CN102403400A - 薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法 - Google Patents

薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种薄膜型太阳能电池的制造装置及其制造方法，该薄膜太阳能电池装置包括：在基板上形成第一电极的第一电极形成部；去除部分第一电极形成第一分隔部的电极分隔部；包括第一电极和第一电极分隔部的基板上，形成光电转换层的光电转换形成部；去除部分第一电极上的光电转换层，形成接触线的接触线形成部；光电转换层上形成通过接触线与第一电极连接且通过第二分隔部被分隔的第二电极的印刷部；以及通过湿式及蚀刻工序去除第二分隔部内的光电转换层且露出第二分隔部内第一电极的蚀刻工序部。

Description

薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜型太阳能电池技术领域，尤其涉及一种提高生产效率的薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法。
背景技术
太阳能电池为用半导体的特征将光能转换为电能的器件。
以下对太阳电池的结构和工作原理进行简单说明。
太阳能电池由P型半导体和N型半导体结合起来的PN结结构组成。当阳光照射至PN结结构的太阳能电池上时，由于阳光的能量，半导体内生成空穴和电子。在PN结电场的作用下，空穴向P型半导体漂移，电子向N型半导体漂移，从而产生电势，而且伴随有电流产生。
太阳能电池广义上可以分为基板(晶圆)型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。
基板型太阳能电池是利用硅半导体基板制成的，薄膜型太阳能电池是通过在玻璃基片上形成薄膜型半导体而制成的。
基板型太阳能电池相对薄膜型太阳能电池，在效率方面更加优异，但是在使厚度最小化的工艺方面有所限制，而且因采用高价的半导体基板，会有导致成本上升的缺点，由于无法确保从分的透光领域，很难代替建筑物上的玻璃。
薄膜型太阳能电池与基板型太阳能电池相比，在效率方面有点落后，但是可以被制成具有较薄的厚度，而且因使用低价的材料，有降低成本的优点也能适用于大量生产，由于相对容易确保从分的透光领域，可以代替建筑物上的玻璃。
图1a至图1f为依次显示现有薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图。
以下，参考图1a至图1f对现有薄膜型太阳能电池的制造方法进行说明。
首先，如图1a所示，在基板10上形成第一电极20之后，通过激光划线工序，在预定间隔位置去除第一电极20，露出部分基板10，从而形成电极分隔部30。
其次，如图1b所示，形成有第一电极20的基板10上形成光电转换层40。
其次，如图1c所示，在光电转换层40上形成透明导电层50。
其次，如图1d所示，通过激光划线工序同时去除光电转换层40的一部分和透明导电层50的一部分，露出部分第一电极20，从而形成接触线60。
其次，如图1e所示，接触线60和透明导电层50上形成第二电极70。该第二电极70通过接触线60与第一电极20电连接。
其次，如图1f所示，通过激光划线工序，同时去除第二电极70、光电转换层40及透明导电层50，露出与接触线60相邻的第一电极20的一部分而形成单元分隔部80。
所述现有薄膜型太阳能电池的制造方法，有以下问题。
第一，激光划线工序使用激光照射装，同时去除第二电极70和透明导电层50及光电转换层40，从而形成单元分隔部80。但是，随着基板10的大型化，激光划线工序消耗的时间会越来越长，如果为了缩短激光划线工序的时间就需要使用多个激光照射装置，会存在费用随之增长的问题。
第二，建筑物的玻璃窗要保证可视范围，薄膜型太阳能电池使用于建筑物的玻璃窗的替代品，就要确保一定程度以上的透光区域。但是透光区域仅存在于位于第二电极70之间的单元分隔部80，如果为了保证可视范围，增加单元分隔部80宽度，需要重复执行激光划线工序，会存在生产效率随之降低的问题。
发明内容
本发明的一目的在于，提供一种薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法，以解决上述的问题且提高生产效率。
本发明的另一目的在于，提供一种薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法，以生产可替代玻璃窗并充分确保可视范围的薄膜型太阳能电池，也提高薄膜型太阳能电池的生产效率。
为了解决上述技术课题，根据本发明实施例的薄膜型太阳能电池的制造装置包括：在基板上形成第一电极并且形成用于将所述第一电极按照预定的间隔分隔的第一分隔部的第一电极形成部；在包括所述第一电极和所述第一分隔部的基板上形成光电转换层的光电转换层形成部；在所述第一电极上形成的光电转换层中去除预定部分以形成接触线的接触线形成部；在所述光电转换层上形成第二电极的印刷部；以及通过湿式蚀刻工艺工序去除所述第二分隔部内的光电转换层，以露出所述第二分隔部内第一电极的蚀刻工程部。其中，所述第二电极通过所述接触线与所述第一电极连接，并且被第二分隔部按照预定的间隔分隔。
为了解决上述技术课题，根据本发明实施例的薄膜型太阳能电池的制造方法包括：基板面上形成第一电极；去除所述第一电极的预定部分，以形成第一分隔部；包括所述第一电极和所述第一分隔部的基板上，以形成光电转换层；去除所述第一电极上形成的所述光电转换层的预定部分，以形成接触线；在所述光电转换层上印刷第二电极；以及通过湿式蚀刻工艺工序去除所述第二分隔部内的光电转换层，以露出所述第二分隔部内的第一电极。其中，所述第二电极通过所述接触线与所述第一电极连接，并且被第二分隔部按照预定的间隔分隔。
技术效果
如上所述，根据本发明的薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法，通过印刷方式形成第二电极后，以第二电极作为掩膜进行湿式蚀刻工序形成单元分隔部或透光部。其中，所述单元分隔部将光电转换分隔，所述透光部形成在所述单元分隔部和第二电极。因此可起到如下效果。
第一，通过印刷工序和湿式蚀刻工序，形成第二电极/单元分隔或者第二电极/单元分隔部/透光射部，从而缩短第二电极/单元分隔或者第二电极/电池分隔部/透光射部的工序时间，并且提高生产效率。
第二，通过由湿式蚀刻工序替代传统的激光划线工序形成，从而单元分隔部或透光部，从而充分确保可视范围使其用于玻璃替代品，并且提高产量同时减少费用。
附图说明
图1a至图1f为依次图示现有薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图；
图2a至图2f为依次图示根据本发明第一实施例薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图；
图3a至图3f为依次图示根据本发明第二实施例薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图；
图4a至图4b为图3e所示的透光图案的多种实施例示意图；
图5为根据本发明实施例薄膜型太阳能电池的制造装置的简要方框图；
图6为图5所示的蚀刻工序部的简要示意图；
图7为图6所示的输送机的简要示意图；
图8a至图8c为图示图7所示的湿式蚀刻部的实施例的简要示意图；
图9为图5所示的蚀刻工序部的另一实施例的简要示意图；
图10为图9所示的第一中间区的简要示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参照以下附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。
图2a至图2f为依次图示根据本发明第一实施例薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图。
参照图2a至图2f，对根据本发明的第一实施例薄膜型太阳能电池的制造方法进行详细说明。
首先，如图2a所示，基板上110形成第一电极120。然后，通过激光划线工序去除第一电极120的预定间隔，以便露出部分基板110，从而形成第一分隔部130。
基板110可以为玻璃基板，金属基板，塑料基板或挠性基板。当基板110为玻璃基板时，可以减少太阳能电池的生产成本。相反，如基板110为金属基板，塑料基板或者挠性基板时，可以使太阳能电池变得轻薄，可以制造挠性太阳能电池。例如，金属基板可以由铝或者不锈钢材料形成，挠性基板可以由薄型(厚度50～200μm)玻璃，金属箔，塑料材料形成。塑料材料可以由聚碳酸酯(Polycarbonate)、据对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate)、聚醚砜(Polyethersulfone)、聚酰亚胺(Polyimide)、聚乙烯萘(Polyethylene Naphthalate)、聚醚醚酮(Polyetheretherketone)等热塑性半晶体高分子(Thermoplastic Semicrystalline Polymer)材料形成。
第一电极120在基板110上可以由二氧化锡(SnO2)、二氧化锡:氟(SnO2:F)、二氧化锡:硼(SnO2:B)、二氧化锡:铝(SnO2:Al)或者铟锡氧化物(Indium Tin Oxide)等导电材料形成。此处，第一电极120通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)工序形成。
另外，第一电极120是太阳光入射面，因此为了使太阳光能够被内部的太阳能电池最大限度地吸收，需要通过纹理(Texturing)加工工序在第一电极120上形成凹凸结构。所谓纹理加工工序是指材料表面上形成不平的凹凸结构，加工成像纺织表面的加工工序。所述纹理(Texturing)加工工序可以通过光刻法(photolithography)的蚀刻工序、利用化学溶液的蛤异性蚀刻工序(anisotropic etching)、或者利用机械划线(mechanical scribing)的沟槽形成工序等工序进行。
其次，如图2b所示，形成有第一分隔部130和第一电极120的基板100上形成光电转换层140。
根据第一实施例的光电转换层140可以由硅类半导体材料形成，也可以具有P型半导体层、I型半导体层以及N型半导体层依次累积的PIN结构。此处，可以由比所述N型或P型半导体层更薄的另一N型或P型半导体层代替所述I型半导体层，也可以由比所述N型或P型半导体层的掺杂浓度更低的另一N型或P型半导体层代替所述I型半导体层。
如上所述，如果光电转换层140以PIN结构形成，I型半导体层被P型半导体层和N型半导体层损耗(Depletion)而内部发生电磁场，因太阳光形成的空穴和电子被所述电磁场漂移(Drift)，分别回收到P型半导体和N型半导体。
并且，如果光电转换层140以PIN结构形成，优选的是在第一电极120上形成P型半导体，之后形成I型半导体和N型半导体。这原因是在一般情况下空穴的漂移移动度(Drift mobility)比电子漂移移动度低，为了最大入射光的回收效率，使P型半导体接近受光面而形成。
另外，根据第二实施例的光电转换层140，如在图2b的放大图“A”所示，可以具有第一光电转换层141、缓冲层143和第二光电转换层145依次层叠的串联(Tandem)结构。
第一光电转换层141以及第二光电转换层145可以分别具有以P型半导体材料层、I型半导体材料层和N型半导体材料层依次层叠的PIN结构。
缓冲层143在第一光电转换层141和第二光电转换层145之间通过隧道连接，使空穴和电子的移动更加顺畅，并由易被湿式蚀刻工序去除的透明导电材料形成。
另外，根据第三实施例的光电转换层140，如在图2b的放大图“B”所示，可以具有第一光电转换层141、第一缓冲层143、第二光电转换层145、第二缓冲层147和第二光电转换层149依次层叠的三重(Triple)结构。
第一光电转换层141、第二光电转换层145、第三光电转换层149可以分别具有以P型半导体材料层、I型半导体材料层和N型半导体材料层为依次层叠的PIN结构。
第一缓冲层143和第二缓冲层147分别在第一光电转换层141、第二光电转换层145和第三光电转换层149之间通过隧道连接，使空穴和电子的移动更加顺畅，并由易被湿式蚀刻工序去除的透明导电材料形成。
其次，如图2c所示，光电转换层140上形成透明导电层150。
透明导电层150使透过光电转换层140的太阳光以多种角度发散，增加反射到后述的第二电极170并再次入射到光电转换层140的光的比例，而提高太阳能电池的效率。此处，透明导电层150可以由易被湿式蚀刻工程去除的透明导电物质，例如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al和ZnO:H中的任一种透明导电材料形成。该透明导电层150可以省略。
其次，如图2d所示，通过激光划线工序将第一电极120上形成的透明导电层150一部分和光电转换层140一部分去除以形成接触线160。此处，接触线160和第一分隔部130平行形成，露出与第一分隔部130相邻的部分第一电极120。
其次，如图2e所示，在光电转换层140上印刷第二电极170。其中，第二电极170通过接触线160与第一电极120连接，并且被第二分隔部180按照预定的间隔分隔。此处，第二分隔部180与接触线160平行设置在第一电极120的透明导电层150上，使第二电极170以预定间隔分隔。
第二电极170通过使用金属浆糊物的单次印刷工序可以形成。其中，该金属浆糊物可以包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、银钼(Ag+Mo)、银镍(Ag+Ni)或者银铜(Ag+Cu)等金属。
所述印刷工序可以包括：丝网印刷法(Screen Printing)、喷墨印刷法(Inkjet Printing)、凹版印刷法(Gravure Printing)、凹版胶印法(Gravure Offset Printing)、反转印刷法(Reverse Printing)、柔印印刷法(Flexo Printing)或微接触印刷法(Micro Contact Printing)。所述丝网印刷法为，将油墨涂在印版上，然后将滚压轴(Squeegee)移到涂有油墨的印版上并向下压。喷墨印刷法为使细小墨滴与承印物相碰撞而进行印刷的方法。凹版印刷法为通过使用刮墨刀将油墨从具有平滑面的非油墨涂层刮除，将蚀刻的空状油墨涂层上的油墨转印到承印物上来实现的。凹版胶印法为通过将油墨转移到橡皮布上，然后再次将油墨转印到承印物上来实现的。反转印刷法为将油墨用作溶剂的一种印刷方法。柔印印刷法是将油墨涂在悬垂部分进行印刷的方法。微接触印刷法为使用所需材料的印章进行印刷的印迹方法。
另外，通过上述印刷工序印刷第二电极170后，可以增加对已完成印刷的第二电极170进行塑性加工工序。
其次，如图2f所示，以第二电极170作为掩膜进行湿式蚀刻工序均去除第二分隔部180内的透明导电层150和第二分隔部180内的光电转换层140，露出第一电极120而形成单元分隔部182。其中，单元分隔部182分隔光电转换层140。
湿式蚀刻工序利用输送机连续移送基板110，并依次执行第一次洗涤工序、蚀刻工序、第二次洗涤工序以及干燥工序。
第一次洗涤工序可以包括去除异物工序及第一冲洗(Rinse)工序。
去除异物工序将高压第一超纯水(DI)喷射到基板上去除基板上110的异物。该高压第一超纯水(DI)可以喷射到基板110的顶部和底部。
第一冲洗工序将第二超纯水喷射到完成异物去除工序的基板上110，冲洗(或者洗涤)基板110。该第二超纯水可以喷射到基板110的顶部和底部。另一方面，被第一冲洗工序中使用后被回收的第二超纯水可以用于异物去除工序时使用的第一超纯水。
蚀刻工序使用碱性溶液，将第二分隔部180内的透明导电层150和第二分隔部180内的光电转换层140均去除，露出第一电极120。
蚀刻工序采用喷射(spray)方式，将碱性蚀刻液喷射到基板110上，统一去除第二分隔部180内的透明导电层150和第二分隔部180内的光电转换层140。该碱性蚀刻液可以以0.5Pa～2Pa的压力喷射，优选的是喷射的碱性蚀刻液最好重叠喷射到基板上110。
碱性蚀刻液可以包括选自氢氧化钠(NaOH)和氢氧化钾(KOH)等碱性系列中一种以上的物质一种溶液，也可以包括选自氯化氢(HCl)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、亚磷酸(H3PO3)、过氧化氢(H2O2)和乙二酸(C2H2O4)等酸性溶液中一种以上的溶液。优选的是，碱性蚀刻液包括氢氧(OH)系列的碱性蚀刻溶液，但是也可以包括氢(H)系列的酸性蚀刻溶液。
碱性蚀刻液可以用水稀释，在这种情况下，碱性溶液的浓度范围最好是5％～20％。并且碱性蚀刻液的温度最好维持在60℃～80℃，蚀刻时间最好在40秒～80秒。
另一方面，在蚀刻工序中第二分隔部180内形成的第一电极120由不易被碱性蚀刻液去除的二氧化锡(SnO2)、二氧化锡:氟(SnO2:F)、二氧化锡:硼(SnO2:B)、二氧化锡:铝(SnO2:Al)或者铟锡氧化物(Indium Tin Oxide)等透明的导电材料形成，因此第一电极120不会被所述蚀刻工序破损。
第二次洗涤工序可以包括第二冲洗工序以及最终冲洗工序执行。
第二冲洗工序将第三超纯水喷射到完成蚀刻工序的基板110上，冲洗(或者洗涤)基板110上残留的碱性蚀刻液。该第三超纯水喷射到基板110的顶部和底部。另外，被第二冲洗工序中使用后被回收的第三超纯水可以用于第一冲洗工序时使用的第二超纯水。
最终的冲洗工序将第四超纯水喷射到完成第二冲洗工序的基板110上，最终冲洗基板。该第四超纯水可以喷射到基板110的顶部和底部。另外，被最终冲洗工序中使用后被回收的第四超纯水可以用于第二冲洗工序时使用的第三超纯水。
干燥工序使用气刀(Air Knife)，对完成最终冲洗工序的基板110进行干燥。优选的是，该气刀相对于基板110的移送方向倾斜预定角度。
如上所述，根据本发明第一实施例薄膜型太阳能电池的制造方法法，通过印刷方式形成第二电极170后，通过喷雾方式的湿式蚀刻工序，形成单元分隔部182。其中，单元分隔部182分隔光电转换层140。因此，根据本发明第一实施例可以缩短形成单元分隔部182的工序时间，由于不使用激光划线工序也可以减少费用。此处，第二电极170由金属材料形成，因此可以起到即使经过上述湿式蚀刻工序也不会被蚀刻的掩模作用，并且执行喷雾方式的蚀刻工序时，以第二电极170为掩模仅对第二分隔部内的领域进行蚀刻。
图3a至图3f为依次图示根据本发明第二实施例薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图。
以下参照图3a至图3f，按照制造顺序对根据本发明第二实施例薄膜型太阳能电池的制造方法进行详细说明。
首先，根据本发明第二实施例薄膜型太阳能电池的制造方法是关于替代建筑物玻璃使用的薄膜型太阳能电池的制造方法。附图中同一组成要素使用相同的附图标记，并省略重复说明同一组成要素。
如图3a所示，基板110上形成第一电极120后，通过激光划线工序按照预定间隔去除第一电极120的一部分，露出部分基板，从而形成第一分隔部130。
其次，如图3b所示，形成有第一分隔部130和第一电极120的基板上形成光电转换层140。
其次，如图3c所示，光电转换层140上形成透明导电层150。
其次，如图3d所示，通过激光划线工序均去除部分第一电极120上形成的透明导电层150和光电转换层140，形成接触线160。该接触线160和第一分隔部130并列形成，露出部分与第一分隔部130相邻的第一电极120。
其次，如图3e所示，将第二电极170印刷到光电转换层140上，其中第二电极170通过接触线160与第一电极120连接，并且第二电极170以一定的间隔与第二分隔部180相分离。第二分隔部180包括单元分隔图案182a和透光图案184a。其中，单元分隔图案182a与接触线160平行形成在第一电极120上的透明导电层150上，以预定间隔分隔第二电极170，透光图案184a是通过在一定图案中去除部分第二电极170而形成的。
另外，通过上述印刷工序印刷第二电极170后，可以增加对已完成印刷的第二电极170进行塑性加工工序。
其次，如图3f所示，通过以第二电极170为掩膜的湿式蚀刻工序，一同去除单元分离图案182a和透光图案184a内的透明导电层150和光电转换层140，露出第一电极120而形成单元分隔部182和透光部184。其中，单元分隔部182分隔光电转换层140，透光部184露出第一电极120使太阳光透射。此处，湿式蚀刻工序使用碱性蚀刻液的喷雾方式，和上述的第一实施例的制造方法相同，关于此说明用上述说明代替。
另外，上述第二分隔部180的透光图案184a，如图3f所示，可以具有交叉单元分隔图案182a的条纹(Stripe)形状，但是不限于此，也可以具有多种形状。例如，透光图案184a，如图4a所示，具有曲线形状，或者如图4b所示形成相同文字形状。虽然没有图示，透光图案184a可以具有选自图形、符号和数字等的一种以上的形状，并且也可以按照需要具有其他形状。
如上所述，根据本发明第二实施例薄膜型太阳能电池的制造方法使用印刷方式形成第二电极170后，通过以第二电极170为掩膜的喷雾式湿式蚀刻工序形成分隔光电转换层140的单元分隔部182，同时在第二电极170上形成透光部184，因不使用激光划线工序可以减少费用，并且相对现有的激光划线工序消耗时间短，通过单元分隔部182和透光部184确保适用于代替玻璃使用的充分的可视范围，有利于大量生产。
图5为根据本发明实施例薄膜型太阳能电池的制造装置的简要方框图。
如图5所示，根据本发明实施例薄膜型太阳能电池的制造装置包括：装载部200、第一电极形成部210、电极分隔部220、光电转换层形成部230、接触线形成部240、印刷部250、塑性部260、蚀刻工序部270以及卸载部280。
装载部200向第一电极形成部210提供基板(未图示)。该基板可以为玻璃基板，金属基板，塑料基板或者挠性基板。
第一电极形成部210，如图2a或者图3a所示，在装载部200提供的基板上形成由二氧化锡(SnO2)、二氧化锡:氟(SnO2:F)、二氧化锡:硼(SnO2:B)、二氧化锡:铝(SnO2:Al)或者铟锡氧化物(Indium Tin Oxide)等透明导电材料形成的第一电极120。该第一电极形成部210可以通过化学气相沉积CVD(Chemical Vapor Deposition)形成所述的第一电极120。该第一电极形成部210具有群集(Cluster)或者内联形状。
电极分隔部220如图2a或者3a所示，将通过第一电极形成部210在基板上形成的第一电极120的一部分去除，以形成按照预定间隔分隔第一电极120的第一分隔部130。此处，通过激光划线工序可以形成第一分隔部130。
另外，第一电极120是太阳光入射面，重要的是使太阳光最大限度被太阳能电池吸收。为此，优选的是在第一电极形成部210和电极分隔部220之间设置纹理部(未图示)。其中，所述纹理部在第一电极120的表面上形成纹理(Texturing)。
光电转换层形成部230，如图2b或者图3b所示，在第一电极120和第一分隔部130形成的基板上形成光电转换层140。该光电转换层形成部230按群集形式排置，利用执行化学气相沉积工序的多个工艺室，在基板上PIN结构的一个光电转换层140。其中，所述PIN结构为以P型半导体材料，I型半导体材料以及N型半导体材料依次层叠的结构。如图2b或者图3b所示的放大图“A”或者“B”，当光电转换层140具有多个层层叠的结构，即串联(tandem)或者三重结构时，光电转换层141、光电转换层145和光电转换层149之间会分别形成有缓冲层143和缓冲层147。
另外，根据本发明实施例薄膜型太阳能电池的制造装置，如图2c或者图3c所示，光电转换层140上可以形成有用于形成透明导电层150的透明导电层形成部235。
透明导电层形成部235通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)工序或者等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工序，在光电转换层140上形成透明导电层150。此处，透明导电层150可以由易被湿式蚀刻工序移出的透明导电材料，例如氧化锌(ZnO)、氧化锌:硼(ZnO:B)、氧化锌:铝(ZnO:Al)和氧化锌:氢(ZnO:H)中的任一透明导电材料形成。但是，透明导电层150可以按照太阳能电池的结构而被省略，此时也不用设置透明导电层形成部245。
接触线形成部240如图2d或者图3d所示，去除部分在第一电极120上形成的透明导电层150和光电转换层140，以形成接触线160。其中，透明导电层150和光电转换层140中被去除的部分与第一分隔部130相邻。随之，光电转换层140间隔接触线160按照预定间隔分离。该接触线形成部240利用激光划线工序形成接触线160。
根据第一实施例的印刷部250如图2e所示，将第二电极170印刷到透明导电层150上。其中，第二电极170通过接触线160与第一电极120连接，并且间隔第二分隔部180以预定间隔分离。第二分隔部180同接触线160并列设置在第一电极120的透明导电层150上，并按照预定间隔分离第二电极170。
印刷部250通过使用金属浆糊物(Paste)的单次印刷工序形成第二电极170。其中，所述金属浆糊物可以包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、银钼(Ag+Mo)、银镍(Ag+Ni)或者银铜(Ag+Cu)等金属。
另外，印刷部250可以通过丝网印刷法(Screen Printing)、喷墨印刷法(Inkjet Printing)、凹版印刷法(Gravure Printing)、凹版胶印法(Gravure Offset Printing)、反转印刷法(Reverse Printing)、柔印印刷法(Flexo Printing)或微接触印刷法(Micro Contact Printing)进行所述印刷工序。
根据第二实施例的印刷部250，图3e所示，将第二电极170印刷到光电转换层140上。其中，第二电极170通过接触线160与第一电极120连接，并且第二电极170与第二分隔部180之间通过一定间隔相分离。第二分隔部180包括单元分隔图案182a和透光图案184a。其中，单元分隔图案182a与接触线160平行形成在第一电极120上的透明导电层150上，并由单元分隔图案182a以预定间隔分隔第二电极170，透光图案184a为通过去除部分第二电极170而形成的。
印刷部250通过使用金属浆糊物的单次印刷工序形成第二电极170。其中，该金属浆糊物可以包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、银钼(Ag+Mo)、银镍(Ag+Ni)或者银铜(Ag+Cu)等金属。
塑性部260，通过对被印刷部250印刷上第二电极170的基板进行加热等热处理，去除从第二电极170的浆糊物中挥发的溶剂，对第二电极170进行塑性处理。
蚀刻工序部270，通过以第二电极170为掩膜的喷雾方式的湿式蚀刻工序，如图2f所示，均去除第二分隔部180内的透明导电层150和第二分隔部180内的光电转换层140，形成露出第一电极120的单元分隔部182。并且，如图3f所示，蚀刻工序部270都均去除第二分隔部180内的单元分离图案182a和透光图案184a内的透明导电层150和光电转换层140，形成露出第一电极120的单元分隔部182和透光部184。
卸载部280向外部卸载根据蚀刻工序部270完成蚀刻工序的基板。
图6为图5所示的蚀刻工序部的简要示意图。
结合图6和图5，蚀刻工序部270包括：输送机310、贝斯缸(baths)320、初级洗涤部335、蚀刻工序部350、次级洗涤部365以及干燥部380。
输送机310设置为贯穿贝斯缸320的侧面，移送形成有第二电极170的基板。为此，如图7所示，输送机310可以包括：第一输送机框架311a和第二输送机框架311b、多个驱动轴313、多个滚柱315、电动机317以及多个滚柱向导319。
第一输送机框架311a和第二输送机框架311b按照预定间隔分离，平行设置。
多个驱动轴313按照预定间隔分别设置在第一输送机框架311a和第二输送机框架311b之间，并且可以旋转。
多个滚柱315按照预定间隔分别设置在多个驱动轴313之间，由驱动轴313的旋转移送基板110。
电动机317设置在第一输送机框架311a的外侧面，同时旋转多个驱动轴313。该电动机317的旋转力通过设置在第一输送机框架311a内部的旋转传递部件(未图示)，分别传递到多个驱动轴313。所述旋转传递部件分别连接到电动机317的旋转轴和多个驱动轴313，可以由连锁模块、齿轮模块或者带模块形成。
多个滚柱向导(guide roller)319按照预定间隔分别设置在第一输送机框架311a和第二输送机框架311b的上面，可以旋转，并指引由多个滚柱315移送的基板110的两侧。从而多个滚柱向导319可以防止基板110从输送机310脱落。
贝斯缸320设置成覆盖输送机310提供用于湿式蚀刻工序的空间。该输送机310设置成贯穿工序室320的单侧墙和其他侧墙，水平移送基板110。
另外，为了对由输送机310移送的基板110进行湿式蚀刻工序，贝斯缸320分隔为多个空间。即，贝斯缸320分隔为第一冲洗区332、蚀刻区324、第二冲洗区326和干燥区328。其中，在第一冲洗区332内设置有异物清除部330和第一冲洗部340，在蚀刻区324内设置有湿式蚀刻部350，在第二冲洗区326内设置有第二冲洗部360和最终冲洗部370，在干燥区328内设置有干燥部380。
初级洗涤部335可以包括异物清除部330和第一冲洗部340。
异物清除部330设置在第一冲洗区332的一侧，向由输送机310驱动移送的基板110上喷射高压第一超纯水，解除基板110上的异物。为此，异物清除部330包括至少2个第一喷射喷管332。
至少2个第一喷射喷管332设置在输送机310上方的第一冲洗区322的一侧，向基板110上喷射高压第一超纯水，去除基板110上的异物。其中，至少2个第一喷射喷管332相互隔开一定距离。此处，至少2个第一喷射喷管332间隔输送机310，设置在第一冲洗区322的一侧顶部和底部，向基板110的顶部和底部喷射第一超纯水。至少2个第一喷射喷管332也可以相互隔开一定距离。
第一冲洗部340设置在第一冲洗区332的另一侧，并与异物清除部330相邻。第一冲洗部340向输送机310驱动移送的基板110上喷射高压第二超纯水，冲洗(或者洗涤)基板110。为此，第一冲洗部340包括至少2个第二喷射喷管342。
至少2个第二喷射喷管342设置在输送机310上方的第一冲洗区322的另一侧，向经过异物清除部330移送的基板110上喷射高压第二超纯水，冲洗基板110。其中，至少2个第一喷射喷管332相互隔开一定距离。此处，优选的是，至少2个第二喷射喷管342分别喷射的第二超纯水，重叠喷射到基板110上。
至少2个第二喷射喷管342间隔输送机310，设置在第一冲洗区322的另一侧顶部和底部，向基板110的顶部和底部喷射第二超纯水。
另外，被第一冲洗部340使用后被回收的第二超纯水可以用于异物清除部330使用的第一超纯水。
湿式蚀刻工序部350向由输送机310驱动移送且经过第一冲洗部340的基板110上喷射碱性蚀刻液，以基板上形成的第二电极170为掩膜进行湿式蚀刻工序。湿式蚀刻工序部350，如图2f所示，均去除第二分隔部180内的透明导电层150和第二分隔部180内的光电转换层140形成露出第一电极120的单元分隔部182。或者湿式蚀刻工序部350，如图3f和3e所示，都均去除第二分隔部180内的单元分离图案182a和第二分隔部180内的透光图案184a内的透明导电层150和光电转换层140，形成露出第一电极120的单元分隔部182和透光部184。
为此，根据第一实施例的湿式蚀刻部350可以包括多个蚀刻喷管352。
多个蚀刻液喷管352按照一定间隔设置在输送机310上方的蚀刻区324的顶部，喷射碱性蚀刻液到基板上110。该碱性蚀刻液可以以0.5Pa～2Pa的压力喷射，优选的是喷射的碱性蚀刻液重叠喷射到基板上110。
碱性蚀刻液可以包括选自氢氧化钠(NaOH)和氢氧化钾(KOH)等碱性系列中一种以上的物质一种溶液，也可以包括选自氯化氢(HCl)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、亚磷酸(H3PO3)、过氧化氢(H2O2)和乙二酸(C2H2O4)等酸性溶液中一种以上的溶液。优选的是，碱性蚀刻液包括氢氧(OH)系列的碱性蚀刻溶液，但是也可以包括氢(H)系列的酸性蚀刻溶液。
并且，碱性蚀刻液可以用水稀释使用，在这种情况下优选的是，碱性溶液的浓度范围为5％～20％。并且，碱性蚀刻液的温度最好维持在60℃～80℃，蚀刻时间最好在40秒～80秒。
另外，在蚀刻工序中第二分隔部180内形成的第一电极120，由不易被碱性蚀刻液去除的导电材料形成，因此第一电极120不会被所述蚀刻工序破损。
根据第二实施例湿式蚀刻部350，如图8a所示，包括：多个蚀刻液喷管352，喷管支撑部件354，摇摆轴356，以及驱动模块358。
多个蚀刻液喷管352按照一定间隔设置在输送机310上方的蚀刻区324的顶部，喷射碱性蚀刻液到基板上110。为此，多个蚀刻液喷管352分别包括按照一定间隔形成的多个喷射孔。蚀刻液喷管352中互相相邻的喷射孔可以相互不重叠错开排放。
喷管支撑部件354设置为横穿多个蚀刻液喷管352一同支撑多个蚀刻液喷管352。该喷管支撑部件354以条形状形成，均支撑多个蚀刻液喷管352的中心部分。或者喷管支撑部件354以梯子形状形成，分别支撑多个蚀刻液喷管352的中心部分和两个边缘。
摇摆轴356设置在喷管支撑部件354上，与驱动模块(未图示)驱动联动，使喷管支撑部件354按照预定距离(距离)向±Y轴方向摆动。此处，Y轴方向和基板110移送方向交叉。虽然未在所述附图中详细地图示，摇摆轴356被风箱(bellows)或者密封部件密封，防止蚀刻时被蚀刻蒸汽损伤。
根据第一实施例的驱动模块358可以包括：旋转运动的凸轮轴(未图示)，根据凸轮轴的旋转运动使其向±Y轴方向摆动而设置于摇摆轴356的偏心凸轮(未图示)，以及旋转凸轮轴的电动机(未图示)。
电动机使用具有10～50Hz驱动频率的驱动电源驱动凸轮轴，使摇摆轴356对应于10～50Hz的驱动频段摆动。
根据另一实施例的驱动模块358可以包括：顺时针方向以及逆时针方向交替旋转运动的小齿轮(Pinion)，根据小齿轮的旋转运动使其向±Y轴方向摆动而设置到摇摆轴356的机架(Rack)，以及旋转小齿轮的电动机。
如上所述，根据第二实施例湿式蚀刻部350使多个蚀刻液喷管352向±Y轴方向摆动，将碱性蚀刻液均匀喷射到基板上110，使蚀刻工序均匀进行。
另一方面，根据第二实施例湿式蚀刻部350使多个蚀刻液喷管352向±Y轴方向摆动，但并不限于此，如图8b所示，也可以使多个蚀刻液喷管352向基板110移送方向相同的±X轴摆动。
另一方面，根据第二实施例湿式蚀刻部350，如图8c所示，使多个蚀刻液喷管352按照预定±角度反复进行正旋转以及逆旋转。为此，驱动模块358包括与摇摆轴356的电动机。其中，该驱动模块358的电动机使摇摆轴356按照预定±β的角度反复进行正旋转以及逆旋转运动。
如图6所示，次级洗涤部365可以包括第二冲洗部360和最终冲洗部370。
第二冲洗部360与湿式蚀刻部350相邻设置在第二冲洗区326的一侧，向输送机310驱动移送的基板110上喷射第三超纯水，冲洗(或者洗涤)基板110。为此，第二冲洗部360包括至少2个第三喷射喷管362。
至少2个第三喷射喷管332按照一定间隔设置在输送机310上部的第二冲洗区326的一侧，向经过湿式蚀刻部350移送的基板110上喷射第三超纯水，冲洗基板110。此处，优选的是，至少2个第三喷射喷管362分别喷射的第三超纯水，重叠喷射到基板110上。
至少2个第三喷射喷管362间隔输送机310，设置在第二冲洗区326的另一侧顶部和底部，向基板110的顶部和底部喷射第三超纯水。
另外，被第二冲洗部360使用后被回收的第三超纯水可以用于第一冲洗部340使用的第二超纯水。
最终冲洗部370设置在第二冲洗区326的另一侧，向由输送机310驱动移送的基板110上喷射第四超纯水，最终冲洗(或者洗涤)基板110。为此，最终冲洗部370包括至少2个第四喷射喷管372。
至少2个第四喷射喷管372按照一定间隔设置输送机310上部的第二冲洗区326的另一侧，向经过第二冲洗部360移送的基板110上喷射第四超纯水，最终冲洗基板110。此处，优选的是，至少2个第四喷射喷管372分别喷射的第四超纯水，重叠喷射到基板110上。
至少2个第四喷射喷管372间隔输送机310，设置在第二冲洗区326的另一侧顶部和底部，向基板110的顶部和底部喷射第四超纯水。
另外，被最终冲洗部370使用后被回收的第四超纯水可以用于第二冲洗部360使用的第三超纯水。
干燥部380设置在与第二冲洗部326相邻的干燥区328，对由输送机310驱动移送的基板进行干燥。即，干燥部380使用设置在输送机310上方的风刀(Air Knife)382，去除并干燥经过最终冲洗部370移动的基板110残留的湿气。优选的是，气刀382设置相对基板110的移送方向预定角度倾斜的位置。
另一方面，如从蚀刻工序部270经过第一冲洗部340的基板110上残留第二超纯水时，会出现湿式蚀刻部350喷射出的碱性蚀刻液和第二超纯水发生混合，导致蚀刻液变得不纯，蚀刻不均匀的问题。并且会出现喷射到基板上110的碱性蚀刻液流入到第一冲洗部340，被第一冲洗部340使用后被回收使用为第一超纯水的第二超纯水变得不纯的问题。
并且，会出现从上述蚀刻工序部270经过的基板110上残留碱性蚀刻液时，被第二冲洗部360回收使用为第二超纯水的第三超纯水变得不纯的问题。
为了防止所述问题，上述蚀刻工序部270，如图9所示，可以包括第一中间区(Neutral Zone)345和第二中间区355。
第一中间区345设置在第一冲洗部340和湿式蚀刻部350之间，防止第一冲洗部340使用的第二超纯水和湿式蚀刻部350使用的碱性蚀刻液相互发生混合。为此，第一中间区345，如图10所示，包括第一空气幕347和第二空气幕349。
第一空气幕347设置在与初级洗涤部335相邻第一中间区345的一侧顶部，向初级洗涤部335的基板出口喷射空气(Air)。更具体地涉及，第一空气幕347设置在与第一冲洗部340相邻的第一中间区345的一侧顶部，由输送机310驱动经过第一冲洗部340移送的基板110上喷射预定压力空气，使基板110上残留的第二超纯水D12流入到第一冲洗部340内。
第二空气幕349设置在与湿式蚀刻部350相邻处，向经过第一空气幕347并从湿式蚀刻部350基板入口进入的基板喷射空气。更具体地涉及，第二空气幕349设置在与湿式蚀刻部350相邻的第一中间区345的另一侧顶部，由输送机310驱动经过第一空气幕347的基板上喷射预定压力空气，使由湿式蚀刻部350喷射残留在基板110上的碱性蚀刻液ES流入到湿式蚀刻部350内。
另外，第一空气幕347和第二空气幕349间隔输送机310，分别设置在第一中间区345的顶部和底部，可以向基板110上的顶端和底端喷射空气。
如图9所示，第二中间区(Neutral Zone)355设置在湿式蚀刻部350和第二冲洗部360之间，防止在湿式蚀刻部350使用的碱性蚀刻液和在第二冲洗部360使用的第三超纯水相互发生混合。为此，第二中间区(Neutral Zone)355包括第三空气幕357和第四空气幕359。
第三空气幕357与湿式蚀刻部350相邻设置，向完成湿式工序的基板输出的湿式蚀刻部350的基板出口喷射空气。更具体地涉及，第三空气幕357设置在与湿式蚀刻部350相邻的第二中间区355的一侧顶部，由输送机310驱动经过湿式蚀刻部350的基板上喷射预定压力空气，使基板110上残留的碱性蚀刻液流入到湿式蚀刻部350内。
第四空气幕359与次级洗涤部365相邻设置，向经过第三空气幕357并由次级洗涤部365的基板入口输出的基板喷射空气。更具体地涉及，第四空气幕359设置在与第二冲洗部360相邻的第二中间区355的另一侧顶部，由输送机310驱动经过第三空气幕357的基板上喷射预定压力空气，使基板110上残留第三超纯水流入到第二冲洗部360内。
另外，第三空气幕357和第四空气幕359分别设置在第二中间区355的顶部和底部，中间间隔设置有输送机310，向基板110上的顶端和底端可以喷射空气。
如上所述，根据本发明实施例薄膜型太阳能电池的制造装置，使用印刷方式形成第二电极170之后，通过以第二电极170为掩膜的喷雾式湿式蚀刻工序形成单元分隔部182或者透光部184。其中，单元分隔部182分隔光电转换层140，透光部184形成在单元分隔部182和第二电极170内。根据本发明，因不使用激光划线工序减少费用的同时，相对现有的激光划线工序消耗时间不长。并且，通过单元分隔部182和透光部184，也确保代替玻璃适用的充分的可视范围，也有利于大量生产。
本领域的技术人员应当理解：本发明在对其技术精神和必需的技术特征不做修改的情况下，可以实施为其它具体的形态。因此，以上实施例仅用以说明本发本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，而非对其限制。尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，但是本发明的范围主要体现在后述的专利申请范围里，根据本发明的意义及范围以及等同替换概念导出的任何修改或者变形的形态都属于本发明保护的范围。

Claims (22)

1.一种薄膜型太阳能电池的制造装置，包括：
第一电极形成部，用于在基板上形成第一电极，并且形成用于将所述第一电极按照预定的间隔分隔的第一分隔部；
光电转换层形成部，用于在包括所述第一电极和所述第一分隔部的基板上形成光电转换层；
接触线形成部，用于在所述第一电极上形成的光电转换层中去除预定部分以形成接触线；
印刷部，用于在所述光电转换层上形成第二电极；以及
蚀刻工程部，用于通过湿式蚀刻工序去除所述第二分隔部内的光电转换层，以露出所述第二分隔部内第一电极；
其中，所述第二电极通过所述接触线与所述第一电极连接，并且被第二分隔部按照预定的间隔分隔。
2.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述第一电极由不被所述湿式蚀刻工序去除的透明导电材料形成。
3.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述第一电极由SnO2、SnO2:F、SnO2:B、SnO2:Al和ITO中的任一种透明导电材料形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述第二分隔部包括：
用于将所述第二电极按照预定的间隔分隔的单元分隔图案；以及
按照预定的图案去除所述第二电极而形成的透光图案。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，还包括：
所述光电转换层上形成透明导电层的透明导电层形成部，
其中，所述接触线形成部一同去除所述透明导电层和光电转换层的预定部分以形成所述接触线，所述蚀刻工序部一同去除所述第二分隔部内的透明导电层和光电转换层以露出第一电极。
6.根据权利要求5所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述蚀刻工序部包括：
输送机，移送所述第二电极形成的基板；
初级洗涤部，对由所述输送机驱动移送的基板进行第一次洗涤；
湿式蚀刻部，向由所述输送机的驱动移送并经过所述初级洗涤部的基板上喷射蚀刻液进行所述湿式蚀刻工序；
次级洗涤部，对由所述输送机的驱动移送并经过所述湿式蚀刻部的基板进行第二次洗涤；以及
干燥部，对由所述输送机的驱动移送并经过所述次级洗涤部的基板进行干燥。
7.根据权利要求6所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述蚀刻液包括选自NaOH、KOH、HCl、HNO3、H2SO4、H3PO3、H2O2和C2H2O4的一种以上的物质。
8.根据权利要求6所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述湿式蚀刻部包括：
多个蚀刻液喷管，以一定的间隔设置在所述输送机上，向所述基板上喷射蚀刻液；
喷管支撑部件，一同支撑所述多个蚀刻液喷管；
摇摆轴，支撑所述喷管支撑部件；以及
驱动模块，在预定的距离或角度范围内摇摆所述摇摆轴。
9.根据权利要求6所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述蚀刻工序部还包括：设置在所述初级洗涤部和所述湿式蚀刻部之间的第一中间区，
其中，所述第一中间区包括：
第一空气幕，设置在与所述初级洗涤部相邻处，向所述初级洗涤部的基板出口喷射空气；以及
第二空气幕，设置在与所述湿式蚀刻部相邻处，向所述湿式蚀刻部的基板入口喷射空气；
其中，经过所述初级洗涤部的基板从所述初级洗涤部的基板出口输出，经过所述第一空气幕的基板由所述湿式蚀刻部的基板入口进入。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述蚀刻工序部还包括：设置在所述湿式蚀刻部和所述次级洗涤部之间的第二中间区，
其中，所述第二中间区包括：
第三空气幕，设置在与所述湿式蚀刻部相邻处，向所述湿式蚀刻部的基板出口喷射空气；以及
第四空气幕，设置在与所述次级洗涤部相邻处，向所述次级洗涤部的基板入口喷射空气；
其中，经过所述湿式蚀刻工序的基板从所述湿式蚀刻部的基板出口输出，经过所述第三空气幕的基板由所述次级洗涤部的基板入口进入。
11.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池的制造装置，其中，
所述印刷部使用浆糊物印刷在所述光电转换层上，以形成所述第二电极，其中，所述浆糊物包括选自银(Ag)、铝(Al)和铜(Cu)的一种以上的物质。
12.一种制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：
基板面上形成第一电极；
去除所述第一电极的预定部分，以形成第一分隔部；
在包括所述第一电极和所述第一分隔部的基板上形成光电转换层；
去除所述第一电极上形成的所述光电转换层的预定部分，以形成接触线；
在所述光电转换层上印刷第二电极；以及
通过湿式蚀刻工序去除所述第二分隔部内的光电转换层，以露出所述第二分隔部内的第一电极；
其中，所述第二电极通过所述接触线与所述第一电极连接，并且被第二分隔部按照预定的间隔分隔。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述第一电极由不被所述湿式蚀刻工序去除的透明导电材料形成。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述第一电极由SnO2、SnO2:F、SnO2:B、SnO2:Al和ITO中的任一种透明导电材料形成。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述第二分隔部包括：
用于将所述第二电极按照预定的间隔分隔的单元分隔图案；以及
按照预定的图案去除所述第二电极而形成的透光图案。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法，还包括：
所述光电转换层上形成透明导电层的步骤，
在所述形成第一分隔部的过程中，一同去除所述透明导电层和光电转换层的预定分以形成接触线，
在所述蚀刻工序的过程中，一同去除所述第二分隔部内的透明导电层和光电转换层以露出第一电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，
所述湿式蚀刻工序包括：
由输送机的驱动连续移送形成有所述第二电极的基板的步骤；
在初级洗涤部对所述基板进行第一次洗涤的步骤；
在包括多个蚀刻液喷管的湿式蚀刻部内，使用所述多个蚀刻液喷管向经过所述第一次洗涤的基板喷射蚀刻液进行所述湿式蚀刻工序的步骤；
在次级洗涤部对经过所述湿式蚀刻工序的基板进行第二次洗涤的步骤；以及
对经过所述第二次洗涤的基板进行干燥的步骤；
其中，所述多个蚀刻液喷管以一定的间隔设置在所述输送机上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，
所述蚀刻液包括选自NaOH、KOH、HCl、HNO3、H2SO4、H3PO3、H2O2和C2H2O4的一种以上的物质。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，
所述多个蚀刻液喷管在预定的距离或角度范围内摇摆。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括：
使用在与所述初级洗涤部相邻处设置的第一空气幕，向所述初级洗涤部的基板出口喷射空气；以及
使用在与所述湿式蚀刻部相邻处设置的第二空气幕，向所述湿式蚀刻部的基板入口喷射空气；
其中，经过所述初级洗涤部的基板从所述初级洗涤部的基板出口输出，经过所述第一空气幕的基板由所述湿式蚀刻部的基板入口进入。
21.根据权利要求17至20任一项所述的方法，还包括：
使用在与所述湿式蚀刻部相邻处设置的第三空气幕，向所述湿式蚀刻部的基板出口喷射空气的步骤；以及
使用在与所述次级洗涤部相邻处设置的第四空气幕，向所述次级洗涤部的基板入口喷射空气的步骤；
其中，经过所述湿式蚀刻工序的基板从所述湿式蚀刻部的基板出口输出，经过所述第三空气幕的基板由所述次级洗涤部的基板入口进入。
22.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述印刷第二电极的步骤包括，使用浆糊物印刷在所述光电转换层上，以形成所述第二电极，
其中，所述浆糊物包括选自银(Ag)，铝(Al)和铜(Cu)的一种以上的物质。
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