CN101660953A - 温度检测电路 - Google Patents

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CN101660953A CN200810214960A CN200810214960A CN101660953A CN 101660953 A CN101660953 A CN 101660953A CN 200810214960 A CN200810214960 A CN 200810214960A CN 200810214960 A CN200810214960 A CN 200810214960A CN 101660953 A CN101660953 A CN 101660953A
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陈建如
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Abstract

本发明涉及一种温度检测电路，包括一能隙参考电压产生器与一比较模块，其中能隙参考电压产生器用以输出一参考电压与一参考电流，比较模块则根据参考电流产生对应于温度变化的一检测电压，并比较检测电压与参考电压以输出对应于一特定温度的停机信号。以此，补偿因制程差异所造成的温度感测误差，提升温度检测的正确性与灵敏度。

Description

温度检测电路
技术领域
本发明涉及一种温度检测电路，且特别是涉及利用能隙参考电压产生器所产生的电流来可克服制程与电压差异的温度检测电路。
背景技术
随着信息时代的到来，不仅加速个人计算机的普及化，也活络计算机及其接口设备的市场。因此，各式各样的信息产品不断地推陈出新，且各类的信息设备也以多样化为走向。
然而，随着电子系统的效能提升以及越趋轻薄的设计需求，首当其冲的问题即是工作时所散发出来的热量也就愈来愈多。例如，在目前科技的发展趋势中，中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、图形处理单元(Graphics Processing Unit，GPU)以及其外设电路的操作频率不断的在提升，其产生的热能也就越来越高。为了确保上述的中央处理器、图形处理单元以及其外设的集成电路(IntegratedCircuit，IC)能够正常工作而不至于因高温而烧毁，因此温度的监控已经是变成一件非常重要的事。
在一般的主机板或显示卡上会有一颗硬件监控IC(HardwareMonitor IC)进行此工作。其原理是利用温度感测二极管(Thermaldiode)两端电压差会随不同的温度而改变，大约是每改变1℃即二极管两端电压差减少2mV。因此，通过量测温度感测二极管的两端电压差即可间接得知目前的环境温度，例如获得中央处理器的目前温度。
然而，上述温度感测二极管两端电压差的-2mV/℃的关系式会随制程因素而有所改变。随着集成电路制程的改变，会出现不同的偏移电压(offset voltage)，这对于电压与温度的对照关系的建立是一个非常大的困扰。
发明内容
本发明提供一种温度检测电路，利用能隙参考电压产生器(bandgap reference voltage generator)内部的电流来产生温度检测电路工作时所需的电流，以此补偿因制程差异所造成的温度感测误差，提升温度检测的正确性与灵敏度。
承上述，本发明提出一种温度检测电路，包括一能隙参考电压产生器以及一比较模块，其中能隙参考电压产生器用以产生一参考电压与一第一参考电流；比较模块根据该第一参考电流产生一检测电压，并比较该参考电压与该检测电压以输出一停机信号，其中该停机信号对应于一特定温度。
在本发明一实施例中，上述能隙参考电压产生器包括：一第一电流源，用以产生一第二参考电流；以及一第二电流源，耦接于上述第一电流源，并根据上述第二参考电流产生该第一参考电流；其中，上述能隙参考电压产生器根据上述第二参考电流产生上述参考电压。
在本发明一实施例中，上述比较模块包括一温度感测电阻以及一比较器，其中温度感测电阻耦接于上述第二电流源与一接地端之间，其中上述温度感测电阻与上述第二电流源的一第一共享节点产生上述检测电压；以及比较器耦接于上述能隙参考电压产生器的输出与上述第一共享节点，用以比较上述参考电压与上述检测电压以输出上述停机信号。
在本发明一实施例中，上述温度感测电阻具有一正温度系数。
在本发明一实施例中，上述能隙参考电压产生器还包括：一能隙参考电路，耦接于上述第一电流源与上述接地端之间，用以产生一第一节点电压与一第二节点电压；以及一运算放大器，耦接于上述能隙参考电路并根据上述第一节点电压与上述第二节点电压输出一调整电压至上述第一电流源以调整上述第二参考电流。
在本发明一实施例中，上述运算放大器包括一第三电流源，耦接于上述第一电流源，并根据上述第二参考电流产生一第三参考电流；一差动放大器，耦接于上述第三电流源与上述接地端之间，并根据上述第一节点电压与上述第二节点电压输出一差动电压；以及一输出级电路，耦接于上述差动放大器，并根据上述差动电压输出上述调整电压至上述第一、二以及第三电流源以调整上述第一、二以及第三参考电流。
在本发明一实施例中，上述输出级电路包括一PMOS晶体管(Pchannel metal oxide semiconductor transistor)与一NMOS晶体管(Nchannel metal oxide semiconductor transistor)，其中上述PMOS晶体管的一端耦接于一电压源，上述PMOS晶体管的栅极耦接上述第一电流源以产生对应于上述第二参考电流的一第四参考电流；而上述NMOS晶体管则耦接于上述PMOS晶体管的另一端与上述接地端之间，且上述NMOS晶体管的栅极耦接于上述差动电压。其中，上述PMOS晶体管与上述NMOS晶体管的一第二共享节点耦接于上述PMOS晶体管的栅极，且上述第二共享节点用以输出上述调整电压。
在本发明一实施例中，上述能隙参考电压产生器还包括一PMOS晶体管以及一双极性晶体管，其中PMOS晶体管耦接于一电压源与一电阻之间，且上述PMOS晶体管的栅极耦接于上述第一电流源，而上述双极性晶体管则耦接于上述电阻的另一端与上述接地端之间，且上述双极性晶体管的基极耦接于上述接地端，其中，上述电阻与上述PMOS晶体管的一第二共享节点输出上述参考电压。
在本发明一实施例中，上述第一电流源为一第一PMOS晶体管，上述第二电流源为一第二PMOS晶体管，且上述第一PMOS晶体管与上述第二PMOS晶体管的栅极相互耦接以形成一电流镜。
在本发明一实施例中，上述能隙参考电路包括：一第一电阻，耦接于上述第一电流源与一第一双极性晶体管之间，且上述第一双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于上述接地端；以及一第二电阻，与一第三电阻串联耦接于上述第一电流源与一第二双极性晶体管之间，且上述第二双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于上述接地端，其中，上述第一电阻与上述第一双极性晶体管的一第二共享节点输出上述第一节点电压，上述第二电阻与上述第二双极性晶体管的一第三共享节点输出上述第二节点电压。
在本发明另一实施例中，上述能隙参考电压产生器包括：一第一PMOS晶体管，耦接于一电压源与一第一NMOS晶体管之间；一第二PMOS晶体管，耦接于上述电压源与一第二NMOS晶体管之间，且上述第一PMOS晶体管与上述第二PMOS晶体管的栅极相互耦接以形成上述第一电流源；一第一双极性晶体管，耦接于上述第一NMOS晶体管的另一端，且上述第一双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于上述接地端；一第一电阻，耦接于上述第二NMOS晶体管的另一端；以及一第二双极性晶体管，耦接于上述第一电阻的另一端，且上述第二双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于上述接地端。
其中，上述第一PMOS晶体管的栅极耦接于上述第一PMOS晶体管与上述第一NMOS晶体管的一第二共享节点，上述第一NMOS晶体管与上述第二NMOS晶体管的栅极相互耦接，且上述第二NMOS晶体管的栅极耦接于上述第二PMOS晶体管与上述第二NMOS晶体管的一第三共享节点。
在本发明另一实施例中上述能隙参考电压产生器还包括：一第三PMOS晶体管，耦接于一电压源与一第二电阻之间，且上述第三PMOS晶体管的栅极耦接于上述第一PMOS晶体管的栅极；以及一第三双极性晶体管，耦接于上述第二电阻的另一端与上述接地端之间，且上述双极性晶体管的基极耦接于上述接地端，其中，上述第三电阻与上述第三PMOS晶体管的一第四共享节点输出上述参考电压。
在本发明一实施例，上述第二参考电流与上述第一参考电流相等。
在本发明一实施例中，上述双极性晶体管皆为PNP双极性晶体管(bipolar junction transistor)。
本发明因采用能隙参考电压产生器的参考电压以及根据其内部所产生的参考电流来检测温度，因此可由其参考电流来补偿制程差异所造成的电流、电压漂移问题，以增加温度检测的正确性与其灵敏度。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例的温度检测电路。
图2为根据本发明第二实施例的温度检测电路。
图3为根据本发明第一实施例与第二实施例的温度检测波形图。
主要元件符号说明
100、200：温度检测电路
110、210：能隙参考电压产生器
112：能隙参考电路
114：差动放大器
120：比较模块
130：比较器
R110：温度感测电阻
R11、R12、R13、R14：电阻
P11～P17、P21～P22：PMOS晶体管
N11、N12、N13、N21、N22：NMOS晶体管
B11、B12、B13：PNP双极性晶体管
I1～I5、I21、I22、I23：参考电流
VDD：电压源
VT：检测电压
VBGR：参考电压
V1：第一节点电压
V2：第二节点电压
STP：停机信号
DV：差动电压
AV：调整电压
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
能隙参考电压产生器主要是用来产生与温度、制程无关(受其影响较小)的参考电压，一般的能隙参考电压产生器主要是利用两条电流路径以及PNP双极性晶体管(bipolar junction transistor)的基-射极电压(VBE)的负温度系数来产生与温度无关的参考电压。然而，为产生与温度无关的参考电压，其内部的两条电流路径上的参考电流即会因应制程差异而自动调整以使得所输出的参考电压维持定值。换言之，能隙参考电压产生器的内部参考电流会随着温度、制程以及工作电压而调整。本实施例即是根据能隙参考电压产生器的内部参考电流来产生温度检测电路的工作电流来降低因制程差异所造成的温度检测误差。
第一实施例：
请参照图1，图1为根据本发明第一实施例的温度检测电路。温度检测电路100包括能隙参考电压产生器110与比较模块120，其中能隙参考电压产生器110用以产生参考电压VBGR与参考电流I2，比较模块120则根据参考电流I2产生一检测电压VT，并比较参考电压VBGR与检测电压VT以输出一停机信号STP。
比较模块120包括温度感测电阻R110以及比较器130。能隙参考电压产生器110内的PMOS晶体管P12耦接于电压源VDD与温度感测电阻R110之间，其栅极则耦接能隙参考电压产生器110内的PMOS晶体管P11的栅极以产生相对应的参考电流I2。温度感测电阻R110的另一端耦接于接地端GND，温度感测电阻R110与PMOS晶体管P12之间的共享节点则输出对应温度的感应电压VT，比较器130耦接于温度感测电阻R110与PMOS晶体管P12之间的共享节点与能隙参考电压产生器110的输出，用以比较检测电压VT与参考电压VBGR以输出一停机信号STP，上述停机信号STP对应于一特定温度。
在本实施例中，能隙参考电压产生器110的内部电路主要由PMOS晶体管P11、PMOS晶体管P12、PMOS晶体管P13、PMOS晶体管P14、PMOS晶体管P15、能隙参考电路112、差动放大器114、NMOS晶体管N13、电阻R14以及PNP双极性晶体管B13所构成。其中，能隙参考电路112尚包括电阻R11、R12、R13、以及PNP双极性晶体管B11、B12，而差动放大器114则包括PMOS晶体管P16、P17以及NMOS晶体管N11、N12。其中，PMOS晶体管P13、差动放大器114、PMOS晶体管P14以及NMOS晶体管N13可视为一运算放大器，而PMOS晶体管P14以及NMOS晶体管N13则可视为运算放大器的输出级电路。
在能隙参考电路112中，PMOS晶体管P11耦接电压源VDD与电阻R11、R12之间，用以提供能隙参考电路112所需的参考电流I1。电阻R13则耦接于电阻R12的另一端与PNP双极性晶体管B12之间，双极性晶体管B12的射极与基极耦接于接地端GND。双极性晶体管B11则耦接于电阻R11的另一端与接地端GND之间，其基极也同样耦接于接地端GND。双极性晶体管B11与电阻R11的共享节点输出一第一节点电压V1，而双极性晶体管B12与电阻R13的共享节点则输出一第二节点电压V2。
在差动放大器114中，PMOS晶体管P13耦接电压源VDD与PMOS晶体管P16、P17之间，用以提供差动放大器114所需的参考电流I3。PMOS晶体管P16、P17的栅极分别耦接于第一节点电压V1与第二节点电压V2，而NMOS晶体管N11、N12则分别耦接于PMOS晶体管P16、P17的另一端与接地端GND之间，且NMOS晶体管N11、N12的栅极相互耦接，其中NMOS晶体管N11的栅极还耦接于PMOS晶体管P16与NMOS晶体管N11的共享节点。
由PMOS晶体管P14以及NMOS晶体管N13所组成的输出级电路则耦接于差动放大器114输出，根据差动放大器114所输出的差动电压DV输出一调整电压AV至PMOS晶体管P11～P15的栅极以调整其产生的参考电压I1～I5。就电路结构而言，运算放大器所输出的调整电压AV主要是用来调整PMOS晶体管P11所产生的参考电流I1以减少制程差异对能隙参考电压产生器110的影响。然而，由于PMOS晶体管P11～P15的栅极皆相互耦接，并形成一电流镜，所以当参考电流I1改变时，其余的参考电流I4～I5也会随的改变。换言之，PMOS晶体管P12所导通的参考电流I2也会随制程差异而自行调整其电流值。PMOS晶体管P11～P15可分别视为一电流源，且其产生的参考电流I1～I5即具有对应关系或相等，参考电流I1～I5的电流比值分别由其PMOS晶体管P11～P15的元件尺寸所决定。
能隙参考电压产生器110中的PMOS晶体管P15、电阻R14与PNP双极性晶体管B13则串联耦接于电压源VDD与接地端GND之间，且PNP双极性晶体管B13的基极同样耦接于接地端GND。电阻R14与PMOS晶体管P15的共享节点则用以输出参考电压VBGR。参考电压VBGR为一与温度无关的电压。能隙参考电压产生器110利用正温度系数的电压与具有负温度系数PNP双极性晶体管来产生与温度无关的参考电压VBGR。严格来说，应该是理论上受温度影响较小的参考电压VBGR。
值得注意的是，在本实施例中，能隙参考电压产生器110中的运算放大器中所使用的参考电流I3会随着参考电流I1而变，而在一般的能隙参考电压产生器110中，用来回授调整参考电压的运算放大器是采独立设计，其差动放大器所使用的参考电流并不会随着能隙参考电压产生器110中的参考电流I1而变。
在温度检测方面，由于温度感测电阻R110具有正温度系数，其电阻值会随着温度改变，因此检测电压VT也会随着温度而变。只要设定检测电压VT与参考电压VBGR的对应关系，即可检测相对应的特定温度。值得注意的是，在本实施例中，PMOS晶体管P12所产生的参考电流I2会随着参考电流I1而变，因此检测电压VT也会受到参考电流I2而影响其电压值。由此，利用能隙参考电压产生器110会随着制程差异调整其参考电流I1的特性来对应调整参考电流I2，以降低制程差异对检测电压VT的影响，使检测电压VT可更为准确的对应至预先设定的特定温度值。换言之，本实施例即是利用一个会随着制程差异做反向调整的参考电流I2来产生检测电压VT，以此抵销制程差异所造成的影响。
比较器130则用来比较检测电压VT与参考电压VBGR以输出一停机信号STP，该停机信号STP对应于一特定温度。当检测电压VT大于参考电压VBGR时，停机信号STP为逻辑高电位，表示电路温度已经超过预设的温度。当检测电压VT小于参考电压VBGR时，停机信号STP为逻辑低电位，表示电路温度尚未达到预设的温度。当然，在本发明另一实施例中，也可将检测电压VT与参考电压VBGR对调，以产生不同电压位准的停机信号STP，本实施例并不受限。
第二实施例：
由于能隙参考电压产生器有多种作法，并不限定于上述第一实施例，请参照图2，图2为根据本发明第二实施例的温度检测电路200，其中图2与图1主要的差异在于能隙参考电压产生器210的内部电路结构。在图2中，能隙参考电压产生器210内的参考电流I21、I22所是由PMOS晶体管P21、P22所组成的电流镜所产生。其中，PMOS晶体管P21耦接于电压源VDD与NMOS晶体管N21之间，PMOS晶体管P22耦接于电压源VDD与电阻R13之间，且PMOS晶体管P21与PMOS晶体管P22的栅极相互耦接以形成一电流源以产生参考电流I21与I22。
PNP双极性晶体管B11耦接于NMOS晶体管N21的另一端，且PNP双极性晶体管B11的另一端与基极皆耦接于接地端GND。PNP双极性晶体管B12耦接于电阻R13的另一端，且PNP双极性晶体管B12的另一端与基极皆耦接于接地端GND。其中，PMOS晶体管P21的栅极耦接于该PMOS晶体管P21与NMOS晶体管N21的共享节点，NMOS晶体管N21与NMOS晶体管N22的栅极相互耦接，且NMOS晶体管N22的栅极耦接于PMOS晶体管P22与NMOS晶体管N22的共享节点。
而PMOS晶体管P15、电阻R14与PNP双极性晶体管B13的电路架构则与图1相同，不再赘述。值得注意的是，在图2中，PMOS晶体管P12的栅极是耦接于PMOS晶体管P21、P22的栅极，以电流镜的方式产生相对应的参考电流I23。换言之，在本实施例中，通过温度感测电阻R110的参考电流I23同样会随着能隙参考电压产生器210内的参考电流I21、I22而变，由此可产生与制程以及温度相关的参考电流I23，使检测电压VT与温度的对应关系可以更为准确，并且不受制程差异的影响。关于图2的其余技术细节，则请参照上述图1实施例的说明，在此不加赘述。
图3为根据上述实施例的温度检测波形图，如图3所示，当检测电压VT大于参考电压VBGR时，停机信号STP为逻辑高电位，表示电路温度已经超过预设的特定温度T1。当检测电压VT小于参考电压VBGR时，停机信号STP为逻辑低电位，表示电路温度尚未达到预设的特定温度T1。至于检测电压VT与温度之间的关系则可依照设计需求，设置不同温度系数的温度感测电阻即可。
此外，值得注意的是，能隙参考电压产生器的设计方式有很多种类，本发明并不受限于上述图1与图2实施例，然而，能隙参考电压产生器均会产生随制程差异而变的参考电流，只要让温度感测电阻所导通的电流随着能隙参考电压产生器的内部电流而变，即可随之调整检测电压，并以此减少制程差异对温度感测结果的影响。
综上所述，本发明利用能隙参考电压产生器的内部电流来检测温度变化，由于能隙参考电压产生器的内部电流会因应制程差异而有所自动调整其电流值，因此相较于现有技术中以固定电流来检测温度变化的方式，本发明可抵消因制程差异所造成的电压、电流变异，大幅提高温度检测的准确性与灵敏度。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定的为准。

Claims (17)

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：
一能隙参考电压产生器，用以产生一参考电压与一第一参考电流；以及
一比较模块，根据该第一参考电流产生一检测电压，并比较该参考电压与该检测电压以输出一停机信号，
其中该停机信号对应于一特定温度。
2.如权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器包括：
一第一电流源，用以产生一第二参考电流；以及
一第二电流源，耦接于该第一电流源，并根据该第二参考电流产生该第一参考电流；
其中，该能隙参考电压产生器根据该第二参考电流产生该参考电压。
3.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该比较模块包括：
一温度感测电阻，耦接于该第二电流源与一接地端之间，其中该温度感测电阻与该第二电流源的一第一共享节点产生该检测电压；以及
一比较器，耦接于该能隙参考电压产生器的输出与该第一共享节点，用以比较该参考电压与该检测电压以输出该停机信号。
4.如权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，该温度感测电阻具有一正温度系数。
5.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器还包括：
一能隙参考电路，耦接于该第一电流源与该接地端之间，用以产生一第一节点电压与一第二节点电压；以及
一运算放大器，耦接于该能隙参考电路并根据该第一节点电压与该第二节点电压输出一调整电压至该第一电流源以调整该第二参考电流。
6.如权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，该运算放大器包括：
一第三电流源，耦接于该第一电流源，并根据该第二参考电流产生一第三参考电流；
一差动放大器，耦接于该第三电流源与该接地端之间，并根据该第一节点电压与该第二节点电压输出一差动电压；以及
一输出级电路，耦接于该差动放大器，并根据该差动电压输出该调整电压至该第一、二以及第三电流源以调整该第二、一以及第三参考电流。
7.如权利要求6所述的温度检测电路，其特征在于，该输出级电路包括：
一PMOS晶体管，该PMOS晶体管的一端耦接于一电压源，该PMOS晶体管的栅极耦接该第一电流源以产生对应于该第二参考电流的一第四参考电流；以及
一NMOS晶体管，耦接于该PMOS晶体管的另一端与该接地端之间，且该NMOS晶体管的栅极耦接于该差动电压，
其中，该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的一第二共享节点耦接于该PMOS晶体管的栅极，且该第二共享节点输出该调整电压。
8.如权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器还包括：
一PMOS晶体管，耦接于一电压源与一电阻之间，且该PMOS晶体管的栅极耦接于该第一电流源；以及
一双极性晶体管，耦接于该电阻的另一端与该接地端之间，且该双极性晶体管的基极耦接于该接地端，
其中，该电阻与该PMOS晶体管的一第二共享节点输出该参考电压。
9.如权利要求8所述的温度检测电路，其特征在于，该双极性晶体管为一PNP双极性晶体管。
10.如权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电路包括：
一第一电阻，耦接于该第一电流源与一第一双极性晶体管之间，且该第一双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于该接地端；以及
一第二电阻，与一第三电阻串联耦接于该第一电流源与一第二双极性晶体管之间，且该第二双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于该接地端，
其中，该第一电阻与该第一双极性晶体管的一第二共享节点输出该第一节点电压，该第二电阻与该第二双极性晶体管的一第三共享节点输出该第二节点电压。
11.如权利要求10所述的温度检测电路，其特征在于，该第一双极性晶体管与该第二双极性晶体管皆为一PNP双极性晶体管。
12.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该第一电流源包括一第一PMOS晶体管，该第二电流源包括一第二PMOS晶体管，且该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管的栅极相互耦接以形成一电流镜。
13.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器包括：
一第一PMOS晶体管，耦接于一电压源与一第一NMOS晶体管之间；
一第二PMOS晶体管，耦接于该电压源与一第二NMOS晶体管之间，且该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管的栅极相互耦接以形成该第一电流源；
一第一双极性晶体管，耦接于该第一NMOS晶体管的另一端与该接地端之间，且该第一双极性晶体管的基极耦接于该接地端；
一第一电阻，耦接于该第二NMOS晶体管的另一端；以及
一第二双极性晶体管，耦接于该第一电阻的另一端与该接地端之间，且该第二双极性晶体管的基极耦接于该接地端；
其中，该第一PMOS晶体管的栅极耦接于该第一PMOS晶体管与该第一NMOS晶体管的一第二共享节点，该第一NMOS晶体管与该第二NMOS晶体管的栅极相互耦接，且该第二NMOS晶体管的栅极耦接于该第二PMOS晶体管与该第二NMOS晶体管的一第三共享节点。
14.如权利要求13所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器还包括：
一第三PMOS晶体管，耦接于一电压源与一第二电阻之间，且该第三PMOS晶体管的栅极耦接于该第一PMOS晶体管的栅极；以及
一第三双极性晶体管，耦接于该第二电阻的另一端与该接地端之间，且该双极性晶体管的基极耦接于该接地端，
其中，该第三电阻与该第三PMOS晶体管的一第四共享节点输出该参考电压。
15.如权利要求13所述的温度检测电路，其特征在于，该第一、第二以及第三双极性晶体管皆为一PNP双极性晶体管。
16.如权利要求13所述的温度检测电路，其特征在于，该第二电流源包括一第三PMOS晶体管，该第三PMOS晶体管耦接于该电压源与该比较模块之间，且该三PMOS晶体管的栅极耦接于该第二PMOS晶体管的栅极。
17.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该第一参考电流与该第二参考电流相等。
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