CN101786595B - 稀土倍半氧化物纳米带及其制备方法 - Google Patents
稀土倍半氧化物纳米带及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种稀土氧化物纳米带及其制备方法,属于无机纳米材料制备技术领域。本发明提供的稀土倍半氧化物纳米带,其特征在于,所述的稀土倍半氧化物纳米带为一种纳米带结构,纳米带的厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土氧化物纳米片构成。本发明包括三个步骤:首先,配制纺丝液,将稀土化合物、高分子模板剂、溶剂按照一定比例混合;其次,制备前驱体纳米带,采用静电纺丝技术实现;最后,制备稀土倍半氧化物纳米带,采用热处理方法通过控制升温速率、保温温度、保温时间实现。
Description
技术领域
本发明涉及一种稀土倍半氧化物纳米带材料及其制备方法,属于无机纳米材料制备技术领域。
背景技术
纳米带是一种用人工方法合成的呈带状结构的纳米材料,它的横截面是一个矩形结构。由于其形貌的不同,显示出一系列特性,最突出的是比表面积大,从而其表面能和活性增大,进而产生小尺寸效应、表面或界面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应等,并因此表现出一系列化学、物理(热、光、声、电、磁等)方面的特异性。然而,纳米带的制备方法是这一领域需要解决的技术问题。
专利号为1975504的美国专利公开了一项有关静电纺丝方法(electrospinning)的技术方案,该方法是制备连续的、具有宏观长度的微纳米纤维的一种有效方法。这一方法主要用来制备高分子纳米纤维、无机氧化物纳米纤维和少量纳米带。有人利用静电纺丝技术成功制备了高分子纳米带(Materials Letters,2007,61:2325-2328;Journal of Polymer Science:Part B:Polymer Physics,2001,39:2598-2606)、多孔SnO2纳米带(Nanotechnology,2007,18:435704:J.Am.Ceram.Soc.,2008,91(1):257-262)、Ga2O3纳米带(J.Crystal Growth,2007,308(1):180-184)和TiO2纳米带(中国发明专利申请,申请号为:200810050948.2,专利名称为:一种制备二氧化钛纳米带的方法)。
发明内容
在背景技术中采用静电纺丝技术制备的纳米带较窄、表面不光滑,构成纳米带的粒子直径大,而且均为非稀土化合物。本发明使用静电纺丝技术制备了稀土倍半氧化物纳米带,为稀土氧化物纳米材料添加了一个新品种。
本发明提供的稀土倍半氧化物纳米带,其特征在于,所述的稀土倍半氧化物纳米带为一种纳米带结构,纳米带的厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成。所述的稀土倍半氧化物纳米带的通式为R2O3:RE3+,其中O为氧元素,R和RE为不同的稀土元素,R与RE的物质的量之比为R∶RE=(100~80)∶(0~20),RE的掺入有两种方案,其一被称为单掺,即RE为一种稀土元素,其二被称为多掺,即RE为两种或者两种以上稀土元素。当RE的量为零时,R为稀土元素La、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1个;当RE的量大于等于1时,R为La、Y、Gd中的1个,RE为Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1个或者1个以上的混合物。
本发明是这样实现的,首先,配制纺丝液,将稀土化合物、高分子模板剂、溶剂按照某一质量配比混合;其次,制备前驱体纳米带,采用静电纺丝技术通过控制纺丝电压、固化距离、环境温度及湿度实现;第三,制备稀土倍半氧化物纳米带,采用热处理方法通过控制升温速率、保温温度、保温时间实现。其特征在于:
一、纺丝液的配制
(一)将稀土化合物或稀土氧化物的酸溶物溶于溶剂中,搅拌得到稀土化合物溶液;
(二)向所述稀土化合物溶液中加入高分子模板剂,搅拌得到稀土化合物和高分子的混合纺丝液,其配比(质量百分比)为:
稀土化合物 8~15%,
高分子 15~25%,
溶剂 60~77%;
二、稀土化合物/高分子模板剂前驱体纳米带的制备
采用静电纺丝方法,纺丝电压为10~25kV、固化距离为10~30cm,纺丝温度为15~26℃,湿度为30~55%,得到稀土化合物/高分子前驱体纳米带;
三、稀土倍半氧化物纳米带的制备
