CN101781528A - 耐高温软基材保护膜 - Google Patents
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Abstract
一种耐高温软基材保护膜，在保护膜基层上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶采用的原材料由85％～99.4％的有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物、0.2％～5％的聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷、0.2％～5％的硅烷偶联剂和0.2％～5％Pt催化剂组成。本发明制得的保护膜具有很好的柔软度，并且对有折角的被贴物有很理想的保护效果，不翘变。
Description
技术领域
本发明涉及一种耐高温软基材保护膜，其不仅可以用于玻璃、金属板材、塑料板材等材料的表面保护，还可以使用在有高温要求的材料，对其表面进行保护。
背景技术
玻璃、金属板材、塑料板材等材料在搬运和使用过程中，其表面容易受到接触性污染或磨痕划伤。通常采用保护膜覆盖在其表面使之免受损伤和污染。当被贴物有折角且需要采用高温加工工艺加工时，或产品需要长期放置于高温环境时，现有的保护膜不能满足耐高温的要求。
发明内容
本发明目的是提供一种耐高温软基材保护膜。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种耐高温软基材保护膜，在保护膜基层上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 85％～99.4％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为2～9∶1～8；
B)聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷 0.2％～5％；
C)硅烷偶联剂 0.2％～5％；
D)Pt催化剂 0.2％～5％。
上述技术方案中的有关内容解释如下：
1、上述方案中，所述保护膜基层是聚氯乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
2、上述方案中，所述有机硅生胶是指处于未交联状态，且具有流动性的块状、粒状或者粉末状的胶料。
3、上述方案中，聚二甲基硅氧烷(Polydimethy siloxane)，又可称为二甲基硅油。硅氢改性的聚二甲基硅氧烷是指将聚二甲基硅氧烷通过硅氢加成反应制得。
4、上述方案中，硅烷偶联剂是由硅氯仿(HSiCl3)和带有反应性基团的不饱和烯烃在铂氯酸催化下加成，再经醇解而得。硅烷偶联剂实质上是一类具有有机官能团的硅烷，在其分子中同时具有能和无机质材料(如玻璃、硅砂、金属等)化学结合的反应基团及与有机质材料(合成树脂等)化学结合的反应基团。其包含的种类有：乙烯基三氯硅烷(A-150硅烷偶联剂)、乙烯基三乙氧基硅烷(A-151硅烷偶联剂)、乙烯基三甲氧基硅烷(A-171硅烷偶联剂)、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷(A-172硅烷偶联剂)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550硅烷偶联剂)、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-560硅烷偶联剂)等。
5、上述方案中，Pt催化剂又称为铂催化剂。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：
1、本发明通过配方调整，降低有机硅压敏胶的固化温度至100℃左右，改变了现有有机硅压敏胶存在的固化温度高的问题，把低温固化的硅胶涂布于保护膜基层的表面，制成耐高温的软基材保护膜。
2、本发明制得的保护膜具有很好的柔软度，并且对有折角的被贴物有很理想的保护效果，不翘变。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述：
实施例一：一种耐高温软基材保护膜，在聚丙烯薄膜上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 90％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为3∶7；
B)聚二甲基硅氧烷 3％；
C)硅烷偶联剂 2％；
D)Pt催化剂 5％。
制备方法：将A组分、B组分、C组分和D组分混合后搅拌均匀，用涂布设备涂布于保护膜基层表面，烘烤使有机硅压敏胶固化后贴合收卷。
实施例二：一种耐高温软基材保护膜，在聚氯乙烯薄膜上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 85％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为4∶6；
B)聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷 5％；
C)硅烷偶联剂 5％；
D)Pt催化剂 5％。
制备方法同实施例一。
实施例三：一种耐高温软基材保护膜，在聚乙烯薄膜上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 99.4％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为2～9∶1～8；
B)聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷 5％；
C)硅烷偶联剂 5％；
D)Pt催化剂 5％。
制备方法同实施例一。
实施例四：一种耐高温软基材保护膜，在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 87.8％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为2～9∶1～8；
B)聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷 2.2％；
C)硅烷偶联剂 5％；
D)Pt催化剂 5％。
制备方法同实施例一。
实施例五：一种耐高温软基材保护膜，在保护膜基层上涂敷有机硅压敏胶，所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 95％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为2～9∶1～8；
B)聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷 1.5％；
C)硅烷偶联剂 2.5％；
D)Pt催化剂 1％。
制备方法同实施例一。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种耐高温软基材保护膜，在保护膜基层上涂敷有机硅压敏胶，其特征在于：所述有机硅压敏胶由下列质量含量的原材料组成：
A)有机硅生胶和乙烯基硅油的混合物 85％～99.4％；
其中，有机硅生胶与乙烯基硅油的质量比例为2～9∶1～8；
B)聚二甲基硅氧烷或硅氢改性的聚二甲基硅氧烷 0.2％～5％；
C)硅烷偶联剂 0.2％～5％；
D)Pt催化剂 0.2％～5％。
2.根据权利要求1所述的耐高温软基材保护膜，其特征在于：所述保护膜基层是聚氯乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
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| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
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Address after: 215400 Taicang Economic Development Zone, Qingdao West Road, No. 11, No. Applicant after: Suzhou Sidike New Material Science & Technology Co., Ltd. Address before: 215400 No. 221 East Luoyang Road, Banqiao Town, Jiangsu, Taicang Applicant before: Suzhou Sidike Stickiness Electron Stuff Co., Ltd. |
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| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SUZHOU SIDIKET ELECTRONICS ADHESIVE MATERIAL CO., LTD. TO: SUZHOU SIDIKE NEW MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD. |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20100721 Assignee: Sidike New Materials (Jiangsu) Co.,Ltd. Assignor: Suzhou Sidike New Material Science & Technology Co., Ltd. Contract record no.: 2014320000077 Denomination of invention: Heat-resisting soft substrate protective film Granted publication date: 20120704 License type: Exclusive License Record date: 20140226 |
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| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 223900 Sihong Province Economic Development Zone, Suqian, West Ocean West Road, No. 6 Patentee after: Jiangsu Stick new materials Polytron Technologies Inc Address before: 215400 Taicang Economic Development Zone, Qingdao West Road, No. 11, No. Patentee before: Suzhou Sidike New Material Science & Technology Co., Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170712 Address after: 215400 Taicang, Suzhou, Taicang Economic Development Zone, Qingdao West Road, No. 11, No. Patentee after: Taicang Stick new Mstar Technology Ltd Address before: 223900 Sihong Province Economic Development Zone, Suqian, West Ocean West Road, No. 6 Patentee before: Jiangsu Stick new materials Polytron Technologies Inc |