CN101724815B - 一种节能发热膜的制备方法 - Google Patents

一种节能发热膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101724815B
CN101724815B CN2009101867499A CN200910186749A CN101724815B CN 101724815 B CN101724815 B CN 101724815B CN 2009101867499 A CN2009101867499 A CN 2009101867499A CN 200910186749 A CN200910186749 A CN 200910186749A CN 101724815 B CN101724815 B CN 101724815B
Authority
CN
China
Prior art keywords
energy
saving heating
films
heating films
saving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009101867499A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101724815A (zh
Inventor
戴明光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Mingguang
SUZHOU AIDIER COATING TECHNOLOGY CO LTD
Suzhou Rongray Nano Composite Technology Co ltd
Original Assignee
Suzhou Idea Automation Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Idea Automation Equipment Co Ltd filed Critical Suzhou Idea Automation Equipment Co Ltd
Priority to CN2009101867499A priority Critical patent/CN101724815B/zh
Publication of CN101724815A publication Critical patent/CN101724815A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101724815B publication Critical patent/CN101724815B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种节能发热膜的制备方法,包括如下步骤:将清洗好的基材放入溅镀室,并对溅镀室抽真空至5×10-4Pa~5×10-3Pa;对处于真空溅镀室内的基材进行加热处理,加温到200℃~500℃;采用真空多弧离子镀技术对基材进行涂层,镀上节能发热膜;通过若干次反复的快速降温和升温,对膜质进行老化处理,稳定膜质;破真空,节能发热膜的镀膜工序完成。本发明的节能发热膜的镀膜制备方法工艺管控简单,产品良品率高,且不会产生有毒物质,完全环保,使用上更加节能,热传导更加快速,相对传统的电阻加热方式节能约30%左右,对于工人来说,操作更简单,安全性更高。

Description

一种节能发热膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种镀膜工艺,尤其涉及节能发热膜的制备方法。
背景技术
节能发热膜常用于离子风机、离子电吹风等电热器具上,目前常用的镀膜方法为采用化学气相沉积法(CVD),由两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后原材料之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。反应室中的反应很复杂,有很多必须考虑的因素,如沉积参数的变化范围、反应室内的压力、晶片的温度、气体的流动速率、气体通过晶片的路程、气体的化学成份和比率等等,这种方法的工艺管控难度高,必须有专用的药液配方,良品率不高,同时,这种工艺在生产的过程中会产生有毒有害的物质,污染环境。
申请号为200410014375.x的发明专利公开了一种利用高温化学成膜制备发热功能膜的方法,工艺复杂,工艺管控难度高,成品率低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种节能发热膜的镀膜制备方法,制备工艺管控简单,不会产生有害物质,产品的良品率提高。使用上更加节能,热传导更加快速,相对传统的电阻加热方式节能约30%左右。对于工人来说,操作更简单,安全性更高。
本发明的技术方案是:一种节能发热膜的镀膜制备方法,包括如下步骤:
步骤S1:将清洗好的基材放入溅镀室,并对溅镀室抽真空至5×10-4Pa~5×10-3Pa,所述基材为玻璃、陶瓷、紫砂、石英、云母、搪瓷制品或纳米陶瓷材料;
步骤S2:对处于真空溅镀室内的基材进行加热处理,加温到200℃~500℃;
步骤S3:采用真空多弧离子镀技术对基材进行涂层,所用的涂层材料为铬镍合金,其中铬含量占60%~80%,或者所用的涂层材料为钨合金,其中钨含量占95%~99%,生成节能发热膜;
步骤S4:通过从外界通入氮气或氧气对节能发热膜进行若干次反复的快速降温和升温,快速降温至80℃,快速升温至200℃~500℃,对节能发热膜进行老化处理,稳定膜质;
步骤S5:破真空,节能发热膜的镀膜工序完成。
本发明的优点是:本发明的节能发热膜的镀膜制备方法工艺管控简单,产品良品率高,且不会产生有毒物质,完全环保。对于工人来说,操作更简单,安全性更高。使用上更加节能,热传导更加快速,相对传统的电阻加热方式节能约30%左右。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
图1为本发明的节能发热膜的制备方法的流程图。
具体实施方式
实施例:本发明的节能发热膜的制备方法,包括如下步骤:
首先将清洗好的基材放入溅镀室,并对溅镀室抽真空至5×10-4Pa~5×10-3Pa。所述基材一般选用导电率、热膨胀系数、绝缘电阻、抗冷热冲击、表面光洁度都较好的材料,它可以是玻璃、陶瓷、紫砂、石英、云母和搪瓷制品。在本实施例中,选用纳米陶瓷材料。
然后对处于真空溅镀室内的基材进行加热处理,加温到200℃~500℃;
接着采用真空多弧离子镀技术对基材进行涂层,镀上节能发热膜,其中所采用涂层材料可以为铬镍合金,铬镍合金的铬含量占60%~80%,相应的镍含量占40%~20%,也可以采用钨合金,其中钨的含量比重为95%~99%。
然后通过从外界通入工作气体,若干次反复的使基材快速降温和升温,对基材表面的膜质进行老化处理,稳定膜质。通过从外界通入气体对膜质进行升温和降温处理。通入的工作气体一般为氮气或氧气。当需要降温时,通入较冷的气体,快速降温一般降到80℃,当需要升温时,通入高温气体,快速升温一般升值200℃~500℃,由基材和镀膜的要求而定。
在完成稳定膜质的步骤后,破真空,节能发热膜的镀膜工序完成。
以上所述,仅为本发明的优选实施例,并不能以此限定本发明实施的范围,凡依本发明权利要求及说明书内容所作的简单的变换,皆应仍属于本发明覆盖的保护范围。

