CN101676779B - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器件，它包括：在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；在所述绝缘膜之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；在所述第一半导体膜之上的绝缘体；在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；在所述绝缘体之上的第二遮光膜；在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和在所述钝化膜之上的像素电极，其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本分案申请是基于申请号为200610099773.5，申请日为2006年6月30日，发明名称为“液晶显示器件及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及到有源矩阵液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
采用诸如薄膜晶体管(TFT)之类的有源元件的有源矩阵液晶显示器件，已经为人们习知。有源矩阵液晶显示器件能够提高象素密度，体积小而重量轻，且消耗的功率少；因此，作为取代CRT的一种平板显示器，已经开发了诸如个人计算机监视器、液晶电视、或车辆导航系统的监视器之类的产品。
至于液晶显示器件，其上形成由多个TFT和布线构成的驱动电路(例如源信号线驱动电路或栅信号线驱动电路)、由多个TFT、布线、和象素电极(独立电极)构成的象素部分等的衬底(有源矩阵衬底)，与其上形成反电极(公共电极)、遮光膜、成色膜(滤色器)等的衬底(反衬底)，被彼此固定，液晶被注入其间，并利用施加在象素电极与反电极之间的电场，使各个液晶分子定向。
然而，当有源矩阵衬底与反衬底被彼此固定时，必须精确地对准位置。若不充分地进行对准，则存在着有源矩阵衬底上的象素电极与反衬底上的成色膜之间出现位移以及在显示过程中出现颜色偏移或影象模糊的问题。
与之对应地报道了一种液晶显示器件，其中，借助于将已经形成在反衬底上的成色膜形成在有源矩阵衬底的象素电极上，能够得到没有颜色流失的均匀而明亮的显示器，从而无须在固定二个衬底时进行精确的位置对准(例如见专利文献1)。
[专利文献1]日本专利公开No.2001-175198
发明内容
但当采用上述文献的液晶显示器件那样的成色膜形成在象素电极上的结构时，得到了一种介质被插入在象素电极与液晶之间的结构；因此出现了从电极施加到液晶的电场受到干扰的问题。本发明的目的是提供一种在固定有源矩阵衬底和反衬底时无须精确的位置对准且不影响从电极对液晶施加电场的液晶显示器件及其制造方法。
根据本发明的一个特点，利用有源矩阵衬底来形成本发明的液晶显示器件，其中，多个TFT、布线、由象素电极等构成的象素部分等，被集成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上，且液晶显示器件具有液晶被注入在这种有源矩阵衬底与反衬底之间的结构。
而且，在本发明中可以采用一种结构，其中，反电极(公共电极)被形成在反衬底侧处；但采用反电极(公共电极)被包括在有源矩阵衬底的象素部分内的结构，即使在诸如平面转换(IPS)模式或边缘场转换(FFS)模式之类的平面转换系统的情况下，本发明也能够进行。注意，虽然其上什么也没有形成的绝缘衬底在此情况下被用作反衬底，但优选是在反衬底中与液晶相接触的表面上形成定向膜。
此外，至于本发明的有源矩阵衬底，TFT被形成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上；因此，优选在遮光膜和成色膜上形成势垒膜，以便防止TFT被用来形成成色膜和遮光膜的有机材料等沾污。注意，氮化硅膜和氧氮化硅膜等能够被用作此势垒膜。
而且，至于本发明的有源矩阵衬底，TFT被形成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上；因此，考虑到TFT制造工艺中温度对有机材料形成的成色膜的影响，优选在低温工艺(制造工艺的温度为200-400℃或以下)中来形成TFT。而且，由于能够在低温工艺中形成TFT，故能够提供采用包含硅或硅锗(SiGe)等的非晶半导体作为其有源层中主要成分以及在有源层中采用包括具有非晶半导体与结晶半导体(包括单晶和多晶)之间的中间结构的半导体膜的半非晶半导体(以下称为SAS)的TFT。注意，结晶结构的半导体(多晶半导体)可以被用作TFT。
在本发明的液晶显示器件中，能够得到透射型液晶显示器件，其中，光源被提供在反衬底侧，且光被透射到有源矩阵侧；但不仅能够得到光被透射到反衬底侧的透射型液晶显示器件，而且，在将光源提供在有源矩阵衬底侧的情况下，还能够得到光被透射到有源矩阵衬底侧的反射型液晶显示器件。注意，在反射型液晶显示器件的情况下，必须在反衬底上提供反射性电极。
在形成于有源矩阵衬底上的TFT是具有包括如上所述的非晶半导体、半非晶半导体、或多晶半导体的有源层的底栅TFT的情况下，以及在光源被提供在反衬底侧的情况下，优选在与有源层重叠的位置处提供遮光体，以便防止TFT的有源层被来自光源的光辐照。在提供遮光体的情况下，借助于形成沟道停止(保护)型的底栅TFT，遮光体被形成在与栅电极重叠的位置处同时作为TFT的源电极和漏电极。
而且，在本发明中，在象素电极(独立电极)和反电极(公共电极)如上所述被形成在有源矩阵衬底的象素部分内的情况下，象素电极(独立电极)和反衬底(公共电极)之一或二者优选由透明导电膜形成。
根据本发明的一个特点，本发明的具体结构是一种液晶显示器件，此液晶显示器件具有形成在衬底上的成色膜以及形成在成色膜上的电极，其间有绝缘膜，且电极被形成在与成色膜重叠的位置处，其间有绝缘膜。
薄膜晶体管被形成在绝缘膜上，且与电极(象素电极)彼此电连接的结构，也包括在上述结构中。
而且，根据本发明的另一特点，具有薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的象素电极、以及绝缘膜上的公共电极的结构，以及象素电极和公共电极被形成在与成色膜重叠的位置处的结构，被包括在内。而且，还包括象素电极和公共电极之一或二者由透明导电膜组成的结构。
具有栅电极、栅绝缘膜、第一半导体膜、源区、漏区、源电极、以及漏电极的薄膜晶体管，能够被用作可用于本发明的薄膜晶体管，其中，第一半导体膜可以由包含硅或硅锗作为其主要成分的非晶半导体、非晶态和结晶态被混合的半非晶半导体、或具有结晶结构的半导体(多晶半导体)组成。
