，通过发光二极管导线架接脚的弯折，使发光二极管芯片可以具有不同的倾斜角度，使发光二极管模块中的每个发光二极管可做配置。   平面式发光二极管封装模块：将发光二极管模块中的所有发光二极管进行平面式配置封装。
达成效果   1.可控制的配光曲线。2.发光二极管灯具体积小。3.发光二极管灯具组装成本低。4.多个发光二极管芯片一次上板、一次对位，配光曲线不易偏差、上板工艺快速。   1.配光曲线固定。2.发光二极管灯具体积大3.发光二极管灯具组装成本高。4.单颗LED元件定位模式进行对位，LED元件对位繁复且耗时，且容易因对位误差造成配光偏差。
通过上述图4至图16的公开，即可了解本发明发光二极管照明模块，通过发光二极管导线架接脚的弯折，使发光二极管芯片可以具有不同的倾斜角度。通过这种新式的发光二极管封装制程，让整个发光二极管模块的配光设计在制造工艺中就完成，大幅降低后续灯具开模与组装成本，由于整个发光二极管排列在模块中就已经完成，所以可以缩小灯具体积与取代灯具中发光二极管电路的配置，增加发光二极管应用于照明领域的优势，同时，本发明可将多个发光二极管芯片一次上板、一次对位，因此配光曲线不易偏差、上板工艺快速。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (30)

1.一种发光二极管照明模块，其特征在于，包括有：
若干导线架，每一导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面；以及
若干发光二极管芯片，所述发光二极管芯片为固定于所述导线架的该倾斜面上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管照明模块，其特征在于，该倾斜面凹陷呈一杯形槽，通过该杯形槽形成一反射面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管照明模块，其特征在于，该导线架的该倾斜面处设置一突出型杯形槽，通过该突出型杯形槽所形成一反射面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管照明模块，其特征在于，该导线架与该发光二极管芯片外部具有一可透光的封胶。
5.根据权利要求1所述的发光二极管照明模块，其特征在于，所述导线架的该倾斜面为向中心点倾斜，或为向外部倾斜。
6.根据权利要求1所述的发光二极管照明模块，其特征在于，所述导线架底部还设置有一散热底座。
7.一种发光二极管封装方法，其特征在于，包括有：
在一导线架上放置一接合金属或金属粒子胶；
在该金属或胶体处置放一发光二极管芯片；
将该已放置该发光二极管芯片的该导线架予以加热，该发光二极管芯片将通过该金属层或胶体与该导线架作接合；
将该发光二极管芯片进行内连线接合；
将该导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面；
将已弯折的该导线架与该发光二极管芯片进行封胶程序，并进行烘烤，以形成一立体式发光二极管；以及
将该发光二极管进行测试程序。
8.根据权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该导线架依配光曲线需求，将该导线架弯折至该预定角度，并通过一模具来使该导线架弯折成特定角度的结构。
9.根据权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该倾斜面凹陷呈一杯形槽，通过该杯形槽形成一反射面。
10.根据权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该导线架的该倾斜面处设置一突出型杯形槽，通过该突出型杯形槽所形成一反射面。
11.根据权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，在该金属或胶体处置放一发光二极管芯片的步骤中，该发光二极管芯片背面与该导线架上作一金属化层，该金属化层为Ti/Ni/Au、Al/Ni/Au或Cr/Ni/Au。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将已置放发光二极管芯片的该导线架予以加热的步骤中，该接合金属或金属粒子胶将和该导线架与该发光二极管芯片背面上的该金属化层反应，达成接合的效果。
13.根据权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将发光二极管进行内连线接合的步骤中，内连线方式为覆晶接点接合或金属导线打线接合。
14.根据权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将发光二极管进行内连线接合的步骤完成后，还包括一流程：初步封胶，并进行第一次烘烤。
15.一种发光二极管照明模块，其特征在于，包括有：
若干导线架，该导线架具有可弯折性；
若干发光二极管芯片，所述发光二极管芯片固定于该导线架上以及
一基板，设置于该导线架底部且与该导线架电性连接。
16.根据权利要求15所述的发光二极管照明模块，其特征在于，每一导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面。
17.根据权利要求16所述的发光二极管照明模块，其特征在于，该倾斜面凹陷呈一杯形槽，通过该杯形槽形成一反射面。
18.根据权利要求16所述的发光二极管照明模块，其特征在于，该倾斜面处设置一突出型杯形槽，通过该突出型杯形槽所形成一反射面。
19.根据权利要求16所述的发光二极管照明模块，其特征在于，所述导线架的倾斜面为向中心点倾斜，或为向外部倾斜。
20.根据权利要求15所述的发光二极管照明模块，其特征在于，该导线架与发光二极管芯片外部还具有一可透光的封胶。
21.一种发光二极管封装方法，其特征在于，包括有：
在一导线架上放置一接合金属或金属粒子胶；
在该金属或胶体处置放一发光二极管芯片；
将该已放置发光二极管芯片的该导线架予以加热，该发光二极管芯片与该导线架接合；
将该发光二极管芯片进行内连线接合；
将已完成发光二极管芯片固晶、打线的导线架与基板的电路接点对位接合；
将已完成接合的导线架与基板进行封胶及烘烤；以及
将该发光二极管进行测试程序。
22.根据权利要求21所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将已完成发光二极管芯片固晶、打线的导线架与基板的电路接点对位接合的步骤之后，还包括一去除导线架框架的步骤，利用刀模将该导线架的框架去除。
23.根据权利要求21所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将该发光二极管芯片进行内连线接合的步骤之后，还包括一弯折导线架的步骤，其将该导线架依配光曲线需求弯折至一预定角度，并形成一倾斜面。
24.根据权利要求23所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该弯折导线架的步骤之前，还包括一流程：初步封胶，并进行第一次烘烤。
25.根据权利要求21所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该导线架依配光曲线需求，将该导线架弯折至该预定角度，并通过一模具来使该导线架弯折成特定倾斜面的结构。
26.根据权利要求23所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该倾斜面凹陷呈一杯形槽，通过该杯形槽形成一反射面。
27.根据权利要求23所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该倾斜面处设置一突出型杯形槽，通过该突出型杯形槽所形成一反射面。
28.根据权利要求21所述的发光二极管封装方法，其特征在于，于该金属或胶体处置放一发光二极管芯片的步骤中，该发光二极管芯片背面与该导线架上作一金属化层，该金属化层为：Ti/Ni/Au、Al/Ni/Au或Cr/Ni/Au。
29.根据权利要求28所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将已置放发光二极管芯片的该导线架予以加热的步骤中，该接合金属或金属粒子胶将和该导线架与该发光二极管芯片背面上的该金属化层反应，达成接合的效果。
30.根据权利要求21所述的发光二极管封装方法，其特征在于，将发光二极管进行内连线接合的步骤中，内连线方式为覆晶接点接合或金属导线打线接合。
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