CN101734914B - 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101734914B
CN101734914B CN200810225582A CN200810225582A CN101734914B CN 101734914 B CN101734914 B CN 101734914B CN 200810225582 A CN200810225582 A CN 200810225582A CN 200810225582 A CN200810225582 A CN 200810225582A CN 101734914 B CN101734914 B CN 101734914B
Authority
CN
China
Prior art keywords
equal
powder
major ingredient
glass
starting raw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200810225582A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101734914A (zh
Inventor
吉岸
袁纪烈
王士娇
张力
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANDONG TSINGHUA TONGFANG LUYING ELECTRONIC CO Ltd
Original Assignee
Shandong And Electronics Co Ltd Of Square Shandong Tip
Tongfang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong And Electronics Co Ltd Of Square Shandong Tip, Tongfang Co Ltd filed Critical Shandong And Electronics Co Ltd Of Square Shandong Tip
Priority to CN200810225582A priority Critical patent/CN101734914B/zh
Publication of CN101734914A publication Critical patent/CN101734914A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101734914B publication Critical patent/CN101734914B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法,涉及功能陶瓷材料技术领域。本发明的陶瓷材料由重量百分含量为90~99wt%的主料和重量百分含量为1~10wt%的辅料组成:1)主料:由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物,其中a、b、c和d分别独立的代表摩尔比率:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17;0.12≤b≤0.22;0.01≤c≤0.1;0.4≤d≤0.74;2)辅料:由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃,其中e、f、g和h分别独立的代表重量百分比:e+f+g+h=100,50≤e≤90;5≤f≤30;4≤g≤30;1≤h≤20。本发明不仅可以在低温烧结的条件下保持很高的介电常数,并且NPO特性好。

