CN101656258A - 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 - Google Patents
影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101656258A CN101656258A CN200810304065A CN200810304065A CN101656258A CN 101656258 A CN101656258 A CN 101656258A CN 200810304065 A CN200810304065 A CN 200810304065A CN 200810304065 A CN200810304065 A CN 200810304065A CN 101656258 A CN101656258 A CN 101656258A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensing area
- glass substrate
- image sensor
- encapsulation structure
- silicon layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 37
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种影像感测器封装结构，其包括具有相对第一表面和第二表面的玻璃基板、设置在所述第一表面上的硅层和设置在所述硅层上的感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板以接受透过所述玻璃基板的光线，所述底面上设置有反射单元，用以反射透过所述感测区的光线。玻璃基板可以作为影像感测器封装结构的视窗，因此，不需要额外的其它封装。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体技术，特别是涉及一种影像感测器封装结构、影像感测器封装结构的封装方法及相机模组。
背景技术
影像感测器因可以在空间中检测光信号并将其转换为电信号，已经被广泛应用在各种光电产品中，而成为关键零组件之一。
目前，影像感测器封装结构的封装方式大都采用板上芯片封装的(COB，chip onboard)封装方式，将感测器芯片粘结在印刷电路板上，然后用金线将感测器芯片连接到印刷电路板上，再将融化后具有特殊保护功能的有机材料覆盖到感测器芯片上来完成后期封装。
感测器芯片与焊接区在同一平面上，焊区周边均匀分布，由于COB封装方式的焊区是周边分布，所以输入/输出的增长数受到一定限制，特别是它在焊接时采用线焊，实现焊区与印刷电路板焊盘相连接，因此，印刷电路板焊盘应有相应的焊盘数，并也是周边排列，才能与之相适应，所以，印刷电路板制造工艺难度也相对增大。而且，还需要其他的后期封装，使得生产成本较高。
发明内容
有鉴于此，提供一种不需要额外封装的影像感测器封装结构及封装方法实为必要。
本发明还提供一种相机模组。
一种影像感测器封装结构，其包括具有相对第一表面和第二表面的玻璃基板、设置在所述第一表面上的感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板以接受透过所述玻璃基板的光线，所述底面上设置有反射单元，用以反射透过所述感测区的光线。
一种影像感测器封装结构的封装方法，包括：提供玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面；在玻璃基板得第一表面上形成硅层；在硅层上形成感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板以接受透过所述玻璃基板的光线。
一种相机模组，其包括镜筒、容纳在所述镜筒内的镜片组及固定在所述镜筒一端的影像感测器封装结构，所述影像感测器封装结构包括具有相对第一表面和第二表面的玻璃基板、设置在所述第一表面上的感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板以接受透过所述玻璃基板的光线，所述底面上设置有反射单元，用以反射透过所述感测区的光线，所述第二表面固定在所述镜筒上且所述感测区远离所述镜筒。
与现有技术相比，本发明实施例的影像感测器封装结构的玻璃基板可以作为影像感测器封装结构的视窗，因此，不需要额外的其它封装，使得生产成本较低。
附图说明
图1是本发明第一实施例影像感测器封装结构的示意图。
图2是本发明实施例影像感测器封装机构的封装方法之提供玻璃基板示意图，玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面。
图3是在图2中玻璃基板的第一表面上形成感测区的示意图。
图4是在图3中感测区上形成光学单元的示意图。
图5是在图4中光学单元上形成反射单元的示意图。
图6是在第二表面上形成红外滤光片的示意图。
图7是本发明第二实施例相机模组的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明实施例进行详细描述。
如图1所示，本发明第一实施例的影像感测器封装结构10包括玻璃基板11、硅层12、感测区13、微透镜14(microlenses)及反射单元15。
玻璃基板11的大小可根据具体需要进行选择，其可为派热克斯玻璃(pyrex glass，又名百丽耐热玻璃，由美国康宁公司研发，为耐热玻璃的通用性商标)。玻璃基板11具有相对的第一表面111和第二表面112。
在玻璃基板11的第一表面111上设置硅层12，其厚度在200纳米(nm)至20微米((m)之间。通过半导体技术在硅层12上形成阵列分布的感测区13。通过在硅层12中掺杂使得硅层12为p型、需要形成感测区13的区域为n型，从而在硅层12与感测区13之间形成p-n结。
