CN101786609A - 一种棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于一种纳米材料的合成方法，具体为一种棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于三辛基膦中得到Se前体；将锌源体溶于十八烯中，在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理；然后引入长链烷基硫醇对已活化的Zn前体进行“模板化”处理，最后在惰性气体保护下升温至合成反应温度(300-350℃)；将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，环境污染小，结晶度好，荧光量子产率高的优点。

Description

一种棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法

技术领域

本发明涉及一种纳米材料的合成方法，在有机相反应环境下，以表面活性剂做模板，采用对Zn前体的“模板化”处理，实现了棒形ZnSe荧光纳米晶的合成。

背景技术

半导体纳米材料具有不同于体材料的物理、化学和光学特性。正因其独特的光电特性使其在生物探针、燃料电池、非线性光学等领域具有广阔的应用前景。研究表明，半导体纳米晶体的光电性质不仅与其组成、大小有关，还会随形貌的变化而变化。例如一维纳米棒与纳米粉体不同，电子和光学激子在纳米棒中只能沿轴向有效传输，不仅具有小尺寸效应，表面效应，量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等特殊性质，而且存在由纳米结构组合引起的新的量子耦合效应和协同效应等，显示出优异的光学、电学性能，可用作纳米器件及超大规模集成电路中的连接导线、光导纤维等。因此，具有特殊形貌的纳米材料的合成引起了研究者的广泛兴趣。

至今已报道的ZnSe纳米晶的形貌大部分局限于零维的量子点，中国专利200810233748.0和中国专利200810233749.5采用对锌前体的“均一化”处理，在有机相反应环境下，实现了针状和花形ZnSe半导体纳米晶的合成。而其它的纳米晶已经在不同形貌的制备上有了较大的突破。如中国专利200910113271.7利用银/碳模板剂实现了银掺杂氧化锌纳米棒的固相合成；中国专利200710070053.0，采用水热法在水相中制备出六角星形硫化铅(即PbS)；中国专利200810047823.4在水相中制备出纺锤形锐钛矿TiO₂；中国专利200710193538.9在高压反应釜中制备出多种形貌(球状、方形、多边形)的有机配体包覆的四氧化三锰纳米晶。

ZnSe半导体纳米晶的合成路线可根据反应介质主要分为水相合成和有机相合成两类。其中ZnSe半导体纳米晶在水相中的合成反应主要有：(1)中国专利200510024938.8采用水相介质在微波辅助下快速合成硒化锌量子点。(2)中国专利200610024520.1采用水相介质合成ZnSe/ZnS核壳量子点，在制备量子点的过程中所需光降解时间长。在有机相中合成ZnSe半导体纳米晶目前成功的合成路线主要有：(1)Peng的研究组(L Li，N Pradhan，Y Wang et al.Nano Lett.，2004，4：2261～2264)采用高温溶剂的方法，用十八烷基胺(简称ODA)活化Zn前体，合成出了结晶度高的ZnSe纳米晶。Peng的研究组认为较高的反应温度是合成高质量低表面缺陷和致密晶体的关键，因此他们提出采用二十四烷和十八烯(简称ODE)作为高温反应溶剂。但由于二十四烷的引入，给后期的洗涤带来了很大困难，且新的高温溶剂的引入在对反应的成本控制也是十分不利的。(2)2005年中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的曾庆辉等的发明利用类似的方法在有机相中制备ZnSe纳米晶(中国专利：申请号为200510016794.1)。他们采用氧化锌(ZnO)、硬脂酸和十八烯，在氮气保护下制得锌的前驱体溶液，用硒粉、三正辛基膦(简称TOP)和十八烯在密封容器中，制得Se的储备液；向锌的前驱体溶液中加入氧化三正辛基膦(简称TOPO)和十六烷基胺，在氮气的存在下将硒的储备液快速注入、降温，制得ZnSe量子点。该方法使用TOPO作为Zn前体的配体溶剂，毒性大，且价格高。(3)中国专利200710193410.2提出了一种由二氧化硒合成硒化镉或硒化锌量子点的方法。其合成硒化锌所选定的反应温度范围是270-300℃，由于反应温度不足够高，所得的纳米晶存在表面缺陷并且晶体不致密。