Claims (1)

1.一种节能发热膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
步骤S1:将清洗好的基材放入溅镀室,并对溅镀室抽真空至5×10-4Pa~5×10-3Pa,所述基材为玻璃、陶瓷、紫砂、石英、云母、搪瓷制品;
步骤S2:对处于真空溅镀室内的基材进行加热处理,加温到200℃~500℃;
步骤S3:采用真空多弧离子镀技术对基材进行涂层,所用的涂层材料为铬镍合金,其中铬含量占60%~80%,或者所用的涂层材料为钨合金,其中钨含量占95%~99%,生成节能发热膜;
步骤S4:通过从外界通入氮气或氧气对节能发热膜进行若干次反复的快速降温和升温,快速降温至80℃,快速升温至200℃~500℃,对节能发热膜进行老化处理,稳定膜质;
步骤S5:破真空,节能发热膜的镀膜工序完成。
CN2009101867499A 2009-12-16 2009-12-16 一种节能发热膜的制备方法 Expired - Fee Related CN101724815B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101867499A CN101724815B (zh) 2009-12-16 2009-12-16 一种节能发热膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101867499A CN101724815B (zh) 2009-12-16 2009-12-16 一种节能发热膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101724815A CN101724815A (zh) 2010-06-09
CN101724815B true CN101724815B (zh) 2011-08-17

Family

ID=42446353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101867499A Expired - Fee Related CN101724815B (zh) 2009-12-16 2009-12-16 一种节能发热膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101724815B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1124908A (zh) * 1993-12-31 1996-06-19 上海科羚科技实业有限公司 远红外导电薄膜电加热器
CN1738001A (zh) * 2005-07-19 2006-02-22 大连理工大学 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法
CN101294270A (zh) * 2008-06-06 2008-10-29 东北大学 真空电弧离子镀制备镍铬复合镀层的设备及方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1124908A (zh) * 1993-12-31 1996-06-19 上海科羚科技实业有限公司 远红外导电薄膜电加热器
CN1738001A (zh) * 2005-07-19 2006-02-22 大连理工大学 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法
CN101294270A (zh) * 2008-06-06 2008-10-29 东北大学 真空电弧离子镀制备镍铬复合镀层的设备及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101724815A (zh) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107298533B (zh) 一种制备三维石墨烯玻璃复合材料的方法
CN101799443A (zh) 制备多孔硅基底氧化钨纳米薄膜气敏传感器的方法
CN106699228A (zh) 一种低成本碳化钽涂层的制备方法
CN105568253B (zh) 一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法
CN102849733A (zh) 双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉
CN104495829A (zh) 一种在低温衬底上制备石墨烯薄膜的方法
CN102373417A (zh) 一种在石墨材料表面制备抗氧化SiC涂层的方法
CN102251216B (zh) 一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法
CN103643217A (zh) 一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法
CN109879667B (zh) 致密失氧氧化锌陶瓷体的制备方法
CN102795868B (zh) 一种高温电加热用的氮化硼-碳化硼-石墨复合发热体
CN105142250A (zh) 一种用于半导体电热膜的制备方法
CN101724815B (zh) 一种节能发热膜的制备方法
CN1153506C (zh) 超声喷雾法制备SnO2:F电热膜加热管的工艺
CN112851334A (zh) 一种基于氮化硅的加热体及其制备工艺
CN106517163B (zh) 一种用于cvd法制备石墨烯的冷壁炉及连续生产方法
CN104477995A (zh) 一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片
CN107298437A (zh) 一种pvd法低温制备石墨烯的方法
CN203346470U (zh) 一种用热丝法制备TiC涂层的高温化学气相沉积装置
CN104372304A (zh) 一种类金刚石薄膜制备工艺
CN105177511B (zh) 一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法
CN110318021B (zh) 一种晶圆级二氧化钒薄膜的制备方法
CN113072375A (zh) 一种高世代tft-lcd用ito靶材的常压气氛烧结方法
CN107620035B (zh) 一种制备TiBCN粉末的方法及装置
CN201826011U (zh) 用于氧化物半导体薄膜生长的水汽外延装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SUZHOU RONGRAY NANO COMPOSITE TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20130605

Owner name: DAI MINGGUANG

Free format text: FORMER OWNER: SUZHOU IDEA COATING TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20130605

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SUZHOU IDEA COATING TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: SUZHOU IDEA AUTOMATION EQUIPMENT CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Suzhou City, Jiangsu Province, 230 provincial highway 215101 Mudu Guangcheng Industrial Park Building 7 No. 888

Patentee after: SUZHOU AIDIER COATING TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Suzhou City, Jiangsu Province, 230 provincial highway 215101 Mudu Guangcheng Industrial Park Building 7 No. 888

Patentee before: SUZHOU IDEA AUTOMATION EQUIPMENT Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130605

Address after: 215101 Jiangsu city of Suzhou province Wuzhong District Provincial Highway No. 888 wood Guangcheng Industrial Park Building 7

Patentee after: Dai Mingguang

Patentee after: SUZHOU RONGRAY NANO COMPOSITE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Suzhou City, Jiangsu Province, 230 provincial highway 215101 Mudu Guangcheng Industrial Park Building 7 No. 888

Patentee before: SUZHOU AIDIER COATING TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110817

Termination date: 20161216

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee