CN101771091A - 薄膜型太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，能够在不降低电池效率且不增加加工时间的情况下保证宽的透光面积，因此可以将其用作建筑物中玻璃窗的替代物，薄膜型太阳能电池包括：衬底；在衬底上以固定间隔形成的多个前电极；多个半导体层，通过插置于其间的各个接触部分或分隔槽以固定间隔形成，所述多个半导体层在多个前电极上；以及多个后电极，通过插置于其间的各个分隔槽以固定间隔形成，各个后电极与各个前电极电连接；其中，以使透光部分包括在后电极的预定部分中的方式图案化各个后电极。

Description

薄膜型太阳能电池及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2008年12月29日提交的韩国专利申请第P2008-0135936号和2009年4月24日提交的韩国专利申请第P2009-0036121号的权益，其通过引用合并于此，如同在本文中完全阐述。
技术领域
本发明涉及一种薄膜型太阳能电池，更具体地，涉及一种具有大的透光面积的薄膜型太阳能电池，其可用作建筑物中的玻璃窗的替代物。
背景技术
具有半导体特性的太阳能电池将光能转化为电能。
下面对根据现有技术的太阳能电池的构造和原理进行简要介绍。太阳能电池以P型半导体与N型半导体结合在一起的PN结的构造形成。当太阳光线照射在具有PN结构造的太阳能电池上的时候，由于太阳光线的能量而生成空穴(+)和电子(-)。由于在PN结的区域产生了电场，空穴(+)向P型半导体漂移，电子(-)向N型半导体漂移，因此随着电势的出现而形成电源。
太阳能电池主要分为晶片型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。
晶片型太阳能电池使用诸如硅等半导体材料制成的晶片。同时，薄膜型太阳能电池是通过在玻璃衬底上以薄膜的形式形成半导体而制成。
就效率而言，晶片型太阳能电池优于薄膜型太阳能电池。然而，对晶片型太阳能电池来说，因其实施制造过程困难而难以实现较小的厚度。此外，晶片型太阳能电池使用昂贵的半导体衬底，因此增加了它的制造成本。对于晶片型太阳能电池来说，难以在其中获得透光面积，因此晶片型太阳能电池不能用作建筑物中的玻璃窗的替代物。
同时，尽管薄膜型太阳能电池在效率上低于晶片型太阳能电池，但薄膜型太阳能电池具有诸如实现薄形体和使用低价材料等优点。因此，薄膜型太阳能电池适于大规模生产。此外，由于薄膜型太阳能电池易于获得透光面积，因此薄膜型太阳能电池可用作建筑物中的玻璃窗的替代物。
在下文中，将参照附图描述根据现有技术的薄膜型太阳能电池。
图1是图示根据现有技术的薄膜型太阳能电池的透视图。
如图1所示，根据现有技术的薄膜型太阳能电池包括：衬底10；多个前电极20；半导体层30；以及透明导电层40。此时，多个前电极20以固定间隔形成在衬底10上，然后，半导体层30和透明导电层40顺序地形成在所述多个前电极20上。并且，各个接触部分35和各个分隔槽55形成在半导体层30和透明导电层40中。接着，多个后电极50形成在透明导电层40上。各个后电极50通过接触部分35与前电极20电连接，并且多个后电极50通过插置于其间的各个分隔槽55以固定间隔形成。
然而，根据现有技术的薄膜型太阳能电池在用作建筑物中的玻璃窗的替代物时存在以下缺点。
为了将薄膜型太阳能电池用作建筑物中的玻璃窗的替代物，需要在薄膜型太阳能电池中获得任意大小的透光面积。由于根据现有技术的薄膜型太阳能电池包括采用透明金属的前电极20和采用不透明金属的后电极50，使得透光面积被限制在位于各个后电极50之间的分隔槽55中。因此，在根据现有技术的薄膜型太阳能电池中有限的透光面积不能保证宽的可见区。
为了加宽透光面积，可增大位于各个后电极50之间的分隔槽55的宽度。这种方法会导致电池效率降低和加工时间增加的问题。就是说，如果增大分隔槽55的宽度，就会使产生电池电能的有效面积由于增大的分隔槽55的宽度而减小，由此使电池的效率降低。并且，分隔槽55通过激光划线过程形成，因此必须反复执行激光划线过程以增大分隔槽55的宽度，由此导致加工时间长的问题。
发明内容
因此，本发明涉及一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，基本上解决了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的一个方面是提出一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，能够在不降低电池效率且不增加加工时间的情况下保证宽的透光面积，因此可以将其用作建筑物中玻璃窗的替代物。
在下面的描述中将部分地提出本发明的其它特点和方面，并且，对于本领域的技术人员来说，部分的所述其它特点和方面通过分析下文是显而易见的，或者可以通过实施本发明而了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它的优点并与本发明的目的相一致，如在此具体和概括描述的，一种薄膜型太阳能电池，包括：衬底；在衬底上以固定间隔形成的多个前电极；多个半导体层，通过插置于其间的各个接触部分或分隔槽以固定间隔形成，所述多个半导体层在所述多个前电极上；以及多个后电极，通过插置于其间的各个分隔槽以固定间隔形成，各个后电极与各个前电极电连接；其中，以使透光部分包括在后电极的预定部分中的方式图案化各个后电极。
在本发明的另一方面，提供一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：在衬底上以固定间隔形成多个前电极；在包括所述多个前电极的衬底的整个表面上形成半导体层；通过除去半导体层的预定部分，形成多个接触部分和分隔槽；以及，通过插置于多个后电极之间的各个分隔槽，以固定间隔图案化多个后电极，其中，各个后电极通过接触部分与前电极电连接，并且各个后电极包括透光部分在其中，以便增加透光面积。
在本发明的另一方面，提高一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：在衬底上以固定间隔形成多个前电极；在包括所述多个前电极的衬底的整个表面上形成半导体层；通过除去半导体层的预定部分，形成多个接触部分；通过插置于多个后电极之间的各个分隔槽以固定间隔图案化多个后电极，其中，各个后电极通过接触部分与前电极电连接，并且各个后电极包括透光部分在其中，以便增加透光面积；以及，在后电极用作掩模的情况下从透光部分和分隔槽中除去半导体层。
应当理解，本发明的上面的概括描述和下面的详细描述都是示范和说明性的，并且意在提供所主张的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括的附图用于提供本发明的进一步的理解，包括在本说明书中并且构成了本申请的一部分，阐明了本发明的实施例，并且和说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是图示根据现有技术的薄膜型太阳能电池的透视图；
图2是图示根据本发明的一个实施例的薄膜型太阳能电池的透视图；
图3A是沿图2所示的A-A线截取的截面图，图3B是沿图2所示的B-B线截取的截面图，图3C是沿图2所示的C-C线截取的截面图；
图4A和图4B是图示根据本发明的透光部分的各种图案的一系列俯视图；
图5是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的透视图；
图6A是沿图5所示的A-A线截取的截面图，图6B是沿图5所示的B-B线截取的截面图，图6C是沿图5所示的C-C线截取的截面图；
图7A至图7D是一系列透视图，图示根据本发明的一个实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法；
图8是图示根据本发明一个实施例的激光划线装置的原理图；
图9A至图9E是一系列透视图，图示根据本发明的另一个实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法；
图10A和图10B是图示根据本发明不同实施例的湿刻蚀方法的原理图；
图11是图示发生在湿刻蚀过程中的过刻蚀的截面图；以及
图12A至图12E是一系列透视图，图示根据本发明的另一个实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法。
具体实施方式
现在将详细地讲述本发明的优选实施例，本发明优选实施例的例子在附图中示出。在所有可能的情况下，在全部附图中将使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
在下文中，将参照附图描述根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法。
<薄膜型太阳能电池>
图2是图示根据本发明的一个实施例的薄膜型太阳能电池的透视图。图3A是沿图2所示的A-A线截取的截面图，图3B是沿图2所示的B-B线截取的截面图，图3C是沿图2所示的C-C线截取的截面图；
如图2和图3A至图3C所示，根据本发明的一个实施例的薄膜型太阳能电池包括：衬底100，多个前电极200，半导体层300，透明导电层400和多个后电极500。
衬底100可由玻璃或透明塑料形成。
多个前电极200可以以固定间隔形成在衬底100上，其中前电极200可由透明导电材料制成，例如，ZnO(氧化锌)、ZnO:B(掺硼氧化锌)、ZnO:Al(掺铝氧化锌)、SnO2(氧化锡)、SnO2:F(掺氟氧化锡)或ITO(氧化铟锡)。前电极200相当于太阳光线的入射面。基于这一点，对前电极200来说重要的是，在最大化的吸收的太阳光线的同时使其透射入太阳能电池的内部。为此，前电极200可具有不平整结构。如果将前电极200形成为具有不平整结构，那么太阳能电池上太阳光线的反射率降低，并且由于太阳光线的散射而使进入太阳能电池的太阳光线的吸收率提高，从而提高了电池的效率。
多个半导体层300形成在前电极200上，其中，所述多个半导体层300通过插置于其间的各个接触部分350或各个分隔槽550以固定间隔放置。半导体层300可由硅基半导体材料制成，其中，半导体层300可形成为PIN结构，其中，P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层被顺序地沉积。在具有PIN结构的半导体层300中，通过P型半导体层和N型半导体层在I型半导体层产生耗尽，从而在其中产生电场。因此，通过太阳光线产生的电子和空穴在电场作用下漂移，然后漂移的电子和空穴分别聚集在N型半导体层和P型半导体层。如果形成具有PIN结构的半导体层300，优选地，首先在前电极200上形成P型半导体层，然后在P型半导体层上形成I型半导体层和N型半导体层。这是因为空穴的漂移迁移率小于电子的漂移迁移率。为了使收集入射光线的效率最大化，P型半导体层被设为与光线入射表面相邻。
由图2的放大部分可知，半导体层300可形成为双层(tandem)结构，其中，第一半导体层310、缓冲层320和第二半导体层330被顺序地沉积。
各个第一半导体层310和第二半导体层330都可形成为PIN结构，其中，P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层被顺序地沉积。
