CN101765871B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置,其包括:相互相对的第一基板和第二基板;和将第一基板和第二基板粘接的矩形框状的密封材料,第一基板具有:与密封材料的角部重叠的配线层;包括依次层叠在配线层上的无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层绝缘膜;和设置在叠层绝缘膜上,通过形成于该叠层绝缘膜的接触孔与配线层连接的透明导电层,第二基板具有与透明导电层电连接的电极层,无机绝缘膜具有在密封材料的角部从有机绝缘膜露出的露出部,露出部整体从透明导电层露出,在露出部中,在配线层形成有贯通孔,无机绝缘膜以覆盖该贯通孔的方式设置。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示装置等显示装置。
背景技术
目前,液晶显示装置活用薄型且低能耗之类的特征,作为个人计算机等OA(Office Automation:办公自动化)设备、便携式电话以及PDA(Personal Digital Assistant:个人数字助理)等便携式信息设备的显示器被广泛应用。
液晶显示装置具备TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)基板、与TFT基板相对配置的相对基板、在这些TFT基板和相对基板之间由矩形框状的密封材料所封入的液晶层。
在相对基板上TFT基板侧形成有共用电极层。在TFT基板上形成有多个配线层,包括多个源极配线层、多个栅极配线层、和用于向共用电极层供给信号的共用配线层等。而且,多数情况下在TFT基板上形成有叠层绝缘膜,该叠层绝缘膜包括以覆盖上述多个配线层的方式依次层叠的无机绝缘膜和有机绝缘膜。
但是,因TFT基板和相对基板利用密封材料而固定,所以希望这些TFT基板及相对基板与密封材料之间的粘接性高。
例如,作为提高TFT基板与密封材料的粘接性的方法,在专利文献1中公开有,通过一部分地除去有机绝缘膜,使密封材料直接与对密封材料的粘接性比较高的无机绝缘膜粘接。
图13是将现有液晶显示装置的密封材料115的角部放大而概略地表示的平面图。另外,图14是沿图13的X IV-X IV线的密封材料115的角部的剖面图。
液晶显示装置如图14所示,为TFT基板100及相对基板110通过矩形框状的密封材料115相互贴合而形成。
相对基板110在玻璃基板111上形成有多个彩色滤光片层(省略图示)、划分各彩色滤光片层的黑矩阵层112,共用电极层113被形成为覆盖这些各彩色滤光片层及黑矩阵层112。
TFT基板100在玻璃基板101表面形成有绝缘膜102,在绝缘膜102上形成有用于向共用电极层113供给信号的共用配线层103。共用配线层103具有第一共用配线层103a和第二共用配线层103b。
第一共用配线层103a如图13所示,在绝缘膜102上形成为与密封材料115的角部重叠,如图14所示,被形成有接触孔105的无机绝缘膜104a覆盖。第二共用配线层103b通过接触孔105与第一共用配线层103a连接,如图13所示,沿密封材料115延伸。
如图14所示,在无机绝缘膜104a的一部分上层叠有有机绝缘膜104b。为了抑制在将TFT基板100和相对基板110贴合时密封材料115被挤压而向外侧扩展,该有机绝缘膜104b在配置有密封材料115的区域被除去一部分。由此,无机绝缘膜104a具有从有机绝缘膜104b露出的露出部106。
另外,在叠层绝缘膜104上,用于将共用配线层103与共用电极层113电连接的共用电极端子层107形成为与密封材料115重叠。该共用电极端子层107通过形成于叠层绝缘膜104的接触孔109与共用配线层103连接。而且,共用电极端子层107通过密封材料115中的导电颗粒116与共用电极层113连接。
这样,按照在TFT基板100上确保配置驱动电路的区域的观点,优选将露出部106及共用电极端子层107设置在密封材料115的角部。