根据本发明的另一特点，在用于本发明的薄膜晶体管是底栅薄膜晶体管的情况下，构成沟道形成区的第一半导体膜被形成在栅电极上，其间有栅绝缘膜，且与构成源电极和漏电极的导电膜相同的导电膜(所谓遮光体)被形成在位于第一半导体膜上且重叠栅电极的位置处。而且，为了形成上述遮光体，绝缘体被形成在位于第一半导体膜上且重叠栅电极的位置处。
根据本发明的另一特点，在上述结构中，绝缘体的厚度大于源电极和漏电极的厚度，而且，借助于使绝缘体的宽度窄于栅电极的宽度，提供在位于绝缘体上且重叠栅电极的位置处的导电膜(遮光体)的宽度能够窄于栅电极的宽度。
此外，根据本发明的另一特点，在上述结构中，遮光体通过辅助布线被电连接到栅电极，且用相同于象素电极的材料来形成此辅助布线。
而且，根据本发明的另一特点，本发明的另一情况是一种制造液晶显示器件的方法，此方法具有下列步骤：在衬底上形成成色膜；在成色膜上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成包括栅电极、栅绝缘膜、沟道形成区、源区、漏区、源电极、以及漏电极的薄膜晶体管；以及在与成色膜重叠的位置处形成电连接到漏电极的电极。
在上述结构中，可以用包含硅或硅锗作为其主要成分的非晶半导体、非晶态和结晶态被混合的半非晶半导体、或具有结晶结构的半导体(多晶半导体)来组成沟道形成区。
根据本发明的另一特点，在上述结构中，在形成底栅薄膜晶体管的情况下，由第一导电膜组成的栅电极被形成在绝缘膜上；栅绝缘膜被形成在栅电极上；第一半导体膜被形成在栅绝缘膜上；绝缘体被形成在第一半导体膜上与栅电极重叠的部分的位置处；由被待要形成的绝缘体分隔的第二半导体膜组成的源区和漏区，被形成在第一半导体膜上；由被待要形成的绝缘体分隔的第二半导体膜组成的源电极和漏电极，被形成在第二半导体膜上；而电连接到漏电极的电极(象素电极)，被形成在与成色膜重叠的位置处。
根据本发明的另一特点，在上述结构中，由第二导电膜组成的遮光体，被形成在绝缘体上。
根据本发明的另一特点，在上述结构中，在公共电极与栅电极同时被形成的情况下，公共电极和象素电极被形成在与成色膜重叠的位置处。而且，也包括象素电极和公共电极之一或二者由透明导电膜组成的结构。
根据本发明的另一特点，在上述结构中，遮光体通过辅助布线被电连接到栅电极，且用相同于象素电极的材料来形成辅助电极。
在本发明的液晶显示器件中，至于作为对其注入液晶的成对衬底之一的有源矩阵衬底，由多个TFT、布线等构成的驱动电路以及由多个TFT、布线、象素电极等构成的象素部分等，被集成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上；因此，成色膜与象素部分之间的位置被对准在有源矩阵衬底中。因此，无须在固定过程中常规要求的精确位置对准。
有源矩阵衬底的成色膜被提供在相对于象素电极的液晶反侧处；因此，成色膜能够被形成在有源矩阵衬底内，而不影响从二个电极对液晶施加电场。
在本发明中，在形成于有源矩阵衬底内的TFT是有源层由非晶半导体、半非晶半导体、或多晶半导体组成的底栅TFT的情况下，以及在光源被提供在反衬底侧的情况下，当遮光体被提供在与有源层重叠的位置处时，在对TFT进行驱动的情况下，能够防止源区与漏区之间产生泄漏电流以及上述效应。而且，在提供遮光体的情况下，借助于形成沟道停止(保护)型的底栅TFT，能够提供遮光体而不增加工艺数目。
此外，在本发明中，在象素电极(独立电极)和反电极(公共电极)被形成在有源矩阵衬底的象素部分内的情况下，借助于用透明导电膜形成这些电极之一或二者，能够防止光圈比降低以及上述效应。注意，虽然示出了底栅TFT，但顶栅TFT也可以被用作本发明的TFT。
附图说明
在这些附图中：
图1解释了本发明的一种液晶显示屏；
图2A-2E解释了制造有源矩阵衬底的一种方法；
图3A-3D解释了制造有源矩阵衬底的一种方法；
图4是有源矩阵衬底的平面图；
图5解释了本发明的一种液晶显示屏；
图6A和6B是有源矩阵衬底的平面图和剖面图；
图7A和7B是有源矩阵衬底的平面图和剖面图；
图8A-8C解释了一种成色膜；
图9A和9B解释了本发明的一种液晶显示屏；
图10A-10C解释了本发明液晶显示屏的一种驱动电路；
图11解释了一种液晶显示器件；而
图12A-12E解释了一些电子装置。
具体实施方式
以下参照附图等来详细地解释本发明的一种模式。但本发明能够以许多不同的模式来实施，本技术领域的熟练人员可以容易地理解的是，能够以各种方式修正模式及其细节而不偏离本发明的目的和范围。因此，不要将本发明理解为局限于各实施方案模式的描述。
(实施方案模式1)
在实施方案模式1中，在能够用于本发明液晶显示器件的各液晶屏中，将参照图1来解释象素电极(独立电极)和反电极(公共电极)被形成在有源矩阵衬底内的由平面转换系统(诸如IPS模式或FFS模式)驱动的液晶显示屏。
在图1中，遮光膜102被形成在衬底101上，且成色膜103被形成为与部分遮光膜102重叠。
玻璃衬底、石英衬底、由诸如氧化铝之类的陶瓷绝缘物质组成的衬底、塑料衬底、硅晶片、金属片等，能够被用于衬底101。
遮光膜102被图形化成覆盖象素部分中各象素的所有外围或其一部分。具体地说，除了用包含颜色颜料或着色剂的绝缘膜(诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂)、树脂BM、碳黑、以及抗蚀剂之外，诸如铬或氧化铬之类的金属材料也能够被用作遮光膜102的材料。而且，遮光膜102的厚度优选为1-3微米。
成色膜103被形成为其一部分与遮光膜重叠。注意，成色膜103可以由象素部分内各象素列显示不同颜色(例如红色、绿色、以及蓝色三种颜色)的材料组成。或者，成色膜103可以由各象素显示不同颜色(例如红色、绿色、以及蓝色三种颜色)的材料组成。而且，成色膜103可以由所有象素显示相同颜色的材料组成。具体地说，除了包含颜色颜料的绝缘膜(诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂)之外，光敏树脂或抗蚀剂等也能够被用作成色膜103的材料。而且成色膜103的厚度优选为1-3微米。注意，本发明的成色膜103可以被形成为覆盖遮光膜102的端部，因此，在制造液晶显示器件时，能够将裕度设定得大，从而能够容易地制造液晶显示器件。