第一半导体层310可形成为非晶半导体材料的PIN结构，第二半导体层330可形成为微晶半导体材料的PIN结构。
非晶半导体材料具有吸收短波长光的特性，微晶半导体材料具有吸收长波长光的特性。非晶半导体材料和微晶半导体材料的混合物可提高光吸收效率，但是不限于这种类型的混合物。就是说，第一半导体层310可由非晶半导体/锗材料或微晶半导体材料形成；第二半导体层330可由非晶半导体材料或非晶半导体/锗材料形成。
缓冲层320插置在第一半导体层310和第二半导体层330之间，其中缓冲层320通过隧道结使得电子和空穴平稳地漂移。缓冲层320可由透明材料制成，例如，ZnO。
半导体层300可形成为三层结构，而不形成为双层(tandem)结构。如果形成为三层结构，各个缓冲层插置在包括在半导体层300中的各个第一、第二和第三半导体层之间。
多个透明导电层400形成在半导体层300上，其中透明导电层400具有与半导体层300相同的图案类型。就是说，所述多个透明导电层400通过插置于其间的各个接触部分350或各个分隔槽550以固定间隔形成。透明导电层400可由透明导电材料制成，例如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、ZnO:H(掺氢氧化锌)或Ag(银)。透明导电层400可省略。但是，为了提高电池效率，形成透明导电层400比省略透明导电层400更可取。这是因为透明导电层400可使穿透半导体层300的太阳光线以各个角度散射，由此太阳光线在后电极层500上被反射，之后重新入射到半导体层300上，因此提高了电池的效率。
通过除去半导体层300和透明导电层400的预定部分，形成多个接触部分350和分隔槽550。因此，所述多个接触部分350和分隔槽550以固定间隔形成。
各个后电极500通过接触部分350与前电极200电连接，其中所述多个后电极500通过插置于其间的各个分隔槽550以固定间隔形成。后电极500可由金属材料制成，例如，Ag、Al、Ag加Mo(钼)、Ag加Ni(镍)或Ag加Cu(铜)。
然后，在各个后电极500的预定部分中图案化多个透光部分570。透光部分570相当于后电极500没有金属材料的部分。通过透光部分570，露出透明导电层400，使得顺序地置于露出的透明导电层400下的半导体层300、前电极200和衬底100能够透过太阳光线。最后，从衬底100的下面入射到衬底100上的太阳光线可以透过透光部分570，由此可增加太阳能电池的透光面积的大小。如果未在半导体层300上形成透明导电层400，那么半导体层可通过透光部分570露出。
如图2所示，透光部分570可形成为直线图案，但是不限于此图案。透光部分570可以以各种图案形成在后电极500中。图4A和图4B是图示根据本发明的透光部分570的各种图案的一系列俯视图，即是图2的俯视图。如图4A所示，透光部分570可形成为曲线图案。如图4B所示，透光部分570可形成为字母形图案。尽管未示出，但是透光部分570可形成为符号形图案，并且如果需要可以改变其形状。
对于根据本发明一个实施例的薄膜型太阳能电池来说，太阳光线可以透过透光部分570和分隔槽550，与现有技术相比，因为透光部分570保证了太阳光线的透射率，所以进一步增加了透光面积。因此，根据本发明的薄膜型太阳能电池能够获得足够的可见区，从而可用作玻璃窗的替代物。尤其是，可以通过调整透光部分570的整个大小来确定太阳能电池的透光面积。如果需要可适当地改变可见区。此外，形成为字母形图案或符号形图案的透光部分570可获得广告效果。
图5是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的透视图。图6A是沿图5所示的A-A线截取的截面图，图6B是沿图5所示的B-B线截取的截面图，图6C是沿图5所示的C-C线截取的截面图。通过从图2所示的薄膜型太阳能电池中除去透明导电层400和半导体层300制成图5所示的根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池，所述透明导电层400通过透光部分570露出，所述半导体层300位于露出的透明导电层400之下，因此图5所示的薄膜型太阳能电池可进一步提高透光效率。除了透光部分570的结构之外，图5所示的薄膜型太阳能电池与图2所示的薄膜型太阳能电池相同。因此，在任何可能的情况下，将在全部附图中使用相同的附图标记来表示与上述实施例中相同或相似的部件，并且将省略对相同或相似部件的详细说明。
如图5和图6A至图6C所示，根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池包括在后电极500中的透光部分570。于是，前电极200通过透光部分570露出。因此，当从衬底100的下面入射到衬底100上的太阳光线透过透光部分570时，太阳光线只穿过衬底100和前电极200。这样，与图2所示的薄膜型太阳能电池的透光效率相比，图5所示的薄膜型太阳能电池的透光效率被进一步提高。
图5示出，通过除去位于透光部分570中的透明导电层400和位于透明导电层400下的半导体层300，前电极200通过透光部分570露出，但是不限于此形式。或者，通过仅除去位于透光部分570中的透明导电层400，使得半导体层300通过透光部分570露出。
<薄膜型太阳能电池的制造方法>
图7A至图7D是一系列透视图，图示根据本发明的一个实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法，所述方法是关于图2所示的薄膜型太阳能电池的制造方法。
首先，如图7A所示多个前电极200以固定间隔形成在衬底100上。
形成所述多个前电极200的过程包括下述步骤：在衬底100的整个表面上通过溅射或MOCVD(金属有机化学气相沉积)形成ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F或ITO的透明导电层；以及通过激光划线方法除去透明导电层的预定部分。
前电极200相当于太阳光线的入射面。在这点上，对于前电极200重要的是，在最大化的吸收的太阳光线的同时使其透射入太阳能电池内部。为此，前电极200可通过纹理化处理具有不平整表面。通过纹理化处理，例如，利用光刻法的刻蚀过程、利用化学溶液的各向异性刻蚀过程或者利用机械划线的成槽过程，材料层的表面被给予不平整表面，即纹理化结构。
然后，如图7B所示，半导体层300和透明导电层400顺序地形成在衬底100的整个表面上。
半导体层300可由硅基半导体材料制成，并且半导体层300可通过等离子体CVD(等离子体化学气相沉积)方法形成为PIN结构或NIP结构。
尽管未示出，但是如图2的放大部分所示，通过顺序地沉积第一半导体层310、缓冲层320和第二半导体层330，半导体层300可形成为堆叠结构。
透明导电层400可由透明导电材料，例如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al或Ag，通过溅射或MOCVD形成。可省略透明导电层400。
如图7C所示，通过除去半导体层300和透明导电层400的预定部分形成多个接触部分350和分隔槽550。
可通过激光划线方法进行形成接触部分350和分隔槽550的过程。分隔槽550可在首先形成接触部分350后形成；接触部分350可在首先形成分隔槽550后形成；或者，可同时形成接触部分350和分隔槽550。
尤其是，接触部分350和分隔槽550可通过一个激光束辐照过程同时形成，这将参照图8说明。
图8是图示根据本发明一个实施例的激光划线装置的原理图。如图8所示，根据本发明一个实施例的激光划线装置设有：激光振荡器600、第一平面镜610、第二平面镜630、第一透镜650和第二透镜670。当激光束从激光振荡器600发射时，射出的激光束入射到第一平面镜610上。在这种情况下，入射激光束的一半穿过第一平面镜610，其另一半在第一平面镜610上反射。因此，穿过第一平面镜610的激光束经由第一透镜650作用于目标物体，在第一平面镜610上反射的激光束在经过第二平面镜630之后经由第二透镜670作用于目标物体。此时，第二平面镜630全反射入射激光束。
最后，从一个激光振荡器600发射的激光束被分为沿两个不同的方向的激光束，即，两个不同方向的激光束能够同时形成接触部分350和分隔槽550。
如图7D所示，后电极500被图案化，由此完成图2所示的薄膜型太阳能电池。
各个后电极500通过接触部分350与前电极200电连接，其中，多个后电极500通过插置于其间的各个分隔槽550以固定间隔形成。在后电极500中有用以增加透光面积的透光部分570。
所述多个后电极500可通过一次印制过程同时形成。就是说，所述多个后电极500可通过多种印刷过程由利用诸如Ag、Al、Ag加Mo、Ag加Ni或Ag加Cu的金属膏图案化，所述印刷过程可以是丝网印刷过程、喷墨印刷过程、凹版印刷过程、凹版胶版印刷过程、反纹胶版(reverse offset)印刷过程、柔性版印刷过程或微接触印刷过程。
如果通过印刷法图案化后电极500，就能够简化过程，并且，与采用激光划线过程的图案化方法相比，印刷法可实现减少对衬底被污染的担心。假如采用印刷法作为图案化方法，则可以减少用于防止衬底被污染的清洁过程的执行次数。
图9A至图9E是一系列透视图，图示根据本发明的另一个实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法，所述方法是关于图5所示的薄膜型太阳能电池的制造方法。
对于通过参照图7A至图7D说明的上述方法制造的薄膜型太阳能电池来说，透明导电层400通过透光部分570露出(如果未形成透明导电层400，则是半导体层300通过透光部分570露出)。但是，通过参照图9A至图9E说明的下述方法制造的薄膜型太阳能电池能够通过额外地除去从透光部分570中露出的半导体层300和透明导电层400而实现提高的透光效率。在下文中，将省略对与上述实施例中相同或相似的部件的说明。
首先，如图9A所示，多个前电极200以固定间隔形成在衬底100上。
然后，如图9B所示，半导体层300和透明导电层400顺序地形成在衬底100的整个表面上。可省略透明导电层400。
如图9C所示，通过除去半导体层300和透明导电层400的预定部分形成多个接触部分350和分隔槽550。
如图9D所示，所述多个后电极500通过插置于其间的各个分隔槽550以固定间隔被图案化，其中各个后电极500通过接触部分350与前电极200电连接。为了提高透光面积，后电极500设有透光部分570。
接着，如图9E所示，通过除去透明导电层400和半导体层300完成图5所示的薄膜型太阳能电池，所述透明导电层400通过透光部分570露出，所述半导体层300位于透明导电层400之下。
图9E示出通过一起除去透明导电层400和半导体层300，从而使前电极200通过透光部分570露出，所述透明导电层400位于透光部分570中，所述半导体层300位于透明导电层400之下，但是不限于此形式。或者，通过仅除去位于透光部分570中的透明导电层400，使得半导体层300通过透光部分570露出。
可通过干刻蚀过程进行除去通过透光部分570露出的透明导电层400和半导体层300的过程。在这种情况下，通过控制刻蚀气体可同时除去透明导电层400和半导体层300。在另一方面，可提供两次刻蚀气体，由此先除去透明导电层400，然后再除去半导体层300。
可采用CH4(甲烷)、C2H6(乙烷)、BCl3(氯化硼)、Cl2(氯气)、Ar(氩气)和H2(氢气)中的至少一种气体作为除去透明导电层400的刻蚀气体。
用于除去半导体层300的刻蚀气体可以是含氟气体、含氯气体或者它们的混合气体。此时，含氟气体可采用C2F6(六氟乙烷)、SF6(六氟化硫)、CF4(四氟化碳)和C4F8(八氟环丁烷)中的至少一种；含氯气体可采用Cl2、BCl3、SiCl4(四氯化硅)中的至少一种。
通过干刻蚀过程除去透明导电层400和半导体层300之后，从其中除去透明导电层400和半导体层300的衬底100可在温度保持在80℃至150℃左右的干燥炉中通过干燥过程处理。干燥过程可省略。
除去通过透光部分570露出的透明导电层400和半导体层300的过程可通过湿刻蚀过程进行，所述湿刻蚀过程采用后电极500作为掩模。
如图10A所示，通过将衬底100浸入装在刻蚀槽710中的预定的刻蚀剂700中，可进行湿刻蚀过程。如图10B所示，通过利用喷嘴720将预定的刻蚀剂700喷涂到衬底100上，可行湿刻蚀过程。特别是，参照图10B说明的方法，即，将刻蚀剂700喷涂到衬底100上，通过利用辊730传送衬底100能够连续地进行刻蚀过程。
与一般的干刻蚀方法相比，湿刻蚀方法的优点在于湿刻蚀方法能够降低生产成本并通过快速的处理提高产量。
为了实现湿刻蚀方法的这些优点，重要的是满足湿刻蚀过程的最佳条件。通过重复试验，可将湿刻蚀过程的最佳条件总结如下。详细地说，湿刻蚀过程的最佳条件与刻蚀剂的最佳组成、刻蚀剂的最佳温度和最佳的刻蚀处理时间有关。
首先，将如下说明刻蚀剂的最佳组成。优选地，刻蚀剂包括从NaOH(氢氧化钠)、KOH(氢氧化钾)、HCl(盐酸)、NHO3(硝酸)、H2SO4(硫酸)、H3PO3(亚磷酸)、H2O2(双氧水)和C2H2O4(草酸)中选出的至少一种刻蚀材料。并且刻蚀材料可用水稀释，从而刻蚀材料的水溶液可用作刻蚀剂(如果刻蚀材料是固态的，那么固态的刻蚀材料就必须用水稀释)。在这种情况下，刻蚀材料与水的重量比在0.1∶9.9～9.9∶0.1的范围内。更优选地，刻蚀材料与水的重量比在1∶9～9∶1的范围内。
如果刻蚀材料与水的重量比小于0.1∶9.9(例如0.01∶9.99)，那么刻蚀处理就不是均匀的并且刻蚀处理时间增加。同时，如果刻蚀材料与水的重量比大于9.9∶0.1(例如9.99∶0.01)，就会难以使粉末状的刻蚀材料溶解在水中。
将如下说明刻蚀剂的最佳温度和最佳的刻蚀处理时间。首先，优选地，刻蚀剂的温度优选地保持在20℃至200℃。更优选地是，刻蚀剂的温度最适宜保持在50℃至100℃。如果刻蚀剂的温度保持在20℃以下，那么会导致刻蚀处理不均匀和刻蚀处理时间增长。同时，如果刻蚀剂的温度保持在200℃以上，那么由于刻蚀处理过快将难以控制刻蚀的程度，由此导致过刻蚀问题。
参照图11，在后电极500用作掩模的情况下，当通过从透光部分570下除去透明导电层400和半导体层300而使前电极200通过透光部分570露出时，由于高速的刻蚀处理，刻蚀会过度的延伸，由此会过蚀刻透明导电层400和半导体层300。另外，可能会剥离后电极500。
优选地，最佳刻蚀处理时间大约为30秒至10分钟。而且，更优选地是，最佳刻蚀处理时间大约为2至5分钟。如果刻蚀处理时间小于30秒，则时间不足以完成所需的刻蚀程度，由此未增加透光面积。同时，如果刻蚀处理时间超过10分钟，如参照图11说明的，会过刻蚀透明导电层400和半导体层300，并且可能会剥离后电极500。
图12A至图12E是一系列透视图，图示根据本发明的另一个实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法，所述方法是关于图5所示的薄膜型太阳能电池的制造方法。在下文中，将省略与上述实施例中相同或相似的部件的说明。
首先，如图12A所示，多个前电极200以固定间隔形成在衬底100上。
然后，如图12B所示，半导体层300和透明导电层400顺序地形成在衬底100的整个表面上。可省略透明导电层400。
如图12C所示，通过除去半导体层300和透明导电层400的预定部分形成多个接触部分350。可通过激光划线方法进行形成接触部分350的过程。
在本发明的另一方面，当在半导体层300和透明导电层400中形成接触部分350时，未形成分隔槽(见图9C中的“550”)。因此，可省略形成分隔槽550的过程，以便减少使用激光划线设备的次数并且简化过程。
如图12D所示，后电极500通过插置于其间的各个分隔槽550以固定间隔被图案化，其中各个后电极500通过接触部分350与前电极200电连接。为了增加透光面积，后电极500设有透光部分570。
如图12E所示，在后电极500用作掩模的情况下，将位于透光部分570中的透明导电层400和位于透明导电层400下的半导体层300一起除去，由此前电极200通过透光部分570露出。因为后电极500用作掩模，位于分隔槽550中的透明导电层400和位于透明导电层400下的半导体层300被除去，由此前电极200通过分隔槽550露出。因此，完成图5所示的薄膜型太阳能电池。
通过上述干刻蚀过程或湿刻蚀过程进行除去透明导电层400和位于其下的半导体层300的过程。
因此，根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法具有下述优点。
在根据本发明的薄膜型太阳能电池中，透光部分在后电极中被图案化，由此太阳光线可以透过透光部分。与现有技术的薄膜型太阳能电池相比，根据本发明的薄膜型太阳能电池获得的透光面积可获得足够的可见区，其可用作玻璃窗的替代物。
在根据本发明的薄膜型太阳能电池中，通过利用印刷过程的各种方法图案化后电极。与利用激光划线过程的现有技术相比，根据本发明的方法，即，利用印刷过程的方法，能够实现简化过程和防止衬底被污染。因为通过印刷法图案化后电极，可以容易地控制透光部分的整个尺寸。因此，如果需要，可以通过将太阳能电池的透光部分改变为所需的范围，适当地控制可见区。
由于通过除去透明导电层和半导体层使前电极通过透光部分露出，因此从衬底下面入射到衬底上的太阳光线在透过透光部分时仅穿过衬底和前电极。由此产生太阳光线的高透射率。
对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的主旨或范围的情况下，可以对本发明进行各种改进和变型。因此，本发明旨在涵盖本发明的各种改进和变型，只要这些改进和变型落在由权利要求及其等同描述限定的范围内。

Claims (25)

1.一种薄膜型太阳能电池，包括：
衬底；
在所述衬底上以固定间隔形成的多个前电极；
多个半导体层，通过插置于其间的各个接触部分或分隔槽以固定间隔形成，所述多个半导体层在所述多个前电极上；以及
多个后电极，通过插置于其间的所述各个分隔槽以固定间隔形成，所述各个后电极与所述各个前电极电连接；
其中，以使透光部分包括在所述后电极的预定部分中的方式图案化所述各个后电极。
2.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述半导体层通过所述透光部分露出。
3.根据权利要求2所述的薄膜型太阳能电池，其中，通过除去所述露出的半导体层使所述前电极通过所述透光部分露出。
4.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中，透明导电层额外地形成在所述半导体层上，并且通过所述透光部分露出。
5.根据权利要求4所述的薄膜型太阳能电池，其中，通过除去所述露出的透明导电层，所述半导体层通过所述透光部分露出。
6.根据权利要求5所述的薄膜型太阳能电池，其中，通过除去所述露出的半导体层，所述前电极通过所述透光部分露出。
7.根据权利要求4所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述透明导电层和所述半导体层的图案是相同的。
8.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述透光部分可形成为直线图案、曲线图案、字母形图案或符号形图案。
9.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述半导体层包括顺序地沉积的第一半导体层、缓冲层和第二半导体层。
10.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：
在衬底上以固定间隔形成多个前电极；
在包括所述多个前电极的所述衬底的整个表面上形成半导体层；
通过除去所述半导体层的预定部分，形成多个接触部分和分隔槽；以及
通过插置于多个后电极之间的各个分隔槽，以固定间隔图案化所述多个后电极，其中，所述各个后电极通过所述接触部分与所述前电极电连接，并且所述各个后电极中包括透光部分，以便增加透光面积。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述后电极用作掩模的情况下，从所述透光部分中除去所述半导体层，以便通过所述透光部分露出所述前电极。
12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
形成所述半导体层之后，在所述半导体层上形成透明导电层，
其中，当形成所述接触部分和分隔槽时，半导体层和透明导电层的所述预定部分被一起除去。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
在所述后电极用作掩模的情况下，从所述透光部分中除去所述透明导电层，以便通过所述透光部分露出所述半导体层。
14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
在所述后电极用作掩模的情况下，从所述透光部分中除去所述透明导电层和所述半导体层，以便通过所述透光部分露出所述前电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过干刻蚀过程进行从所述透光部分中除去所述透明导电层和所述半导体层的过程。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，用于从所述透光部分中除去所述透明导电层的所述干刻蚀过程通过采用CH4(甲烷)、C2H6(乙烷)、BCl3(氯化硼)、Cl2(氯气)、Ar(氩气)和H2(氢气)中的至少一种气体来进行；
用于从所述透光部分中除去所述半导体层的所述干刻蚀过程通过采用含氟气体、含氯气体或它们的混合气体中的至少一种气体来进行。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，通过湿刻蚀过程进行从所述透光部分中除去所述透明导电层和所述半导体层的过程。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，通过采用刻蚀剂进行所述湿刻蚀过程，所述刻蚀剂包括从NaOH(氢氧化钠)、KOH(氢氧化钾)、HCl(盐酸)、NHO3(硝酸)、H2SO4(硫酸)、H3PO3(亚磷酸)、H2O2(双氧水)和C2H2O4(草酸)中选出的至少一种刻蚀材料。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述刻蚀剂的温度保持20℃至200℃。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，通过将所述衬底浸入所述刻蚀剂中或者将所述刻蚀剂喷涂到所述衬底上来进行所述湿刻蚀过程。
21.根据权利要求10所述的方法，其中，通过把从激光振荡器发射出的激光束分成沿多个方向的激光束，用一个激光束的辐照进行形成所述接触部分和分隔槽的过程，以便同时形成所述接触部分和分隔槽。
22.根据权利要求10所述的方法，其中，通过顺序地沉积第一半导体层、缓冲层和第二半导体层进行形成所述半导体层的过程。
23.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：
在衬底上以固定间隔形成多个前电极；
在包括所述多个前电极的所述衬底的整个表面上形成半导体层；
通过除去所述半导体层的预定部分，形成多个接触部分；
通过插置于多个后电极之间的各个分隔槽，以固定间隔图案化所述多个后电极，其中，所述各个后电极通过所述接触部分与所述前电极电连接，并且所述各个后电极中包括透光部分，以便增加透光面积；以及
在所述后电极用作掩模的情况下从所述透光部分和分隔槽中除去所述半导体层。
24.根据权利要求23所述的方法，进一步包括：
形成所述半导体层之后，在所述半导体层上形成透明导电层，
其中，当形成所述接触部分时，半导体层和透明导电层的所述预定部分被一起除去；以及
其中，当从所述透光部分和分隔槽中除去所述半导体层时，所述透明导电层的所述预定部分被除去。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，通过顺序地沉积第一半导体层、缓冲层和第二半导体层进行形成所述半导体层的过程。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102254996A (zh) * 2011-07-14 2011-11-23 保定天威集团有限公司 一种提高透光太阳能电池组件功率的划刻方法
CN102403380A (zh) * 2010-09-13 2012-04-04 无锡尚德太阳能电力有限公司 光伏建筑一体化组件及其制造方法
CN102403400A (zh) * 2010-09-13 2012-04-04 周星工程股份有限公司 薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法
WO2012055302A1 (zh) * 2010-10-29 2012-05-03 华南师范大学 电极及其制造方法
CN104103703A (zh) * 2014-06-23 2014-10-15 深圳先进技术研究院 薄膜太阳能电池模组及其制备方法
CN104124288A (zh) * 2014-06-23 2014-10-29 深圳先进技术研究院 薄膜太阳能电池模组及其制备方法
CN106165113A (zh) * 2014-02-06 2016-11-23 周星工程股份有限公司 具有改善的能见度的光伏装置及其制造方法
WO2019062739A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 (Cnbm) Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry Co., Ltd SEMI-TRANSPARENT THIN FILM SOLAR MODULE
CN111448671A (zh) * 2017-09-29 2020-07-24 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 半透明薄膜太阳能模块
CN112599610A (zh) * 2020-12-02 2021-04-02 中山瑞科新能源有限公司 透光太阳电池制造工艺
US11837675B2 (en) 2017-09-29 2023-12-05 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Semitransparent thin-film solar module

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101144570B1 (ko) * 2009-09-30 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
FR2990300B1 (fr) 2012-05-04 2017-02-03 Disasolar Module photovoltaique et son procede de realisation.
JPWO2013179898A1 (ja) * 2012-05-29 2016-01-18 三菱電機株式会社 太陽電池モジュールとその製造方法および太陽電池モジュール製造管理装置
WO2014188092A1 (fr) * 2013-05-23 2014-11-27 Sunpartner Technologies Mono cellule photovoltaïque semi-transparente en couches minces
TWI528877B (zh) * 2013-11-08 2016-04-01 長興材料工業股份有限公司 鈍化組合物及其應用
JP6397703B2 (ja) * 2014-09-12 2018-09-26 株式会社カネカ 太陽電池モジュール及び壁面形成部材
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.
KR102523303B1 (ko) * 2016-02-22 2023-04-19 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조 방법
CN107887457A (zh) * 2017-12-14 2018-04-06 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种透光太阳能电池及其制备方法
WO2020000596A1 (zh) * 2018-06-27 2020-01-02 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 用于太阳能芯片组件的透光处理系统和透光处理方法
WO2020254865A1 (fr) * 2019-06-21 2020-12-24 Garmin Switzerland Dispositif photovoltaïque multi-cellule semi-transparent

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4667058A (en) * 1985-07-01 1987-05-19 Solarex Corporation Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby
JPH0534117Y2 (zh) * 1986-06-09 1993-08-30
EP0500451B1 (fr) * 1991-02-21 1999-01-07 Phototronics Solartechnik GmbH Dispositif photovoltaique et module solaire à transparence partielle, et procédé de fabrication
GB2260220B (en) * 1991-09-10 1996-01-03 Sanyo Electric Co An amorphous silicon solar cell and method of the solar cell manufacture
JPH06104465A (ja) 1992-09-22 1994-04-15 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JPH06120152A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Nippondenso Co Ltd 水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法
JP3537196B2 (ja) 1994-11-08 2004-06-14 松下電器産業株式会社 太陽電池モジュールの作製方法
JPH09321328A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換装置の製造方法
JP2000058886A (ja) * 1998-08-14 2000-02-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
ATE240589T1 (de) * 1999-03-25 2003-05-15 Kaneka Corp Verfahren zum herstellen von dünnschicht- solarzellen-modulen
JP4440389B2 (ja) 1999-03-25 2010-03-24 株式会社カネカ 薄膜太陽電池モジュールの製造方法
DE10005330A1 (de) 2000-02-08 2001-09-06 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung von leitfähigen transparenten Strukturen sowie Verwendung von transparenten, leitfähigen Oxidschichten zur Strukturierung von leitfähigen, transparenten Bereichen
AU7684001A (en) * 2000-07-06 2002-01-21 Bp Corp North America Inc Partially transparent photovoltaic modules
US6525264B2 (en) * 2000-07-21 2003-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film solar cell module
JP4987191B2 (ja) 2001-03-21 2012-07-25 株式会社カネカ 集積化薄膜太陽電池の製造方法
US20030079772A1 (en) * 2001-10-23 2003-05-01 Gittings Bruce E. Sealed photovoltaic modules
US20030116185A1 (en) * 2001-11-05 2003-06-26 Oswald Robert S. Sealed thin film photovoltaic modules
JP4358549B2 (ja) * 2003-04-28 2009-11-04 株式会社カネカ 透光性薄膜太陽電池モジュール
EP1650812B2 (en) * 2003-07-24 2019-10-23 Kaneka Corporation Method for making a silicon based thin film solar cell
US7071017B2 (en) * 2003-08-01 2006-07-04 Yamaha Corporation Micro structure with interlock configuration
KR20070046108A (ko) * 2004-07-30 2007-05-02 가부시키가이샤후지쿠라 발광 소자 및 그 제조 방법
DE102004057663B4 (de) 2004-09-15 2015-08-20 Sunways Ag Solarmodul mit durch regulär angeordnete Löcher semitransparenten kristallinen Solarzellen und Verfahren zur Herstellung
JP2006332453A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Sharp Corp 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池
JP2007088280A (ja) 2005-09-22 2007-04-05 Msk Corp 透過型太陽電池モジュール
KR100725110B1 (ko) 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
BRPI0713927A2 (pt) 2006-06-29 2013-01-08 Veridex Llc mÉtodo de modificar uma macromolÉcula sem extraÇço anterior de uma amostra
JP2009033003A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Fujifilm Corp 薄膜素子とその製造方法、半導体装置
TWI377624B (en) * 2008-05-13 2012-11-21 Ind Tech Res Inst Conducting film structure, fabrication method thereof, and conducting film type probe device for ic
US20100059110A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102403380A (zh) * 2010-09-13 2012-04-04 无锡尚德太阳能电力有限公司 光伏建筑一体化组件及其制造方法
CN102403400A (zh) * 2010-09-13 2012-04-04 周星工程股份有限公司 薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法
CN102403400B (zh) * 2010-09-13 2016-05-25 周星工程股份有限公司 薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法
TWI555218B (zh) * 2010-09-13 2016-10-21 周星工程有限公司 薄膜型太陽能電池的製造裝置及其製造方法
WO2012055302A1 (zh) * 2010-10-29 2012-05-03 华南师范大学 电极及其制造方法
CN102254996A (zh) * 2011-07-14 2011-11-23 保定天威集团有限公司 一种提高透光太阳能电池组件功率的划刻方法
CN106165113A (zh) * 2014-02-06 2016-11-23 周星工程股份有限公司 具有改善的能见度的光伏装置及其制造方法
CN106165113B (zh) * 2014-02-06 2017-12-08 周星工程股份有限公司 具有改善的能见度的光伏装置及其制造方法
CN104103703A (zh) * 2014-06-23 2014-10-15 深圳先进技术研究院 薄膜太阳能电池模组及其制备方法
CN104124288A (zh) * 2014-06-23 2014-10-29 深圳先进技术研究院 薄膜太阳能电池模组及其制备方法
WO2019062739A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 (Cnbm) Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry Co., Ltd SEMI-TRANSPARENT THIN FILM SOLAR MODULE
CN111316450A (zh) * 2017-09-29 2020-06-19 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 半透明薄膜太阳能模块
CN111448671A (zh) * 2017-09-29 2020-07-24 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 半透明薄膜太阳能模块
US11515440B2 (en) 2017-09-29 2022-11-29 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Semitransparent thin-film solar module
US11715805B2 (en) 2017-09-29 2023-08-01 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Semitransparent thin-film solar module
US11837675B2 (en) 2017-09-29 2023-12-05 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Semitransparent thin-film solar module
CN112599610A (zh) * 2020-12-02 2021-04-02 中山瑞科新能源有限公司 透光太阳电池制造工艺

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