CN101736173A - 熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法 - Google Patents
熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101736173A CN101736173A CN201010028933A CN201010028933A CN101736173A CN 101736173 A CN101736173 A CN 101736173A CN 201010028933 A CN201010028933 A CN 201010028933A CN 201010028933 A CN201010028933 A CN 201010028933A CN 101736173 A CN101736173 A CN 101736173A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- melt
- plasma sintering
- thermoelectric material
- mother alloy
- discharge plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 32
- YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Ag].[Te] Chemical compound [Ag].[Ag].[Te] YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 241001676635 Lepidorhombus whiffiagonis Species 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YASAKCUCGLMORW-UHFFFAOYSA-N Rosiglitazone Chemical compound C=1C=CC=NC=1N(C)CCOC(C=C1)=CC=C1CC1SC(=O)NC1=O YASAKCUCGLMORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 239000003500 flue dust Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- -1 silver telluride antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本发明涉及一种热电化合物的制备方法。熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2+x称重，其中，x＝0～0.08；2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，加热到700℃，熔融8～10h，然后降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金；3)将母合金研磨、压片，置于感应加热炉中熔炼成熔体，然后将熔体旋甩，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，采用放电等离子烧结，得碲化银锑热电材料。该方法制备周期短、成本低、物相纯、工艺简单易控、安全无污染。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料领域，具体涉及一种热电化合物的制备方法。
背景技术
能源是现代人类生存和发展的重要物质基础。目前世界上90％以上的能源是靠煤、石油和天然气等矿物燃料提供。但按目前的使用速度，这些矿物能源必将在不远的将来枯竭；此外矿物燃料在燃烧过程中将产生大量的CO、CO2、SO2、NO、烟尘等有害气体，造成严重的环境污染。温差发电是利用热电转换材料将热能转化为电能的全静态直接发电方式，具有设备结构紧凑、性能可靠、运行时无噪声、无磨损、无泄漏、移动灵活等优点，有微小温差存在的情况下即可产生电势，在军事、航天、医学、微电子领域具有重要的作用，随着能源与环境问题的日益突出，温差电池作为适应范围广和符合环保的绿色能源技术吸引了越来越多的关注。
碲化银锑(AgSbTe2)是I-V-VI族化合物“半导体”的一种。Rosi等首先认识到AgSbTe2是一种潜在的热电材料。在已知的简单三元化合物中，AgSbTe2具有最高的热电优值(720K时ZT＝1.3)，这主要归结于AgSbTe2具有较大的Seebeck系数和较低的热导率。并且从室温到720K，材料都具有良好的热电传输特性，这正是热电发电所对应的温区。
由于该体系半导体p-型传导是由于基体中本征的Ag+空位缺陷造成的，不同的制备工艺对Ag+空位缺陷的浓度和分布有着显著的影响。AgSbTe2化合物一般通过区融法制备，但生长出的材料在晶界处含有少量的Ag2Te或其他杂相，同时AgSbTe2低温下缓慢分解为Sb2Te3或Ag2Te，因而很难制备单相的AgSbTe2化合物。因此，此前关于AgSbTe2化合物的热电性能的测量都是建立在多相材料中各相组成物理性质相互竞争和制约的基础上的。很有必要根据相图，通过快速冷却的方法使其高温相较完整的保留下来，减少第二相的沉积及其对热电输运性能的影响
熔体旋甩是一种近年来引入热电材料制备领域的新方法，在改变材料的微结构，减小晶粒尺寸，降低材料热导率方面的作用引人瞩目，其特点是冷却速率高(105～106℃/s)。用该方法得到的薄带材料含有大量的纳米晶和非晶结构，且组成成分均匀，无明显偏析产生。放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering，简称SPS)，是在真空条件下通过上下石墨压头，在对烧结体加压的同时利用脉冲电流直接加热和表面活化，在相对较低的温度和很短的时间内实现材料的快速致密化。与传统的烧结方法相比，可以缩短时间、节约能源、降低成本，且所制备的块体材料晶粒尺寸均匀、致密度高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，该方法制备周期短、制备成本低、工艺简单。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：
1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2+x称重，其中，x＝0～0.08，丝状Ag的质量纯度≥99.95％，块状Te的质量纯度≥99.999％，颗粒状Sb的质量纯度≥99.9999％；
2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，采用1℃/min的升温速度缓慢加热到700℃，熔融8～10h，然后以1℃/min的降温速度缓慢降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金(致密金属光泽的锭体)；
3)将母合金研磨、压片(即得到压片后母合金)，置于感应加热炉中熔炼成熔体，然后将熔体旋甩，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；
4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，采用放电等离子烧结，得碲化银锑热电材料(纳米结构)。