但是,如图中所示,在设置有密封材料115的区域内包括设置有露出部106的区域120和设置有共用电极端子层107的区域121重叠的区域(在图13中用斜线表示的区域)122时,在该区域122中从有机绝缘膜104b露出的无机绝缘膜104a被共用电极端子层107覆盖,密封材料115的粘接面成为共用电极端子层107。共用电极端子层107是由ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)等形成的透明导电层,相对密封材料115的粘接性比较低。因而,导致TFT基板100和密封材料115的粘接性降低。
另外,即使利用专利文献1的方法,如上所述在设置有密封材料的区域包括已除去有机绝缘膜的区域和形成有共用电极端子层的区域重叠的区域时,即使特意除去有机绝缘膜,在除去了有机绝缘膜的区域的一部分,密封材料也会与共用电极端子层粘接,因此TFT基板和密封材料的粘接性也降低。
专利文献1:(日本)特开2006-91434号公报
发明内容
本发明是鉴于这类问题点而创立的,其目的在于,提高形成有用于向相对的基板的电极层供给信号的透明导电层的基板与密封材料的粘接性。
为了实现上述目的,在该发明中使从有机绝缘膜露出的无机绝缘膜的露出部的整体从透明导电层露出,且在露出部,在与透明导电层连接的配线层形成贯通孔,并将无机绝缘膜设置为覆盖该贯通孔。
具体地说,本发明提供一种显示装置,其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和将上述第一基板和上述第二基板相互粘接的矩形框状的密封材料,其中,上述第一基板具有:以与上述密封材料的角部重叠的方式设置的配线层;包括以与该配线层重叠的方式依次层叠的无机绝缘膜和有机绝缘层的叠层绝缘膜;和设置在该叠层绝缘膜上,通过形成于该叠层绝缘膜的接触孔与上述配线层连接的透明导电层,上述第二基板具有通过上述密封材料含有的导电颗粒与上述透明导电层连接的电极层,上述无机绝缘膜在上述密封材料的角部具有从上述有机绝缘膜露出的露出部,其中,上述露出部整体从上述透明导电层露出,在上述露出部中,在上述配线层形成有贯通孔,并且上述无机绝缘膜以覆盖该贯通孔的方式设置。
优选上述露出部设置在上述密封材料的四个角部。
也可以在上述第一基板与上述第二基板之间具有被封入在框状的密封材料内侧的液晶层。
-作用-
下面,对本发明的作用进行说明。
首先,参照图9及图10,对为了测定密封材料相对于构成显示装置的取向膜、透明导电膜、有机绝缘膜、无机绝缘膜和玻璃基板的粘接性而进行的十字剥离强度试验进行说明。图9及图10是概略地表示用于十字剥离强度试验的试验装置及其动作的立体图。
在该十字剥离强度试验中,测定密封材料(环氧类树脂)相对于分别与取向膜、透明导电层、有机绝缘膜及无机绝缘膜对应的PI(PolyImide:聚酰亚胺)膜、ITO膜、丙烯酸类树脂膜及SiN膜、以及玻璃基板(SiO)的剥离强度。在此,所谓剥离强度是指为了将密封材料从粘接有密封材料的上述各膜及玻璃基板上剥离所需要的力的大小。
如图9所示,该试验使用十字剥离强度试验装置进行,该十字剥离强度试验装置具有固定设置的载物台40、和配置于载物台40上的压紧旋转夹具41。在载物台40上载放试验体43。压紧旋转夹具41如图10所示,构成为可以对载放于载物台40上的试验体43向载物台40侧施加重量,同时以与载物台40的表面垂直的轴41a为旋转轴进行旋转,向试验体43施加旋转方向的力。图10的箭头47表示压紧旋转夹具41向试验体43施加重量的方向。箭头48表示压紧旋转夹具41旋转的方向。
上述试验体43形成为一对基板45、46通过一个点状的密封材料44以相互十字交差的方式重叠。在测定密封材料44相对于PI膜、ITO膜、丙烯酸类树脂膜及SiN膜的剥离强度时,分别制作在两基板45、46的表面以夹入密封材料44的方式形成有各膜(PI膜、ITO膜、丙烯树脂膜及SiN膜)的试验体43,对这些试验体43进行试验。另外,测定密封材料44相对于玻璃基板的剥离强度时,制作将两基板45、46作为玻璃基板,并以玻璃基板的表面夹入密封材料44的试验体43,对该试验体43进行试验。
而且,利用该试验,根据压紧旋转夹具41施加在试验体43的重量及旋转方向的力、密封材料44的直径、基板45、46相对于密封材料44的位移量,测定各膜及玻璃基板与密封材料44的剥离强度,将这些剥离强度分别作为各膜及玻璃基板与密封材料44的粘接性。
图11表示这样得到的密封材料(环氧类树脂)相对于PI膜、ITO膜、丙烯酸类树脂膜、SiN膜及玻璃基板的剥离强度(粘接性)。
如图11所示,测得密封材料相对于SiN膜及玻璃基板(SiO)的剥离强度为比密封材料相对于其他膜(PI膜、ITO膜及丙烯酸类树脂膜)的任何一个的剥离强度大4倍以上的值。特别是测得密封材料相对于SiN膜的剥离强度为比密封材料相对于ITO膜及丙烯酸类树脂膜的剥离强度大10倍以上的值。
如上操作,利用十字剥离强度试验,通过多次测定密封材料相对于构成显示装置的取向膜、透明导电层、有机绝缘膜、无机绝缘膜及玻璃基板的剥离强度,可以得到如图12所示的结果。图12是表示密封材料相对于构成显示装置的取向膜、透明导电层、有机绝缘膜、无机绝缘膜及玻璃基板的粘接性的关系的图。密封材料相对于无机绝缘膜的粘接性如图12所示,比密封材料相对于有机绝缘膜及透明导电层的粘接性明显地高。
因此,在本发明的显示装置中,将从有机绝缘膜露出的无机绝缘膜的露出部的整体从透明导电层露出。由此,在与密封材料重叠的露出部的整体,密封材料直接与无机绝缘膜粘接。
不仅如此,通过在露出部中,在配线层形成贯通孔,将无机绝缘膜设置为覆盖该贯通孔,使无机绝缘膜覆盖贯通孔的部分呈凹部,所以与密封材料粘接的无机绝缘膜的表面积增加。另外,从第一基板侧对密封材料进行曝光时,被配线层遮蔽的光减少,所以提高上述曝光对密封材料的光的透过率,因此密封材料更可靠地固化。因而,第一基板和密封材料的粘接性提高。
特别是在密封材料的四个角部设置有露出部时,与在密封材料的四个角部全都没有设置露出部时相比,密封材料粘接的无机绝缘膜的表面积增大,并且从第一基板侧曝光的对密封材料的光的透过率提高,因此,第一基板和密封材料的粘接性进一步提高。
在第一基板和第二基板之间具有被封入在框状的密封材料内侧的液晶层时,也具体地起到本发明的作用效果。
根据本发明,在从有机绝缘膜露出的无机绝缘膜的露出部的与密封材料重叠的区域整体,能够将密封材料与无机绝缘膜直接地粘接。不仅如此,而且能够使与密封材料粘接的无机绝缘膜的表面积增大,提高从第一基板侧的曝光对密封材料的光的透过率,而使密封材料进一步可靠地固化。其结果是,可以提高第一基板与密封材料的粘接性。
附图说明
图1是概略地表示实施方式1的液晶显示装置的平面图;
图2是概略地表示图1的II-II线剖面的图;
图3是概略地表示液晶显示装置的密封材料的角部的平面图;
图4是概略地表示图3的IV-IV线剖面的图;
图5是将形成有栅极绝缘膜的状态的玻璃基板的形成密封材料的角部的区域放大而概略地表示的剖面图;
图6是将形成有无机绝缘膜的状态的玻璃基板的形成密封材料的角部的区域放大而概略地表示的剖面图;
图7是将形成有第二共用配线层的状态的玻璃基板的形成密封材料的角部的区域放大而概略地表示的剖面图;
图8是将形成有共用电极端子层的状态的玻璃基板的密封材料的角部放大而概略地表示的剖面图;
图9是概略地表示配置有试验体的十字剥离强度试验装置的立体图;
图10是概略地表示十字剥离试验装置的动作的立体图;
图11是表示密封材料(环氧类树脂)相对于PI膜、ITO膜、丙烯酸类树脂膜、SiN膜及玻璃基板(SiO)的剥离强度(粘接性)的图;
图12是表示密封材料相对于构成液晶显示装置(显示装置)的取向膜、透明导电层、有机绝缘膜、无机绝缘膜及玻璃基板的粘接性的关系的图;
图13是将现有的液晶显示装置的密封材料的角部放大而概略地表示的平面图;
图14是概略地表示图13的X IV-X IV线剖面的图。
符号说明
(S)液晶显示装置(显示装置)
(A)密封材料的角部
(10)TFT基板(第一基板)
(13)共用配线层(配线层)
(13a)第一共用配线层(配线层)
(13b)第二共用配线层(配线层)
(14)叠层绝缘膜
(14a)无机绝缘膜
(14b)有机绝缘膜
(16)露出部
(17)贯通孔
(18)接触孔
(19)共用电极端子层(透明导电层)
(30)相对基板(第二基板)
(33)共用电极层(电极层)
(34)密封材料
(35)导电颗粒
具体实施方式
下面,根据附图详细地说明本发明的实施方式。另外,本发明并不限定于下面的各实施方式。
(发明的实施方式1)
图1~图8表示本发明的实施方式1。图1是概略地表示液晶显示装置S的平面图。图2是沿图1的II-II线概略地表示液晶显示装置S的剖面图。图3是将液晶显示装置S的密封材料34的角部的区域A放大而概略地表示的平面图。图4是沿图3的IV-IV线概略地表示区域A的剖面图。另外,在图4中省略偏光板39、40的图示。
显示装置即液晶显示装置S如图1及图2所示,具备相互相对配置的第一基板即矩形状的TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)基板10及第二基板即矩形状的相对基板30、和将这些TFT基板10及相对基板30相互粘接的矩形框状的密封材料34。在TFT基板10和相对基板30之间形成有被封入密封材料34的内侧的液晶层36。
TFT基板10及相对基板30在比密封材料34更靠近内侧的液晶层36侧的表面分别形成有由PI(Ploy Imide:聚酰亚胺)树脂构成的取向膜37、38,并且,在与液晶层36相反侧的表面分别设置有偏光板39、40。该液晶显示装置S具有设置在密封材料34的内侧的多个像素构成的显示区域、和显示区域外侧的非显示区域。
上述相对基板30如图4所示,具有由SiO2等形成的玻璃基板31。在玻璃基板31上,显示区域形成有多个彩色滤光片层(省略图示)及划分各彩色滤光片层、由树脂材料构成的黑矩阵层32。而且,电极层即共用电极层33形成为覆盖这些各彩色滤光片层及黑矩阵层32。共用电极层33由ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)形成。
上述TFT基板10具有由SiO2等形成的玻璃基板11,在玻璃基板11上省略了图示,在显示区域形成有多个栅极配线层及多个源极配线层。各栅极配线层和各源极配线层相互交差延伸,在这些各栅极配线层及各源极配线层的交差部形成有多个TFT。各TFT例如是顶栅型TFT。
另外,如图3及图4所示,TFT基板10具有:配线层即共用配线层13,其用于对上述共用电极层32施加电压;叠层绝缘膜14,其包括以与该共用配线层13重叠的方式依次层叠的无机绝缘膜14a及有机绝缘膜14b;和透明导电层即共用电极端子层19,其设置在该叠层绝缘膜14上。
共用配线层13沿密封材料34形成矩形环状,如图3所示,设置为与密封材料34的四个角部重叠。该共用配线层13具有第一共用配线层13a及第二共用配线层13b。
第一共用配线层13a由Al、MoW合金或Cr等金属材料形成,如图3及图4所示,在形成于玻璃基板11上的上述各TFT的栅极绝缘膜12上以与密封材料34的各角部重叠的方式形成有多个。如图4所示,在各第一共用配线层13a上层叠有无机绝缘膜14a。
无机绝缘膜14a例如由TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate:四乙基原硅酸盐)或SiNx等形成。该无机绝缘膜14a省略图示,形成为覆盖上述各栅极配线层,在各栅极配线层和各源极配线层的交差部,将这些各栅极配线层和各源极配线层绝缘。另外,如图4所示,在无机绝缘膜14a上形成有多个接触孔15,在底部露出各第一共用配线层13a。
第二共用配线层13b由Al、MoW合金或Cr等金属材料形成,在各第一共用配线层13a之间,如图3所示,以沿密封材料34延伸的方式形成有多个。各第二共用配线层13b一端部通过形成于无机绝缘膜14a的接触孔15,与这些各第二共用配线层13b所沿的密封材料34的一侧的角部的第一共用配线层13a连接。而且,各第二共用配线层13b的另一端部通过接触孔15与这些各第二共用配线层13b所沿的密封材料34的另一侧的角部的各第一共用配线层13a连接。这样,各第二共用配线层13b设置为将密封材料34的相互不同的角部的各第一共用配线13a相互电连接。这些各第二共用配线层13b如图4所示,和上述各源极配线层一起被有机绝缘膜14b覆盖。
有机绝缘膜14b由丙烯酸类树脂等形成。该有机绝缘膜14b在TFT基板10的大致整个面形成,在密封材料34的各角部,如图3及图4所示,与密封材料34的外缘部分重叠的区域被除去一部分。由此,无机绝缘膜14a在与密封材料34的各角部的外缘部分重叠的区域具有从有机绝缘膜14b露出的露出部16。
在该露出部16,在第一共用配线层14a上形成有多个贯通孔17,无机绝缘膜14a设置为覆盖这些各贯通孔17。另外,在第一共用配线层13a上,也在被有机绝缘膜14b覆盖的区域形成有多个贯通孔17。
共用电极端子层19以与密封材料34的各角部重叠的方式在有机绝缘膜14b的表面形成有多个。在叠层绝缘膜14上形成有多个接触孔18,在底部露出各第一共用配线层13a,各共用电极端子层19通过各接触孔18与共用配线层(第一共用配线层13a)13连接。
各共用电极端子层19在有机绝缘膜14b被除去的区域即无机绝缘膜14a的露出部16不形成,而在露出部16以外的其他区域形成。即如图4所示,设置有露出部16的区域20和设置有各共用电极端子层19的区域21是TFT基板10的不同的区域,露出部16整体从共用电极端子层19露出。
另外,在有机绝缘膜14b上省略图示,形成有多个接触孔,在底部露出各TFT的漏极电极,矩阵状设置有通过各接触孔分别与TFT连接的多个像素电极层。这些各像素电极层被取向膜37覆盖。
上述密封材料34由环氧类树脂等形成,含有导电颗粒35。导电颗粒35适于采用例如,利用镍或金等导电性材料覆盖由具有弹性的树脂材料等构成的球状颗粒的表面等而形成的镀镍颗粒或镀金颗粒、碳颗粒、银颗粒等。而且,共用电极层33通过密封材料34含有的导电颗粒35与共用电极端子层19连接。
这样,液晶显示装置S构成为,通过共用配线层13向共用电极层33供给规定的信号,并且向各源极配线层及各栅极配线层供给规定的信号,由此通过各TFT的漏极电极在各像素电极层写入规定的电荷,从而在各像素电极层和共用电极层33之间对液晶层36施加规定的电压,由此控制液晶分子的取向,进行所希望的显示。
-制造方法-
下面,对TFT基板10的制作方法及液晶显示装置S的制造方法进行说明。
要制造液晶显示装置S,首先,在分别制作出TFT基板10及相对基板30后,通过密封材料34将这两个基板10、30相互贴合,并且利用该密封材料34在TFT基板10和相对基板30之间封入液晶层36,并从TFT基板10侧曝光使密封材料34固化。其后,在两基板10、30上分别设置偏光板39、40。本发明的液晶显示装置S特别是在TFT基板10的结构上具有特征,所以对TFT基板10的制作方法,下面参照图5~图8进行详述。图5~图8是用于说明TFT基板10的制作工序的图,是将玻璃基板11的形成密封材料34的角部的区域放大而概略地表示的剖面图。
制作TFT基板10时,省略图示,首先,在事先洗净的玻璃基板11上利用CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法等形成由非晶硅等构成的半导体膜。接着,利用激光退火法等使半导体膜结晶化后,利用蚀刻等对该半导体膜进行图案化,由此形成多个半导体层。接着,利用CVD法等以覆盖各半导体层的方式形成栅极绝缘膜12。这时,如图5所示,在形成密封材料34的角部的区域也形成栅极绝缘膜12。
接着,利用溅射法等成膜Al、MoW合金或Cr等的金属膜后,利用蚀刻等对金属膜进行图案化,如图6所示,形成第一共用配线层13a,并且形成各栅极配线层及各栅极电极。接着,利用离子注入法等以各栅极配线层作为掩模向各半导体层注入杂质。其后,利用CVD法等将无机绝缘膜14a形成为覆盖第一共用配线层13a、各栅极配线层及各栅极电极。
接着,如图7所示,利用蚀刻等在无机绝缘膜14a上形成各接触孔15、18a,并且对栅极绝缘膜12及无机绝缘膜14a在各栅极电极的两侧形成各半导体层在底部分别露出的一对接触孔。其后,利用溅射法等形成Al、MoW合金或Cr等的金属膜,并利用蚀刻等对该金属膜进行图案化,从而形成第二共用配线层13b,并且形成各源极配线层、各源极电极及各漏极电极。
接着,以覆盖无机绝缘膜14a及各源极配线层的方式涂敷有机绝缘材料而形成有机绝缘膜后,如图8所示,在形成密封材料34的角部的区域,利用蚀刻等除去一部分有机绝缘膜,从而形成有机绝缘膜14b,并且在无机绝缘膜14a上设置露出部16。这时,对有机绝缘膜14b,形成上述各漏极电极在底部露出的多个接触孔,并且形成各第一共用配线层13在底部露出的多个接触孔18b,在叠层绝缘膜14形成接触孔18。
接着,利用溅射法在叠层绝缘膜14上成膜ITO膜后,利用蚀刻等对该ITO膜进行图案化,从而形成各共用电极端子层19,并且形成各像素电极层。这时,除去形成于露出部16的ITO膜,使露出部16的整体从共用电极端子层19露出。这样,制作露出部16的整体从共用电极端子层19露出的TFT基板10。
-实施方式1的效果-
图12是表示密封材料34相对于构成液晶显示装置S的取向膜37、38、共用电极端子层19、共用电极层33、有机绝缘膜14b、无机绝缘膜14a及玻璃基板11、31的粘接性的关系的图。密封材料34相对于无机绝缘膜13a的粘接性如图12所示,比密封材料34相对于有机绝缘膜13b及共用电极端子层19的粘接性明显地高。根据该实施方式1,由于从有机绝缘膜14a露出的无机绝缘膜14b的露出部16的整体从共用电极端子层19露出,所以如图3及图4所示,在与密封材料34重叠的露出部16的区域(在图3中用斜线所示的区域)25整体,能够将密封材料34与无机绝缘膜13a直接粘接。
不仅如此,在露出部16中,在第一共用配线层13a形成有多个贯通孔17,通过将无机绝缘膜14a设置为覆盖这些各贯通孔17,如图4所示,由于用无机绝缘膜14a覆盖贯通孔17的部分呈凹部,所以可以使与密封材料34粘接的无机绝缘膜14a的表面积增大。另外,从TFT基板10侧对密封材料34进行曝光时,可以使第一共用配线层13a遮住的光减少,由于能够提高上述曝光对密封材料34的光的透过率,所以可以进一步可靠地使密封材料34固化。其结果是可以提高TFT基板10和密封材料34的粘接性。
此外,露出部16设置在密封材料34的四个角部,所以和在密封材料34的四个角部全都没有设置露出部16的情况相比,可以使密封材料34所粘接的无机绝缘膜14a的表面积增大,并且可以进一步提高从TFT基板10侧曝光的对密封材料34的光的透过率,所以可以进一步提高TFT基板10和密封材料34的粘接性。
《其他的实施方式》
在上述实施方式1中,无机绝缘膜14a的露出部16设置在密封材料34的四个角部,但本发明并不限定于此,露出部16只要设置在密封材料34的各角部的至少任一个即可。
在上述实施方式1中,对液晶显示装置S进行了说明,但本发明不限定于此,也可以是有机场致发光显示装置等其他显示装置,可以适用于一对基板通过密封材料相互贴合而成的显示装置。
产生上的可利用性
如上述说明,本发明对显示装置是有用的,特别是适于要求提高形成有透明导电层的基板与密封材料的粘接性的显示装置,其中该透明导电层用于向相对的基板的电极层供给信号。
Claims (3)
1.一种显示装置,其包括:
相互相对配置的第一基板和第二基板;和
将所述第一基板和所述第二基板相互粘接的矩形框状的密封材料,其中,
所述第一基板具有:以与所述密封材料的角部重叠的方式设置的配线层;包括以与该配线层重叠的方式依次层叠的无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层绝缘膜;和设置在该叠层绝缘膜上,通过形成于该叠层绝缘膜的接触孔与所述配线层连接的透明导电层,
所述第二基板具有通过所述密封材料含有的导电颗粒与所述透明导电层连接的电极层,
所述无机绝缘膜在所述密封材料的角部具有从所述有机绝缘膜露出的露出部,所述显示装置的特征在于:
所述露出部整体从所述透明导电层露出,
在所述露出部中,在所述配线层形成有贯通孔,并且所述无机绝缘膜以覆盖该贯通孔的方式设置。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述露出部设置在所述密封材料的四个角部。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
在所述第一基板与所述第二基板之间具有被封入在框状的密封材料内侧的液晶层。
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