对稀土化合物/高分子前驱体纳米带进行热处理,升温速率为0.5~10.0℃/min,在600~1000℃范围内的某一温度下保温10~36小时,高分子及溶剂挥发,稀土化合物分解为稀土倍半氧化物,之后自然冷却至室温,得到稀土倍半氧化物纳米带;
稀土化合物为稀土元素的硝酸盐、硫酸盐、氯化物、醋酸盐、碳酸盐或氧化物的酸溶物中的1种或1种以上的混合物。
高分子模板剂为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或聚乙烯醇(PVA)中的1种或2种的混合物。
溶剂为水、乙醇或N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中的1种或1种以上的混合物。
附图说明
图1是La2O3:Eu纳米带的SEM照片,该图兼作说明书摘要附图;
图2是La2O3:Eu纳米带的高倍SEM照片;
图3是La2O3:Eu纳米带的XRD谱图;
图4是La2O3:Eu纳米带的能谱图;
图5是La2O3:Eu纳米带的荧光发射光谱图;
图6是Y2O3:Eu纳米带的SEM照片;
图7是Y2O3:Eu纳米带的XRD谱图;
图8是Gd2O3:Tb纳米带的SEM照片;
图9是Gd2O3:Tb纳米带的XRD谱图。
具体实施方式
实施例1:称取1.897g La(NO3)3·6H2O和0.103g Eu(NO3)3·6H2O,向其中加入15.0g DMF后搅拌使其完全溶解,然后加入3.0g PVP,继续搅拌至得到均匀、透明的溶液,此即为La(NO3)3/PVP混合纺丝液,其中La(NO3)3·6H2O和Eu(NO3)3·6H2O的质量百分比为10%,PVP的质量百分比为15%,DMF的质量百分比为75%,La(NO3)3·6H2O和Eu(NO3)3·6H2O的物质的量之比为95∶5;采用静电纺丝技术对La(NO3)3/PVP混合纺丝液进行静电纺丝,即可获得La(NO3)3/PVP前驱体纳米带,其中纺丝电压为20kV,固化距离为18cm;然后对La(NO3)3/PVP前驱体纳米带进行热处理即可获得La2O3:Eu纳米带,其中升温速率为0.2℃/min,于1000℃焙烧10小时,之后自然冷却至室温。合成的La2O3:Eu纳米带厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成,见图1和图2所示,其晶面间距d值与标准卡片PDF 74-1144一致,见图3所示,合成的La2O3:Eu纳米带含有La、O、Eu三种元素,见图4所示,在278nm波长的光的激发下,发射出Eu离子的特征红光,见图5所示。
实施例2:称取1.897g La(NO3)3·6H2O和0.103g Eu(NO3)3·6H2O,向其中加入15.0g DMF后搅拌使其完全溶解,然后加入3.0g PVP,继续搅拌至得到均匀、透明的溶液,此即为La(NO3)3/PVP混合纺丝液,其中La(NO3)3·6H2O和Eu(NO3)3·6H2O的质量百分比为10%,PVP的质量百分比为15%,DMF的质量百分比为75%,La(NO3)3·6H2O和Eu(NO3)3·6H2O的物质的量之比为95∶5;采用静电纺丝技术对La(NO3)3/PVP混合纺丝液进行静电纺丝,即可获得La(NO3)3/PVP前驱体纳米带,其中纺丝电压为20kV,固化距离为18cm;然后对La(NO3)3/PVP前驱体纳米带进行热处理即可获得La2O3:Eu纳米带,其中升温速率为0.2℃/min,于1000℃焙烧10小时,之后自然冷却至室温。合成的La2O3:Eu纳米带厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成,见图1和图2所示,其晶面间距d值与标准卡片PDF 74-1144一致,见图3所示,合成的La2O3:Eu纳米带含有La、O、Eu三种元素,见图4所示,在278nm波长的光的激发下,发射出Eu离子的特征红光,见图5所示。
实施例2:称取2.7958g YCl3·7H2O和0.2042g Eu(NO3)3·6H2O,向其中加入12.0g水后搅拌使其完全溶解,然后加入5.0g PVA,继续搅拌至得到均匀、透明的溶液,此即为[YCl3+Eu(NO3)3]/PVA混合纺丝液,其中YCl3·7H2O和Eu(NO3)3·6H2O的质量百分比为15%,PVA的质量百分比为25%,水的质量百分比为60%,YCl3·7H2O和Eu(NO3)3·6H2O的物质的量之比为95∶5;采用静电纺丝技术对[YCl3+Eu(NO3)3]/PVA混合纺丝液进行静电纺丝,即可获得[YCl3+Eu(NO3)3]/PVA前驱体纳米带,其中环境温度为26℃,相对湿度为55%,纺丝电压为25kV,固化距离为30cm;然后对[YCl3+Eu(NO3)3]/PVA前驱体纳米带进行热处理即可获得Y2O3:Eu纳米带,其中升温速率为10℃/min,于600℃焙烧10小时,之后自然冷却至室温。合成的La2O3:Eu纳米带厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成,见图6所示,其晶面间距d值与标准卡片PDF65-3178一致,见图7所示。