用来减小形成遮光膜102和成色膜103所产生的凹凸不平的整平膜104，被形成在遮光膜102和成色膜103上。可以利用绝缘材料(诸如有机材料和无机材料)来形成此整平膜104，并可以将整平膜104形成为单层或叠层。注意，具体地说，可以用丙烯酸、甲基丙烯酸、及其衍生物；诸如聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、聚苯并咪唑、或环氧树脂之类的抗热高分子化合物；典型为氧化硅玻璃的由用硅氧烷聚合物基材料作为原材料所形成的包括含硅、氧、或氢的化合物的Si-O-Si键的无机硅氧烷聚合物基有机绝缘材料组成的膜；由典型为烷基硅氧烷聚合物、烷基倍半硅氧烷聚合物、氢化倍半硅氧烷聚合物、或氢化烷基倍半硅氧烷聚合物的其中键合到硅的氢被诸如甲基或苯基之类的有机原子团取代的有机硅氧烷聚合物基的有机绝缘材料组成的膜；氧化硅膜；氮化硅膜；氮氧化硅膜；氧氮化硅膜；或由包含硅的无机绝缘材料组成的其它膜，来形成整平膜104。此外，整平膜104的厚度优选为1-3微米。
虽然此处未示出，但诸如氮化硅膜或氧氮化硅膜之类的阻挡膜可以被形成在整平膜104上，以便防止杂质从衬底101或整平膜104混合到半导体膜中。
TFT 105的栅电极106以及公共电极122被形成在整平膜104上。由诸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba、或Nd之类的金属组成的膜；由包含上述元素作为其主要成分的合金材料组成的膜；由包含诸如Si或Ge之类元素的合金材料组成的膜；其中Mo、Al、和Mo被层叠的膜；其中Ti、Al、和Ti被层叠的膜；其中MoN、Al-Nd、和MoN被层叠的膜；其中Mo、Al-Nd、和Mo被层叠的膜；其中Al和Cr被层叠的膜；由诸如金属氮化物之类的化合物材料组成的膜；用作透明电极膜的氧化铟锡(ITO)膜、其中2-20％的氧化锌(ZnO)被混合到氧化铟中的IZO(氧化铟锌)膜、具有氧化硅作为组分的ITO膜等，可以被用于栅电极106和公共电极122。此外，各栅电极106和公共电极122的厚度优选为200nm或以上，更优选为300-500nm。
绝缘膜被形成在栅电极106和公共电极122上，且其一部分是TFT 105的栅绝缘膜107。利用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、或包含硅的其它绝缘膜，将此绝缘膜(包括栅绝缘膜107)形成为单层或叠层。注意，栅绝缘膜107的厚度优选为10-150nm，更优选为30-70nm。
第一半导体膜108被形成在包括栅绝缘膜107作为其一部分的绝缘膜上。具有选自包含硅或硅锗(SiGe)之类作为其主要成分的非晶半导体；其中非晶态和结晶态被混合的半非晶半导体(以下称为SAS)；其中晶粒为0.5-20nm的微晶半导体；以及具有能够在非晶半导体中观察到的结晶结构的半导体(多晶半导体)的任何一种状态的膜，能够被用于第一半导体膜108。注意，其中能够观察到0.5-20nm的晶粒的微晶态，被称为所谓微晶(以下称为μc)。除了上述主要成分之外，还可以包含诸如硼、磷和砷之类的受主元素或施主元素。第一半导体膜108的厚度为10-150nm，更优选为30-70nm。
绝缘体109被形成在第一半导体膜108上与形成绝缘体109之前所形成的栅电极106重叠的位置处。利用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、或包含硅的其它绝缘膜，绝缘体109被形成为具有单层或叠层。绝缘体109的厚度被形成为大于源区110、漏区111、源电极112、以及漏电极113的厚度。具体地说，此厚度优选为500nm或以上。而且，绝缘体109的宽度(图1所示的L2)被形成为小于栅电极106的宽度(图1所示的L1)。借助于控制绝缘体109的宽度(图1所示的L2)，能够控制遮光体114的宽度。换言之，借助于将遮光体114的宽度设定为小于栅电极106的宽度(图1所示的L1)，能够降低由于提供遮光体114而造成的寄生电容。
然后，分别形成源区110和漏区111、形成在源区110上的源电极112、形成在漏区111上的漏电极113、以及形成在绝缘体109上的遮光体114。
利用包含硅或硅锗(SiGe)之类作为其主要成分的的非晶半导体；SAS；μc之类的半导体膜，来形成源区110和漏区111。除了上述主要成分之外，此处所用的半导体膜还包含诸如硼、磷和砷的受主元素或施主元素。而且，各源区110和漏区111的厚度优选为10-150nm，更优选为30-70nm。
由诸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba之类的金属组成的膜；由包含上述元素作为其主要成分的合金材料组成的膜；由包含诸如Si或Ge之类元素的合金材料组成的膜；由诸如金属氮化物之类的化合物材料组成的膜；用作透明电极膜的氧化铟锡(ITO)膜、其中2-20％的氧化锌(ZnO)被混合到氧化铟中的IZO(氧化铟锌)膜、具有氧化硅作为组分的ITO膜等，可以被用作源电极112、漏电极113、以及遮光体114的材料。此外，各源电极112、漏电极113、以及遮光体114的厚度优选为200nm或以上，更优选为300-500nm。
在实施方案模式1所示液晶显示屏的情况下，光源可以被提供在液晶显示屏二侧中的任何一侧处(图1中的衬底101侧或衬底118侧)。但由于TFT 105是底栅TFT，故在光源被提供在衬底118侧且光从光源沿图1中箭头所示的方向被发射的情况下，部分第一半导体膜108(TFT 105的沟道形成区)被光辐照。当TFT 105的有源层(沟道形成区)如上所述被光辐照时，在对TFT 105进行驱动的情况下，对诸如出现在源区与漏区之间的泄漏电流之类的电学特性的影响就成了问题。然而，遮光体114的提供使得有可能防止部分第一半导体膜108(TFT 105的所谓沟道形成区)被光辐照。
用作TFT 105的保护膜115的绝缘膜，被形成在第一半导体膜108、源区110、漏区111、源电极112、漏电极113、以及栅绝缘膜107上。注意，利用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、或包含硅的其它绝缘膜，此处的绝缘膜被形成为具有单层或叠层。而且，保护膜115的厚度为10-150nm，更优选为30-70nm。
象素电极116被形成，通过形成在漏电极113上部分保护膜115处的窗口被电连接到漏电极113。用由氧化铟锡(ITO)膜、其中2-20％的氧化锌(ZnO)被混合到氧化铟中的IZO(氧化铟锌)膜、具有氧化硅作为组分的ITO膜等组成的透明导电膜，来形成象素电极116。
在实施方案模式1中，其上具有上述结构的衬底被称为有源矩阵衬底117。
本发明中的液晶显示屏具有这样一种结构，其中，液晶层被插入在有源矩阵衬底与衬底之间。换言之，在实施方案模式1中，液晶显示器件具有这样一种结构，其中，液晶层119被插入在有源矩阵衬底117与衬底118之间。一种已知的液晶材料能够被用于液晶层119。
此外，定向膜120和121分别被形成在有源矩阵衬底117和衬底118的表面上。利用诸如聚酰亚胺或聚酰胺之类的材料来形成定向膜120和121。对定向膜120和121执行定向处理来使液晶对准。注意，能够被用于衬底101的衬底，能够以相同的方式被用于衬底118。
如上所述，实施方案模式1所解释的液晶显示屏具有这样一种结构，其中，遮光膜102、成色膜103、TFT 105、象素电极116、其它布线等都被形成在衬底101上的有源矩阵衬底以及其上仅仅形成定向膜的衬底，被彼此固定，且液晶层被形成在其间；因此，不同于在相反侧处的衬底118上形成遮光膜或成色膜的情况，无须在固定衬底时所必须的位置对准。
在用实施方案模式1所示的液晶显示屏形成的液晶显示器件中，考虑到其结构特性而采用诸如IPS模式或FFS模式的平面转换驱动模式；因此，优选不用导电材料而用树脂材料来形成遮光膜102，以便防止形成干扰在有源矩阵衬底中象素电极116与公共电极112之间的共平面转换的电场。
(实施方案模式2)
在实施方案模式2中，参照图2A-2E、图3A-3D、以及图4，来解释包括在实施方案模式1所解释的液晶显示屏中的有源矩阵衬底的制造方法。注意，图4是有源矩阵衬底的平面图，而图2A-2E和图3A-3D是沿图4中A-A’的剖面图。而且，相同的参考号被用于图2A-2E、图3A-3D、以及图4中。
首先，如图2A所示，遮光膜302被形成在衬底301上。
玻璃衬底、石英衬底、由诸如氧化铝之类的陶瓷绝缘物质组成的衬底、塑料衬底、硅晶片、金属片等，能够被用作衬底301。此外，可以采用尺寸为320×400mm、370×470mm、550×650mm、600×720mm、680×880mm、1000×1200mm、1100×1250mm、或1150×1300mm的大尺寸衬底。
注意，由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、PES(聚硫醚乙二醇)、聚丙烯、聚丙烯硫、聚碳酸酯、聚醚亚胺、聚苯撑硫、聚苯撑氧、聚砜、聚邻苯二酰胺组成的塑料衬底；由其中分散有直径为几个nm的无机颗粒的有机材料形成的衬底等，可以提供作为塑料衬底的代表性例子。而且，衬底的表面不一定要平坦，因而也可以使用凹凸不平的表面或弧形表面。
遮光膜302被图形化成覆盖象素部分中各象素的所有外围或其一部分。除了用包含颜色颜料或着色剂的绝缘膜(诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂)、树脂BM、碳黑、以及抗蚀剂之外，还利用诸如铬或氧化铬之类的金属材料来形成遮光膜302，并被形成为1-3微米厚。而且，遮光膜302用来防止液晶显示屏的光泄漏。
成色膜303被形成。成色膜303被形成为其一部分与遮光膜重叠。除了用包含颜色颜料的绝缘膜(诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂)之外，还利用诸如光敏树脂或抗蚀剂之类的材料，来形成成色膜303。成色膜303可以被形成为象素部分内各象素列显示不同颜色(例如红色、绿色、以及蓝色三种颜色)。或者，成色膜303可以被形成为各象素显示不同颜色(例如红色、绿色、以及蓝色三种颜色)。而且，成色膜303可以被形成为所有象素显示相同颜色。而且，成色膜303被形成为1-3微米厚。
随后，形成覆盖遮光膜302和成色膜303的整平膜304。整平膜304具有减小由于形成遮光膜302和成色膜303所产生的凹凸不平的功能。
丙烯酸、甲基丙烯酸、及其衍生物；诸如聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、或聚苯并咪唑之类的抗热高分子化合物；典型为氧化硅玻璃的用硅氧烷聚合物基材料作为原材料所形成的包括含硅、氧、或氢的化合物的Si-O-Si键的无机硅氧烷聚合物基绝缘材料；或典型为烷基硅氧烷聚合物、烷基倍半硅氧烷聚合物、氢化倍半硅氧烷聚合物、或氢化烷基倍半硅氧烷聚合物的其中键合到硅的氢被诸如甲基或苯基之类的有机原子团取代的有机硅氧烷聚合物基绝缘材料，能够被用作整平膜304的材料。此外，诸如涂敷方法或印刷方法之类的已知方法，可以被用作成膜方法。
用CVD方法，势垒膜305被形成在整平膜304上。用诸如等离子体CVD方法或溅射方法之类的成膜方法，利用诸如氮化硅膜、氧氮化硅膜、以及氮氧化硅膜之类的绝缘膜，势垒膜305被形成为单层或叠层。借助于提供势垒膜305，能够防止杂质从衬底301侧被混合。
如图2B所示，第一导电膜306被形成在势垒膜305上。利用诸如溅射方法、PVD方法、CVD方法、滴珠喷射方法、印刷方法、或电镀方法之类的成膜方法，第一导电膜306是由诸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba、或Nd之类的金属元素组成的膜；由包含上述元素作为其主要成分的合金材料组成的膜；由包含诸如Si或Ge之类元素的合金材料组成的膜；由诸如金属氮化物之类的化合物材料组成的膜；用作透明电极膜的氧化铟锡(ITO)膜、其中2-20％的氧化锌(ZnO)被混合到氧化铟中的IZO(氧化铟锌)膜、具有氧化硅作为组分的ITO膜等组成。
借助于图形化第一导电膜306，栅电极306a和公共电极306b如图2C所示被形成，且栅信号线306c和公共布线306d如图4所示被形成。在用诸如溅射方法或CVD方法之类的成膜方法来形成第一导电膜306的情况下，用滴珠喷射方法、光刻工艺、以及激光束直接写入系统，借助于对光敏材料的曝光、显影等，来形成掩模，并利用此掩模，将导电膜图形化成所需的形状。
在采用滴珠喷射方法的情况下，能够执行图形的形成而无须形成掩模；因此，借助于从喷射窗口(以下称为喷嘴)喷射其中上述金属的颗粒被溶解或弥散在有机树脂中的液体物质，并对此液体物质进行加热，来形成栅电极306a、公共电极306b、栅信号线306c、公共布线306d等。可以彩和一种或多种用作金属颗粒胶合剂、溶剂、分散剂、以及涂敷剂的有机树脂。典型地说，可以给出诸如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、酚醛树脂、蜜胺树脂、酚树脂、环氧树脂、硅树脂、呋喃树脂、或邻苯二甲酸二烯丙酯树脂之类的已知有机树脂。
此液体物质的粘度优选为5-20mPa·s。这是因为这样就防止了液体物质干燥，并使金属颗粒能够从喷嘴顺利地被喷射。此外，此液体物质的表面张力优选为40m/N或以下。而且，可以根据要使用的溶剂和预期的目的，来适当地调节此液体物质的粘度等。
可以采用包含在液体物质内的晶粒直径为几个nm到10μm的金属颗粒；但为了防止喷嘴堵塞以及为了制作高分辨率的图形，金属颗粒优选具有尽可能小的晶粒直径，因而优选采用晶粒直径为0.1微米或以下的金属颗粒。
接着，栅绝缘膜307被形成(图2D)。用诸如CVD方法或溅射方法之类的成膜方法，利用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、或包含硅的其它绝缘膜等，绝缘膜307被形成为单层或叠层。而且，栅绝缘膜307的厚度优选为10-150nm，更优选为30-70nm。
随后，第一半导体膜308被淀积。用诸如CVD方法或溅射方法之类的成膜方法，利用包含硅或硅锗(SiGe)之类作为其主要成分的非晶半导体；SAS；μc之类，来形成第一半导体膜308。除了上述主要成分之外，诸如硼、磷和砷之类的受主元素或施主元素可以被包含在第一半导体膜308中。而且，第一半导体膜308的厚度为10-150nm，更优选为30-70nm。
然后，绝缘体309被形成在第一半导体膜308上与形成绝缘体309之前所形成的栅电极306a重叠的位置处(图2E)。借助于形成绝缘体309，在下列工艺中形成的第二半导体膜310和第二导电膜311被分别形成，并能够形成各包括在TFT中的各个源区310a、漏区310b、源电极311a、漏电极311b、以及遮光体311c(图3B和图4)。绝缘体309可以如下被形成：用滴珠喷射方法、光刻工艺、或激光束直接写入系统，借助于对光敏材料的曝光和显影等，掩模被形成在绝缘膜上，并利用此掩模，将诸如氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、包含硅的其它绝缘膜(此绝缘膜可以是单层结构或叠层结构中的任何一种)图形化成所需的形状。绝缘体309被形成为厚度大于源电极311a和漏电极311b的厚度。具体地说，此厚度为200nm，更优选为300-800nm。而且，绝缘体309被形成为宽度(图2E所示的L2)小于栅电极306a的宽度(图2E所示的L1)。
接着，表现一种导电类型的第二半导体膜310被形成(图3A)。用诸如CVD方法或溅射方法之类的成膜方法来形成第二半导体膜310。此处形成的包含硅或硅锗(SiGe)之类作为其主要成分的的非晶半导体膜；SAS；μc之类，除了上述主要成分之外，还包含诸如硼、磷和砷之类的受主元素或施主元素。而且，第二半导体膜310被分隔成形成在绝缘体309上的部分和形成在第一半导体膜308上的部分。注意，此时在部分第二半导体膜310被形成在绝缘体309的侧面处的情况下，可以执行腐蚀处理之类。
而且，第二导电膜311被形成在第二半导体膜310上。注意，可以用相似于已经在此实施方案模式中所述的第一导电膜306的方法和材料，来形成第二导电膜311。第二导电膜311的厚度优选为200nm或以上，更优选为300-700nm。第二导电膜311被待要以相同于第二半导体膜310的方式形成为被绝缘体309分隔。注意，此时在部分第二导电膜311被形成在绝缘体309的侧面处的情况下，可以执行腐蚀处理之类。
接着，第二导电膜311被图形化，以便形成源电极311a和漏电极311b(图3B和图4)，而且，用源电极311a和漏电极311b作为掩模，第一半导体膜308和第二半导体膜310被腐蚀，以便得到图3B所示的形状。换言之，各个源区310a、漏区310b、源电极311a、漏电极311b、以及沟道形成区308a(图3B和图4)被形成。此外，如图4所示，源电极311a由从源信号线311d连续的膜组成。利用形成在第二导电膜311上的掩模，用滴珠喷射方法、光刻工艺、或激光束直接写入系统，借助于对光敏材料的曝光、显影等，腐蚀方法能够被用来图形化成所需的形状。
然后，保护膜312被形成(图3C)。利用诸如等离子体CVD方法或溅射方法之类的成膜方法，用诸如氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、以及氮氧化硅膜之类的绝缘膜，保护膜312被形成为具有单层或叠层。注意，保护膜312还被形成在绝缘体309的侧面处；因此，优选选择具有有利覆盖性的材料。
随后，在作为部分保护膜312的与漏电极311b重叠的位置处形成窗口，并形成电连接到窗口中漏电极311b的象素电极313(图3D和图4)。借助于对用溅射方法、蒸发方法、CVD方法、涂敷方法之类所形成的氧化铟锡(ITO)、其中2-20％的氧化锌(ZnO)被混合到氧化铟中的IZO(氧化铟锌)、具有氧化硅作为组分的ITO等的透明导电膜进行图形化，来形成象素电极313。注意，象素电极313的厚度优选为100-150nm。
此外，借助于如图4所示将部分象素电极313形成为与部分栅信号线306c重叠，来形成储存电容器315。注意，参考号314表示TFT。
利用上述工艺，能够形成图3D和图4所示的有源矩阵衬底。
在得到图3D和图4所示的有源矩阵衬底之后，定向膜被形成在有源矩阵衬底和待要成为反衬底的衬底上，且这些衬底被彼此固定。然后，液晶材料被注入在二个衬底之间，并用密封部件将这些衬底完全密封；因而能够形成液晶显示屏。注意，液晶显示屏的结构将在实施方案模式6中详细地解释。
(实施方案模式3)
在实施方案模式3中，将解释其中实施方案模式1的结构部分得到了改进的液晶显示屏。注意，在图5所示的液晶显示屏中，至于表示相似于实施方案模式1中所解释的图1的名称等，可以用相似的材料以相似的方式来形成液晶显示屏，其细节可参见实施方案模式1的解释。
图5的遮光体519以相同于实施方案模式1的方式由形成源电极511a和漏电极511b的第二导电膜组成；因此，遮光体519由导电材料形成。因此，在绝缘体509未被形成为具有足够厚度的情况下，存在着遮光体519成为TFT 514的寄生电容的情况。于是，在实施方案模式3中，为了防止遮光体519成为TFT 514的寄生电容，形成了被电连接到遮光体519的辅助布线520。
此处，图6A和6B被用作包括在图5的液晶显示屏中的有源矩阵衬底的平面图，并将进行更详细的解释。而且，沿图6A中B-B’线的剖面图被示于图6B。此外，在图6A和6B中，至于表示相似于实施方案模式2中所解释的图4的名称等，可以用相似的材料和相似的方式来形成有源矩阵衬底，其细节可参见实施方案模式1的解释。
如图6A所示，辅助布线520与象素电极513同时被形成。亦即，如图6B所示，当在形成象素电极513之前在部分保护膜512(图6B所示的区域a)中形成窗口时，窗口也被形成在形成于遮光体519上的部分保护膜512(图6B所示的区域b)中以及层叠在栅信号线506c上的部分栅绝缘膜507、第一半导体膜508、以及保护膜512中，且透明导电膜被图形化，以便同时形成象素电极513和辅助布线520。因此，象素电极513和辅助布线520在同一个工艺中从相同的导电材料被形成。
因此，遮光体519和栅信号线506c被辅助布线520彼此电连接；因此，能够防止遮光体519成为TFT 514中的寄生电容。此外，本实施方案模式中所形成的辅助布线520不需要新的材料或新的工艺；因此能够形成辅助布线520而无须增加工艺数目。注意，参考号502表示遮光膜；参考号503表示成色膜；参考号506a表示TFT 514的栅电极；参考号506b表示公共电极；参考号506d表示公共布线。
(实施方案模式4)
在二个电极(象素电极和公共电极)都如本发明中那样被形成在有源矩阵衬底中的情况下，当具有遮光性质的导电膜被用作电极材料时，就出现光圈比被减小的问题。在实施方案模式4中，将解释不仅象素电极，而且公共电极也由透明导电膜组成的情况。
在图7A和7B中，图7A示出了实施方案模式4所解释的有源矩阵衬底的平面图，而图7B示出了沿图7A中C-C’线的剖面图。注意，在图7A和7B中，至于表示相似于实施方案模式2中所解释的图4的名称等，可以用相似的材料和相似的方式来形成有源矩阵衬底，其细节可参见实施方案模式2的解释。但实施方案模式4所解释的公共电极遵照下面的解释。
如图7A所示，公共电极706b由相同于象素电极713的材料组成。虽然公共电极706b被电连接到公共布线706c，但公共电极706b由不同的材料组成。亦即，如图7B所示，当在形成象素电极713之前在部分保护膜712(图7B所示的区域a’)中形成窗口时，窗口也被形成在形成于公共布线706c(图7B所示的区域b’)上的部分保护膜712中，且透明导电膜被图形化，以便同时形成象素电极713和公共电极706b。因此，在实施方案模式4的情况下，象素电极713和公共电极706b在同一个工艺中用相同的导电材料被形成。
因此，借助于用同一个透明导电膜来形成公共电极706b和象素电极713，能够防止象素部分中的光圈比减小。此外，公共电极706b不需要新的材料或新的工艺；因此能够形成公共电极706b而无须增加工艺数目。注意，参考号701表示衬底；参考号702表示遮光膜；参考号703表示成色膜；参考号707表示栅绝缘膜；参考号708表示第一半导体膜，参考号711b表示漏电极。
(实施方案模式5)
在实施方案模式5中，参照图8A-8C来解释形成在要成为用于本发明液晶显示器件的有源矩阵衬底的衬底上的成色膜。注意，本实施方案模式所示的有源矩阵衬底的结构(驱动电路、象素部分等)，是能够用于本发明的有源矩阵衬底的一种模式。
图8A示出了借助于在下列工艺中在各个形成区内形成驱动电路或象素部分来形成有源矩阵衬底。亦即，在图8A中，象素电极被形成在衬底800上的象素部分形成区801中，源信号线驱动电路被形成在源信号线驱动电路形成区802中，而栅信号线驱动电路被形成在栅信号线驱动电路形成区803中；从而形成了有源矩阵衬底。
在本发明的情况下，在形成这些驱动电路(源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路)和象素部分之前，遮光膜和成色膜被形成在衬底800上的象素部分形成区801中。
在图8B中，示出了图8A的区域a(804)被放大了的视图。象素部分在下列工艺中被形成在图8B中的区域a(804)的象素形成区806中。因此，遮光膜805和成色膜807被预先根据象素形成区806而形成在衬底800上。
遮光膜805被较早形成在衬底800上的各象素形成区806之间。然后，成色膜807被形成为覆盖遮光膜805和象素形成区806。
此处描述了一种情况，其中，成色膜807由三种成色膜组成，亦即呈条形的由包含红色颜料的绝缘材料组成的成色膜R(807a)、由包含绿色颜料的绝缘材料组成的成色膜G(807b)、以及由包含蓝色颜料的绝缘材料组成的成色膜B(807c)。注意，成色膜可以是单一类型的(颜色和材料)或多种类型的。而且，成色膜可以被形成为单一类型组成的固态膜或不同地涂敷的多个膜。对用于不同地涂敷的材料和方法没有特殊的限制，可以用已知的材料和已知的方法来形成成色膜。
在图8C中，示出了沿图8B中D-D’线的剖面图。遮光膜805被形成在衬底800上的各象素形成区806之间，而成色膜807(807a、807b、807c)被形成在各遮光膜805之间。而且，如图8C所示，成色膜807(807a、807b、807c)可以被形成为与遮光膜805重叠。
虽然此处未示出，但在遮光膜805以及成色膜807(807a、807b、807c)被形成在衬底800上之后，形成整平膜来减小衬底800上的凹凸不平。而且，此整平膜由绝缘材料形成。
如上所述，借助于在其上形成遮光膜805、成色膜807(807a、807b、807c)、以及整平膜的衬底上形成驱动电路和象素部分，来形成有源矩阵衬底。注意，至于用下列工艺形成的有源矩阵衬底，可参见实施方案1-4中的解释。
(实施方案模式6)
在实施方案模式6中，参照图9A和9B来解释本发明的液晶显示屏的结构。图9A是俯视图，示出了一种显示屏，其中，要成为有源矩阵衬底的第一衬底901和要成为反衬底的第二衬底902被第一密封材料903和第二密封材料904密封。图9B相当于沿图9A中A-A’线的剖面图。此外，实施方案模式1-4所解释的有源矩阵衬底能够被用于第一衬底901。
在图9A中，各由虚线示出的参考号905、906、907分别表示象素部分、源信号线驱动电路、栅信号线驱动电路。在本实施方案模式中，象素部分905、源信号线驱动电路906、栅信号线驱动电路907被形成在由第一密封材料903和第二密封材料904密封的区域中。
用来保持密封空间的间距的间隙材料被包含在对第一衬底901和第二衬底902进行密封的第一密封材料903和第二密封材料904中，并用液晶材料填充这样形成的空间。
接着，参照图9B来解释剖面结构。遮光膜920和成色膜921被形成在第一衬底901上。驱动电路和象素部分被形成在整平膜922上，整平膜922被形成为覆盖遮光膜920和成色膜921，且包括典型为TFT的多个半导体元件。注意，此处源信号线驱动电路906和象素部分905被示为驱动电路。其中组合了n沟道TFT 908和p沟道TFT 909的CMOS电路，被形成在源信号线驱动电路906中。形成驱动电路的TFT可以由已知的CMOS电路、PMOS电路、或NMOS电路组成。虽然本实施方案模式示出了其中驱动电路被形成在衬底上的驱动器集成类型，但驱动电路不一定要被形成在衬底上，驱动电路也可以被形成在外部而不在衬底上。
此外，多个象素被形成在象素部分905内，且液晶元件910被形成在各个象素中。液晶元件910是其中形成作为象素电极的第一电极911、作为公共电极且此处未示出的第二电极、以及其间的由液晶材料组成的液晶层912的部分。包括在液晶元件910中的第一电极911通过布线被电连接到驱动TFT 913。而且，定向膜914和915被形成在第一衬底901上各个象素电极的表面上以及第二衬底902的表面上。
参考号923表示提供来控制第一衬底901与第二衬底902之间的距离(液晶盒间隙)的柱状间隔垫。借助于将绝缘膜腐蚀成所希望的形状，来形成柱状间隔垫923。而且，也可以采用球状间隔垫。
通过连接布线916，从FPC 917来馈送提供给源信号线驱动电路906、栅信号线驱动电路907、以及象素部分905的各种信号和电位。连接布线916和FPC 917被各向异性导电膜或各向异性导电树脂918彼此电连接。也可以采用诸如焊料之类的导电胶来代替各向异性导电膜或各向异性导电树脂。
虽然未示出，但用粘合剂将偏振片固定到第一衬底901和第二衬底902之一或二者的表面。而且，除了偏振片之外，还可以提供延迟膜。
(实施方案模式7)
在实施方案模式7中，参照图10A-10C来解释将驱动电路安装在本发明的液晶显示屏上的方法。
在图10A的情况下，源信号线驱动电路1002以及栅信号线驱动电路1003a和1003b被安装在象素部分1001的外围处。亦即，借助于用使用各向异性导电粘合剂和各向异性导电膜的已知方法、COG方法、金属丝键合方法，使用焊料凸块的回流处理等将IC芯片1005安装在衬底1001上，来安装源信号线驱动电路1002以及栅信号线驱动电路1003a和1003b。而且，IC芯片1005通过FPC(柔性印刷电路)1006被连接到外部电路。
部分源信号线驱动电路1002，例如模拟开关，可以被集成在衬底上，而其其它部分可以由IC芯片分别安装。
此外，在图10B的情况下，象素部分1001、栅信号线驱动电路1003a和1003b等被集成在衬底上，而源信号线驱动电路1002等由IC芯片分别安装。亦即，利用诸如COG方法之类的安装方法，IC芯片1005被安装在其上集成象素部分1001、栅信号线驱动电路1003a和1003b等的衬底上；源信号线驱动电路1002等因而被安装。而且，IC芯片1005通过FPC 1006被连接到外部电路。
部分源信号线驱动电路1002，例如模拟开关，可以被集成在衬底上，而其其它部分可以由IC芯片分别安装。
而且，在图10C的情况下，用TAB方法来安装源信号线驱动电路1002等。IC芯片1005通过FPC 1006被连接到外部电路。虽然在图10C的情况下用TAB方法来安装源信号线驱动电路1002等，但栅信号线驱动电路等也可以用TAB方法来安装。注意，参考号1000表示衬底。
当用TAB方法安装IC芯片1005时，可以相对于衬底广泛地提供象素部分，从而能够达到变窄的帧。
此外，可以提供形成在玻璃衬底上的IC(以下称为驱动器IC)来代替IC芯片1005。至于IC芯片1005，IC芯片取自硅晶圆；因此，母衬底的形状受到限制。另一方面，驱动器IC具有由玻璃组成的母衬底，形状不受限制；从而能够改善产率。因此，能够自由地设定驱动器IC的形状和尺寸。例如，与安装IC芯片的情况相比，在制作长边长度为15-80mm的驱动器IC的情况下，能够减少所需的IC芯片数目。因而能够减少连接端子的数目，从而能够改善制造成品率。
可以用形成在衬底上的结晶半导体来形成驱动器IC，并可以借助于用连续波激光进行辐照来形成结晶半导体。借助于用连续波激光进行辐照而得到的半导体膜具有晶体缺陷更少的大直径的晶粒。具有这种半导体膜的晶体管因而具有有利的迁移率和响应速度，从而能够高速驱动，这对于驱动器IC是优选的。
(实施方案模式8)
在实施方案模式8中，参照图11的剖面图来解释利用诸如IPS(平面转化)模式或边缘场转化(FFS)模式之类的驱动模式的白色光来执行彩色显示的液晶模块，这是一种组合到本发明液晶显示器件中的液晶模块。注意，借助于实行实施方案模式1-7而形成的液晶显示屏，能够被用于实施方案模式8所解释的液晶模块。
如图11所示，有源矩阵衬底1101和反衬底1102被密封材料1103彼此固定，且液晶层1105被提供在其间；从而形成液晶显示屏。
在执行彩色显示的情况下，形成在有源矩阵衬底1101中的成色膜1106是必须的，而在RGB系统的情况下，对应于各个红、绿、蓝颜色的成色膜被形成在各个象素中。定向膜1118和1119被形成在有源矩阵衬底1101和反衬底1102内侧。偏振片1107和1108被置于有源矩阵衬底1101和反衬底1102的外侧。此外，保护膜1109被形成在偏振片1107的表面上，从而缓解了外部冲击。
布线衬底1112通过FPC 1111被连接到提供在有源矩阵衬底1101上的连接端子1110。诸如象素驱动电路(诸如IC芯片或驱动器IC)、控制电路、或电源电路之类的外部电路1113被组合到布线衬底1112中。
冷阴极管1114、反射片1115、光学膜1116、以及倒相器(未示出)构成了后照光单元。以后照光单元作为光源，光被投向液晶显示屏。液晶显示屏、光源、布线衬底1112、FPC 1111等由带槽框1117固定和保护。
(实施方案模式9)
电视装置(简称为TV或TV接收机)、诸如数码相机或数码摄象机的相机、蜂窝电话装置(简称为蜂窝电话手机或蜂窝电话)、诸如PDA之类的便携式信息终端、便携式游戏机、计算机监视器、计算机、诸如车辆音响之类的放声装置、诸如家庭游戏机之类的配备有记录媒质的放像装置等，可以被给出作为配备有本发明液晶显示器件的电子装置。下面参照图12A-12E来解释其优选模式。
图12A所示的电视装置包括主体8001、显示部分8002等。本发明的液晶显示器件能够被应用于显示部分8002。成色膜被形成在本发明液晶显示器件中的有源矩阵衬底上；因此，能够防止在固定有源矩阵衬底和反衬底时成为问题的位置不对准，并能够防止图象偏移或模糊。从而能够提供可实现优异图象显示的电视装置。
图12B所示的便携式信息终端包括主体8101、显示部分8102等。本发明的液晶显示器件能够被应用于显示部分8102。成色膜被形成在本发明液晶显示器件中的有源矩阵衬底上；因此，能够防止在固定有源矩阵衬底和反衬底时成为问题的位置不对准，并能够防止图象偏移或模糊。从而能够提供可实现优异图象显示的便携式信息终端。
图12C所示的数码摄象机包括主体8201、显示部分8202等。本发明的液晶显示器件能够被应用于显示部分8202。成色膜被形成在本发明液晶显示器件中的有源矩阵衬底上；因此，能够防止在固定有源矩阵衬底和反衬底时成为问题的位置不对准，并能够防止图象偏移或模糊。从而能够提供可实现优异图象显示的数码摄象机。
图12D所示的蜂窝电话手机包括主体8301、显示部分8302等。本发明的液晶显示器件能够被应用于显示部分8302。成色膜被形成在本发明液晶显示器件中的有源矩阵衬底上；因此，能够防止在固定有源矩阵衬底和反衬底时成为问题的位置不对准，并能够防止图象偏移或模糊。从而能够提供可实现优异图象显示的蜂窝电话手机。
图12E所示的便携式电视装置包括主体8401、显示部分8402等。本发明的液晶显示器件能够被应用于显示部分8402。成色膜被形成在本发明液晶显示器件中的有源矩阵衬底上；因此，能够防止在固定有源矩阵衬底和反衬底时成为问题的位置不对准，并能够防止图象偏移或模糊。从而能够提供可实现优异图象显示的便携式电视装置。此外，本发明的液晶显示器件能够被广泛地应用于诸如组合在便携式终端的小尺寸电视装置、便携式的中等尺寸电视装置、以及大尺寸电视装置(例如尺寸为40英寸或以上)之类的各种电视装置。
如上所述，利用本发明的能够防止图象偏移或模糊的液晶显示器件，能够提供可实现优异图象显示的各种电子装置。
本申请基于2005年6月30日在日本专利局提交的日本专利申请No.2005-191078，其整个内容在此处被列为参考。

Claims (27)

1.一种显示器件，它包括：
在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；
在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；
在所述绝缘膜之上的栅电极；
在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；
在所述第一半导体膜之上的绝缘体；
在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；
在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；
在所述绝缘体之上的第二遮光膜；
在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和
在所述钝化膜之上的像素电极，
其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个，并且
其中，所述第二遮光膜的宽度和所述绝缘体的宽度比所述栅电极的宽度窄。
2.根据权利要求1的显示器件，其中，所述第一半导体膜由选自包含硅或硅锗作为其主要成分的非晶半导体、其中非晶态和结晶态被混合的半非晶半导体、以及具有结晶结构的半导体中的半导体形成。
3.根据权利要求1的显示器件，其中，所述显示器件是液晶显示器件。
4.根据权利要求1的显示器件，其中，所述像素电极与所述成色膜重叠。
5.根据权利要求1的显示器件，其中，所述第一半导体膜的一部分和所述第二半导体膜的一部分位于所述源电极和所述漏电极下方。
6.根据权利要求1的显示器件，其中，所述栅电极的宽度大于所述绝缘体的宽度。
7.根据权利要求1的显示器件，其中，所述像素电极包括透明导电膜。
8.根据权利要求1的显示器件，其中，所述第二遮光膜和所述栅电极通过所述栅极绝缘膜和所述钝化膜被辅助布线所连接。
9.根据权利要求8的显示器件，其中，所述辅助布线包括透明导电膜。
10.一种显示器件，它包括：
在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；
在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；
在所述绝缘膜之上的栅电极和公共电极；
在所述栅电极和所述公共电极之上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；
在所述第一半导体膜之上的绝缘体；
在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；
在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；
在所述绝缘体之上的第二遮光膜；
在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和
在所述钝化膜之上的像素电极，
其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个，并且
其中，所述第二遮光膜的宽度和所述绝缘体的宽度比所述栅电极的宽度窄。
11.根据权利要求10的显示器件，其中，所述第一半导体膜由选自包含硅或硅锗作为其主要成分的非晶半导体、其中非晶态和结晶态被混合的半非晶半导体、以及具有结晶结构的半导体中的半导体形成。
12.根据权利要求10的显示器件，其中，所述显示器件是液晶显示器件。
13.根据权利要求10的显示器件，其中，所述像素电极与所述成色膜重叠。
14.根据权利要求10的显示器件，其中，所述第一半导体膜的一部分和所述第二半导体膜的一部分位于所述源电极和所述漏电极下方。
15.根据权利要求10的显示器件，其中，所述栅电极的宽度大于所述绝缘体的宽度。
16.根据权利要求10的显示器件，其中，所述像素电极包括透明导电膜。
17.根据权利要求10的显示器件，其中，所述第二遮光膜和所述栅电极通过所述栅极绝缘膜和所述钝化膜被辅助布线所连接。
18.根据权利要求17的显示器件，其中，所述辅助布线包括透明导电膜。
19.一种显示器件，它包括：
在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；
在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；
在所述绝缘膜之上的栅电极和公共布线；
在所述栅电极和所述公共布线之上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；
在所述第一半导体膜之上的绝缘体；
在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；
在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；
在所述绝缘体之上的第二遮光膜；
在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和
在所述钝化膜之上的像素电极和公共电极，
其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个，
其中，所述公共电极电连接于所述公共布线，并且
其中，所述第二遮光膜的宽度和所述绝缘体的宽度比所述栅电极的宽度窄。
20.根据权利要求19的显示器件，其中，所述第一半导体膜由选自包含硅或硅锗作为其主要成分的非晶半导体、其中非晶态和结晶态被混合的半非晶半导体、以及具有结晶结构的半导体中的半导体形成。
21.根据权利要求19的显示器件，其中，所述显示器件是液晶显示器件。
22.根据权利要求19的显示器件，其中，所述像素电极与所述成色膜重叠。
23.根据权利要求19的显示器件，其中，所述第一半导体膜的一部分和所述第二半导体膜的一部分位于所述源电极和所述漏电极下方。
24.根据权利要求19的显示器件，其中，所述栅电极的宽度大于所述绝缘体的宽度。
25.根据权利要求19的显示器件，其中，所述像素电极包括透明导电膜。
26.根据权利要求19的显示器件，其中，所述第二遮光膜和所述栅电极通过所述栅极绝缘膜和所述钝化膜被辅助布线所连接。
27.根据权利要求26的显示器件，其中，所述辅助布线包括透明导电膜。
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