CN101786906A - C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法 - Google Patents

C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法 Download PDF

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仝珂
付前刚
史小红
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Abstract

本发明公开了一种C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法,内层是将高纯度Si粉、C粉、Al2O3粉混合均匀,将C/C复合材料包埋于该粉料中,在高温下于保护气氛中进行烧结,得到致密的SiC涂层。外层是将以高纯度的Si粉与Al2O3粉为原料,以无水乙醇为溶剂,混合均匀配成料浆,用毛刷将该料浆涂刷在带有SiC内层的C/C复合材料表面,将涂刷好的涂层试样置于高温炉中预氧化,在SiC内层表面原位生成mullite-Si-Al2O3涂层。本发明利用莫来石耐火度高、抗热震性好以及与SiC的热膨胀系数接近等性质,采用原位法制备出具有莫来石相的SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层,该方法经济简易、制备温度低,可有效提高C/C复合材料的高温防氧化性能。

Description

C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法
技术领域
本发明涉及一种SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法,特别是C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法。
背景技术
为了解决C/C复合材料的高温长寿命防氧化问题,研究者提供了不同的解决方法。在复合材料表面制备抗氧化涂层是解决C/C复合材料易氧化问题的有效方法。
文献1“Federico Smeacetto,Monica Ferraris,Milena Salvo.Multilayer coating withself-sealing properties for carbon-carbon composites.Carbon,2003 41:2105-2111”介绍了一种采用料浆法将MoSi2和Y2O3颗粒分散在硼硅酸盐玻璃中,缓解了涂层内由于热膨胀系数不匹配引起的内应力,制备的涂层在1300℃下具有长时间防氧化能力,但这种涂层不具备高温抗氧化能力。
文献2“Huang Jianfeng,Zeng Xierong,Li Hejun,et al.Mullite-Al2O3-SiC oxidationprotective coating for carbon/carbon composites.Carbon,2003,41(14):2825-2829”介绍了一种采用两次包埋法制备了新型的mullite-Al2O3-SiC复合涂层,当粉料中SiO2/Al2O3=3∶7时可以制备出抗氧化性能较好的防氧化复合涂层。不过该涂层制备方法复杂,周期较长。此外由于外涂层制备温度较高(1800℃),将该涂层应用于具体复杂的C/C工件时,由于热应力涂层中将难以避免存在微裂纹,限制了涂层的实际保护能力。
上述方法制备的涂层存在工艺复杂,制备温度高,涂层容易开裂,高温防氧化温度低等问题。
发明内容
为了克服现有技术制备高温防氧化涂层工艺复杂的不足,本发明提供一种C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法,其特点是包括以下步骤:
(a)分别称取质量百分比为65~80%的Si粉,5~20%的C粉,5~15%的Al2O3粉,置于玛瑙球磨罐中,加入蒸馏水进行不少于10小时球磨混合处理,将混合液取出于100℃下烘干,制成内层包埋粉料;
(b)将C/C复合材料打磨抛光后用超声波清洗干净,于100℃烘箱中烘干备用;
(c)取步骤(a)所制备内层包埋粉料的一半放入石墨坩埚,放入经步骤(b)处理过的C/C复合材料,再放入另一半内层包埋粉料覆盖,然后加上石墨坩埚盖;
(d)将石墨坩埚放入石墨作加热体的立式真空炉中,对真空炉进行抽真空处理后,以5~10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600~1900℃,保温1~3小时,关闭电源自然冷却至室温,整个过程通氩气保护,制备SiC内层;
(e)分别称取质量百分比为40~70%的Si粉,30~60%的Al2O3粉,加入一定量无水乙醇和硅溶胶调配成粘度适当的料浆,进行不少于10分钟超声波分散处理,然后用磁力搅拌器进行搅拌,搅拌器转速为2.5~3.5转/秒,搅拌时间不少于30分钟,制备外层浆料;
(f)预氧化涂层:将制备的浆料均匀的涂刷于经步骤(d)制备的SiC内层表面,于100℃烘箱中烘干后放入氧化铝坩埚中,将坩埚置入已升温好的管式高温箱式电阻炉内,设定温度为1400~1450℃,氧化1~3小时,关闭电源自然冷却至室温。
本发明的有益效果为:外层制备工艺经济简易,制备温度低。在预氧化过程中外层料浆中的Si氧化成为SiO2并且与Al2O3原位生成具有莫来石相的mullite-Si-Al2O3外涂层。该方法制备的涂层抗热震性能好,与内涂层的热膨胀系数接近,可有效控制裂纹的产生。因而这种防氧化涂层不仅工艺简易,并且能有效的在1500℃高温下对C/C复合材料提供较长时间的防氧化保护。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明方法实施例2制备的SiC/mullite-Si-Al2O3涂层的扫描电镜照片和X射线衍射图谱。
图2是本发明方法实施例2制备的涂层断面扫描电镜照片及元素线扫描能谱。
图3是本发明方法实施例2制备的涂层试样与单层SiC涂层试样在1500℃空气中等温氧化失重曲线。
具体实施方式