Description

用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及功能陶瓷材料技术领域,特别是用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors)简称MLCC,它是将电极材料和陶瓷坯体以多层交替、联叠并烧成一个整体。在数字平板电视、通信、网络等产品中,平板显示(FPD)、电源模块、接收/发射和数字音频模块等的电路设计上,大量需要具有稳定的温度系数、截止频率高、耐大的浪涌电压等特点的NPO型耐击穿MLCC元件。根据国际电子工业协会EIA(Electronic Industries Association)标准:温度稳定NPO型MLCC是指以25℃的电容值为标准,在温度从-55到125℃的范围之内,容温变化率=±30ppm/℃,介电损耗≤1‰。同时,随着陶瓷电子元件的微型化,片式元件的同样体积的空间里内电路、内电极的层数飞速增长,即片式元件中内电极的成本所占的比重越来越大,这客观上就要求叠层片式元件的内电极材料必须逐渐由成本很高的铂、铂银电极转而改由成本较低的纯银电极代替。不过纯银内电极带来了另外的问题,纯银电极的熔点是960℃,即和纯银电极共烧的陶瓷粉料必须在低于960℃的低温条件下烧结成瓷。
目前现有技术具有NPO特性的高介电常数陶瓷瓷料,主要有两大类:一类是由BaO-Ln2O3-TiO2三元系瓷料构成,其中Ln指稀土族元素。这种瓷料本身的致密化烧成温度一般在1250℃以上;另一类是Bi2O3-ZnO/CaO-Nb2O5系瓷料。前者由于在耐压、损耗和容温变化率等方面具有比后者优越的性能,因此具有广阔的应用前景。大多数低温烧结的瓷料基本上都是混合了大比例的低温助烧玻璃或其他化合物,而大量助烧辅料加入会很大的降低瓷料的介电常数,而且较大含量的玻璃料掺杂也影响瓷料的温度稳定性和耐压性能。在850~950℃温度范围烧结的BaO-Ln2O3-TiO2三元系瓷料的介电常数基本上都是处于20~70的范围。如中国专利200410085174公开的“介电材料及其制造方法”中,陶瓷材料的基本组成是BaO-Nd2O3-TiO2-Bi2O3,其材料符合NPO标准,但是其介电常数较低,只有40~60。介电常数低会导致MLCC的体积比容率低,限制MLCC元器件的微型化。
发明内容
针对上述现有技术中陶瓷材料性能上的不足,本发明的目的是提供一种用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法。它不仅可以在低温烧结的条件下保持很高的介电常数,并且NPO特性好。
为了达到上述发明目的,本发明的技术方案以如下方式实现:
用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料,其结构特点是,它由重量百分含量为90~99wt%的主料和重量百分含量为1~10wt%的辅料组成:
1)主料:由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物(简写为BLT,其中Ln为镧系稀土元素),其中a、b、c和d分别独立的代表摩尔比率,满足下述条件:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17;0.12≤b≤0.22;0.01≤c≤0.1;0.4≤d≤0.74;
2)辅料:由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃(简写为BBZS玻璃),其中e、f、g和h分别独立的代表重量百分比,满足下述条件:e+f+g+h=100,50≤e≤90;5≤f≤30;4≤g≤30;1≤h≤20。
如上所述的用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料的制备方法,其步骤为:
Figure G2008102255828D0003151627QIETU
按摩尔比例称量主料aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物中各起始原料;以水作为溶剂混合各起始原料并球磨2~48小时,制成浆料;将浆料烘干后在1100℃的氧化铝坩埚内煅烧2~10小时,合成基料粉体;将基料粉体粉碎至平均粒径<1μm得到主料粉料;按重量百分比称量辅料eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃中各起始原料;以乙醇为溶剂混合各起始原料并球磨2~48小时,制成浆料;将浆料烘干后在900~1100℃的温度下煅烧成熔融状态的玻璃化合物;将熔融状态的玻璃化合物经过水冷获得玻璃块,将玻璃块粉碎得到辅料粉料;
②将主料粉料和辅料粉料按比例混合,往混合物粉料中加入10wt%的浓度为5%的PVA(聚乙烯醇)水溶液混合后进行造粒,再在2MPa的压力下压制成圆片生瓷坯;将圆片生瓷坯在600℃排胶后放置在氧化铝承烧板上,在空气气氛下,在850~1000℃保温4小时烧成陶瓷材料。
本发明由于采用了上述材料组成及其制备方法,使陶瓷粉料不仅具备了极佳的NPO特性,同时在低温烧结的条件下还可以保持很高的介电常数,而且粉料中不含铅、镉和砷等有毒元素。
下面结合具体实施方式对本发明作进一步说明。
具体实施方式
本发明的陶瓷粉料由重量百分含量为90~99wt%的主料和重量百分含量为1~10wt%的辅料组成:
1)主料:由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物,其中a、b、c和d分别独立的代表摩尔比率,满足下述条件:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17;0.12≤b≤0.22;0.01≤c≤0.1;0.4≤d≤0.74;
2)辅料:由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃,其中e、f、g和h分别独立的代表重量百分比,满足下述条件:e+f+g+h=100,50≤e≤90;5≤f≤30;4≤g≤30;1≤h≤20。
本发明制备时,用于制造陶瓷粉料主料的起始原料不限于各元素的氧化物,可以使用各构成元素的碳酸盐,硝酸盐,有机金属盐等代替。最好各起始原料的纯度都大于99%以上,但是也不做特别限制。本实施方案中主料的起始原料采用的是BaCO3、Nd2O3、Bi2O3和TiO2粉体。按照表1的摩尔数配比称量各原料,以水作为溶剂混合各起始原料。将混合料球磨2~48小时,制成浆料。然后将浆料烘干之后,在1100℃的氧化铝坩埚内煅烧2~10小时,合成基料粉体。将基料粉体再用滚磨或其他的球磨工艺将其粉碎至平均粒径<1μm,得到主料粉料。
 
No. BaO Nd2O3 Bi2O3 TiO2
 
J1 15.05 14.54 3.19 67.22
J2 15.05 13.78 3.95 67.22
J3 15.16 14.65 3.22 66.97
J4 15.16 13.89 3.98 66.97
(mol%)  表1 陶瓷粉料主料中各部分的摩尔比
按照表2的重量百分比选取相应元素的氧化物材料,称量各辅料的起始原料。以乙醇为溶剂,采用球磨工艺将各起始原料混合2~48小时,制备浆料。然后将浆料烘干,在900~1100℃的温度下煅烧,待其熔融后,通过将熔融状态的玻璃化合物经过水冷获得玻璃块。最后通过球磨工艺将得到的玻璃块粉碎得到辅料粉料。
 
No. B2O3 Bi2O3 ZnO SiO2 编号
1 12.84 70.66 14.08 2.42 Al
2 6.55 83.17 9.05 1.23 A2
3 14.70 62.23 20.30 2.77 A3
4 9.05 76.72 12.52 1.71 A4
(wt%)  表2 辅料构成先驱物的重量比
将表1、表2中所示的介电陶瓷粉料的主料J1~J4和辅料Al~A4按照表3所示的组成进行混合,其中只列出辅料相对于混合料组分的百分含量。在该组合混合物粉料中加入10wt%的浓度为5%的PVA(聚乙烯醇)水溶液,混合后进行造粒。再在2MPa的压力下压制成直径10mm,厚度约为1mm的圆片。将这些圆片生瓷坯在600℃排胶后,放置在氧化铝承烧板上,在空气气氛下,在850~1000℃保温4小时烧成。
 
No 玻璃种类 质量百分含量 No 玻璃种类 质量百分含量
c1 A1 3.0 c7 A3 3.0
c2 A1 3.5 c8 A3 3.5
c3 A1 4.0 c9 A3 4.0
c4 A2 3.0 c10 A4 3.0
c5 A2 3.5 c11 A4 3.5
c6 A2 4.0 c12 A4 4.0
表3 主料和辅料混合时辅料相对于混合料的含量
表3所示组分的样品瓷片在930℃烧结后的介电性能,其测量结果列于下表4。
表4
上述实施例在850~960℃温度区间,制备了容温变化率满足NPO温度特性的高介电常数陶瓷材料,其室温介电常数控制在80~90之间,介电损耗小于10-3。本发明介电陶瓷材料具有高介电常数、低损耗、可低温烧结、满足温度补偿型NPO温度特性的特点。

Claims (2)

1.用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,它由重量百分含量为90~99wt%的主料和重量百分含量为1~10wt%的辅料组成:
1)主料:由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物,其中a、b、c和d分别独立的代表摩尔比率,满足下述条件:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17;0.12≤b≤0.22;0.01≤c≤0.1;0.4≤d≤0.74;
2)辅料:由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃,其中e、f、g和h分别独立的代表重量百分比,满足下述条件:e+f+g+h=100,50≤e≤90;5≤f≤30;4≤g≤30;1≤h≤20;
所述陶瓷材料采用如下的制备方法:
Figure 2008102255828100001DEST_PATH_IMAGE002
按摩尔比例称量主料aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物中各起始原料;以水作为溶剂混合各起始原料并球磨2~48小时,制成浆料;将浆料烘干后在1100℃的氧化铝坩埚内煅烧2~10小时,合成基料粉体;将基料粉体粉碎至平均粒径<1μm得到主料粉料;按重量百分比称量辅料eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃中各起始原料;以乙醇为溶剂混合各起始原料并球磨2~48小时,制成浆料;将浆料烘干后在900~1100℃的温度下煅烧成熔融状态的玻璃化合物;将熔融状态的玻璃化合物经过水冷获得玻璃块,将玻璃块粉碎得到辅料粉料;
将主料粉料和辅料粉料按比例混合,往混合物粉料中加入10wt%的浓度为5%的PVA(聚乙烯醇)水溶液混合后进行造粒,再在2MPa的压力下压制成圆片生瓷坯;将圆片生瓷坯在600℃排胶后放置在氧化铝承烧板上,在空气气氛下,在850~1000℃保温4小时烧成陶瓷材料。
2.如权利要求1所述的用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料的制备方法,其步骤为:
Figure 619137DEST_PATH_IMAGE002
按摩尔比例称量主料aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物中各起始原料;以水作为溶剂混合各起始原料并球磨2~48小时,制成浆料;将浆料烘干后在1100℃的氧化铝坩埚内煅烧2~10小时,合成基料粉体;将基料粉体粉碎至平均粒径<1μm得到主料粉料;按重量百分比称量辅料eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2表示的玻璃中各起始原料;以乙醇为溶剂混合各起始原料并球磨2~48小时,制成浆料;将浆料烘干后在900~1100℃的温度下煅烧成熔融状态的玻璃化合物;将熔融状态的玻璃化合物经过水冷获得玻璃块,将玻璃块粉碎得到辅料粉料;
Figure 536277DEST_PATH_IMAGE004
将主料粉料和辅料粉料按比例混合,往混合物粉料中加入10wt%的浓度为5%的PVA(聚乙烯醇)水溶液混合后进行造粒,再在2MPa的压力下压制成圆片生瓷坯;将圆片生瓷坯在600℃排胶后放置在氧化铝承烧板上,在空气气氛下,在850~1000℃保温4小时烧成陶瓷材料。
CN200810225582A 2008-11-06 2008-11-06 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法 Expired - Fee Related CN101734914B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810225582A CN101734914B (zh) 2008-11-06 2008-11-06 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810225582A CN101734914B (zh) 2008-11-06 2008-11-06 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101734914A CN101734914A (zh) 2010-06-16
CN101734914B true CN101734914B (zh) 2012-09-05

Family

ID=42459013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810225582A Expired - Fee Related CN101734914B (zh) 2008-11-06 2008-11-06 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101734914B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113999005A (zh) * 2021-11-23 2022-02-01 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1326203A (zh) * 1996-07-05 2001-12-12 株式会社村田制作所 使用介电陶瓷组合物的叠层陶瓷电容器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1326203A (zh) * 1996-07-05 2001-12-12 株式会社村田制作所 使用介电陶瓷组合物的叠层陶瓷电容器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
魏汉光等.添加玻璃粉对Ba2Ti9O20系瓷料低温烧结的影响.《电子元件与材料》.2008,第27卷(第4期),52-54、58页. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101734914A (zh) 2010-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0605904B1 (en) Nonreducible dielectric ceramic composition
CN103408301B (zh) 一种超高压陶瓷电容器介质及其制备方法
CN101786866B (zh) 一种抗还原性铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料
CN102176374B (zh) 一种低温烧结的高压陶瓷电容器介质
CN101386534A (zh) 一种高性能中低温烧结高压陶瓷电容器介质
CN103351161B (zh) 一种低温烧结高压陶瓷电容器介质
CN100359612C (zh) 一种中低温烧结高压陶瓷电容器介质
CN103408302A (zh) 一种高介高温度稳定陶瓷电容器介质及其制备方法
JP4775583B2 (ja) 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器
KR100808472B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법
CN102568821B (zh) 一种高介电高压陶瓷电容器介质
JP2000319066A (ja) 低温同時焼成誘電体セラミック組成物
CN103113100A (zh) 一种高温度稳定陶瓷电容器介质
KR100790682B1 (ko) 저온 소결용 유리 조성물과 이를 이용한 유리 프릿, 유전체조성물, 적층 세라믹 커패시터
CN101734914B (zh) 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法
CN100464382C (zh) 钛酸锌镁系陶瓷介质材料及所得的陶瓷电容器
CN106587988A (zh) 一种高温度稳定陶瓷电容器介质
CN102627456B (zh) 一种低损耗高压陶瓷电容器介质
CN101747034B (zh) 适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法
CN101740219B (zh) 一种制备银内电极多层陶瓷电容器的方法
KR100359721B1 (ko) 저온에서 금속전극과 동시 소성가능한 유전체 세라믹 조성물
CN103146345B (zh) 可与铜电极共烧的微波介质材料、制备方法及其应用
CN100372802C (zh) 高频热稳定的钛钡钕系陶瓷介质材料及多层片式陶瓷电容器
CN102557672A (zh) 一种添加物及其降低钛酸钡锶电容器陶瓷烧结温度的用途
JP2004026543A (ja) 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171012

Address after: Linyi City, Shandong province 276300 gold road Yinan County No. 21

Patentee after: SHANDONG TSINGHUA TONGFANG LUYING ELECTRONIC CO.,LTD.

Address before: 100083, A, 2901, Tongfang science Plaza, Beijing, Haidian District

Co-patentee before: SHANDONG TSINGHUA TONGFANG LUYING ELECTRONIC CO.,LTD.

Patentee before: Tongfang Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120905

Termination date: 20211106

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee