CN101770127A - 像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素构造，具有像素电极(20)、与该像素电极(20)对应的开关元件(10)。像素电极(20)和开关元件(10)被形成于同一基板(P)上，像素电极(20)被配置于基板(P)侧的层(第1层L1)中，而不是开关元件(10)的半导体层(11)中。根据本发明，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。

Description

像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备
本申请是申请号为200610058869.7、申请日为2006年3月8日、发明名称为：像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备的分案申请。
技术领域
本发明涉及像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备。
背景技术
例如在有源矩阵方式的液晶显示装置中，在每个像素中设有开关元件，借助该开关元件进行各像素的开关动作。作为开关元件，例如使用TFT(薄膜晶体管)。
作为具有TFT的有源矩阵基板的制造方法，一般来说是在形成了栅电极及半导体层(例如无定形硅层及N型硅层)后，层叠形成电极配线(源线、漏线等)或像素电极(透光性导电膜等)(例如参照专利文献1)。
[专利文献1]专利第3261699号公报
在有源矩阵基板的制造工艺中，对于成膜后的半导体层有热的限制。例如当对成膜后的半导体层施加250～300℃左右以上的热时，则会有伴随着脱氢产生的元件特性的恶化的情况。这样的半导体层的热的限制由于对在半导体层之后所形成的电极配线或像素电极的形成方法造成制约，因此成为实现制造工艺的低成本化的工艺适用性上的障碍。
发明内容
本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于，提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响小、有利于低成本化的像素构造及具有该像素构造的有源矩阵基板的制造方法。
本发明的像素构造是具有像素电极、与该像素电极对应的开关元件的像素构造，其特征是，所述像素电极和所述开关元件被形成于同一基板上，所述像素电极被配置于基板侧的层中，而不是所述开关元件的半导体层中。
根据该像素构造，由于像素电极被配置于基板侧的层中，而不是开关元件的半导体层中，因此就能够在半导体层的形成之前形成像素电极。即，可以不受半导体层的热的限制的影响地形成像素电极。由此，该像素构造对像素电极的形成方法的制约少，有利于低成本工艺的应用，例如液相成膜的导入。
该情况下，例如可以采用所述像素电极被配置于所述基板上的第1层中(最接近基板表面的层)的构成。
根据该构成，因像素电极被配置于基板上的第1层中，因此像素电极的形成材料或形成手段的选择的幅度变宽。
而且，该构成包括如下的情况，即，用于防止物质的透过的保护膜或用于提高密接性的密接膜等不直接参与开关动作的膜存在于基板表面和像素电极之间的情况。
在所述的像素构造中，可以采用如下的构成，即，还具有与所述像素电极对应的电容部，所述像素电极和构成所述电容部的导电线被配置于所述基板上的同一层中。
根据该构成，由于像素电极和电容部的导电线被配置于基板上的同一层中，因此就能够利用像素电极及其导电线的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
该情况下，例如可以采用所述像素电极和所述电容部的导电线含有相同的材料膜的构成。
根据该构成，由于像素电极和电容部的导电线含有相同的材料膜并且它们被配置于基板上的同一层中，因此就能够在相同的时刻进行像素电极及其导电线的各材料配置。
在所述的像素构造中，可以采用被与所述像素电极电连接的辅助电极夹隔绝缘膜(夹于其间)而将所述电容部的导电线覆盖的构成。
该构成中，辅助电极作为像素电极的一部分发挥作用，并且该辅助电极和电容部的导电线被夹隔绝缘膜相面对地配置。
该情况下，可以采用所述像素电极、所述电容部的导电线、所述辅助电极及所述绝缘膜分别由透光性的膜制成的构成。
根据该构成，由于除了像素电极以外，光还能透过电容部，因此可以实现像素构造中的透光区域的扩大(开口率的提高)。
另外，在所述的像素构造中，可以采用在所述基板上形成划分所述像素电极及/或所述电容部的堤堰的构成。
根据该构成，在像素电极及/或电容部的形成中能够采用液相法。液相法中，通过将液相材料配置于基板上，对该膜进行热处理而获得导电膜。作为液体材料的配置技术，有液滴喷出法、Cap涂覆法、旋转涂覆法等。所述堤堰是在将像素电极及/或电容部的液体材料配置于基板上时的配置区域的规定中使用的。此外，液相法的使用由于容易实现制造工艺的简单化或材料使用量的减少化，因此有利于制造成本的降低。由于像素电极和电容部被配置于基板上的同一层中，因此可以同时地进行划分像素电极及电容部的各堤堰的形成。
在所述的像素构造中，可以采用如下的构成，即，所述开关元件为薄膜晶体管，所述开关元件的栅电极和所述像素电极被配置于所述基板上的同一层中。
根据该构成，由于像素电极和栅电极被配置于基板上的同一层中，因此就能够利用像素电极及栅电极的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
该情况下，例如可以采用在所述基板上形成有划分所述像素电极及/或所述栅电极的堤堰的构成。
根据该构成，在像素电极及/或栅电极的形成中能够采用液相法，可以实现制造成本的减少化。所述堤堰是在将像素电极及/或栅电极的液状材料配置于基板上时的配置区域的规定中使用的。由于像素电极和栅电极被配置于基板上的同一层中，因此可以同时地进行划分像素电极及栅电极的各堤堰的形成。
在所述的像素构造中，可以采用栅极线和源线也被与所述基板上的所述像素电极配置于同一层中的构成。
根据该构成，由于像素电极、栅电极、栅极线及源线被配置于基板上的同一层中，因此就能够利用它们的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
该情况下，例如可以采用所述栅电极、所述栅极线和所述源线含有相同的材料膜的构成。
根据该构成，由于栅电极、栅极线及源线含有相同的材料膜并且它们被配置于基板上的同一层中，因此就可以在相同的时刻进行栅电极、栅极线及源线的各材料配置。
另外，可以采用在所述基板上形成有划分所述栅极线及/或所述源线的堤堰的构成。
根据该构成，可以在栅极线及/或源线的形成中采用液相法，实现制造成本的减少化。所述堤堰是在将栅极线及/或源线的液体材料配置于基板上时的配置区域的规定中使用的。由于像素电极、栅电极、栅极线及源线被配置于基板上的同一层中，因此就能够同时进行划分它们的各堤堰的形成。
本发明的有源矩阵基板的特征是，具有所述的像素构造。
根据该有源矩阵基板，可以实现低成本化。
本发明的有源矩阵基板的制造方法的特征是，具有：在基板上形成所述开关元件的半导体层的工序、在所述半导体层的形成之前在所述基板上形成所述像素电极的工序。
根据该制造方法，可以在开关元件的半导体层的形成之前，不受半导体层的热的限制的影响地形成像素电极。由此，像素电极的形成材料或形成手段的选择的幅度变宽，可以实现低成本化。
例如可以使用蒸镀法(包括CVD法)、溅射法及液相法当中的至少一种来形成所述像素电极。
该情况下，例如在基板的全面上形成像素电极的材料膜，其后通过进行图案处理来形成像素电极即可。如果是基板上的第1层，则可以容易地实施此种膜形成。
在所述的制造方法中，使用了液相法的所述像素电极的形成工序可以包括：在所述基板上形成划分所述像素电极的配置区域的划分部的工序、在由所述划分部划分的区域中配置所述像素电极的液体材料的工序、对所述像素电极的材料膜进行热处理的工序。
这里，在利用液相法进行的像素电极的形成中，为了获得实用的导电性能，最好材料膜的热处理温度(煅烧温度)为250℃以上的比较高的温度。该制造方法中，可以不受半导体层的热的限制的影响地利用比较高的温度下的热处理来形成导电性能优良的像素电极。另外，利用液相法的使用，可以实现制造成本的减少化。
所述划分部例如为堤堰或相对于所述像素电极的形成材料显示疏液性的区域。
利用堤堰或疏液性区域来规定像素电极的材料的配置区域。
该情况下，例如可以使用光刻法来形成所述堤堰。
另外，可以使用自组装膜来形成所述显示疏液性的区域。
在所述的制造方法中，最好在所述半导体层的形成之前，还具有在所述基板上形成与所述像素电极对应的电容部的工序，所述像素电极的形成工序和所述电容部的形成工序在相同的时刻进行划分部的形成、材料配置及材料膜的热处理当中的至少一个工序。
根据该方法，可以利用像素电极和电容部的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
在所述的制造方法中，可以采用如下的构成，即，所述开关元件为薄膜晶体管，在所述半导体层的形成之前，还具有在所述基板上形成栅电极的工序，所述栅电极的形成工序中，采用液相法。
根据该方法，可以利用液相法的使用来实现制造成本的减少化。
该情况下，所述像素电极的形成工序和所述栅电极的形成工序最好在相同时刻进行划分部的形成及材料膜的热处理当中的至少一个工序。
根据该方法，可以利用像素电极和栅电极的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
在所述的制造方法中，可以采用如下的构成，即，还具有与所述半导体层电连接的漏电极的形成工序和源电极的形成工序，所述漏电极的形成工序和所述源电极的形成工序中，采用液相法。
根据该方法，可以利用液相法的使用来实现制造成本的减少化。
该情况下，可以通过与所述漏电极的形成同时地进行借助了该漏电极的所述半导体层和所述像素电极的电连接，来实现形成工艺的简单化。
另外，通过与所述源电极的形成同时地进行借助了该源电极的所述半导体层与所述源线的电连接，也可以实现形成工艺的简单化。
在所述的制造方法中，可以采用如下的构成，即，还具有在所述基板上形成相互交叉的栅极线及源线的工序，所述栅极线及所述源线的形成工序中，采用液相法。
根据该方法，可以利用液相法的使用来实现制造成本的减少化。
该情况下，可以采用如下的构成，即，所述栅极线及所述源线的形成工序包括：在所述半导体层的形成之前在交叉部分形成一方的线被分割了的交叉图案的导电膜的第1工序、在所述半导体层的形成之后将所述被分割了的导电膜电连接的第2工序。
根据该方法，即使栅极线和源线处于基板上的同一层，也可以将两者交叉配置。
另外，最好所述栅极线及所述源线的形成中的所述第1工序、所述栅电极的形成工序在相同时刻进行划分部的形成、材料配置及材料膜的热处理当中的至少一个工序。
根据该方法，可以利用栅极线和源线、栅电极的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
另外，最好在所述栅极线及所述源线的形成中的第2工序、所述漏电极的形成工序、所述源电极的形成工序中，在相同时刻进行划分部的形成、材料配置及材料膜的热处理当中的至少一个工序。
根据该方法，可以利用栅极线、源线、漏电极和源电极的形成工艺的部分共有化来实现制造工艺的简单化。
本发明的电光学装置的特征是，具备所述本发明的有源矩阵基板。
根据该电光学装置，可以实现低成本化。
本发明的电子设备的特征是，具备所述本发明的电光学装置。
根据该电子设备，可以实现低成本化。
附图说明
图1是将本发明的有源矩阵基板的一部分放大了的俯视图。
图2(A)是图1所示的A-A剖面图，(B)是图1所示的B-B剖面图，(C)是图1所示的C-C剖面图。
图3是实施方式的液晶显示装置的等价电路图。
图4是表示液晶显示装置的整体构成的俯视图。
图5(a)是表示液滴喷出装置的一个例子的图，(b)是喷头的概略图。
图6是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图7是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图8是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图9是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图10是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图11是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图12是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图13是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图14是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图15是用于说明有源矩阵基板的制造方法的图。
图16是用于说明Cap涂覆法的概略剖面图。
图17是表示电子设备的一个例子的立体构成图。
其中，P…基板，L1…第1层(first layer)，IJ…液滴喷出装置，1…有源矩阵基板，10…TFT(开关元件)，11…半导体层，12…无定形硅层，13…N+硅层，16…栅电极，17…栅极绝缘膜，18…源电极，19…漏电极，20…绝缘膜(电容部)，26…辅助电极，27…电容线(电容部的导电线)，28…绝缘膜(电容部)，30…源线(信号线)，31…栅极线(扫描线)，35、36…辅助导电膜，39…保护膜，40、41…堤堰，45…光刻胶膜，50…对置基板，100…液晶显示装置。
具体实施方式
下面将参照附图对本发明的像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备的实施方式进行说明。而且，在各图中，为了将各构成要素设为在图纸上可以识认的程度的大小，根据需要使其比例尺与实际不同。
(有源矩阵基板)
图1是将本发明的有源矩阵基板的局部放大了的俯视图，图2(A)是图1所示的A-A剖面图，图2(B)是图1所示的B-B剖面图，图2(C)是图1所示的C-C剖面图。
如图1所示，有源矩阵基板1具备：格子图案的配线(源线30、栅极线31)、由该配线包围的各区域中所配置的像素电极20、与像素电极20对应的作为开关元件的TFT10、电容部25。
(像素构造)
如图2(A)、(B)及(C)所示，TFT10是具有底栅极构造(倒参差调谐电路型构造)的无定形硅型TFT(α-Si TFT)，包括半导体层11、配置于半导体层11和基板P(玻璃基板等)之间的栅电极16、配置于半导体层11和栅电极16之间的栅极绝缘膜17、与半导体层11分别电连接的源电极18及漏电极19。
半导体层11由无定形硅层(α-Si)12、层叠于该无定形硅层12上的N+硅层(n+-Si)13构成。N+硅层13在无定形硅层12上被分割为平面上分离的2个部位，一方(图示左侧)的N+硅层13(源区域)和作为信号线的源线30被借助源电极18电连接，另一方的N+硅层13(漏区域)和像素电极20被借助漏电极19电连接。另外，栅电极16被与作为扫描线的栅极线31电连接。
像素电极20如前所述，被借助漏电极19与TFT10的漏区域电连接。此外，通过利用经过栅极线31输入的门信号将TFT10在给定期间内设为开状态，经过源线30供给的图像信号被向像素电极20供给。在像素电极20和对置电极之间配置有液晶的情况下，在该液晶中保持有一定期间的像素信号。
电容部25是防止保持于液晶等中的图像信号泄漏的部分，包括被与像素电极20电连接的作为像素电极20的一部分的辅助电极26、被与辅助电极26相面对地配置的由导电膜制成的电容线27、配置于辅助电极26和电容线27之间的绝缘膜28。
这里，该像素构造具有如下的特征，即，栅电极16、像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31分别在与基板P的表面最接近的第1层(firstlayer)L1中被配置于基板P上的同一面上。
具体来说，在基板P上，形成有作为分别规定像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31的形成区域的划分部的堤堰(绝缘膜)40，在该堤堰40的开口部40a、40b、40c、40d、40e中分别配设有栅电极16、像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31。而且，堤堰40是利用光刻等图案处理一并形成于基板P上的。
栅电极16具有在基板P上层叠使用从Ag、Cu、Al等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的下层(基体层)16A、使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的上层(覆盖层)16B而成的2层构造。该2层构造利用覆盖层16B有效地防止构成基体层16A的Ag或Cu、Al向栅极绝缘膜17的扩散，由此具有防止在TFT10中产生动作不良或迁移率的降低等作用。而且，也可以在基体层16A和基板P之间，设置用于提高两者的密接性的密接层。该密接层例如可以利用Mn来形成，可以利用使用了分散有Mn微粒的液体材料的液相法来形成。
另外，源线30及栅极线31与栅电极16相同，具有在基板P上层叠使用从Ag、Cu、Al等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的下层(基体层)16A、使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的上层(覆盖层)16B而成的2层构造。
而且，栅电极16、源线30及栅极线31具有相互一样的材料膜，它们是被同时形成的膜。
像素电极20由ITO(铟锡氧化物)等透光性的导电膜制成。另外，电容线27也由ITO(铟锡氧化物)等透光性的导电膜制成。像素电极20和电容线27由相互一样的材料膜制成，它们是被同时形成的膜。另外，在形成了电容线27的堤堰40的开口部40c中，在电容线27上层叠有绝缘膜28，在该绝缘膜28上层叠有与像素电极20电连接的辅助电极26。辅助电极26由ITO(铟锡氧化物)等透光性的导电膜制成，被按照覆盖像素电极20的一部分和绝缘膜28、堤堰40的一部分的方式配置。绝缘膜28由聚硅氮烷等透光性高的绝缘体制成。
像这样，该像素构造中，由于在第1层L1中，栅电极16、像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31的各构成要素分别被配置于基板P上的同一面上，因此就能够实现这些构成要素的形成工艺的部分共有化。例如，可以在相同的时刻进行作为划分部的堤堰40的形成、各构成要素的形成材料的配置及配置于基板P上的材料膜的热处理当中的至少一个工序。另外，由于这些构成要素被配置于与基板P的表面最近的第1层L1中，作为这些构成要素的配置面的基板P表面的全面都比较平坦，因此与对有阶梯的面的处理相比，更容易实现工艺的共有化。
另外，在该第1层L1中，由于栅电极16、像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31的各构成要素分别由堤堰40划分，因此在各构成要素的形成中就能够采用液相法。液相法中，将液体材料配置于基板P上，通过对该膜进行热处理就获得导电膜。作为液体材料的配置技术，例如可以举出液滴喷出法、Cap涂覆法、旋转涂覆法等。所述堤堰40是被作为将所述各构成要素的液体材料配置于基板P上时的规定配置区域的分隔构件使用的。此外，液相法的使用由于容易实现制造工艺的简单化或材料使用量的减少化，因此有利于制造成本的降低。栅电极16、像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31的各构成要素由于被配置于基板P的同一层中，因此可以同时地进行划分这些构成要素的各堤堰40的形成。
然后，半导体层11、源电极18及漏电极19被设于所述第1层L1的上层中。
具体来说，在包括栅电极16的堤堰40上的区域中，形成有由氧化硅或氮化硅等制成的栅极绝缘膜17，在该栅极绝缘膜17上并处于与栅电极16平面地重合的位置上形成有半导体层11。即，以栅电极16、栅极绝缘膜17、无定形硅层12及N+硅层13的顺序，将它们层叠于基板P上(底栅极构造、倒参差调谐电路型构造)。
另外，在所述第1层L1上，形成有作为用于分别规定源电极18及漏电极19的形成区域的划分部的堤堰(绝缘膜)41，在该堤堰41的开口部41a、41b上分别配设有源电极18及漏电极19。而且，堤堰41是被利用光刻等图案处理一并形成于第1层L1上的。
源电极18具有将使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的下层(屏蔽层)18A、使用从Ag、Cu、Al等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的中间层(基体层)18B、使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的上层(覆盖层)18C层叠而成的3层构造。该3层构造利用屏蔽层18A有效地防止构成基体层18B的Ag或Cu、Al向无定形硅层12、N+硅层13及栅极绝缘膜17中的扩散，由此具有防止在TFT10中产生动作不良或迁移率的降低等的作用。堤堰41具有将包括第1层L1的源线30的一部分和半导体层11的源区域的区域开口的开口部41a，通过向该开口部41a中填充所述导电材料，就可以完成源电极18的形成以及借助了该源电极18的半导体层11的源区域和源线30的电连接。
另外，漏电极19与源电极18相同，具有将使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的下层(屏蔽层)19A、使用从Ag、Cu、Al等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的中间层(基体层)19B、使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的上层(覆盖层)19C层叠而成的3层构造。堤堰41具有将包括第1层L1的像素电极20的一部分和半导体层11的漏区域的区域开口的开口部41b，通过向该开口部41b中填充所述导电材料，就可以完成漏电极19的形成以及借助了该漏电极19的半导体层11的漏区域和像素电极20的电连接。
而且，源电极18及漏电极19具有相同的材料膜，它们是被同时形成的膜。
另外，在半导体层11(无定形硅层12、N+硅层13)和堤堰41之间根据需要形成有保护膜39。该保护膜39具有防止穿过了堤堰41的金属(例如碱金属(可动离子))侵入半导体层11等作用。在堤堰41具有相同的功能的情况下，也可以采用省略了保护膜39的构成。
像这样，该像素构造中，在包括像素电极20的第1层L1的上层中，形成有半导体层11。由于像素电极20被配置于基板P侧的层中，而不是半导体层11中，因此就能够在半导体层11的形成之前形成像素电极20。即，可以不受制造工艺的半导体层11的热的限制的影响地形成像素电极20。由此，该像素构造对像素电极20的形成方法制约少，有利于低成本化。例如，在像素电极20的形成中，能够使用有利于制造成本的降低的液相法。
另外，在第1层L1的上层中，由于源电极18及漏电极19分别由堤堰41划分，因此在它们的形成中可以采用液相法。所述堤堰41是被作为将所述各构成要素的液体材料配置于基板P上时的规定配置区域的分隔构件使用的。此外，液相法的使用由于容易实现制造工艺的简单化或材料使用量的减少化，因此有利于制造成本的降低。由于源电极18及漏电极19的各构成要素被配置于基板P上的同一层中，因此可以同时地进行划分这些构成要素的各堤堰41的形成。
回到图1，在该有源矩阵基板1中，通过将源线(信号线)30和栅极线(扫描线)31相互交叉地配置而形成格子状图案。即，多条栅极线31在图示左右方向上延伸，在与这些栅极线31交叉的方向(图示上下方向)上延伸有多条源线30。如前所述，该有源矩阵基板1中，由于源线30和栅极线31被配置于基板P上的同一面上，因此在基板P上的源线30和栅极线31的交叉位置上相对于一方的配线(栅极线31)使另一方的配线(源线30)迂回绕过。
具体来说，如图2(C)所示，在第1层L1中，源线30被分割为多条而将栅极线31夹于其间地形成于其两侧。此外，在源线30和栅极线31的交叉位置上，在第1层L1的上层，配设有跨过栅极线31的辅助导电膜35。辅助导电膜35和被分割了的两条源线30被电连接，并且辅助导电膜35和栅极线31属于被栅极绝缘膜17绝缘了的关系。辅助导电膜35具有将使用从Ag、Cu、Al等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的下层(基体层)35A、使用从Ni、Ti、W、Mn等中选择的1种或2种以上的金属材料形成的上层(覆盖层)35B层叠而成的2层构造。设于第1层L1的上层的堤堰41在源线30和栅极线31的交叉位置上，具有将被分割了的两条源线30的各一部分开口的开口部41c，通过向该开口部41c中填充所述导电材料，即完成被分割了的两条源线30之间的电连接。而且，本例中，在相互交叉的源线30和栅极线31的关系中，虽然源线30被分割，但是也可以采用栅极线31被分割的形态。
另外，如图1所示，在该有源矩阵基板1中，源线(信号线)30和电容线27被相互交叉地配置。即，多条电容线27在图示左右方向上延伸，在与这些电容线27交叉的方向(图示上下方向)延伸有多条源线30。如前所述，在该有源矩阵基板1中，由于源线30和电容线27被配置于基板P上的同一面上，因此在基板P的源线30和电容线27的交叉位置上相对于一方的配线(电容线27)使另一方的配线(源线30)迂回绕过。而且，本例中，在相互交叉的源线30和电容线27的关系中，虽然源线30被分割，但是也可以采用电容线27被分割的形态。实际上，在实现像素特性的提高方面，最好如本例所示将源线30分割。
具体来说，在基板P上的第1层中，源线30被分割为多条而将电容线27夹于其间地形成于其两侧。此外，在源线30和电容线27的交叉位置上，配设有跨过电容线27的辅助导电膜36。辅助导电膜36和被分割了的两条源线30被电连接，辅助导电膜36和电容线27属于被栅极绝缘膜绝缘了的关系(参照图15)。设于第1层的上层的堤堰41在源线30和电容线27的交叉位置上，具有将被分割了的两条源线30的各一部分开口的开口部41d，通过向该开口部41d中填充辅助导电膜36，即完成被分割了的两条源线30之间的电连接。源线30和电容线27的交叉位置上的辅助导电膜36、所述的源线30和栅极线31的交叉位置上的辅助导电膜35具有相同的材料膜，它们是被同时形成的膜。
根据所述构成，由于具有如下等特征性的构成，即，在该有源矩阵基板1中，栅电极16、像素电极20、电容线27、源线30及栅极线31分别在与基板P的表面最近的第1层(first layer)中被配置于基板P上的同一面上，因此就可以实现制造工艺的简单化或材料使用量的减少化。
另外，该有源矩阵基板1中，由于构成电容部25的电容线27、辅助电极26及绝缘膜28分别由透光性的膜构成，因此除了像素电极20以外，光也会透过电容部25。由此，可以实现像素构造的透光区域的扩大(开口率的提高)。
而且，电容部25的配置位置不限定于图1所示的像素电极20的中央附近，也可以靠近像素电极20的缘部。
另外，电容部25也可以是难透光性的构成。
(液晶显示装置)
图3是表示作为本发明的电光学装置的一个实施方式的液晶显示装置100的等价电路图。该液晶显示装置100具备图1的有源矩阵基板。
如图3所示，在该液晶显示装置100中，在构成像素显示区域的被配置为矩阵状的多个点上，分别形成有作为透光性导电膜的像素电极20和作为用于控制这些像素电极20的开关元件的薄膜晶体管(TFT10)，被供给像素信号的信号线(源线30)被与这些TFT10的源区域电连接。写入源线30的像素信号S1、S2、…、Sn被以该顺序向源线依次供给，或被成组地向相邻的多条源线30供给。另外，扫描线(栅极线31)被与TFT10的门区域电连接，向多条栅极线31将扫描信号G1、G2、…、Gm在给定的时刻脉冲性地以栅极线顺序施加。另外，像素电极20被与TFT10的漏区域电连接，通过将作为开关元件的TFT10在一定期间内打开，将由源线30供给的像素信号S1、S2、…、Sn在给定的时刻写入。
经过像素电极20而被写入液晶的给定电平的像素信号S1、S2、…、Sn在与后述的公共电极之间被保持一定期间。这样，利用液晶的分子集合的取向或秩序与该被施加的电压电平对应地变化的情况来将光变频，就能够实现任意的灰度显示。另外，在各点中，为了防止写入液晶的像素信号泄漏的情况，与形成于像素电极20和公共电极之间的液晶电容并联地附加有蓄积电容(电容部25)。符号27是与该蓄积电容的一侧的电极连接的电容线。
下面，图4是液晶显示装置100的整体构成图。
如图4所示，液晶显示装置100具备将TFT阵列基板(有源矩阵基板1)、对置基板50夹隔俯视为近似矩形框状的密封材料52贴合的构成，夹持于所述两基板1、50之间的液晶被密封材料52封入了所述基板间。而且，图4中，按照使对置基板50的外周端俯视地看与密封材料52的外周端对齐的方式显示。
密封材料52的内侧的区域中，以矩形框状形成有由遮光性材料制成的遮光膜(划分周边)53。在密封材料52的外侧的周边电路区域中，沿着有源矩阵基板1的一边配设有数据线驱动电路201和安装端子202，沿着与该一边相邻的2边分别设有扫描线驱动电路104、104。在有源矩阵基板1的剩余的一边上，形成有将所述扫描线驱动电路104、104连接起来的多条配线105。另外，在对置基板50的角部，配设有用于在有源矩阵基板1和对置基板50之间形成电导通的多个基板间导通材料106。
而且，实际上，在有源矩阵1的内侧表面(像素电极的表面等)上，形成有用于控制液晶的初期取向状态的取向膜，在外侧表面上，设有用于控制向液晶层入射的光的偏光状态的相位差片或偏光片。另外，在有源矩阵基板1的外侧(面板背面侧)，设有被作为透过型以至半透过反射型的液晶显示装置的情况的照明手段使用的背光灯。
另外，在对置基板50的内侧(有源矩阵基板1的对置面)，层叠了将着色部排列而成的滤色片层、由平面状的透光性导电膜构成的对置电极。另外，在对置基50的内侧表面(对置电极的表面等)上，形成有取向膜，在外侧表面上，根据需要配设有相位差片或偏光片。
另外，密封于有源矩阵基板1和对置基板50之间的液晶层主要由液晶分子构成。作为构成该液晶层的液晶分子，只要是向列相液晶、近晶相等能够取向的液晶，则无论使用何种液晶分子都可以，但是对于TN型液晶面板的情况，最好形成向列相液晶，例如，可以举出苯基环己烷衍生物液晶、联苯衍生物液晶、联苯环己烷衍生物液晶、三联苯衍生物液晶、苯基醚衍生物液晶、苯基酯衍生物液晶、双环己烷衍生物液晶、偶氮甲碱衍生物液晶、嘧啶衍生物液晶、二氧杂环乙烷衍生物液晶、立方烷衍生物液晶等。
具备了以上的构成的液晶显示装置100中，通过将从背光灯射入的光在利用电压施加控制了取向状态的液晶层中变频，来进行任意的灰度显示。另外，在每个像素中混入三原色(R、G、B)的色光，可以进行任意的彩色显示。
另外，该液晶显示装置100中，由于有源矩阵基板1具有栅电极、像素电极、电容线、源线及栅极线分别被在与基板的表面最近的第1层(firstlayer)中配置于基板上的同一面上等特征性的构成，因此可以实现制造工艺的简单化或材料使用量的减少化。
(有源矩阵基板的制造方法、液滴喷出法)
下面，作为所述的有源矩阵基板1的制造方法的一个例子及液相法的一个例子，对于液滴喷出法参照附图进行说明。
(液滴喷出装置)
首先，对本制造方法的多个工序中所使用的液滴喷出装置进行说明。本制造方法中，从设于液滴喷出装置上的液滴喷头的喷嘴中将含有导电性微粒的墨液(液体材料)以液滴状喷出，形成构成有源矩阵基板的各导电构件或电极(液滴喷出法)。作为本例中所使用的液滴喷出装置，可以采用图5所示的构成的装置。
图5(a)是表示本例中所使用的液滴喷出装置IJ的概略构成的立体图。
液滴喷出装置IJ具备液滴喷头301、X轴方向驱动轴304、Y方向导引轴305、控制装置CONT、台架307、清洁机构308、基台309、加热器315。
台架307是支撑被该液滴喷出装置IJ设置墨液(液体材料)的基板P的构件，具备将基板P固定于基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头301是具备了多个喷出喷嘴的多喷嘴型的液滴喷头，使长边方向和Y轴方向一致。多个喷出喷嘴被在液滴喷头301的下面沿Y轴方向并排地以一定间隔设置。从液滴喷头301的喷出喷嘴中，向由台架307支撑着的基板P上，喷出所述的含有导电性微粒的墨液。
在X轴方向驱动轴304上，连接有X轴方向驱动马达302。X轴方向驱动马达302为步进马达等，当从控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号时，即旋转X轴方向驱动轴304。当X轴方向驱动轴304旋转时，液滴喷头301即沿X轴方向移动。
Y轴方向导引轴305被按照相对于基体309不动的方式固定。台架307具备Y轴方向驱动马达303。Y轴方向驱动马达303为步进马达等，当从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号时，就将台架307沿Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头301供给液滴的喷出控制用的电压。另外，向X轴方向驱动马达302供给控制液滴喷头301的X轴方向的移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动马达303供给控制台架307的Y轴方向的移动的驱动脉冲信号。
清洁机构308是对液滴喷头301进行清洁的机构。在清洁机构308上，设有未图示的Y轴方向的驱动马达。利用该Y轴方向的驱动马达的驱动，清洁机构沿着Y轴方向导引轴305移动。清洁机构305的移动也由控制装置CONT控制。
加热器315在这里是利用灯退火对基板P进行热处理的手段，进行涂布于基板P上的液体材料中所含的溶剂的蒸发及干燥。该加热器315的电源的接入及切断也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ在对液滴喷头301和支撑基板P的台架307进行相对扫描的同时向基板P喷出液滴。这里，在以下的说明中，将X轴方向设为扫描方向，将与X轴方向正交的Y轴方向设为非扫描方向。所以，液滴喷头301的喷出喷嘴被沿作为非扫描方向的Y轴方向以一定间隔并排设置。而且，图5(a)中，液滴喷头301虽然被与基板P的行进方向成直角地配置，但是也可以调整液滴喷头301的角度，使之与基板P的行进方向交叉。这样，就可以通过调整液滴喷头301的角度，来调节喷嘴间的间距。另外，也可以任意地调节基板P和喷嘴面的距离。
图5(b)是用于说明利用压电方式的液体材料的喷出原理的液滴喷头的概略构成图。
图5(b)中，与收容液体材料(墨液；功能液)的液体室321相邻地设有压电元件322。经过包括收容液体材料的材料罐的液体材料供给系统323向液体室321中供给液体材料。压电元件322被与驱动电路324连接，借助该驱动电路324向压电元件322施加电压，使压电元件322变形而使液体室321弹性变形。这样，利用该弹性变形时的内容积的变化，就能够从喷嘴325中喷出液体材料。该情况下，通过改变施加电压的值，可以控制压电元件322的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，可以控制压电元件322的变形速度。由于利用压电方式的液滴喷出不对材料加热，因此具有难以对材料的组成造成影响的优点。
(墨液(液体材料))
这里，对本例的制造方法中所使用的适于从液体喷头301中的喷出的墨液(液体材料)进行说明。
本例中所使用的导电部形成用墨液(液体材料)是由将导电性微粒分散于分散剂中的分散液或其前驱体构成的。作为导电性微粒，例如除了含有金、银、铜、钯、铌及镍等的金属微粒以外，还可以使用它们的前驱体、合金、氧化物以及导电性聚合物或铟锡氧化物等的微粒等。这些导电性微粒为了提高分散性，也可以在表面涂覆有机物等而使用。导电性微粒的粒径优选1nm～0.1μm左右。当大于0.1μm时，则不仅有可能在后述的液体喷头301的喷嘴中产生堵塞，而且所得的膜的致密性有可能恶化。另外，当小于1nm时，则涂覆剂相对于导电性微粒的体积比增大，所得的膜中的有机物的比例变得过多。
作为分散剂，只要是可以将所述的导电性微粒分散的材料，不会引起凝聚的材料，就没有特别限定。例如，除了水以外，还可以例示出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类、n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢呋喃、十氢呋喃、环己基苯等烃类化合物、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二氧杂环乙烷等醚类化合物以及碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲替甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。它们当中，从微粒的分散性和分散液的稳定性或对液滴喷出法(喷墨法)的适用的容易度的观点考虑，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散剂，可以举出水、烃类化合物。
所述导电性微粒的分散液的表面张力优选0.02N/m～0.07N/m的范围内。在利用喷墨法喷出液体时，如果表面张力小于0.02N/m，则由于墨液组合物对喷嘴面的浸润性增大，因此容易产生飞行弯曲，如果超过0.07N/m，则由于喷嘴头端的弯月面的形状不稳定，因此喷出量、喷出时刻的控制变得困难。为了调整表面张力，向所述分散液中，在不大大地降低与基板的接触角的范围内，微量添加氟类、硅类、非离子类等表面张力调节剂即可。非离子类表面张力调节剂是起到提高液体向基板的浸润性、改良膜的调平性、防止膜的微细的凹凸的产生等作用的物质。所述表面张力调节剂也可以根据需要，含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
所述分散液的粘度优选1mPa·s～50mPa·s。当使用喷墨法将液体材料作为液滴喷出时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周边部容易被墨液的流出污染，另外当粘度大于50mPa·s时，则喷嘴孔中的堵塞频率变高，不仅难以实现顺利的液滴的喷出，而且液滴的喷出量减少。
(有源矩阵基板的制造方法)
以下将参照从图6到图15对有源矩阵基板1的制造方法进行说明。从图6到图15是表示有源矩阵基板1的制造方法的一个例子的说明图，分别包括俯视图及剖面图。
(第1层堤堰形成工序)
首先，如图6所示，准备成为基体的基板P，在其一面侧形成堤堰40。
作为基板P，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄片、金属板等各种材料。另外，还包括在这些各种原材料基板的表面作为基底层形成了半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等的材料。
堤堰40是将基板面平面性地划分的分隔构件，在该堤堰的形成中可以使用光刻法或印刷法等任意的方法。例如，当使用光刻法时，利用旋转涂覆、喷雾涂覆、滚涂、金属涂覆机、浸渍涂覆等给定的方法，与形成于基板P上的堤堰的高度匹配地涂布丙烯酸树脂等有机类感光性材料而形成感光性材料层。此后，通过与要形成的堤堰形状匹配地向感光性材料层照射紫外线，形成具备了给定的开口部40a、40b、40c、40d、40e的堤堰40。作为堤堰40的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚亚酰胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等高分子材料。堤堰40也可以是使用含有聚硅氮烷的液体材料等形成的无机物的构造体。
堤堰40的开口部40a、40b、40c、40d、40e与栅电极、像素电极、电容线、源线及栅极线分别对应。
具体来说，在图示左右方向延伸形成的开口部40c、40e与栅极线、电容线的形成位置对应。被与该开口部40c、40e交叉地在图示上下方向延伸形成的开口部40d与源线的形成位置对应。源线用开口部40d被按照不与电容线用开口部40c及栅极线用开口部40e一体化的方式，在交叉位置上被分割。在源线用开口部40d和栅极线用开口部40e的交叉位置上，被从栅极线用开口部40e中分支并且在图示上下方向延伸地形成的开口部40a与栅电极的形成位置对应。此外，由源线用开口部40d、栅极线用开口部40e及电容线用开口部40c的格子图案包围的开口部40b与像素电极对应。
为了提高材料墨液向所述开口部40a、40b、40c、40d、40e中的配置性，根据需要对堤堰40进行疏液化处理。
作为疏液化处理，例如可以采用在大气气氛中以四氟化甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理的条件例如为：等离子体功率为50kW～1000kW，四氟化甲烷流量为50ml/min～100ml/min，相对于等离子体放电电极的基板搬送速度为0.5mm/sec～10.20mm/sec，基板温度为70℃～90℃。而且，作为处理气体，并不限于四氟化甲烷(四氟化碳)，也可以使用其他的氟碳类的气体。
通过进行此种疏液化处理，对于堤堰40，向构成它的树脂中导入氟基，而被赋予高疏液性。
另外，在所述疏液化处理之前，为了使向开口部40a、40b、40c、40d、40e的底面露出的基板P的表面清洁化，根据需要进行使用了O2等离子体的抛光处理或UV(紫外线)照射处理。通过进行该处理，可以除去基板P表面的堤堰的残渣，可以增大疏液化处理后的堤堰40的接触角和该基板表面的接触角的差，从而可以在后段的工序中将配置于堤堰40的开口部内的液滴正确地关入开口部的内侧。另外，当堤堰40为由丙烯酸树脂或聚亚酰胺树脂构成的材料时，如果在CF4等离子体处理之前将堤堰40暴露于O2等离子体中，则由于有更容易被氟化(疏液化)的性质，因此在将堤堰40用这些树脂材料形成的情况下，最好在CF4等离子体处理之前实施O2抛光处理。
所述O2抛光处理具体来说是通过从等离子体放电电极向基板P照射等离子体状态的氧来进行的。作为处理条件，例如为：等离子体功率为50W～1000W，氧气流量为50ml/min～100ml/min，基板P的相对于等离子体放电电极的搬送速度为0.510mm/sec～10mm/sec，基板温度为70℃～90℃。
而且，虽然因对堤堰40的疏液化处理(CF4等离子体处理)，对被利用先前进行的残渣处理亲液化了的基板P表面多少会有些影响，但是特别是在基板P由玻璃等制成的情况下，由于难以引起由疏液化处理造成的氟基的导入，因此基板P的亲液性，即浸润性实质上不受损害。另外，对于堤堰40，也可以通过利用具有疏液性的材料(例如具有氟基的树脂材料)来形成，而将其疏液处理省略。
(栅电极·源线·栅极线形成工序)
然后，如图7所示，在基板P上，形成栅电极16、源线30及栅极线31。
栅电极16的形成工序、源线30的形成工序、栅极线31的形成工序在相同的时刻进行材料配置工序及材料膜的热处理的工序。
具体来说，首先，向设于堤堰40中的开口部40a、40d、40e的各自中，从先前的液滴喷出装置IJ的液滴喷头301(参照图5)中滴下栅电极16、源线30及栅极线31的材料墨液。本例中，对于栅电极16、源线30及栅极线31使用相互一样的形成材料，另外分别以2层构造的叠层体形成。例如，在下层(基体层)中，使用含有作为导电性微粒的Ag(银)、作为溶剂(分散剂)的二乙二醇二甲醚的材料的墨液。在基体层的材料墨液的滴下时，如果堤堰40的表面被赋予了疏液性，并且开口部的底面部的基板表面被赋予了亲液性，则所喷出的液滴的一部分即使落在堤堰40上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。
在该基体层的材料配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，虽然没有特别限定，但是可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩气激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等准分子激光器等作为光源。这些光源一般来说虽然可以使用输出为10W～5000W的范围的装置，但是在本例中，在100W～1000W的范围中就足够。
在栅电极16、源线30及栅极线31的上层(覆盖层)中，例如使用含有作为导电性微粒的Ni(镍)、作为溶剂(分散剂)的水及二乙醇胺的材料墨液。
另外，在覆盖层的材料墨液滴下时，如果堤堰40的表面被赋予了疏液性，则即使所喷出的液滴的一部分落在堤堰40上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。但是，在开口部40a、40d、40e的内部先形成的基体层的表面由于相对于在本工序中滴下的材料墨液不一定具有高亲和性，因此在覆盖层的墨液滴下之前，也可以在基体层上形成用于改善墨液的浸润性的中间层。该中间层虽然可以根据构成覆盖层的墨液的分散剂的种类来适当地选择，但是在墨液使用水类的分散剂的情况下，例如如果形成由氧化钛构成的中间层，则可以在中间层表面获得极为良好的浸润性。
在覆盖层的材料配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，与前面的基体层相同。另外，加热时的输出也同样地可以设为100W～1000W的范围。
接下来，对基体层及覆盖层的干燥膜进行煅烧处理(热处理及/或光处理)。
该煅烧处理的目的在于，微粒间的电接触的改善、分散剂的完全除去或在为了提高在液体中的分散性而在导电性微粒的表面涂覆了有机物等涂覆剂的情况下实现该涂覆剂的除去等。
该热处理及/或光处理虽然通常在大气中进行，但是根据需要，也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度要考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热性质、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等而适当地决定。而且，该阶段中，由于在基板P上未设有半导体层，因此可以在堤堰40的耐热温度的范围内提高煅烧温度，例如可以设为250℃以上或者300℃左右的煅烧温度，从而能够形成具备了良好的导电性的金属配线。
此后，利用所述的煅烧处理，基体层及覆盖层的干燥膜中的微粒间的电接触被确保而转换为导电性膜。其结果是，在堤堰40的开口部40a、40d、40e中分别形成2层构造的栅电极16、源线30及栅极线31。
而且，本例中，虽然形成由Ag构成的下层(基体层)、由Ni构成的上层(覆盖层)，利用这些基体层和覆盖层的叠层体来形成栅电极16、源线30及栅极线31，但是基体层也可以是Ag以外的金属，例如Cu或Al或者以这些金属为主成分的合金。另外，覆盖层也可以是Ni以外的Ti或W、Mn或者以这些金属为主成分的合金。另外，其构造并不限于2层。另外，也可以对每个被层叠的膜进行煅烧处理。
(像素电极·电容线形成工序)
然后，如图7所示，在基板P上，形成像素电极20及电容线27。
像素电极20的形成工序、电容线27的形成工序在相同的时刻进行材料配置工序及材料膜的热处理的工序。
具体来说，首先，向设于堤堰40中的开口部40b、40c的各自中，从先前的液滴喷出装置IJ的液滴喷头301(参照图5)中滴下像素电极20及电容线27的材料墨液。本例中，对于像素电极20及电容线27使用相互一样的形成材料，例如使用将ITO、IZO、FTO等透光性导电材料的微粒分散于溶剂(分散剂)中的材料墨液。此外，也可以使用含有ITO微粒和硅有机化合物的液体材料、含有ITO微粒和铟有机化合物和锡有机化合物的液体材料。通过使用这些液体材料，就可以形成ITO微粒之间被由所述金属有机化合物生成的SiO2或ITO的矩阵牢固地粘接了的构造的透光性导电膜，即使煅烧温度是比较低的温度，ITO微粒也被致密地配置，可以形成在微粒间获得良好的导电性的透光性导电膜。在材料墨液的滴下时，如果堤堰40的表面被赋予了疏液性，并且开口部的底面部的基板表面被赋予了亲液性，则所喷出的液滴的一部分即使落在堤堰40上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。
在像素电极20及电容线27的材料配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，虽然没有特别限定，但是可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩气激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等准分子激光器等作为光源。这些光源一般来说虽然可以使用输出为10W～5000W的范围的装置，但是在本例中，在100W～1000W的范围中就足够。
接下来，对像素电极20及电容线27的各材料的干燥膜进行煅烧处理(热处理及/或光处理)。
该煅烧处理的目的在于，微粒间的电接触的改善、分散剂的完全除去或在为了提高在液体中的分散性而在导电性微粒的表面涂覆了有机物等涂覆剂的情况下实现该涂覆剂的除去等。
该热处理及/或光处理虽然通常在大气中进行，但是根据需要，也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度要考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热性质、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等而适当地决定。而且，该阶段中，由于在基板P上未设有半导体层，因此可以在堤堰40的耐热温度的范围内提高煅烧温度，例如可以设为250℃以上或者300℃左右的煅烧温度，从而能够形成具备了良好的导电性的透光性导电膜。
此后，利用所述的煅烧处理，像素电极20及电容线27的各材料的干燥膜中的微粒间的电接触被确保而转换为透光性的导电性膜。其结果是，在堤堰40的开口部40b、40c中分别形成像素电极20及电容线27。
而且，也可以将栅电极16、源线30及栅极线31的热处理工序、像素电极20及电容线27的热处理工序在相同的时刻进行。或者，也可以将所述的热处理工序和后述的电容部25的辅助电极26(参照图9)的热处理工序在相同时刻进行。另外，像素电极20及电容线27的形成也可以在栅电极16、源线30及栅极线31的形成之前。
(电容部绝缘膜形成工序)
然后，如图8所示，在电容线27上，形成作为电容部25的构成要素的绝缘膜28。
具体来说，在堤堰40的开口部40c的电容线27上，配置所述绝缘膜28的形成材料，将其硬化。作为电容部25的绝缘膜28的形成材料，优选具有绝缘性并且在硬化后具有透光性的材料，例如除了聚硅氮烷(具有Si-N键的高分子的总称)以外，还可以使用丙烯酸、聚亚酰胺、聚酰胺、BCB(苯基环丁烷)等有机树脂等。
这里，聚硅氮烷的一种为[SiH2NH]n(n为正的整数)，被称作聚全氢化硅氮烷。而且，当[SiH2NH]n中的H被以烷基(例如甲基、乙基等)置换时，则变为有机聚硅氮烷，与无机聚硅氮烷有所区别。将聚硅氮烷和二甲苯等溶剂混合了的液体材料通过在含有水蒸气或氧的气氛气体中进行热处理，转化为氧化硅。聚硅氮烷抗断裂性高，另外具有耐氧等离子体性，即使是单层也可以作为一定程度的较厚的绝缘膜使用。液体材料的配置例如使用液滴喷出法、分散法等。在液体材料的配置时，如果堤堰40的表面被赋予了疏液性，则即使液体材料的一部分落在堤堰40上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。
接下来，对该材料膜进行煅烧处理(热处理及/或光处理)。
例如，通过对含有聚硅氮烷和二甲苯的材料膜在水蒸气气氛下进行温度100～350℃、10～60分钟热处理，则形成硅氧化膜。另外，在该热处理之后，通过进行400～500℃、30～60分钟的热处理或者激光退火或灯退火灯高温短时间的热处理，则可以实现绝缘膜的致密化。
(电容部辅助电极形成工序)
然后，如图9所示，在层叠于电容线27上的绝缘膜28上，形成作为电容部25的构成要素的辅助电极26。
具体来说，按照覆盖像素电极20的一部分和绝缘膜28、堤堰40的一部分的方式配置所述辅助电极26的形成材料，将其硬化。作为辅助电极26的形成材料，优选使用与像素电极20相同的材料，例如使用将ITO、IZO、FTO等透光性导电材料的微粒分散于溶剂(分散剂)中的材料墨液。此外，也可以使用含有ITO微粒和硅有机化合物的液体材料、含有ITO微粒和铟有机化合物和锡有机化合物的液体材料。通过使用这些液体材料，就可以形成ITO微粒之间被由所述金属有机化合物生成的SiO2或ITO的矩阵牢固地粘接了的构造的透光性导电膜，即使煅烧温度是比较低的温度，ITO微粒也被致密地配置，可以形成在微粒间获得良好的导电性的透光性导电膜。
在辅助电极26的材料配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理与对像素电极20的处理相同，例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，虽然没有特别限定，但是可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩气激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等准分子激光器等作为光源。这些光源一般来说虽然可以使用输出为10W～5000W的范围的装置，但是在本例中，在100W～1000W的范围中就足够。
接下来，对辅助电极26的材料的干燥膜进行煅烧处理(热处理及/或光处理)。
该煅烧处理与对像素电极20的处理相同，通常在大气中进行，然而根据需要，也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度要考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热性质、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等而适当地决定。而且，该阶段中，由于在基板P上未设有半导体层，因此可以在堤堰40的耐热温度的范围内提高煅烧温度，例如可以设为250℃以上或者300℃左右的煅烧温度，从而能够形成具备了良好的导电性的透光性导电膜。
此后，利用所述的煅烧处理，辅助电极26的材料的干燥膜中的微粒间的电接触被确保而转换为透光性的导电性膜。其结果是，按照将像素电极20的一部分和绝缘膜和堤堰40的一部分覆盖的方式，将绝缘膜28夹于其间地形成被与电容线27对置配置并且与像素电极20电连接的辅助电极26。
而且，如前所述，也可以将栅电极16、源线30及栅极线31的热处理工序、像素电极20及电容线27的热处理工序、该辅助电极26的热处理工序在相同的时刻进行。另外，也可以在形成了像素电极20、电容线27及该辅助电极26之后，形成栅电极16、源线30及栅极线31。
(栅极绝缘膜·半导体层形成工序)
然后，如图10、图11及图12所示，在栅电极16上，层叠形成栅极绝缘膜17、无定形硅层12及N+硅层13。
栅极绝缘膜17、无定形硅层12及N+硅层13例如可以通过在利用等离子体CVD法全面成膜后，利用光刻法适当地进行图案处理而形成。即，在如图10所示，在基板P上全面地形成了栅极绝缘膜17、无定形硅层12及N+硅层13的各材料膜后，如图11所示，在该膜上选择性地形成图案处理用的光刻胶膜45，其后如图12所示，通过将光刻胶膜45作为掩模进行蚀刻，得到具有所需的图案形状的栅极绝缘膜17、无定形硅层12及N+硅层13的叠层体。如图11所示，对光刻胶膜45的曝光处理最好进行双重曝光。即，在进行图案处理时，在N+硅层的表面，选择配置近似凹形的光刻胶膜45，将该光刻胶膜45作为掩模而进行蚀刻。利用此种图案处理法，如图12所示，在与栅电极16平面性地重合的区域中N+硅层13被选择性地除去而分割为2个区域，这些N+硅层13分别形成源接触区域及漏接触区域。
作为栅极绝缘膜17的原料气体，优选单硅烷和一氧化二氮的混合气体、TEOS(四乙氧基硅烷、Si(OC2H5)4)和氧、二硅烷和氨等，所形成的栅极绝缘膜17的膜厚例如为150nm～400nm左右。另外，作为无定形硅层12的原料气体，优选二硅烷或氮硅烷。在接下来的N+硅层13的成膜工序中，可以向在所述无定形硅层12的形成中所使用的成膜装置中，导入N+硅层形成用的原料气体而进行成膜。所形成的无定形硅层12的膜厚例如为150nm～250nm左右。所形成的N+硅层13的膜厚例如为50nm～100nm左右。
(保护膜形成工序)
然后，如图13所示，根据需要，形成用于保护半导体层11(无定形硅层12、N+硅层13)的保护膜39。该保护膜39具有防止穿过了在其后形成的堤堰41(参照图14)的金属(例如碱金属(可动离子))侵入半导体层11等作用。在堤堰41(参照图14)具有相同的作用的情况下，也可以将保护膜39的形成工序省略。作为保护膜39，可以使用氮化硅、氧化氮化硅或氮化钛、氮化钽等。该保护膜39的形成方法可以根据材料适当地选择，例如可以使用CVD法、涂覆法、溅射法、蒸镀法等。
(上层堤堰形成工序)
然后，如图14所示，在包括堤堰的第1层L1的上层，形成堤堰41。
堤堰41是划分后述的源电极18、漏电极19、辅助导电膜35、36(参照图2、图15)及像素电极20的形成区域的分隔构件，在该堤堰41的形成中可以使用光刻法或印刷法等任意的方法。例如当使用光刻法时，与第1层L1的堤堰40相同，利用旋转涂覆、喷雾涂覆、滚涂、金属涂覆机、浸渍涂覆等给定的方法，与形成于基板P上的堤堰的高度匹配地涂布丙烯酸树脂等有机类感光性材料而形成感光性材料层。此后，通过与要形成的堤堰形状匹配地向感光性材料层照射紫外线，形成具备了给定的开口部41a、41b、41c、41d、41e的堤堰41。作为堤堰41的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚亚酰胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等高分子材料。堤堰41也可以是使用含有聚硅氮烷的液体材料等形成的无机物的构造体。
堤堰41的开口部41a、41b、41c、41d、41e与源电极、漏电极、辅助导电膜及像素电极20分别对应。
具体来说，将包括第1层L1的源线30的一部分和半导体层11的源区域的区域开口的开口部41a与源电极的形成位置对应，将包括第1层L1的像素电极20的一部分和半导体层11的漏区域的区域开口的开口部41b与漏电极的形成位置对应。将在源线30和栅极线31的交叉位置上被分割的两条源线30的各一部分开口的开口部41c、将在源线30和电容线27的交叉位置上被分割的两条源线30的各一部分开口的开口部41d分别对应于辅助导电膜。此外，由源线30和栅极线31的格子图案包围的开口部41d与包括电容部25的像素电极20对应。
而且，在开口部41a、41b、41c、41d中，如后述所示，配置有源电极、漏电极、辅助导电膜的各材料墨液。
而且，当在所述堤堰41的形成之后，在所述开口部41a、41b、41c、41d、41e的底面形成保护膜39时，将其利用蚀刻除去。另外，在开口部41a、41c、41d中，将源线30的上层(覆盖层)的露出部分利用蚀刻除去，使下层(基体层)露出。
另外，与堤堰40相同，为了提高材料墨液向所述开口部41a、41b、41c、41d内的配置性，根据需要，对堤堰41进行疏液化处理。
即，作为疏液化处理，可以采用例如在大气气氛中以四氟化甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。而且，作为处理气体，并不限于四氟化甲烷(四氯化碳)，也可以使用其他的氟碳类的气体。通过进行此种疏液化处理，对于堤堰41，可以向构成它的树脂中导入氟基，赋予高疏液性。
另外，在所述疏液化处理之前，为了使向开口部41a、41b、41c、41d的底面露出的面清洁化，根据需要进行使用了O2等离子体的抛光处理或UV(紫外线)照射处理。通过进行该处理，可以除去该露出面的堤堰的残渣，可以增大疏液化处理后的堤堰41的接触角和该露出面的接触角的差，从而可以在后段的工序中将配置于堤堰41的开口部内的液滴正确地关入开口部的内侧。另外，当堤堰41为由丙烯酸树脂或聚亚酰胺树脂构成的材料时，如果在CF4等离子体处理之前将堤堰41暴露于O2等离子体中，则由于有更容易被氟化(疏液化)的性质，因此在将堤堰41用这些树脂材料形成的情况下，最好在CF4等离子体处理之前实施O2抛光处理。
(源电极·漏电极·辅助导电膜形成工序)
然后，如图15所示，在基板P的第1层L1上，形成源电极18、漏电极19及辅助导电膜35、36。
栅电极16的形成工序、源线30的形成工序、栅极线31的形成工序在相同的时刻进行材料配置工序的至少一部分、材料膜的热处理的工序。
具体来说，首先，向设于堤堰41的开口部41a、41b、41c、41d的各自之中，从先前的液滴喷出装置IJ的液滴喷头301(参照图5)中滴下源电极18、漏电极19及辅助导电膜35、36的各材料墨液。本例中，将源电极18及漏电极19分别制成3层构造(下层、中间层、上层)的叠层体，将辅助导电膜35、36分别制成2层构造(下层、上层)的叠层体。另外，对于源电极18及漏电极19的各中间层(基体层)和辅助导电膜35、36的各下层(基体层)使用相互一样的形成材料，对于源电极18及漏电极19的各上层(覆盖层)和辅助导电膜35、36的各上层(覆盖层)使用相互一样的形成材料。即，该形成工序中，依照(1)源电极18及漏电极19的下层(屏蔽层)、(2)源电极18及漏电极19的中间层(基体层)+辅助导电膜35、36的下层(基体层)、(3)源电极18及漏电极19的上层(覆盖层)+辅助导电膜35、36的上层(覆盖层)的顺序，层叠形成材料膜。
在源电极18及漏电极19的各屏蔽层中，使用含有作为导电性微粒的Ag(银)、作为溶剂(分散剂)的二乙二醇二乙醚的材料墨液。在该材料墨液的滴下时，如果堤堰41的表面被赋予了疏液性，则所喷出的液滴的一部分即使落在堤堰41上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。
在该源电极18及漏电极19的覆盖层的材料配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，虽然没有特别限定，但是可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩气激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等准分子激光器等作为光源。这些光源一般来说虽然可以使用输出为10W～5000W的范围的装置，但是在本例中，在100W～1000W的范围中就足够。
在源电极18及漏电极19的各基体层及辅助导电膜35、36的各基体层中，例如使用含有作为导电性微粒的Ni(镍)、作为溶剂(分散剂)的水及二乙醇胺的材料墨液。在该材料墨液的滴下时，如果堤堰41的表面被赋予了疏液性，并且开口部的底面部的基板表面被赋予了亲液性，则所喷出的液滴的一部分即使落在堤堰41上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。
在该材料墨液的配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，与前面相同。另外，加热时的输出也相同，可以设为100W～1000W的范围。
在源电极18及漏电极19的各覆盖层及辅助导电膜35、36的各覆盖层中，使用含有作为导电性微粒的Ag(银)、作为溶剂(分散剂)的二乙二醇二乙醚的材料墨液。在该材料墨液的滴下时，如果堤堰41的表面被赋予了疏液性，则所喷出的液滴的一部分即使落在堤堰41上，也会被堤堰表面弹开而滑入开口部内。
在该材料墨液的配置之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以利用将基板P加热的通常的电烤盘、电炉等的加热处理来进行。处理条件例如为加热温度180℃、加热时间60分钟左右。该加热是在氮气气氛等中进行，不一定需要在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以利用灯退火来进行。作为在灯退火中所使用的光的光源，与前面相同。另外，加热时的输出也相同，可以设为100W～1000W的范围。
接下来，对源电极18、漏电极19及辅助导电膜35、36的各材料的干燥膜进行煅烧处理(热处理及/或光处理)。
该煅烧处理的目的在于，微粒间的电接触的改善、分散剂的完全除去或在为了提高在液体中的分散性而在导电性微粒的表面涂覆了有机物等涂覆剂的情况下实现该涂覆剂的除去等。
该热处理及/或光处理虽然通常在大气中进行，但是根据需要，也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度要考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热性质、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等而适当地决定。
而且，通过将构成源电极18及漏电极19的叠层构造的金属材料设为所述的金属材料，就可以在250℃以下进行该煅烧工序的热处理。即，即使是250℃以下的加热，也可以形成具备了良好的导电性的电极构件。这样，就可以良好地避免由半导体层11的脱氢造成在TFT10中产生ON电阻的上升或载流子迁移率的降低的情况，其结果是，可以避免所形成的TFT的动作可靠性的降低。
此后，利用所述的煅烧处理，基体层及覆盖层或者中间层的干燥膜中的微粒间的电接触被确保而转换为导电性膜。其结果是，在堤堰41的开口部41a中形成源电极18，并且实现借助了该源电极18的半导体层11的源区域和源线30的电连接。另外，在堤堰41的开口部41b中形成漏电极19，并且实现借助了该漏电极19的半导体层11的漏区域和像素电极20的电连接。另外，在形成于源线30和栅极线31的交叉位置上的堤堰41的开口部41c中，形成辅助导电膜35，并且实现借助了该辅助导电膜35的被分割的两条源线30之间的电连接(参照图2(C))。另外，在形成于源线30和电容线27的交叉位置上的堤堰41的开口部41d中，形成辅助导电膜36，并且实现借助了该辅助导电膜36的被分割的两条源线30之间的电连接。
而且，在本例中，虽然对于源电极18及漏电极19，设为由Ni构成的下层(屏蔽层)、由Ag构成的中间层(基体层)、由Ni构成的上层(覆盖层)的3层构造，但是屏蔽层也可以是Ni以外的Ti或W、Mn或者以这些金属作为主成分的合金，基体层也可以是Ag以外的金属，例如Cu或Al或者以这些金属为主成分的合金，另外，覆盖层也可以是Ni以外的Ti或W、Mn或者以这些金属为主成分的合金。另外，其构造并不限于3层。另外，也可以对每个被层叠的膜进行煅烧处理。
同样地，虽然对于辅助导电膜35、36，设为由Ag构成的下层(基体层)、由Ni构成的上层(覆盖层)的2层构造，但是基体层也可以是Ag以外的金属，例如Cu或Al或者以这些金属为主成分的合金，覆盖层也可以是Ni以外的Ti或W、Mn或者以这些金属为主成分的合金。另外，其构造并不限于2层。另外，也可以对每个被层叠的膜进行煅烧处理。
利用以上的工序，完成形成了像素电极20和与之对应的TFT10及电容部25等的有源矩阵基板。
根据本例的制造方法，在TFT10的半导体层11的形成之前，可以不受半导体层11的热的限制的影响，形成像素电极20、电容部25、栅电极16、源线30以及栅极线31的各构成要素。由此，这些构成要素的形成材料或形成手段的选择的幅度变宽，可以实现低成本化。
特别是，在本例的制造方法中，由于采用液相法(液滴喷出法)，进行所述各构成要素的材料配置，因此可以利用制造工艺的简单化或材料使用量的减少化，来实现制造成本的减少化。
另外，如果构成要素的形成材料或形成手段的选择的幅度变宽，则还可以实现包括它们的像素构造的性能的提高。
另外，本例的制造方法中，在所述各构成要素的形成之时，利用划分部的形成、材料配置及材料膜的热处理等工序的部分共有化，可以实现制造工艺的简单化。
此外，本例的制造方法中，光刻工序可以少到只有形成第1层L1的堤堰40的工序、对半导体层11进行图案处理的工序、形成第1层L1的堤堰41的工序这3次工序。
另外，根据本例的制造方法，由于将半导体层11的形成后的热处理温度设为250℃以下，因此可以有效地防止半导体层11的脱氢。这样，就可以防止ON电阻的上升或载流子迁移率的降低，从而可以获得动作可靠性优良的TFT10及可靠性高的有源矩阵基板。
而且，所述的例子中，虽然为了配置液滴(液体材料)采用了使用液滴喷出装置的液滴喷出法，但是作为其他的方法，也可以采用例如图16所示的Cap涂覆法。Cap涂覆法是利用了毛细管现象的成膜法，使涂布液17进入狭缝171，当在该状态下使涂布液面上升时，则在狭缝171的上端即生成液体隆起172。通过使该液体隆起172与基板P接触，沿给定方向平行移动基板P，就可以将涂布液170涂布在基板P面上。
另外，所述的例子中，虽然采用液相法(液滴喷出法)形成像素电极20及电容线27，但是也可以使用蒸镀法(包括CVD法)或溅射法等其他的方法来形成，或者也可以将蒸镀法(包括CVD法)或溅射法、液相法组合而形成像素电极20或电容线27。
该情况下，例如使用蒸镀法(包括CVD法)或溅射法在基板P的全面形成透光性的导电膜，然后通过对该膜进行图案处理而形成所需的形状的像素电极20或电容线27，其后在基板上形成用于其他的膜(栅电极16、源线30、栅极线31等)的材料配置的划分部(堤堰)即可。
本例的制造方法中，由于在基板P上的第1层形成像素电极20或电容线27，因此可以容易地实施此种膜形成。
另外，所述的例子中，虽然在基板上作为液相法的材料配置的分隔构件(划分部)形成有堤堰，但是作为划分部也可以在基板上形成相对于配置材料显示疏液性的区域。显示疏液性的区域的形成例如可以举出在基板表面形成自组装化单分子膜的方法或对其实施等离子体处理的方法或者在基板P表面涂布具备了疏液性的高分子化合物的方法等。无论利用哪种疏液化处理，都可以对基板P的表面赋予高疏液性。
在所述的自组装膜形成方法中，形成由有机分子膜等构成的自组装化膜。
用于处理基板表面的有机分子膜具备可以与基板结合的官能基、在其相反一侧为亲液基或疏液基之类的将基板的表面性质改性的(控制表面能量的)官能基、连结这些官能基的碳的直链或局部分支了的碳链，与基板结合而自组装化，即形成分子膜，例如单分子膜。
自组装化单分子膜(SAMs：Self-Assembled Monolayers)是利用作为向固体表面固定分子的方法并作为可以形成高取向·高密度的分子层的方法的自组装化(SA：Self-Assembly)法制作的膜。自组装化法可以在埃米量级下操作分子的环境及几何学的配置。另外，自组装化单分子膜成为有机分子的固定化技术的有力的一个手段，制作方法简便，由于存在于分子和基板间的化学键，膜的热稳定性也高，是用于埃米量级的分子元件制作的重要技术。另外，自组装化单分子膜基本上是自行集合程序，可以自发地形成微细图案。即，自组装化单分子膜可以简便地进行在超微型电子电路中所使用的那样的致密并且高精细的图案形成。
作为具有所述的高取向性的化合物，例如通过使用氟烷基硅烷，可以按照使氟烷基位于膜的表面的方式将各化合物取向而形成自组装化膜，对膜的表面赋予均一的疏液性。
另外，作为形成自组装化膜的化合物，可以举出十七氟-1，1，2，2四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟烷基硅烷(以下称作「FAS」)。在使用之时，既可以单独使用一个化合物，也可以将2种以上的化合物组合使用。而且，通过使用FAS，可以获得与基板的密接性和良好的疏液性。
FAS一般来说用结构式RnSiX(4-n)表示。这里n表示1以上3以下的整数，X为甲氧基、乙氧基、卤原子等水解基。另外，R为氟烷基，具有(CF3)(CF2)x(CH2)y的(这里x表示0以上10以下的整数，y表示0以上4以下的整数)构造，在多个R或X与Si结合的情况下，R或X各自既可以全都相同，也可以不同。以X表示的水解基因水解而形成硅烷醇，与基板(玻璃、硅)等基底的羟基反应而以硅氧烷键与基板结合。另一方面，R由于在表面具有(CF3)等氟基，因此将基板等的基底表面改性为不浸润的(表面能量低的)表面。
等离子体处理法中，在常压或真空中向基板照射等离子体。等离子体处理中所使用的气体种类可以考虑基板的表面材质等选择。作为处理气体，例如可以例示出四氟化甲烷、全氟己烷、全氟癸烷等。
而且，将基板的表面加工为疏液性的处理也可以通过在基板表面贴附具有所需的疏液性的薄片，例如被进行了四氟化乙烯加工的聚亚酰胺薄片等来进行。另外，也可以将聚亚酰胺薄片直接作为基板使用。
另外，当基板表面具有比所需的疏液性更高的疏液性时，通过照射170～400nm的紫外光，或将基板暴露于臭氧气氛中，对基板表面进行亲液化处理，来控制表面的状态即可。
另外，所述例子中所示的有源矩阵基板的制造方法可以适用于具备了薄膜晶体管的各种电光学装置的制造方法。作为电光学装置，例如除了液晶装置以外，还可以举出有机电致发光显示装置、等离子体显示装置等。
(电子设备)
图17是表示本发明的电子设备的一个例子的立体图。
该图所示的携带电话1300作为小尺寸的显示部1301具备本发明的液晶显示装置，设有多个操作按钮1302、耳机1303及拾音器1304。
所述各实施方式的电光学装置并不限于所述携带电话，可以作为电子书、个人电脑、数字型照相机、影像监视器、取景器型或监视器直视型的摄像机、导航装置、寻呼机、电子记事簿、电子计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、具备了面板的机器等各种图像显示手段而恰当地使用。此种电子设备虽然廉价，但是可靠性优良。
以上虽然在参照附图的同时对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明当然并不限定于该例子。对于本领域人员来说，在专利申请的范围中所记述的技术思想的范围内，很清楚可以想到各种变形例或修正例，对于它们当然也属于本发明的技术范围中。

Claims (14)

1.一种像素构造，
其具有像素电极；和
与该像素电极对应的开关元件，其中，
所述像素电极和所述开关元件被形成于同一基板上，
每个像素电极被配置于所述基板的层中，而不是所述开关元件的半导体层中；和
形成在所述基板上的绝缘膜，该绝缘膜包括多个开口部，所述像素电极和所述开关元件形成在所述多个开口部的各个开口部中。
2.根据权利要求1所述的像素构造，其中，所述像素电极被配置于所述基板上的第1层中。
3.根据权利要求1所述的像素构造，其中，还包括与所述像素电极对应的电容部，其中，所述像素电极和构成所述电容部的导电线被配置于所述基板上的同一层中。
4.根据权利要求3所述的像素构造，其中，所述像素电极和所述电容部的导电线含有相同的材料膜。
5.根据权利要求3所述的像素构造，其中，还包括辅助电极，每个辅助电极与所述像素电极电连接，以将绝缘膜夹于其间的方式覆盖所述电容部的导电线。
6.根据权利要求5所述的像素构造，其中，所述像素电极、所述电容部的导电线、所述辅助电极、及所述绝缘膜由透光性的膜制成。
7.根据权利要求3所述的像素构造，还包括在所述基板上形成的划分所述像素电极和所述电容部中的至少一个的堤堰。
8.根据权利要求1所述的像素构造，其中，所述开关元件为薄膜晶体管，所述开关元件中的栅电极和所述像素电极被配置于所述基板上的同一层中。
9.根据权利要求8所述的像素构造，其中，在所述基板上形成有划分所述像素电极及/或所述栅电极的堤堰。
10.根据权利要求8所述的像素构造，其中，在所述基板上的与所述像素电极同一层中还配置有栅极线和源线。
11.根据权利要求10所述的像素构造，其中，所述栅电极和所述栅极线和所述源线含有相同的材料膜。
12.根据权利要求10所述的像素构造，其中，在所述基板上形成有划分所述栅极线及/或所述源线的堤堰。
13.一种包括根据权利要求1所述的所述像素构造的有源矩阵基板。
14.一种包括根据权利要求13所述的有源矩阵基板的电光学装置。
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