实施例1:分别称取19g的Si粉,4g的C粉,2g的Al2O3粉,置于玛瑙球磨罐中,加入蒸馏水作为球磨剂,在行星式球磨机上进行球磨混合处理。混合粉料∶蒸馏水∶玛瑙球=1∶3∶0.8(质量比)。球磨10小时后,将混合液取出于100℃下烘干,烘干后的粉料研磨分散后作为包埋粉料备用。同时将C/C复合材料分别用400号、800号以及1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇放入超声波中洗涤干净,于100℃烘箱中烘干。Si粉的纯度为99.5%、粒度为400目,C粉的纯度为99%、粒度为400目,Al2O3粉的纯度为99.9%、粒度为400目。玛瑙球的尺寸及数量见附表。
将上述步骤制备的包埋料的一半放入石墨坩埚,放入C/C复合材料,再放入另一半包埋料覆盖,然后轻轻摇晃坩埚,使包埋料均匀包埋C/C复合材料,然后加上坩埚盖。将石墨坩埚放入石墨作加热体的立式真空炉中,抽真空1小时后使真空度达到-0.09MPa,静置1小时,并观察真空表是否变化,如无变化,说明系统密封完好。以10℃/min升温速度将炉温从室温升至2000℃,保温2小时,关闭电源自然冷却至室温,整个过程通氩气保护。开炉后打开坩埚,从粉料中取出C/C复合材料,清洗干净后可看到在材料表面有一层产物即为SiC内层。
分别称取0.70g的Si粉,0.28g的Al2O3粉,将上述已称量的粉料倒入盛有乙醇溶液的容器中,再加入少量硅溶胶进行超声波分散处理10分钟,利用磁力搅拌器进行搅拌混合制成料浆,搅拌器转速为3转/秒,搅拌时间为30分钟。将所制备的料浆均匀地涂刷于带有SiC内层的C/C复合材料表面,于100℃烘箱中烘干后放入氧化铝坩埚中,并将坩埚放入升温好的管式高温箱式电阻炉内,设定温度为1450℃,氧化1小时,关闭电源自然冷却至室温。经检测,这种双层涂层可提供1500℃高温防氧化保护。
附表:玛瑙球的直径和数量
Figure G2009102194833D00031
实施例2:分别称取20g的Si粉,3.75g的C粉,1.25g的Al2O3粉,置于玛瑙球磨罐中,加入蒸馏水作为球磨剂,在行星式球磨机上进行球磨混合处理。混合粉料∶蒸馏水∶玛瑙球=1∶3∶0.8(质量比)。球磨15小时后,将混合液取出于100℃下烘干,烘干后的粉料研磨分散后作为包埋粉料备用。同时将C/C复合材料分别用400号、800号以及1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇放入超声波中洗涤干净,于100℃烘箱中烘干。Si粉的纯度为99.5%、粒度为400目,C粉的纯度为99%、粒度为400目,Al2O3粉的纯度为99.9%、粒度为300目。玛瑙球的尺寸及数量见附表。
将上述步骤制备的包埋料的一半放入石墨坩埚,放入C/C复合材料,再放入另一半包埋料覆盖,然后轻轻摇晃坩埚,使包埋料均匀包埋C/C复合材料,然后加上坩埚盖。将石墨坩埚放入石墨作加热体的立式真空炉中,抽真空30分钟后使真空度达到-0.09MPa,静置1小时,并观察真空表是否变化,如无变化,说明系统密封完好。以5℃/min升温速度将炉温从室温升至1600℃,保温3小时,关闭电源自然冷却至室温,整个过程通氩气保护。开炉后打开坩埚,从粉料中取出C/C复合材料,清洗干净后可看到在材料表面有一层产物即为SiC内层。
分别称取0.65g的Si粉,0.35g的Al2O3粉,将上述已称量的粉料倒入盛有乙醇溶液的容器中,再加入少量硅溶胶进行超声波分散处理15分钟,利用磁力搅拌器进行搅拌混合制成料浆,搅拌器转速为3转/秒,搅拌时间为40分钟。将所制备的料浆均匀地涂刷于带有SiC内层的C/C复合材料表面,于100℃烘箱中烘干后放入氧化铝坩埚中,并将坩埚放入升温好的管式高温箱式电阻炉内,设定温度为1430℃,氧化2小时,关闭电源自然冷却至室温。经检测,这种双层涂层可提供1500℃高温防氧化保护。
实施例3:分别称取质量百分比为16.25g的Si粉,5g的C粉,3.75g的Al2O3粉,置于玛瑙球磨罐中,加入蒸馏水作为球磨剂,在行星式球磨机上进行球磨混合处理。混合粉料∶蒸馏水∶玛瑙球=1∶3∶0.8(质量比)。球磨10小时后,将混合液取出于100℃下烘干,烘干后的粉料研磨分散后作为包埋粉料备用。同时将C/C复合材料分别用400号、800号以及1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇放入超声波中洗涤干净,于100℃烘箱中烘干。Si粉的纯度为99.5%、粒度为400目,C粉的纯度为99%、粒度为400目,Al2O3粉的纯度为99.9%、粒度为300目。玛瑙球的尺寸及数量见附表。
将上述步骤制备的包埋料的一半放入石墨坩埚,放入C/C复合材料,再放入另一半包埋料覆盖,然后轻轻摇晃坩埚,使包埋料均匀包埋C/C复合材料,然后加上坩埚盖。将石墨坩埚放入石墨作加热体的立式真空炉中,抽真空30分钟后使真空度达到-0.09MPa,静置1小时,并观察真空表是否变化,如无变化,说明系统密封完好。以10℃/min升温速度将炉温从室温升至1800℃,保温2小时,关闭电源自然冷却至室温,整个过程通氩气保护。开炉后打开坩埚,从粉料中取出C/C复合材料,清洗干净后可看到在材料表面有一层产物即为SiC内层。
分别称取0.49g的Si粉,0.51g的Al2O3粉,将上述已称量的粉料倒入盛有乙醇溶液的容器中,再加入少量硅溶胶进行超声波分散处理20分钟,利用磁力搅拌器进行搅拌混合制成料浆,搅拌器转速为3转/秒,搅拌时间为30分钟。将所制备的料浆均匀地涂刷于带有SiC内层的C/C复合材料表面,于100℃烘箱中烘干后放入氧化铝坩埚中,并将坩埚放入升温好的管式高温箱式电阻炉内,设定温度为1400℃,氧化3小时,关闭电源自然冷却至室温。经检测,这种双层涂层可提供1500℃高温防氧化保护。
从图1扫描电镜照片和X射线衍射图谱可以看到,实施例2制备的涂层,结构致密、外涂层主要存在mullite、Si和Al2O3三种物相,涂层经预氧化转化为预期的涂层组分。
从图2的断面扫描电镜照片及元素线扫描能谱可以看到,实施例2制备的涂层,内层与基体界面处,Si元素与C元素浓度呈梯度过渡,在外涂层区域,Al元素和O元素浓度明显增加且呈均匀分布。
从图3的失重曲线可以看到,实施例2制备的SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层在1500℃静态空气中等温氧化75小时后试样失重仅为4.6%,防氧化性能明显优于单一的SiC内涂层。

Claims (1)

1.一种C/C复合材料表面防氧化SiC/mullite-Si-Al2O3复合涂层的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(a)分别称取质量百分比为65~80%的Si粉,5~20%的C粉,5~15%的Al2O3粉,置于玛瑙球磨罐中,加入蒸馏水进行不少于10小时球磨混合处理,将混合液取出于100℃下烘干,制成内层包埋粉料;
(b)将C/C复合材料打磨抛光后用超声波清洗干净,于100℃烘箱中烘干备用;
(c)取步骤(a)所制备内层包埋粉料的一半放入石墨坩埚,放入经步骤(b)处理过的C/C复合材料,再放入另一半内层包埋粉料覆盖,然后加上石墨坩埚盖;
(d)将石墨坩埚放入石墨作加热体的立式真空炉中,对真空炉进行抽真空处理后,以5~10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600~1900℃,保温1~3小时,关闭电源自然冷却至室温,整个过程通氩气保护,制备SiC内层;
(e)分别称取质量百分比为40~70%的Si粉,30~60%的Al2O3粉,加入一定量无水乙醇和硅溶胶调配成粘度适当的料浆,进行不少于10分钟超声波分散处理,然后用磁力搅拌器进行搅拌,搅拌器转速为2.5~3.5转/秒,搅拌时间不少于30分钟,制备外层浆料;
(f)预氧化涂层:将制备的浆料均匀的涂刷于经步骤(d)制备的SiC内层表面,于100℃烘箱中烘干后放入氧化铝坩埚中,将坩埚置入已升温好的管式高温箱式电阻炉内,设定温度为1400~1450℃,氧化1~3小时,关闭电源自然冷却至室温。
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