在硅层12上的感测区13之间的区域处设置有电极18，第一表面111上硅层12之外的区域设置有焊点16，电极18用来将感测区13与焊点16连接，影像感测器封装结构10通过焊点16与电路板电性相连。
当然，也可以使硅层12为n型、感测区13为p型。
感测区13具有受光面131和底面132，该受光面131靠近玻璃基板11，底面132远离玻璃基板11，受光面131接受透过玻璃基板11的光线，而玻璃基板11还可以作为影像感测器封装结构10的视窗。
微透镜14设置在感测区13的底面132上，微透镜14上设置有反射单元15，透过微透镜14的光线被反射单元15反射会聚到感测区13以增加感测区13的受光能力与光感度。微透镜14可由光阻剂所形成。
玻璃基板11的第二表面112上还可以设置红外滤光片17。
由于感测区13被微透镜14所覆盖，所以感测区13不会受到灰尘、其他脏物的污染。另外，玻璃基板11可以作为影像感测器封装结构10的视窗，因此，不需要额外的其它封装，如将融化后具有特殊保护功能的有机材料覆盖到感测器封装结构10上来完成保护功能。
请参阅图2至图6，其为影像感测器封装结构10的封装方法示意图。
如图2所示，提供玻璃基板11，其可为pyrex玻璃。玻璃基板11具有相对的第一表面111和第二表面112。
如图3所示，在玻璃基板11的第一表面111上形成硅层12，然后在硅层12通过半导体技术形成感测区13，感测区13呈矩阵分布。如，在硅层12中掺杂使得硅层12为p型、需要形成感测区13的区域为n型，从而在硅层12与感测区13之间形成p-n结。
感测区13具有受光面131和底面132，该受光面131靠近玻璃基板11，底面132远离玻璃基板11。
在硅层12上感测区13之间的区域处设置电极18。
如图4所示，在硅层12及感测区13上涂布光阻剂，保留感测区13上的光阻剂而除去其它区域的光阻剂以在底面132上形成微透镜14。
如图5所示，在微透镜14上形成反射单元15。
如图6所示，在第二表面112上形成红外线滤光片17。
请再次参阅图1，第一表面111上硅层12之外的区域设置焊点16，然后将电极18与焊点16相连，使得影像感测器封装结构10与电路板电性相联。
如图7所示，本发明第二实施例的相机模组22包括镜筒21、镜片组22及影像感测器封装结构10。
镜片组22容纳在镜筒21中，影像感测器封装结构10固定在镜筒21的一端，且感测区13远离镜筒21。
光线通过镜片组22，入射到影像感测器封装结构10的红外滤光片17上然后穿过玻璃基板11，成像在感测区13。
另外，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思做出其他各种相应的变化，而所有这些变化都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (11)
1.一种影像感测器封装结构，其特征在于：包括具有相对第一表面和第二表面的玻璃基板、设置在所述第一表面上的硅层和设置在所述硅层上的感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板以接受透过所述玻璃基板的光线，所述底面上设置有反射单元，用以反射透过所述感测区的光线。
2.如权利要求1所述的影像感测器封装结构，其特征在于：所述底面上设置有微透镜，所述微透镜位于所述反射单元和所述感测区之间。
3.如权利要求1至2任一项所述的影像感测器封装结构，其特征在于：所述第二表面上设置有红外线滤光片。
4.一种相机模组，包括镜筒、容纳在所述镜筒内的镜片组及固定在所述镜筒一端的影像感测器封装结构，其特征在于：所述影像感测器封装结构包括具有相对第一表面和第二表面的玻璃基板、设置在所述第一表面上的硅层和设置在所述硅层上的感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板以接受透过所述玻璃基板的光线，所述底面上设置有反射单元，用以反射透过所述感测区的光线，所述第二表面固定在所述镜筒上且所述感测区远离所述镜筒。
5.如权利要求4所述的相机模组，其特征在于：所述底面上设置有微透镜，所述微透镜位于所述反射单元和所述感测区之间。
6.如权利要求4所述的相机模组，其特征在于：所述第二表面上设置有红外线滤光片。
7.一种影像感测器封装结构的封装方法，包括：
提供玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面；
在玻璃基板的第一表面上形成硅层；
在硅层上形成感测区，所述感测区具有受光面和底面，所述受光面靠近所述玻璃基板；
在底面上形成反射单元。
8.如权利要求7所述的影像感测器封装结构的封装方法，其特征在于：在形成反射单元之前进一步包括在所述底面上形成光阻剂层、蚀刻光阻剂层以在所述感测区上形成微透镜之步骤。
9.如权利要求7所述的影像感测器封装结构的封装方法，其特征在于：进一步在非感测区形成电极之步骤。
10.如权利要求7所述的影像感测器封装结构的封装方法，其特征在于：进一步包括在所述玻璃基板上形成焊点之步骤。
11.如权利要求7至10任一项所述的影像感测器封装结构的封装方法，其特征在于：进一步包括在所述第二表面上形成红外滤光片的步骤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810304065A CN101656258A (zh) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 |
| US12/467,293 US20100044553A1 (en) | 2008-08-20 | 2009-05-17 | Cmos image sensor package and camera module with same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810304065A CN101656258A (zh) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101656258A true CN101656258A (zh) | 2010-02-24 |
Family
ID=41695471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810304065A Pending CN101656258A (zh) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100044553A1 (zh) |
| CN (1) | CN101656258A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN208142180U (zh) * | 2018-01-23 | 2018-11-23 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 一种cmos图像传感器封装结构 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429036B1 (en) * | 1999-01-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Backside illumination of CMOS image sensor |
| JP4318007B2 (ja) * | 1999-10-07 | 2009-08-19 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2006126652A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JP2007311454A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US7888159B2 (en) * | 2006-10-26 | 2011-02-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor having curved micro-mirrors over the sensing photodiode and method for fabricating |
-
2008
- 2008-08-20 CN CN200810304065A patent/CN101656258A/zh active Pending
-
2009
- 2009-05-17 US US12/467,293 patent/US20100044553A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100044553A1 (en) | 2010-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101656259A (zh) | 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 | |
| US11387189B2 (en) | Image pickup apparatus and camera module | |
| JP6151354B2 (ja) | ウエハスタックの組立 | |
| USRE35069E (en) | Optoelectronic device component package | |
| EP0393206B1 (en) | Image sensor and method of producing the same | |
| CN101779289B (zh) | 用于光敏装置的透镜对准方法及设备以及其实施系统 | |
| CN211184079U (zh) | 影像感测模块 | |
| US20050230844A1 (en) | Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication | |
| TW201523912A (zh) | 小型光電模組 | |
| CN110061017B (zh) | 光学传感器封装及光学传感器总成 | |
| CN102005437A (zh) | 图像感测元件的电子装置、晶片级透镜组 | |
| CN104303077A (zh) | 光电模块 | |
| JP2008512851A (ja) | ウエハー水準でカメラモジュールを製造する方法 | |
| CN102856336A (zh) | 晶片封装体及其形成方法 | |
| JP2007027713A (ja) | 透明カバーが付着されている光学装置の製造方法及びそれを利用した光学装置モジュールの製造方法 | |
| US8427576B2 (en) | Image sensor module and camera module | |
| CN109698208B (zh) | 图像传感器的封装方法、图像传感器封装结构和镜头模组 | |
| US10043924B1 (en) | Low cost optical sensor package | |
| CN110648981A (zh) | 一种影像传感芯片封装结构及其封装方法 | |
| CN109376726A (zh) | 一种屏下光学指纹芯片封装结构 | |
| US7060592B2 (en) | Image sensor and fabricating method thereof | |
| CN211669652U (zh) | 薄型化光学指纹识别装置、封装件及电子设备 | |
| CN101656258A (zh) | 影像感测器封装结构、封装方法及相机模组 | |
| CN109283510A (zh) | 光感测装置和电子设备 | |
| CN102263112A (zh) | 取像模组及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20100224 |