CN103199167B - 发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统 - Google Patents

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Abstract

提供一种发光器件、发光器件封装和包括该发光器件封装的照明系统。发光器件(LED)包括发光结构和在所述发光结构上的第一电极，所述发光结构包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层。所述发光结构的一部分以预定角度倾斜。

Description

发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统
本发明是2010年3月16日提交的发明名称为“发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统”的中国专利申请201010134442.7的分案申请。
技术领域
实施方案涉及发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统。
背景技术
氮化物半导体因其高的热稳定性和宽的带隙能而正在光学器件和高功率电子器件领域引起众多关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件(LED)、绿色LED和UVLED已经商业化并得到广泛使用。
根据相关技术，不仅GaN衬底而且由不同材料(例如硅、蓝宝石和碳化硅(SiC))形成的异质型衬底均用于生长GaN外延层。当在这类异质型衬底上生长GaN基材料时，由于晶体晶格系数和热膨胀系数之间的失配，导致在生长的薄层中包含如穿透位错(TD)的许多缺陷。
而且，根据相关技术，使用基于干式或湿式蚀刻的隔离工艺来提供LED芯片之间的隔离。然而，LED在基于蚀刻的隔离工艺期间可能受到等离子体或化学品的损害，由此使芯片可靠性变差。
发明内容
实施方案提供一种具有低晶体缺陷的发光器件(LED)、LED封装和照明系统。
实施方案还提供一种包括光提取效率得到改善的LED、LED封装和照明系统。
实施方案还提供一种用于芯片间隔离的隔离工艺数目减少和光提取效率改善的LED、LED封装和照明系统。
在一个实施方案中，一种发光器件(LED)包括：发光结构，所述发光结构包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层；和在所述发光结构上的第一电极，其中所述发光结构的一部分具有斜面。
在另一实施方案中，一种发光器件(LED)封装包括：具有发光结构和在所述发光结构上的第一电极的LED，所述发光结构包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层；和包括所述LED的封装体，其中所述发光结构的一部分具有斜面。
在另一实施方案中，一种照明系统包括：发光模块，所述发光模块包括发光器件(LED)封装，所述发光器件(LED)封装包括具有发光结构和在所述发光结构上的第一电极的LED，所述发光结构包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层；和包括所述LED的封装体，其中所述发光结构的一部分具有斜面。
一个或更多个实施方案的细节在附图和下文的说明中给出。将从说明书和附图以及权利要求中清楚得到其它特征。
附图说明
图1是根据第一实施方案的发光器件(LED)的截面图。
图2至6是示出根据第一实施方案的LED的制造方法的截视图。
图7和11是第二实施方案的LED的截面图。
图12是根据一个实施方案的LED封装的截面图。
图13是根据一个实施方案的发光单元的透视图。
图14是根据一个实施方案的背光单元的分解透视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图描述发光器件、发光器件封装和包括该发光器件封装的照明系统。
在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上/上方”时，其可直接在所述另一层或衬底上，也可存在中间层。此外，应理解当层被称为在另一层“下/下方”时，其可以直接在所述另一层下，也可存在一个或多个中间层。另外，也应理解当层称为在两层“之间”时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或更多个中间层。
(第一实施方案)
图1是根据第一实施方案的发光器件(LED)的截面图。
根据该实施方案的发光器件(LED)190可包括发光结构和设置在发光结构上的第一电极125。所述发光结构包括第二导电型半导体层140、设置在第二导电型半导体层140上的有源层130和设置在有源层130上的第一导电型半导体层120。发光结构可具有斜面。图1中未描述的附图标记将在下文参照图2至5描述。
根据该实施方案的LED和制造LED的方法，可以使用选择性生长工艺来在LED结构中生长具有低晶体缺陷的GaN基材料，由此提供高内部效率、高可靠性和良好的电流扩散。
而且，可以减少因通过调节发光结构的侧表面的斜度获得的芯片形状所导致的在有源层130中产生的光子路径以改善光提取效率。
此外，可以实施选择性生长工艺以获得高品质半导体层，减少在制造垂直型器件时用于芯片间隔离的隔离工艺数目，并且改善光提取效率。
在下文中，将参照图2至6描述根据第一实施方案的LED方法。
参照图2，可以准备第一衬底100。第一衬底100可以是蓝宝石(Al2O3)单晶衬底、Si衬底或SiC衬底，其包括半导体层和异质型材料，但是不限于此。可以在第一衬底100上实施湿清洗工艺以除去第一衬底100表面的杂质。
可以在第一衬底100上形成半导体层110。例如，可以在第一衬底100上形成未掺杂的GaN层，但是不限于此。由于形成该层110，所以可以改善第一导电型半导体层120的生长。而且，它可以防止晶体缺陷向上延伸。此外，半导体110可以是具有1×1015～5×1015cm-3或更低的掺杂浓度的轻度掺杂的半导体层。
在非导电半导体层110上形成第一图案210以暴露出其部分区域M。第一图案210可以保留在芯片间边界区域中。例如，第一图案210可以是氧化物层(例如，SiO2)或氮化物层，但是不限于此。例如，可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来沉积SiO2，然后可以使用图案化工艺来形成暴露出部分区域M的第一图案210。
在第一实施方案中，非导电型半导体层110可具有与第一导电型半导体层120、有源层130和第二导电型半导体层140不同的结晶方向。因此，第一导电型半导体层120、有源层130和第二导电型半导体层140可被蚀刻为垂直图案形状，而非导电型半导体层110可被蚀刻为保持预定斜度。
参照图3，在暴露的非导电半导体层110上形成第一导电型半导体层120。例如，可使用化学气相沉积(CVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、溅射工艺或氢化物气相外延(HVPE)工艺来形成用于第一导电型半导体层120的n型GaN层。此外，第一导电型半导体层120可以通过将三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)或含有n型杂质例如硅(Si)的硅烷气体(SiH4)注入工艺室内来形成。
此时，第一导电型半导体层120可以从晶种区朝第一图案210横向生长。第一图案210上的第一导电型半导体层120具有几乎没有势能(potential)的高品质结晶。
根据该实施方案的LED和制造LED的方法，使用选择性生长工艺在LED结构中生长具有低晶体缺陷的GaN基材料，由此提供高内部效率、高可靠性和良好的电流扩散。
此外，可以实施选择性生长工艺来获得具有低晶体缺陷的半导体层，减少在制造垂直型器件时用于芯片间隔离的隔离工艺数目，并且提高光提取效率。
在第一导电型半导体层120上形成有源层130。有源层130可具有通过一次或更多次交替堆叠具有不同能带的氮化物半导体层来形成量子阱结构。例如，有源层130可具有包括通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)或三甲基铟气体(TMIn)形成的InGaN/GaN结构的多量子阱结构，但是不限于此。
此时，可以在第一导电型半导体层120的顶表面上形成有源层130。例如，可以在第一导电型半导体层120的侧表面上形成掩模图案(未显示)，并且可以在第一导电型半导体层120的顶表面上形成有源层130。
参照图4，在有源层130和第一导电型半导体层120上形成第二导电型半导体层140。例如，第二导电型半导体层140可以通过将三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)或含有p型杂质例如镁(Mg)的二乙基环戊二烯镁(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}注入工艺室中来形成，但是不限于此。
此时，第二导电型半导体层140可以形成为围绕有源层130和第一导电型半导体层120的侧表面。
参照图5，可以在第二导电型半导体层140、有源层130和第一导电型半导体层120的侧表面上实施湿式或干式蚀刻工艺。
在第二导电型半导体层140、有源层130和第一导电型半导体层120的侧表面的蚀刻过程中，可以移除第一图案210以允许蚀刻非导电型半导体层110并同时保持预定斜度。
根据第一实施方案，当实施蚀刻工艺以调节所生长的LED的半导体层120、130和140的横向斜度时，移除暴露于蚀刻溶液的第一图案210，并且蚀刻作为非导电型半导体层110的未掺杂GaN以保持预定斜度。例如，非导电型半导体层110可具有约55°～89°的角度，但是不限于此。
此外，根据第一实施方案，可以蚀刻掉通过移除暴露于蚀刻溶液的第一图案210所生长的GaN的侧表面的一部分以保持预定斜度。也就是说，根据该实施方案，当实施选择性生长工艺时，在侧表面上出现多种模式的生长平面。因此，生长平面的一部分与化学蚀刻溶液反应以形成具有预定斜度的平面。例如，第二导电型半导体层140、有源层130和第一导电型半导体层120可以蚀刻为形成垂直轮廓。可以蚀刻作为非导电型半导体层110的未掺杂GaN以保持预定斜度。
此外，根据该实施方案，发光结构的斜面可包括均匀平面或不均匀平面。例如，斜面可以是均匀平面或不均匀平面，其取决于蚀刻。
在第一实施方案中，可以使用KOH蚀刻溶液作为蚀刻溶液，但是不限于此。
参照图6，在第二导电型半导体层140上形成第二电极150。第二电极150可包括欧姆层、反射层和连接层中的至少其一。
例如，第二电极层150可以是p型欧姆接触层152，并且可以通过多次堆叠单金属或金属合金以提供有效的空穴注入来形成，但是不限于此。第二电极150可以是反射层或透明层。例如，当第二电极150是反射层时，第二电极150可包括含有Al、Ag的金属层或包含Al或Ag的合金的金属层。
此外，第二电极150可由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种形成，但是不限于此。
可以在第二电极150上形成第二衬底160以在后续工艺中有效地实施第一衬底100的移除。如果第一导电型半导体层120具有大于约70μm的厚度，则可以省去第二衬底160的形成工艺。
第二衬底160可由具有良好导电性的金属、金属合金或导电半导体材料形成以有效地注入电子空穴。例如，第二衬底160可由铜(Cu)、Cu合金、SiGe、GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO或SiC中的一种或更多种形成。第二衬底160可利用电化学金属沉积法或利用低共熔金属的接合法形成。
移除第一衬底100。可利用高功率激光或化学蚀刻工艺移除第一衬底100。此外，可利用物理研磨工艺移除第一衬底100。移除第一衬底100以暴露出第一导电型半导体层110。所暴露出的第一导电型半导体层110可具有在移除第一衬底100时产生的表面损伤。该表面损伤可利用湿式或干式蚀刻工艺移除。
移除非导电型半导体层110的一部分，并且在第一导电型半导体层120上形成第一电极125。可以在非导电型半导体层110的顶表面上实施干式或湿式蚀刻工艺以在除第一电极125之外的区域中形成粗糙结构。
根据该实施方案的LED和制造LED的方法，使用选择性生长工艺在LED结构中生长具有低晶体缺陷的GaN基材料，由此提供高内部效率、高可靠性和良好的电流扩散。
此外，可以减少因通过调节发光结构侧表面的斜度获得的芯片形状所导致的在有源层130中产生的光子路径以提高光提取效率。
此外，可以实施选择性生长工艺来获得具有低晶体缺陷的半导体层，减少在制造垂直型器件时用于芯片间隔离的隔离工艺的数目，并且改善光提取效率。
(第二实施方案)
图11根据第二实施方案的LED的截面图，图7和11是根据第二实施方案的LED的截面图。
第二实施方案可采用第一实施方案的技术特征，并且下文将仅主要描述与第一实施方案不同的部件。
根据第二实施方案，发光结构的第一导电型半导体层127的一部分可以以预定角度倾斜。例如，第一导电型半导体层127可包括第一导电型第一半导体层121和第一导电型第二半导体层122。而且，第一导电型第一半导体层121可具有预定的斜度。
在下文中，将参照图7至11描述第二实施方案。
参照图7，准备第一衬底100。可以在第一衬底100上形成第一导电型第一半导体层121。此时，可以在衬底100上形成非导电型半导体层(未显示)，但是不限于此。
在下文中，在第一导电型第一半导体层121上形成第二图案220以暴露出其部分区域M。第二图案220可以保留在芯片间边界区域中。例如，第二图案220可以是氧化物层(例如，SiO2)或氮化物层，但是不限于此。
在第二实施方案中，第一导电型第一半导体层121可具有与随后将形成的第一导电型第二半导体层122、有源层130和第二导电型半导体层140不同的结晶方向。因此，第一导电型第二半导体层122、有源层130和第二导电型半导体层140可被蚀刻为垂直图案形状，而第一导电型第一半导体层121可被蚀刻为保持预定斜度。
参照图8，在第一导电型第一半导体层121上形成第一导电型第二半导体层122。此时，第一导电型第二半导体层122可以从晶种区朝第二图案220横向生长。然后，在第一导电型第二半导体层122上形成有源层130。
参照图9，在有源层130和第一导电型第二半导体层122上形成第二导电型半导体层140。此时，第二导电型半导体层140可以形成为围绕有源层130和第一导电型第二半导体层122的侧表面。
参照图10，可以在第二导电型半导体层140、有源层130和第一导电型第二半导体层122的侧表面上实施湿式或干式蚀刻工艺。
在第二导电型半导体层140、有源层130和第一导电型第二半导体层122的侧表面的蚀刻过程中，可以移除第二图案220以允许蚀刻第一导电型第一半导体层121并同时保持预定斜度。
也就是说，在第二实施方案中，第一导电型第一半导体层121可具有与随后将形成的第一导电型第二半导体层122、有源层130和第二导电型半导体层140不同的结晶方向。因此，第一导电型第二半导体层122、有源层130和第二导电型半导体层140可被蚀刻为垂直图案形状，而第一导电型第一半导体层121可被蚀刻为保持预定斜度。
参照图11，在第二导电型半导体层140上形成第二电极150。例如，第二电极层150可包括欧姆层(未显示)、反射层(未显示)、接触层(未显示)和第二衬底160。
移除第一衬底100。第一衬底100可利用高功率激光剥离或利用化学蚀刻工艺移除。
移除第一导电型第二半导体层122的一部分，并且在第一导电型第二半导体层122上形成第一电极125。可以在第一导电型第一半导体层121的顶表面上实施干式或湿式蚀刻工艺以在除第一电极125之外的区域中形成粗糙结构。
根据该实施方案的LED和制造LED的方法，使用选择性生长工艺在LED结构中生长具有低晶体缺陷的GaN基材料，由此提供高内部效率、高可靠性和良好的电流扩散。
此外，可以减少因通过调节发光结构侧表面的斜度获得的芯片形状所导致的在有源层130中产生的光子路径以提高光提取效率。
此外，可以实施选择性生长工艺以获得具有低晶体缺陷的半导体层，减少在制造垂直型器件时用于芯片间隔离的隔离工艺的数目，并且提高光提取效率。
图12是根据一个实施方案的LED封装的截面图。
参照图12，根据一个实施方案的LED封装包括主体205、设置在主体205中的第三电极层211和第四电极层212、设置在主体205中且电连接至第三电极层211和第四电极层212的LED190以及围绕LED190的模制件240。
主体205可由硅材料、合成树脂或金属材料形成。可在LED190周围设置倾斜表面。
第三电极层211和第四电极层212彼此电隔离并向LED190供电。此外，第三电极层211和第四电极层212可反射LED190中产生的光以改善发光效率。此外，第三电极层211和第四电极层212可将LED190中产生的热释放到外部。
图1中显示的垂直型LED可用作LED190，但是不限于此。例如，横向型LED可用作LED190。
LED190可设置在主体205上或第三电极层211和第四电极层212上。
LED190可通过导线230电连接至第三电极层211和/或第四电极层212。在该实施方案中，以垂直型LED190为例进行说明，并且可以使用一根导线230作为例子，但是不限于此。
模制件240可围绕LED190以保护LED190。此外，模制件240中可包含磷光体以改变从LED190发射的光的波长。
根据一个实施方案的LED封装可应用于照明系统。照明系统可包括图13中所示的发光单元和图14中所示的背光单元。此外，照明系统可包括交通灯、车头灯和标牌。
图13是根据一个实施方案的发光单元1100的透视图。
参照图13，发光单元1100可包括壳体1110、设置在壳体1110中的发光模块1130和设置在壳体1110中用以接收来自外部电源的电力的连接端子1120。
壳体1110可由具有改善的热耗散特性的材料形成。例如，壳体1110可由金属材料或树脂材料形成。
发光模块1130可包括衬底1132和安装在衬底1132上的至少一个发光器件封装200。
可以在绝缘材料上印刷电路图案以形成衬底1132。例如，衬底1132可包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。
此外，衬底1132可由能够有效反射光的材料形成。衬底1132的表面可涂覆有彩色材料，例如，有效反射光的白色或银色材料。
所述至少一个发光器件封装200可以安装在衬底1132上。LED封装200可包括至少一个发光二极管100。发光二极管100可包括发射红光、绿光、蓝光或白光的彩色发光二极管和发射紫外(UV)光的UV发光二极管。
发光模块1130可包括多个发光器件封装200以获得各种颜色和亮度。例如，白色LED、红色LED和绿色LED可相互组合设置以确保高显色指数(CRI)。
连接端子1120可电连接至发光模块1130以供电。如图13所示，虽然连接端子1120以插座方式螺旋插入外部电源中，但是本公开不限于此。例如，连接端子1120可具有销的形状。因此，连接端子1120可插入外部电源中或利用互连装置连接至外部电源。
图14是根据一个实施方案的背光单元1200的分解透视图。
根据一个实施方案的背光单元1200可包括导光板1210、发光模块1240、反射构件1220和底盖1230，但是不限于此。发光模块1240可为导光板1210提供光。反射构件1220可设置在导光板1210下方。底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220。
导光板1210扩散光以产生平面光。导光板1210可由透明材料形成。例如，导光板1210可由丙烯酸树脂类材料如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一种形成。
发光模块1240可为导光板1210的至少一个表面提供光。因此，发光模块1240可用作包括背光单元的显示设备的光源。
发光模块1240可接触导光板1210，但是不限于此。特别地，发光模块1240可包括衬底1242和安装在衬底1242上的多个发光器件封装200。衬底1242可接触导光板1210，但是不限于此。
衬底1242可以是包括电路图案的PCB(未显示)。然而，衬底1242也可包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及PCB，但是不限于此。
多个发光器件封装200中每一个的发光表面可以与导光板1210间隔预定的距离。
反射构件1220可设置在导光板1210下方。反射构件1220反射入射到导光板1210底表面上的光以使其沿向上的方向行进，由此改善背光单元的亮度。例如，反射构件1220可由PET、PC和PVC树脂中的一种形成，但是不限于此。
底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220。为此，底盖1230可具有上侧开放的盒形状，但是不限于此。
底盖1230可由金属材料或树脂材料形成。此外，底盖1230可利用压制成型工艺或挤出成型工艺制成。
一种发光器件(LED)包括第一半导体层、与第一半导体层相邻的有源层和与有源层相邻的第二半导体层，所述第一半导体层是第一导电型，所述第二半导体层是第二导电型。第三半导体层设置为与第一半导体层相邻。第一半导体层、有源层、第二半导体层和第三半导体层形成在第一方向上。
第三半导体在第二方向上具有平坦表面，并且该平坦表面面向第一半导体层。第三半导体层具有至少一个倾斜的侧表面，并且第三半导体层的至少一个侧表面的倾角在第一方向和第二方向之间。第一半导体层、有源层或第二半导体层中的至少其一具有侧表面，该侧表面的倾角大于所述第三半导体层的至少一个侧表面的倾角。第一和第二方向相互垂直。
所述倾角可以为55°～89°。至少一个侧表面可以是均匀的表面或不均匀的表面。第三半导体层可以是未掺杂的半导体层或轻度掺杂的半导体层。如果掺杂，则轻度掺杂的半导体层具有1×1015～5×1015cm-3或更低的掺杂浓度。第三半导体层可具有未掺杂的GaN层。第三半导体层可具有比第二半导体层更大的宽度。
可在第三半导体层中形成凹陷，并且可在凹陷中提供第一电极。该凹陷可延伸到第一半导体层中。该凹陷的高度可以大于第一电极的厚度。
第二电极可以设置为与第二半导体层相邻。第二电极可以是欧姆层、反射层和连接层中的至少其一。第二电极可由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种形成。
本说明书中提及的“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等是指关于实施方案所描述的具体特征、结构或特征包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中各处使用的这类措辞不一定都是指相同的实施方案。此外，当针对任意实施方案描述具体特征、结构或特征时，本领域技术人员将预见到对于实施方案的其它特征、结构或特性实现该特征、结构或特性。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案说明了本发明，但是应理解本领域的技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求中的主题组合排列的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，替代应用对于本领域的技术人员而言也是明显的。
附记
附记1.一种发光器件(LED)，包括：第一半导体层，与所述第一半导体层相邻的有源层，和与所述有源层相邻的第二半导体层，所述第一半导体层为第一导电型，所述第二半导体层为第二导电型；与所述第一半导体层相邻的第三半导体层，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第三半导体层形成在第一方向上，所述第三半导体层在第二方向上具有平坦表面并且面向所述第一半导体层，所述第三半导体层具有至少一个倾斜的侧表面，并且所述第三半导体层的所述至少一个侧表面的倾角在所述第一方向和所述第二方向之间，所述第一半导体层、所述有源层或所述第二半导体层中的至少其一具有倾角大于所述第三半导体层的所述至少一个侧表面的倾角的侧表面，并且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
附记2.如附记1所述的LED，其中所述倾角为55°～89°。
附记3.如附记1所述的LED，其中所述至少一个侧表面是均匀的表面或不均匀的表面。
附记4.如附记1所述的LED，其中所述第三半导体层是未掺杂的半导体层。
附记5.如附记1所述的LED，其中所述第三半导体层是掺杂的半导体层。
附记6.如附记5所述的LED，其中所述掺杂的半导体层具有掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3或更低的轻度掺杂的半导体层。
附记7.如附记1所述的LED，其中所述第三半导体层包括未掺杂的GaN层。
附记8.如附记1所述的LED，其中所述第三半导体层具有比所述第一半导体层更大的宽度。
附记9.如附记1所述的LED，其中在所述第三半导体层中形成凹陷，并且在所述凹陷中提供第一电极。
附记10.如附记9所述的LED，其中所述凹陷延伸到所述第一半导体层中。
附记11.如附记9所述的LED，其中所述凹陷的高度大于所述第一电极的厚度。
附记12.如附记1所述的LED，包括与所述第二半导体层相邻的第二电极。
附记13.如附记12所述的LED，其中所述第二电极包括欧姆层、反射层和连接层中的至少其一。
附记14.如附记13所述的LED，其中所述第二电极由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种形成。
附记15.一种发光器件(LED)封装，包括如附记1所述的LED并且包括容纳所述LED的封装体。
附记16.一种照明系统，包括具有如附记15所述的发光器件(LED)封装的发光模块。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括：
第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括第一导电型第一半导体层和第一导电型第二半导体层；
与所述第一导电型半导体层相邻的有源层，
与所述有源层相邻的第二半导体层，所述第一导电型半导体层为第一导电型，所述第二半导体层为第二导电型；和
所述有源层、所述第二半导体层和所述第一导电型第二半导体层形成在第一方向上，所述第一导电型第一半导体层在第二方向上具有平坦表面并且面向所述第一导电型第二半导体层，
其中所述第一导电型半导体层具有至少一个倾斜的侧表面，并且所述第一导电型半导体层的所述至少一个侧表面的倾角在所述第一方向和所述第二方向之间，所述有源层或所述第二半导体层中的至少其一具有倾角大于所述第一导电型半导体层的所述至少一个侧表面的倾角的侧表面，并且所述第一方向和所述第二方向相互垂直,
其中所述第一导电型第一半导体层具有与所述第一导电型第二半导体层、所述有源层和所述第二半导体层不同的结晶方向。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层是掺杂的半导体层，
并且其中所述第一导电型半导体层具有与所述有源层和所述第二半导体层不同的结晶方向。
3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述倾角为55°～89°。
4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个侧表面是均匀的表面或不均匀的表面。
5.如权利要求2所述的发光器件，其中所述掺杂的半导体层具有掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3或更低的轻度掺杂的半导体层。
6.如权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一导电型半导体层中形成凹陷，并且在所述凹陷中提供第一电极。
7.如权利要求6所述的发光器件，其中所述凹陷延伸到所述第一导电型第二半导体层(122)中。
8.如权利要求6所述的发光器件，其中所述凹陷的高度大于所述第一电极的厚度。
9.如权利要求1所述的发光器件，包括与所述第二半导体层相邻的第二电极。
10.如权利要求9所述的发光器件，其中所述第二电极包括欧姆层、反射层和连接层中的至少其一。
11.如权利要求10所述的发光器件，其中所述第二电极由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种形成。
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