CN101740700A - 发光器件 - Google Patents

发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101740700A
CN101740700A CN200910226384A CN200910226384A CN101740700A CN 101740700 A CN101740700 A CN 101740700A CN 200910226384 A CN200910226384 A CN 200910226384A CN 200910226384 A CN200910226384 A CN 200910226384A CN 101740700 A CN101740700 A CN 101740700A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
luminescent device
conductive semiconductor
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910226384A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101740700B (zh
Inventor
任正淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN101740700A publication Critical patent/CN101740700A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101740700B publication Critical patent/CN101740700B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Abstract

一种发光器件，包括：衬底，在所述衬底上的第一导电半导体层，在所述第一导电半导体层上的有源层，在所述有源层上的第二导电半导体层，和在所述衬底下的并且包括光反射图案的反射层，所述光反射图案设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及一种发光器件及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)使用化合物半导体将电信号转化为光。因此，发光器件使用LED或者例如在小型手提式装置如计算器、数字式表等中产生光。然而，LED通常仅仅输出少量的光并因此仅仅用于小型电子器件中。
发明内容
因此，本发明的一个目的是解决相关技术的上述及其它问题。
本发明的另一个目的是提供一种具有改善的发光效率的发光器件。
为实现这些及其他优点并且根据本发明的目的，如本文所体现并且广泛描述的那样，本发明一方面提供一种发光器件，所述发光器件包括：衬底，在所述衬底上的第一导电半导体层，在所述第一导电半导体层上的有源层，在所述有源层上的第二导电半导体层，和在所述衬底下的并包括光反射图案的反射层，所述光反射图案设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光。
另一方面，本发明提供一种发光器件，包括：衬底，在所述衬底上的第一导电半导体层，在所述第一导电半导体层上的有源层，在所述有源层上的第二导电半导体层，在所述衬底下的树脂层，和在所述树脂层下的反射层，所述反射层设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光。
通过以下给出的详细说明，将使得本发明的可应用性的其它范围变得明显。然而，应理解表示本发明的优选实施方案的详细描述和具体实例是仅仅作为举例说明而给出的，这是因为对于本领域技术人员而言很明显，通过这些详细的描述，可在本发明的精神和范围内做出各种改变和变化。
附图说明
通过以下给出的详细描述和附图，可更全面地理解本发明，所述附图仅仅是举例说明性给出的，因此不限制本发明，其中：
图1是说明根据本发明第一实施方案的发光器件的横截面图；
图2是说明根据本发明第二实施方案的发光器件的横截面图；
图3是说明根据本发明第三实施方案的发光器件的横截面图；
图4是说明根据本发明第四实施方案的发光器件的横截面图；
图5是说明根据本发明第五实施方案的发光器件的横截面图；和
图6是说明根据本发明实施方案的发光器件的光提取效率的图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的优选实施方案，附图中举例说明了其实例。
图1是说明根据本发明第一实施方案的发光器件的横截面图。如所示的，发光器件包括：衬底10、在衬底10上形成的未掺杂的GaN层20、在未掺杂的GaN层20上形成的第一导电半导体层30、在第一导电半导体层30上形成的有源层40、和在有源层40上形成的第二导电半导体层50。
发光器件还包括：在第一导电半导体层30上的第一电极层60、和在第二导电半导体层50上的第二电极层70。此外，第一导电半导体层30可为n-型半导体，第二导电半导体层50可为p-型半导体层，反之亦然。因此，发光器件通过经由电极60和70供电而由有源层40发出光。
此外，在图1所示的实施方案中，衬底10可由蓝宝石(Al2O3)、Si、SiC、GaAs、ZnO或者MgO中的至少一种形成。还可以在衬底10和未掺杂的GaN层20之间形成具有堆叠结构的缓冲层，例如AlInN/GaN、InxGa1-xN/GaN、AlxInyGa1-x-yN/InxGa1-xN/GaN等。此外，衬底10可为用于生长未掺杂的GaN层20、第一导电半导体层30、有源层40和第二导电半导体层50的生长衬底。
此外，通过与氮气、氢气和氨气一起将三甲基镓(TMGa)气体注入室中，可生长未掺杂的GaN基层20。此外，第一导电半导体层30可为注入有第一导电杂质离子的氮化物半导体层。例如，第一导电半导体层30可为其中注入有n-型杂质离子的半导体层。此外，可通过与氢气和氨气一起将包含n-型杂质(例如，硅)的三甲基镓(TMGa)气体和硅烷(SiH4)气体注入室中，生长第一导电半导体层30。
此外，有源层40可由单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构形成。例如，有源层40可由InGaN阱层/GaN势垒层的叠层结构形成。
第二导电半导体层50也可为其中注入有第二导电杂质离子的氮化物半导体层。例如，第二导电半导体层50可为其中注入有p-型杂质离子的半导体层。可通过与氢气和氨气一起将三甲基镓(TMGa)气体和包含p-型杂质(例如，Mg)的双乙基环戊二烯基镁(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}注入室中，生长第二导电半导体层50。
此外，本发明的第一实施方案有利地形成在衬底10下的反射层80以及在第二导电半导体层50的上表面上的光提取图案51，以改善发光器件的光提取效率。
更详细地，反射层80可由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)或者银(Ag)中的至少一种形成。因此，由有源层40发出的并沿朝向衬底的方向传播的光被反射层80反射并从发光器件向上发出。因此，发光器件的光提取效率得到改善。
此外，在第二导电半导体层50的上表面上形成的光提取图案51进一步提高器件的发光效率。即，由于第二导电半导体层50的高折射率而不能发射至外部的光经由光提取图案51提取至外部。
此外，在图1所示的实施方案中，光提取图案51为半球形。然而，图案51可形成为突起或者凹槽的各种其它形状，例如圆柱形、锥形、任意形状等。在图1所示的实施方案中，图案51的半球形优选具有1.5μm的半径。此外，可通过选择性地移除第二导电半导体层50或者选择性地生长第二导电半导体层50形成光提取图案51。
因此，如上所述，第一实施方案的发光器件包括：在衬底10下的反射层80和在第二导电半导体层50上的光提取图案51，使得由有源层40产生的光可有效地提取到外部。
接下来，图2是说明根据本发明第二实施方案的发光器件的横截面图。而且，在根据以下另外的实施方案的发光器件的描述中，将不会详细地重复描述与第一实施方案中所述的相同的元件。
参考图2，发光器件包括：衬底10、在衬底10上形成的未掺杂的GaN层20、在未掺杂的GaN层20上形成的第一导电半导体层30、在第一导电半导体层30上形成的有源层40、在有源层40上形成的第二导电半导体层50。此外，发光器件包括：在第一导电半导体层30上的第一电极层60、和在第二导电半导体层50上的第二电极层70。
而且，为改善光提取效率，在衬底10下形成反射层80，在第二导电半导体层50的上表面上形成光提取图案51。为进一步改善器件的发光效率，在反射层80上形成光散射图案81。而且，在该实施方案中，光散射图案81在反射层80的上表面上形成。此外，散射图案81示例性地形成为半球形，但是可形成为突起或者凹槽的各种形状，例如圆柱形、锥形、任意形状等。
光散射图案81选择性地蚀刻衬底10的下表面以形成突起和凹槽，并且可通过在衬底10下形成反射层80而在反射层80的上表面上几乎自然地形成。光散射图案81也可设置在与衬底10相同的水平面上。
接下来，图3是说明根据本发明第三实施方案的发光器件的横截面图。参考图3，发光器件包括：衬底10、在衬底10上形成的未掺杂的GaN层20、在未掺杂的GaN层20上形成的第一导电半导体层30、在第一导电半导体层30上形成的有源层40、和在有源层40上形成的第二导电半导体层50。
此外，发光器件包括：在第一导电半导体层30上的第一电极层60、和在第二导电半导体层50上的第二电极层70。在衬底10下还形成反射层80并且在第二导电半导体层50的上表面上形成光提取图案51。此外，在衬底10上形成光散射图案11以进一步改善器件的发光效率。
光散射图案11也在衬底10的上表面上形成，并且举例说明性地形成为半球形，但是可形成为突起或者凹槽的各种形状，例如圆柱形、锥形、任意形状等。此外，光散射图案11可通过选择性地蚀刻衬底10的上表面来形成并且可设置在与未掺杂的GaN层20相同的水平面上。
接下来，图4是说明根据本发明第四实施方案的发光器件的横截面图。参考图4，发光器件包括：衬底10、在衬底10上形成的未掺杂的GaN层20、在未掺杂的GaN层20上形成的第一导电半导体层30、在第一导电半导体层30上形成的有源层40、和在有源层40上形成的第二导电半导体层50。
此外，如所示的，发光器件包括：在第一导电半导体层30上的第一电极层60、和在第二导电半导体层50上的第二电极层70。而且，为进一步改善发光效率，器件还包括：具有光散射图案81的反射层80、在第二导电半导体层50的上表面上形成的光提取图案51、和在衬底10上形成的光散射图案11。
接下来，图5是说明根据本发明第五实施方案的发光器件的横截面图。参考图5，发光器件包括：衬底10、在衬底10上形成的未掺杂的GaN层20、在未掺杂的GaN层20上形成的第一导电半导体层30、在第一导电半导体层30上形成的有源层40、和在有源层40上形成的第二导电半导体层50。
此外，发光器件包括：在第一导电半导体层30上的第一电极层60、和在第二导电半导体层50上的第二电极层70。还包括：在衬底10下形成的具有光散射图案81的反射层80、在第二导电半导体层50的上表面上形成的光提取图案51、和在衬底10上形成的光散射图案11。
然而，根据第五实施方案的发光器件包括在衬底10下的树脂层90例如环氧树脂层，并且将具有光散射图案81的反射层80设置在树脂层90下。树脂层90可为折射率类似于衬底10的材料。树脂层90也可比衬底10更易于加工，使得突起或者凹槽在树脂层90的下表面上形成为具有期望的形状，使得能够容易地形成光散射图案81。光散射图案81也设置在与树脂层90相同的水平面上。
然后，图6是说明根据本发明实施方案的发光器件的光提取效率的图。如图6所示，根据第二实施方案的发光器件的光提取效率高于根据第一实施方案的发光器件的光提取效率。即，可看出在反射层80上形成的第二光散射图案81改善了光提取效率。
此外，根据第三实施方案的发光器件的光提取效率高于根据第一实施方案的发光器件的光提取效率。因此，可看出在衬底10上形成的第三光提取图案11改善了光提取效率。
此外，根据第四实施方案的发光器件的光提取效率高于根据第一、第二和第三实施方案的发光器件的光提取效率。因此，当在衬底10上形成光散射图案11并在反射层80上形成光散射图案81时，可看出光提取效率得到最大化。
而且，在图6中，X轴表示在第二导电半导体层50上形成的光提取图案51之间的间隔。因此，可看出光提取效率随着光提取图案51而变化。同时，在发光器件中可形成光提取图案51、光散射图案81或光散射图案11中的至少一个。例如，在发光器件中可不形成光提取图案51和光散射图案11，而是在发光器件中仅仅形成光散射图案81。
此外，在本发明的上述实施方案的描述中，当各层(或膜)、区域、图案或者结构称为在各层(或膜)、区域、图案或者结构“上”或“下”形成时，各层(或膜)、区域、图案或者结构可形成为直接接触各层(或膜)、区域、图案或者结构，其它的层(或膜)、其它的区域、其它的图案或者其它的结构可在其间额外地形成。而且，各层的“上”或者“下”参考附图进行描述。
此外，在附图中，对各层的厚度或者尺寸进行放大或者示意地说明，以使得描述方便和清楚。而且，各构件的尺寸不必反映其实际尺寸。
虽然已经参考本发明的大量说明性实施方案描述了一些实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多其它的改变和实施方案，这些也在本公开原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的有源层；
在所述有源层上的第二导电半导体层；和
在所述衬底下的并包括光反射图案的反射层，所述光反射图案设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其还包括：在所述衬底和所述第一导电半导体层之间的未掺杂的GaN基层。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层包括在所述第二导电半导体层的上表面上的具有突起或者凹槽形状的光提取图案，所述光提取图案设置为从所述第二导电半导体层提取由所述有源层发出的光。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述衬底包括在所述衬底的上表面上的具有突起或者凹槽形状的光散射图案，所述光散射图案设置为散射由所述有源层发出的光。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光反射图案包括在所述反射层的上表面上的多个突起或者凹槽。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光反射图案包括在所述衬底的下表面上的多个突起或者凹槽。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光反射图案设置在与所述衬底相同的水平面上。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底是在其上生长所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层的生长衬底。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底包括蓝宝石(Al2O3)、Si、SiC、GaAs、ZnO和MgO中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层包括钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种。
11.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的有源层；
在所述有源层上的第二导电半导体层；
在所述衬底下的树脂层；和
在所述树脂层下并且设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光的反射层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述反射层的上表面和所述树脂的下表面中的至少一个包括设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光的光反射图案。
13.根据权利要求11所述的发光器件，还包括在所述衬底和所述第一导电半导体层之间的未掺杂的GaN基层。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层包括在所述第二导电半导体层的上表面上的具有突起或者凹槽形状的光提取图案，所述光提取图案设置为从所述第二导电半导体层提取由所述有源层发出的光。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述衬底包括在所述衬底的上表面上的具有突起或者凹槽形状的光散射图案，所述光散射图案设置为散射由所述有源层发出的光。
16.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述光反射图案包括在所述反射层的上表面上的多个突起或者凹槽。
17.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述光反射图案包括在所述衬底的下表面上的多个突起或者凹槽。
18.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述光反射图案设置在与所述衬底相同的水平面上。
19.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述衬底为在其上生长所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层的生长衬底。
20.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述衬底包括蓝宝石(Al2O3)、Si、SiC、GaAs、ZnO和MgO中的至少一种，
其中所述反射层包括钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种。
CN200910226384.8A 2008-11-26 2009-11-26 发光器件 Expired - Fee Related CN101740700B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080117850A KR101047718B1 (ko) 2008-11-26 2008-11-26 발광 소자
KR10-2008-0117850 2008-11-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101740700A true CN101740700A (zh) 2010-06-16
CN101740700B CN101740700B (zh) 2014-06-18

Family

ID=41718528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910226384.8A Expired - Fee Related CN101740700B (zh) 2008-11-26 2009-11-26 发光器件

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8154041B2 (zh)
EP (1) EP2192627B1 (zh)
KR (1) KR101047718B1 (zh)
CN (1) CN101740700B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098239A (zh) * 2010-09-24 2013-05-08 首尔Opto仪器股份有限公司 高效发光二极管
CN108878610A (zh) * 2012-07-12 2018-11-23 晶元光电股份有限公司 具有图案化基板的发光元件及其制作方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101047718B1 (ko) * 2008-11-26 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN104247053B (zh) * 2012-03-23 2017-03-08 夏普株式会社 半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板
CN103367562B (zh) * 2012-03-30 2016-08-03 清华大学 发光二极管及光学元件的制备方法
CN103367560B (zh) * 2012-03-30 2016-08-10 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367561B (zh) * 2012-03-30 2016-08-17 清华大学 发光二极管的制备方法
KR102435523B1 (ko) * 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP6932910B2 (ja) 2016-10-27 2021-09-08 船井電機株式会社 表示装置
KR20200095210A (ko) 2019-01-31 2020-08-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20190126261A (ko) * 2019-10-22 2019-11-11 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19947030A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung
KR100700993B1 (ko) * 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
TW564584B (en) 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP2004056088A (ja) 2002-05-31 2004-02-19 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
WO2005018008A1 (ja) * 2003-08-19 2005-02-24 Nichia Corporation 半導体素子
KR100568297B1 (ko) * 2004-03-30 2006-04-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
TW200419832A (en) * 2004-04-16 2004-10-01 Uni Light Technology Inc Structure for increasing the light-emitting efficiency of a light-emitting device
US7018859B2 (en) * 2004-06-28 2006-03-28 Epistar Corporation Method of fabricating AlGaInP light-emitting diode and structure thereof
KR101115532B1 (ko) * 2004-12-27 2012-03-08 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR100638666B1 (ko) * 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
WO2006082687A1 (ja) * 2005-02-07 2006-08-10 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN系発光ダイオードおよび発光装置
KR100638730B1 (ko) * 2005-04-14 2006-10-30 삼성전기주식회사 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
CN100585885C (zh) 2006-01-27 2010-01-27 杭州士兰明芯科技有限公司 蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法
KR100659373B1 (ko) * 2006-02-09 2006-12-19 서울옵토디바이스주식회사 패터닝된 발광다이오드용 기판 및 그것을 채택하는 발광다이오드
US7829905B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-09 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI369009B (en) * 2007-09-21 2012-07-21 Nat Univ Chung Hsing Light-emitting chip device with high thermal conductivity
KR101047718B1 (ko) * 2008-11-26 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098239A (zh) * 2010-09-24 2013-05-08 首尔Opto仪器股份有限公司 高效发光二极管
CN107068827A (zh) * 2010-09-24 2017-08-18 首尔伟傲世有限公司 高效发光二极管
CN108878610A (zh) * 2012-07-12 2018-11-23 晶元光电股份有限公司 具有图案化基板的发光元件及其制作方法
CN108878610B (zh) * 2012-07-12 2021-11-02 晶元光电股份有限公司 具有图案化基板的发光元件及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2192627A3 (en) 2013-11-27
US8154041B2 (en) 2012-04-10
US20120175591A1 (en) 2012-07-12
KR20100059174A (ko) 2010-06-04
CN101740700B (zh) 2014-06-18
EP2192627B1 (en) 2019-02-27
US20100127298A1 (en) 2010-05-27
KR101047718B1 (ko) 2011-07-08
US8710528B2 (en) 2014-04-29
EP2192627A2 (en) 2010-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101740700B (zh) 发光器件
CN101248537B (zh) 带有经粗化的高折射率表面层以便进行高度光提取的发光二极管
CN101882660B (zh) 发光器件、封装和系统
CN101990714B (zh) 发光器件和用于制造发光器件的方法
US8723202B2 (en) Semiconductor light emitting device having roughness layer
CN102074628B (zh) 发光器件、发光器件封装和照明系统
KR101034085B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
WO2007119619A1 (ja) ＧａＮ系半導体発光素子およびランプ
TW201138155A (en) Semiconductor light-emitting device
CN102148318B (zh) 发光器件封装及其制造方法、以及照明系统
CN102244168A (zh) 发光二极管及其制造方法
KR20090066413A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN103199167B (zh) 发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统
CN102117875A (zh) 发光器件和发光器件封装
KR20100103043A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
CN102646771B (zh) 发光器件
CN100356592C (zh) 发光二极管及其制造方法
CN103208568A (zh) 氮化物发光二极管及制作方法
US20050145873A1 (en) Light-emitting diode
KR20080013341A (ko) 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120136703A (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
CN102760813A (zh) 发光二极管及其制造方法
CN101226980A (zh) 一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件
CN102782884A (zh) Iii族氮化物半导体发光器件
US20140312299A1 (en) Light emitting diode chip

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140618

Termination date: 20191126