实施例3:称取1.8041g Gd2O3和0.1959g Tb4O7,用浓硝酸将其完全溶解后加热蒸发结晶获得Gd(NO3)3+Tb(NO3)3的混合物,向其中加入19.25g DMF后搅拌使其完全溶解,然后加入3.75g PVP,继续搅拌至得到均匀、透明的溶液,此即为[Gd(NO3)3+Tb(NO3)3]/PVP混合纺丝液,其中Gd2O3和Tb4O7的质量百分比为8%,PVP的质量百分比为15%,DMF的质量百分比为77%,Gd2O3和Tb4O7的物质的量之比为95∶5;采用静电纺丝技术对[Gd(NO3)3+Tb(NO3)3]/PVP混合纺丝液进行静电纺丝,即可获得[Gd(NO3)3+Tb(NO3)3]/PVP前驱体纳米带,其中环境温度为15℃,相对湿度为30%,纺丝电压为10kV,固化距离为10cm;然后对[Gd(NO3)3+Tb(NO3)3]/PVP前驱体纳米带进行热处理即可获得Gd2O3:Tb纳米带,其中升温速率为0.5℃/min,于600℃焙烧36小时,之后自然冷却至室温。合成的Gd2O3:Tb纳米带厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成,见图8所示,其晶面间距d值与标准卡片PDF 12-0797一致,见图9所示。
当然,本发明还可有其他多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (1)
1.一种稀土倍半氧化物纳米带的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下具体步骤:
一、纺丝液的配制
(一)将稀土化合物或稀土氧化物的酸溶物溶于溶剂中,搅拌得到稀土化合物溶液;
(二)向所述稀土化合物溶液中加入高分子模板剂,搅拌得到稀土化合物和高分子的混合纺丝液,其配比(质量百分比)为:
稀土化合物 8~15%,
高分子模板剂 15~25%,
溶剂 60~77%;
所述的稀土化合物为稀土元素的硝酸盐、硫酸盐、氯化物、醋酸盐、碳酸盐或氧化物的酸溶物中的1种或1种以上的混合物;所述的高分子模板剂为聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇中的1种或2种的混合物;所述的溶剂为水、乙醇或N,N-二甲基甲酰胺中的1种或1种以上的混合物;
二、稀土化合物/高分子模板剂前驱体纳米带的制备
采用静电纺丝方法,纺丝电压为10~25kV、固化距离为10~30cm,纺丝温度为15~26℃,湿度为30~55%,得到稀土化合物/高分子模板剂前驱体纳米带,所述的稀土化合物/高分子模板剂前驱体纳米带中的/表示混合的意思,也就是说稀土化合物和高分子模板剂的混合物记为稀土化合物/高分子模板剂;
三、稀土倍半氧化物纳米带的制备
对稀土化合物/高分子前驱体纳米带进行热处理,升温速率为0.5~10.0℃/min,在600~900℃范围内的某一温度下保温10~36小时,高分子及溶剂挥发,稀土化合物分解为稀土氧化物,之后自然冷却至室温,得到稀土倍半氧化物纳米带;
所述的稀土倍半氧化物纳米带其特征在于,为一种纳米带结构,纳米带的厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成;所述的稀土倍半氧化物纳米带的通式为R2O3:RE3+,其中O为氧元素,R和RE为不同的稀土元素,R与RE的物质的量之比为R∶RE=(100~80)∶(0~20),RE的掺入有两种方案,其一被称为单掺,即RE为一种稀土元素,其二被称为多掺,即RE为两种或者两种以上稀土元素;当RE的量为零时,R为稀土元素La、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1个;当RE的量大于等于1时,R为La、Y、Gd中的1个,RE为、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1个或者1个以上的混合物。
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