步骤3)所述的将母合金研磨、压片为：将母合金经研磨后在压片机上压制成直径为15mm、高度为4～6mm的圆柱体。
步骤3)所述的熔炼成熔体为：将压片后母合金放入底部有一直径为0.35mm圆孔的石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼，感应熔炼炉内先抽真空至5×10-3Pa，再充以高纯氩气保护，高纯氩气的质量纯度≥99.99％，感应线圈电压200V，感应电流8A，熔炼时间为150s，得熔体。
步骤3)所述的熔体旋甩为：熔体在0.02～0.12MPa的喷气压力下喷射到边缘以线速度10～30m/s高速旋转的铜辊表面，得到厚度8～10μm，宽1～2mm的非晶/纳米晶复合结构的带状产物。
步骤4)的所述用放电等离子烧结为：用放电等离子烧结方法于真空下烧结，烧结温度为460℃，时间为5min，升温速率50℃/min，压力35Mpa。
所述的x＝0组分，得到单相、相对密度大于96％、热电性能指数ZT最大达1.66的p-型碲化银锑(AgSbTe2.0)热电化合物块体材料。
本发明提供的方法是以高纯元素Ag、Sb、Te为原料，首先通过短时间的熔融得到母合金，母合金通过高频感应加热再次熔融后，采用熔体旋甩法，得到碲化银锑的薄带。采用放电等离子体烧结技术，通过控制烧结温度、升温速率和烧结压力，将碾磨粉碎的碲化银锑薄带烧结成致密的块体材料。实验过程中通过调整铜辊的转速和喷气压力来调节熔体的冷却速率。
本发明的有益效果是：本发明采用单质元素直接熔融-淬火后的锭体为母合金，其制备周期较传统区融法节省了反复熔炼的时间(即制备周期短)，极大的降低了制备成本并得到了较高的热电性能。采用熔体旋甩工艺使母合金中的各成分进一步均匀分布，且得到的非晶/纳米晶结构有利于在其后的放电等离子烧结过程中快速形成晶粒尺寸均匀、物相单一的碲化银锑相，并实现致密化。另外，熔体旋甩工艺和放电等离子烧结反应热处理工艺参数的控制和优化也非常重要。本发明具有工艺简单易控、反应时间短、能耗低、安全无污染、重复性好、得到的块体材料热电性能高、物相纯等特点。
附图说明
图1是本发明实施例1中带状产物的XRD图谱。
图2(a)是本发明实施例1中带状产物的自由面的场发射扫描电镜照片。
图2(b)是本发明实施例1中带状产物的接触面的场发射扫描电镜照片。
图3是本发明实施例1中热电化合物块体材料的XRD图谱。
图4(a)是本发明实施例1中热电化合物块体材料的场发射扫描电镜低倍照片。
图4(b)是本发明实施例1中热电化合物块体材料的场发射扫描电镜高倍照片。
图5是本发明实施例1中热电化合物块体材料的热电性能图。
具体实施方法
为了更好的理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1：
熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，它包括如下步骤：
1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2称重(即x＝0)，其中，丝状Ag的质量纯度≥99.95％，块状Te的质量纯度≥99.999％，颗粒状Sb的质量纯度≥99.9999％；
2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，采用1℃/min的升温速度缓慢加热到700℃，熔融9h，然后以1℃/min的降温速度缓慢降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金(致密金属光泽的锭体)；
3)带状产物的制备：将母合金经粗略研磨后在压片机上压制成直径为15mm、高度为5mm的圆柱体后放入底部有一直径为0.35mm圆孔的石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼，感应熔炼炉内先抽真空至5×10-3Pa，再充以高纯氩气保护，高纯氩气的质量纯度≥99.99％。感应线圈电压200V，感应电流8A，熔炼时间约150s(秒)，得熔体；熔体在0.04MPa的喷气压力下喷射到边缘以线速度10m/s高速旋转的铜辊表面，得到厚度8～10μm，宽1～1.5mm的非晶/纳米晶复合结构的带状产物；非晶/纳米晶复合结构的带状产物的XRD图谱见图1，由图1可见带状产物的衍射峰相当尖锐，为单一的碲化银锑相；带状产物的场发射扫描电镜照片见图2(a)、图2(b)，可见，带状产物的中晶粒尺寸介于20～40nm之间。
4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，用放电等离子烧结方法于真空下烧结，烧结温度为460℃，时间为5min，升温速率50/min、压力为35MPa，得到p-型AgSbTe2热电化合物块体材料(即碲化银锑热电材料)。AgSbTe2热电化合物块体材料的XRD图谱见图3，由图3可知，带状产物经放电等离子烧结后得到单相碲化银锑化合物；AgSbTe2热电化合物块体材料的场发射扫描电镜照片见图4(a)、图4(b)，由图4(a)、图4(b)可知，AgSbTe2热电化合物块体材料的晶粒生长完全，各基体晶粒结合紧密，致密度高，晶界处有大量纳米级分散物存在；AgSbTe2热电化合物块体材料的热电性能(用ZT值来表征)见图5，由图5可见本实施例所制备的AgSbTe2块体热电材料ZT值在569K达到1.66。
实施例2：
熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，它包括如下步骤：
1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2.02称重(即x＝0.02)，其中，丝状Ag的质量纯度≥99.95％，块状Te的质量纯度≥99.999％，颗粒状Sb的质量纯度≥99.9999％；
2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，采用1℃/min的升温速度缓慢加热到700℃，熔融8h，然后以1℃/min的降温速度缓慢降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金(致密金属光泽的锭体)；
3)将母合金经研磨后在压片机上压制成直径为15mm、高度为4mm的圆柱体(即得到压片后母合金)；将压片后母合金放入底部有一直径为0.35mm圆孔的石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼，感应熔炼炉内先抽真空至5×10-3Pa，再充以高纯氩气保护，高纯氩气的质量纯度≥99.99％，感应线圈电压200V，感应电流8A，熔炼时间约150s(秒)，得熔体；熔体在0.02MPa的喷气压力下喷射到边缘以线速度10m/s高速旋转的铜辊表面，得到厚度8～10μm，宽1～2mm的非晶/纳米晶复合结构的带状产物，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；非晶/纳米晶复合结构的带状产物的衍射峰相当尖锐，为单一的碲化银锑相；带状产物的中晶粒尺寸介于20～40nm之间；
4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，用放电等离子烧结方法于真空下烧结，烧结温度为460℃，时间为5min，升温速率50℃/min，压力35Mpa，得到碲化银锑(AgSbTe2.02)热电材料(纳米结构)。
对得到的碲化银锑热电材料进行场发射扫描，可知，碲化银锑(AgSbTe2.02)热电材料的晶粒生长完全，各基体晶粒结合紧密，致密度高，晶界处有大量纳米级分散物存在；碲化银锑(AgSbTe2.02)热电材料的热电性能(用ZT值来表征)在568K达到1.41。
实施例3：
熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，它包括如下步骤：
1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2.08称重(即x＝0.08)，其中，丝状Ag的质量纯度≥99.95％，块状Te的质量纯度≥99.999％，颗粒状Sb的质量纯度≥99.9999％；
2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，采用1℃/min的升温速度缓慢加热到700℃，熔融10h，然后以1℃/min的降温速度缓慢降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金(致密金属光泽的锭体)；
3)将母合金经研磨后在压片机上压制成直径为15mm、高度为6mm的圆柱体(即得到压片后母合金)；将压片后母合金放入底部有一直径为0.35mm圆孔的石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼，感应熔炼炉内先抽真空至5×10-3Pa，再充以高纯氩气保护，高纯氩气的质量纯度≥99.99％，感应线圈电压200V，感应电流8A，熔炼时间约150s，得熔体；熔体在0.12MPa的喷气压力下喷射到边缘以线速度30m/s高速旋转的铜辊表面，得到厚度8～10μm，宽1～2mm的非晶/纳米晶复合结构的带状产物，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；非晶/纳米晶复合结构的带状产物的衍射峰相当尖锐，为单一的碲化银锑相；带状产物的中晶粒尺寸介于20～40nm之间；
4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，用放电等离子烧结方法于真空下烧结，烧结温度为460℃，时间为5min，升温速率50℃/min，压力35Mpa，得到碲化银锑(AgSbTe2.08)热电材料(纳米结构)。
对得到的碲化银锑热电材料进行场发射扫描，可知，碲化银锑(AgSbTe2.08)热电材料的晶粒生长完全，各基体晶粒结合紧密，致密度高，晶界处有大量纳米级分散物存在。碲化银锑(AgSbTe2.08)热电材料的热电性能(用ZT值来表征)在534K达到0.92。
Claims (6)
1.熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：
1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2+x称重，其中，x＝0～0.08，丝状Ag的质量纯度≥99.95％，块状Te的质量纯度≥99.999％，颗粒状Sb的质量纯度≥99.9999％；
2)母合金的制备：将丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb混合，然后放入熔融炉中，采用1℃/min的升温速度缓慢加热到700℃，熔融8～10h，然后以1℃/min的降温速度缓慢降温到550℃后于过饱和盐水中淬火，得到母合金；
3)将母合金研磨、压片，置于感应加热炉中熔炼成熔体，然后将熔体旋甩，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；
4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，采用放电等离子烧结，得碲化银锑热电材料。
2.根据权利要求1所述的熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于：步骤3)所述的将母合金研磨、压片为：将母合金经研磨后在压片机上压制成直径为15mm、高度为4～6mm的圆柱体。
3.根据权利要求1所述的熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于：步骤3)所述的熔炼成熔体为：将压片后母合金放入底部有一直径为0.35mm圆孔的石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼，感应熔炼炉内先抽真空至5×10-3Pa，再充以高纯氩气保护，高纯氩气的质量纯度≥99.99％，感应线圈电压200V，感应电流8A，熔炼时间为150s，得熔体。
4.根据权利要求1所述的熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于：步骤3)所述的熔体旋甩为：熔体在0.02～0.12MPa的喷气压力下喷射到边缘以线速度10～30m/s高速旋转的铜辊表面，得到厚度8～10μm，宽1～2mm的非晶/纳米晶复合结构的带状产物。
5.根据权利要求1所述的熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于：步骤4)的所述用放电等离子烧结为：用放电等离子烧结方法于真空下烧结，烧结温度为460℃，时间为5min，升温速率50℃/min，压力35Mpa。
6.根据权利要求1所述的熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于：所述的x＝0。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010100289333A CN101736173B (zh) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010100289333A CN101736173B (zh) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101736173A true CN101736173A (zh) | 2010-06-16 |
| CN101736173B CN101736173B (zh) | 2011-11-16 |
Family
ID=42460201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010100289333A Active CN101736173B (zh) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101736173B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103074687A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-01 | 合肥工业大学 | 一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法 |
| CN104120372A (zh) * | 2013-04-23 | 2014-10-29 | 韩国科学技术研究院 | 利用冷成型的高性能热电材料制造方法 |
| CN104582877A (zh) * | 2012-03-23 | 2015-04-29 | 苹果公司 | 无定形合金铸块的连续无模制造 |