总之，当前ZnSe纳米晶的合成工艺中存在的不足是：1.目前的合成方法无论在水相还是在有机相中，尚未有报道制备出棒形的ZnSe半导体纳米晶。2.中国专利：申请号为200510016794.1所用的有机相含有机膦的合成路线中，采用长链烷基胺来活化锌的前体，此外还要加入ODE作为高温非配位溶剂，使用两种有机膦试剂(TOPO和TOP)分别作为Zn前体和Se前体的配位溶剂，其毒性和成本都较高，且因反应温度较低(低于300℃)不利于得到结晶度好的纳米晶；3.Peng的研究组所采用的有机相含有机膦的合成路线中，使用2种混合高温非配位溶剂(ODE和二十四烷)时方可使反应温度高于300℃，以确保所得纳米晶的结晶度高。但其中的长链烷烃(如二十四烷)的引入使纳米晶的洗涤非常困难。4.中国专利200810233748.0中所制备的针形ZnSe半导体纳米晶不具有发光特性。

发明内容

本发明的目的在于针对目前制备ZnSe纳米晶合成工艺中的不足，提出一种在有机相中合成ZnSe荧光纳米棒的方法。该方法具有工艺简单，原料易得，环境污染小，结晶度好，荧光量子产率高的优点。

为实现上述目的，本发明在有机相中合成纳米晶，将Zn的前体分散在非配位溶剂ODE和长链烷基胺中，避免使用配位溶剂TOPO这一剧毒物质，降低了反应体系的毒性和成本；长链烷基胺用作Zn前体的活化剂；选择表面活性剂为模板剂，利用表面活性剂所形成的胶束来控制特殊形貌纳米晶的生长；同时活化剂和模板剂也起到高温溶剂的作用，大大简化了反应体系，降低了合成成本，既能保证体系的反应温度在300℃以上，因而可得到结晶度理想的量子点，同时又避免了引入长链烷烃所引起的产品洗涤困难。所得的ZnSe纳米棒结晶度较好，荧光量子产率较高(对比罗丹明B)在55％左右。

本发明的方法合成棒形ZnSe纳米晶是用Se前体和Zn前体在高温下(300-350℃)进行的有机相合成反应。Se前体是在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于配位溶剂中得到；锌前体是在惰性气体保护下将锌源体溶于非配位溶剂十八烯中得到的，然后加入活化剂长链烷基胺和表面活性剂长链烷基硫醇，分别对其进行“活化”和“模板化”处理；最后将处理过的Zn前体温度升至合成反应温度(300-350℃)；将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到不同尺寸的棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

上述锌源体可以为ZnO，硬脂酸锌(ZincStearate)，癸酸锌，醋酸锌，碳酸锌，钛酸锌或磷酸锌等。

上述“活化”处理过程是指一定的温度下在Zn前体中加入活化剂，并进行搅拌或超声处理，使其充分反应。

上述“模板化”处理过程是指一定的温度下在已活化的Zn前体中加入模板剂，充分混合，可以通过搅拌或超声的形式实现。

上述长链烷基胺为总C数在12以上的直链烷基胺或支链C数在6以上且支链数大于等于2的支链烷基胺(如十六烷基胺，十八烷基胺，二辛基胺等)。

上述配位溶剂可以为三辛基膦TOP(Tri-n-octylphosphine)或三丁基膦TBP(Tributylphosphine)等。

上述表面活性剂可以为长链烷基硫醇(如十二烷基硫醇，十八烷基硫醇等)

上述惰性气体可以为氮气或氩气等。

上述高极性有机溶剂可以为乙醇，甲醇，丁醇或丙酮等。

上述低极性有机溶剂可以为正己烷，甲苯，石油醚，氯仿或苯等。

ZnSe的合成反应温度在300℃-350℃，优选330℃-350℃。

本发明的棒形ZnSe纳米晶的合成可通过如下技术措施来实现：

1、第一步，首先将Se，配位溶剂，在惰性气体保护下加热并搅拌1-10个小时，得到Se前体。

加热温度比较宽泛，为室温至100℃；加热方式可以是油浴或水浴，搅拌方式可以为磁力搅拌或超声等。

2、第二步，将锌源体溶于ODE中得到Zn前体，然后在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理。

以搅拌或超声形式进行的“活化”处理的时间在90-150分钟，优选90-130分钟。

以搅拌和超声形式进行的“活化”处理的温度在室温至50℃。

Se和锌源体之间的摩尔比控制在1∶1到20∶1之间即可。

ODE和锌源体之间的摩尔比控制在80∶1到120∶1之间。

控制长链烷基胺与锌源体的摩尔比在5∶1到40∶1之间。

3、第三步，在惰性气体保护下，将模板剂长链烷基硫醇加入到已活化的Zn前体中，然后对其进行“模板化”处理。

以搅拌或超声形式进行的“模板化”处理的时间在90-150分钟，优选90-130分钟。

以搅拌和超声形式进行的“模板化”处理的温度在60℃-90℃。

长链烷基硫醇的量没有严格的规定，控制长链烷基硫醇与锌源体的摩尔比在20∶1以上即可。

4、第四步，继续在惰性气体保护下，将“模板化”的Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到“模板化”的Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、第五步，纳米晶开始生长后，当反应时间达到1-3小时，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、第六步，分离纯化，即向棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物棒形ZnSe纳米晶的透明溶液。

混合溶剂为高极性有机溶剂与低极性有机溶剂以任意比例混合得到的。

本发明合成的ZnSe纳米棒的方法具有以下特点：

(1)以棒形的ZnSe纳米晶为合成目标，通过在已活化的Zn前体中引入表面活性剂作模板，调节整个反应的相关参数(方法、温度、时间)这一系列简单的操作，首次合成出了棒形ZnSe纳米晶。

(2)仅用一种毒性的有机膦配位溶剂，相比采用两种有机膦配位溶剂的合成方法，毒性和成本都降低。

(3)在高温(高于300℃)有机相中合成棒形ZnSe纳米晶，所合成的纳米晶结晶度好，纳米棒的长度为50-200nm，直径为20nm-40nm；荧光量子产率较高(对比罗丹明B)在55％左右。

(4)长链烷基胺充当活化剂，表面活性剂充当模板剂，二者同时又充当高温溶剂。简化了反应体系，降低了合成成本，既能保证体系的反应温度在300℃以上(确保纳米晶的结晶度)。

(5)合成的棒形ZnSe纳米晶具有较高的荧光量子产率。

(6)本方法可以应用于其它半导体材料的设计和制备中，可引发系列具有独特形貌的半导体纳米晶的研制。

下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的描述。

附图说明

图1是采用本发明方法合成出的棒形ZnSe纳米晶的TEM图

图2是采用本发明方法合成出的棒形ZnSe纳米晶的荧光光谱图

具体实施方式

实施例1：

棒形ZnSe纳米晶的合成：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)在氮气保护下油浴加热40℃，搅拌一个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(0.108g)在氮气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。将Zn前体通过在50℃下搅拌3个小时实现对其的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(2.2925g，8*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌1个小时，对其进行“模板化”处理。

4、继续在氮气保护下，将Zn前体所在体系升温至305℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到275℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶原溶液粗产物中加入苯与丁醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用苯溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例2：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)在氩气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.0632g，0.1*10^-3mol)，ODA(0.216g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。将Zn前体通过在70℃下超声1个小时实现对其的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(2.2925g，8*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌1个小时，对其进行“模板化”处理。

4、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至305℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到275℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入石油醚与乙醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用石油醚溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例3：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氮气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，十六烷基胺(2.16g)组成的Zn前体在室温下充分研磨3个小时，实现对其的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(1.1462g，4*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌1个小时，对其进行“模板化”处理。

4、在氮气保护下，将Zn前体所在体系升温至315℃，在搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到290℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时30分钟，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入甲苯与丙酮，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用甲苯溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例4：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氩气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.0632g，1*10^-3mol)，ODA(1.1462g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。将Zn前体通过在90℃下超声3个小时实现对其的“活化”处理。

3、将十二烷基硫醇(1.6192g，8*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌1.5个小时，对其进行“模板化”处理。

4、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至325℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到300℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时5分钟，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入正己烷与丁醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用正己烷溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例5：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氩气保护下加热40℃并搅拌2个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，二辛基胺(3.9g)组成的Zn前体在室温下充分研磨5个小时，实现对Zn前体的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(2.2925g，8*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌2个小时，对其进行“模板化”处理。

4、在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至330℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到305℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时25分钟，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入氯仿与乙醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用氯仿溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例6：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氩气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.0632g，1*10^-3mol)，ODA(0.1194g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。将Zn前体通过在90℃下搅拌50分钟实现对其的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(0.5731g，2*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌2.5个小时，对其进行“模板化”处理。

4、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至340℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到310℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时15分钟，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入氯仿与甲醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用氯仿溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例7：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TBP(0.5g)，在氩气保护下加热50℃并搅拌1.5个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(0.216g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。将Zn前体通过在110℃下超声70分钟实现对其的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(1.1462g，4*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌2.5个小时，对其进行“模板化”处理。

4、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至315℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到290℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时45分钟，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入甲苯与甲醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用甲苯溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

实施例8：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TBP(0.5g)，在氩气保护下加热50℃并搅拌1.5个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZnO(0.081g，1*10^-3mol)，ODA(0.216g)在氩气的保护下充分搅拌，。实现对Zn前体的“活化”处理。

3、将十八烷基硫醇(1.1462g，4*10^-3)在氮气保护下，加入到Zn前体中，然后在50℃下搅拌2.5个小时，对其进行“模板化”处理。

4、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至315℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到290℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

5、纳米晶开始生长后，当反应时间达到1小时45分钟，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

6、在棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入石油醚与甲醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用石油醚溶解得到最终产物ZnSe纳米棒的透明溶液。

Claims (10)

1.一种棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)首先将Se，配位溶剂，在惰性气体保护下加热并搅拌1-10个小时，得到Se前体。

(2)将锌源体溶于十八烯中得到Zn前体，然后在惰性气体的保护下加入活化剂长链烷基胺，对其进行“活化”处理。

(3)在惰性气体保护下，将模板剂长链烷基硫醇加入到已活化的Zn前体中，然后对其进行“模板化”处理。

(4)继续在惰性气体保护下，将“模板化”的Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到“模板化”的Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。

(5)纳米晶开始生长后，当反应时间达到1-3小时，停止加热，结束反应。得到的为棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。

(6)分离纯化，即向棒形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物中加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物棒形ZnSe纳米晶的透明溶液。

2.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(1)中，加热温度比较宽泛，为室温至100℃；加热方式可以是油浴或水浴，搅拌方式可以为磁力搅拌或超声等。

3.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(1)中，配位溶剂可以为三辛基膦TOP(Tri-n-octylphosphine)或三丁基膦TBP(Tributylphosphine)等。

4.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)中，Se和锌源体之间的摩尔比控制在1∶1到20∶1之间；十八烯和锌源体之间的摩尔比控制在80∶1到120∶1之间；长链烷基胺与锌源体的摩尔比在5∶1到40∶1之间。

5.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(2)中，锌源体可以为ZnO，硬脂酸锌(ZincStearate)，癸酸锌，醋酸锌，碳酸锌，钛酸锌或磷酸锌等。长链烷基胺为总C数在12以上的直链烷基胺或支链C数在6以上且支链数大于等于2的支链烷基胺(如十六烷基胺，十八烷基胺，二辛基胺等)。

6.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(2)中，“活化”处理是指一定的温度下在锌前体中加入活化剂，并进行搅拌或超声处理一定时间。活化”的时间在90-150分钟，优选90-130分钟。“活化”的温度在室温至50℃之间。

7.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(3)中，长链烷基硫醇为十二烷基硫醇，十八烷基硫醇等。“模板化”处理是指一定的温度下在已活化的Zn前体中加入模板剂，充分混合，可以通过搅拌或超声的形式实现。“模板化”处理的时间在90-150分钟，优选90-130分钟。“模板化”处理的温度在60℃-90℃。

8.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(2)和(3)中，长链烷基硫醇的量没有严格的规定，控制长链烷基硫醇与锌源体的摩尔比在20∶1以上即可。

9.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(4)中，ZnSe的合成反应温度优选在330℃-350℃。

10.如权利要求1所述的棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法，其特征在于：所述步骤(6)中，高极性有机溶剂是乙醇，甲醇，丁醇或丙酮等。低极性有机溶剂是正己烷，甲苯，石油醚，氯仿或苯等。混合溶剂为高极性有机溶剂与低极性有机溶剂以任意比例混合得到的。

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