| CN104961107A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-10-07 | 河南理工大学 | 一种制备碲化银锑热电材料的方法 |
| CN106001560A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-10-12 | 北京理工大学 | 一种纳米晶银块体的制备方法 |
| CN107293637A (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-24 | 武汉理工大学 | 一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法 |
| CN108172680A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-15 | 福州大学 | 一种立方相Ca2Ge热电材料及其制备方法 |
| CN108893665A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 南通志乐新材料有限公司 | 一种TiCrMnFe基环保材料 |
| CN111864041A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 武汉理工大学 | 一种制备ZnTe掺杂的p型多晶Bi2Te3热电材料的方法 |
-
2010
- 2010-01-08 CN CN2010100289333A patent/CN101736173B/zh active Active
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104582877A (zh) * | 2012-03-23 | 2015-04-29 | 苹果公司 | 无定形合金铸块的连续无模制造 |
| US9987685B2 (en) | 2012-03-23 | 2018-06-05 | Apple Inc. | Continuous moldless fabrication of amorphous alloy pieces |
| CN103074687B (zh) * | 2013-01-25 | 2015-03-11 | 合肥工业大学 | 一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法 |
| CN103074687A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-01 | 合肥工业大学 | 一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法 |
| CN104120372A (zh) * | 2013-04-23 | 2014-10-29 | 韩国科学技术研究院 | 利用冷成型的高性能热电材料制造方法 |
| CN104120372B (zh) * | 2013-04-23 | 2016-08-24 | 韩国科学技术研究院 | 利用冷成型的高性能热电材料制造方法 |
| CN104961107A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-10-07 | 河南理工大学 | 一种制备碲化银锑热电材料的方法 |
| CN107293637B (zh) * | 2016-03-30 | 2020-04-21 | 武汉理工大学 | 一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法 |
| CN107293637A (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-24 | 武汉理工大学 | 一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法 |
| CN106001560A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-10-12 | 北京理工大学 | 一种纳米晶银块体的制备方法 |
| CN108172680A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-15 | 福州大学 | 一种立方相Ca2Ge热电材料及其制备方法 |
| CN108893665A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 南通志乐新材料有限公司 | 一种TiCrMnFe基环保材料 |
| CN111864041A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 武汉理工大学 | 一种制备ZnTe掺杂的p型多晶Bi2Te3热电材料的方法 |
| CN111864041B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-06-17 | 武汉理工大学 | 一种制备ZnTe掺杂的p型多晶Bi2Te3热电材料的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101736173B (zh) | 2011-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101736173B (zh) | 熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法 | |
| TWI583811B (zh) | A Cu-Ga sputtering target, a method for manufacturing the target, a light absorbing layer, and a solar cell using the light absorbing layer | |
| CN101694010B (zh) | 一种层状纳米结构InSb热电材料的制备方法 | |
| CN107681043B (zh) | 一种柔性热电器件的碲化铋基复合热电材料及制备方法 | |
| CN102931335B (zh) | 一种石墨烯复合锑化钴基方钴矿热电材料及其制备方法 | |
| CN103934459B (zh) | 一种超快速低成本制备高性能Half-Heusler块体热电材料的方法 | |
| JP2021515411A (ja) | ｎ−型Ｍｇ−Ｓｂ基室温熱電材料及びその製造方法 | |
| CN103910339B (zh) | 一种具有纳米层状结构高性能BiCuSeO基块体热电材料的超快速制备方法 | |
| CN101333645B (zh) | 一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺 | |
| CN107445621B (zh) | 一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法 | |
| CN103700759A (zh) | 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法 | |
| CN105895795A (zh) | 一种复合硒化锡基热电材料的制备方法 | |
| CN104263980A (zh) | 一种快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法 | |
| CN101435029A (zh) | 高性能纳米结构填充式方钴矿热电材料的快速制备方法 | |
| CN110408989B (zh) | 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法 | |
| CN101338386B (zh) | 一种TiNiSn基热电化合物的制备方法 | |
| CN100453216C (zh) | 高性能碲化铋热电材料的制备方法 | |
| CN106191522B (zh) | 一种激光高效制备方钴矿热电材料的方法 | |
| CN108198934A (zh) | 一种复合热电材料及其制备方法 | |
| CN101307392B (zh) | 液体急冷结合放电等离子烧结制备CoSb3基热电材料的方法 | |
| CN101570321A (zh) | 一种高性能纳米结构BixSbyTe3-z热电材料的制备方法 | |
| CN103626495B (zh) | 一种铜铟镓硒靶材的无压烧结制备方法 | |
| CN107359232B (zh) | 一种立方相Cu3SbS3基热电材料及通过元素置换制备该热电材料的方法 | |
| CN101307394A (zh) | 液体急冷结合放电等离子烧结制备碲化铋基热电材料的方法 | |
| CN101692479B (zh) | 一种p型高锰硅热电材料的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: WUHAN NEW ENERGY AUTOMOBILE INDUSTRY TECHNOLOGY IN Free format text: FORMER OWNER: WUHUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY ENTERPRISE GROUP CO., LTD. Effective date: 20140703 Owner name: WUHUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY ENTERPRISE GROUP C Free format text: FORMER OWNER: WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Effective date: 20140703 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 430070 WUHAN, HUBEI PROVINCE TO: 430056 WUHAN, HUBEI PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140703 Address after: 430070 Hubei Province, Wuhan city Hongshan District Luoshi Road No. 122 Patentee after: Wuhan Institute of Technology Industry Group Co.,Ltd. Address before: 430070 Hubei Province, Wuhan city Hongshan District Luoshi Road No. 122 Patentee before: Wuhan University of Technology Effective date of registration: 20140703 Address after: 3, building 430056, building 2, hi tech Industrial Park, Wuhan economic and Technological Development Zone, Wuhan, Hubei Patentee after: WUHAN Research Institute OF NEW ENERGY AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES Address before: 430070 Hubei Province, Wuhan city Hongshan District Luoshi Road No. 122 Patentee before: Wuhan Institute of Technology Industry Group Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 430056 3rd floor, building 2, high tech Industrial Park, Wuhan Economic and Technological Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Jingkai Kechuang Operation Co.,Ltd. Address before: 430056 3rd floor, building 2, high tech Industrial Park, Wuhan Economic and Technological Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: WUHAN Research Institute OF NEW ENERGY AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231107 Address after: No. 122, Lo lion Road, Hongshan District, Wuhan, Hubei Patentee after: Wuhan University of Technology Education Development Foundation Address before: No. 122, Lo lion Road, Hongshan District, Wuhan, Hubei Patentee before: Wuhan Institute of Technology Industry Group Co.,Ltd. Effective date of registration: 20231107 Address after: No. 122, Lo lion Road, Hongshan District, Wuhan, Hubei Patentee after: Wuhan Institute of Technology Industry Group Co.,Ltd. Address before: 430056 3rd floor, building 2, high tech Industrial Park, Wuhan Economic and Technological Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: Wuhan Jingkai Kechuang Operation Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |