CN101654771B - 磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 - Google Patents
磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101654771B CN101654771B CN2009101951272A CN200910195127A CN101654771B CN 101654771 B CN101654771 B CN 101654771B CN 2009101951272 A CN2009101951272 A CN 2009101951272A CN 200910195127 A CN200910195127 A CN 200910195127A CN 101654771 B CN101654771 B CN 101654771B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sputtering
- attrition
- mos
- power
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种固体润滑技术领域的磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法,包括:第一步、将基片抛光后超声清洗并烘干,装入溅射室内;第二步、在溅射室中进行纯钛溅射和复合层溅射,然后待溅射室自然冷却至室温,制备得到磁控溅射制备减磨复合薄膜。本发明制备工艺简单,沉积过程易于控制,薄膜沉积后无需进行热处理,可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用,制备所得的复合薄膜纳米硬度达到5.9GPa,摩擦系数可达到0.03。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种固体润滑技术领域的薄膜及其制备方法,具体是一种磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法。
背景技术
普通层状结构(2H)的过渡族金属硫化物MoS2晶体是S-Mo-S原子形成的六方体结构,在每一层里S-Mo原子是以很强的共价键结合,层与层之间是以很弱的范德瓦尔斯键结合,层与层之间易于滑动。作为固体润滑剂,MoS2具有摩擦系数小、承载力大、耐磨性好的特点,而且与基材的结合力强、蒸发率低、耐辐射。但是由于层状结构的MoS2晶体边缘不饱和的悬挂键具有化学活性,在潮湿空气和富氧环境的摩擦过程中容易粘合到金属表面和被氧化使其摩擦性能急剧下降,甚至失去润滑作用,从而对机械系统的安全可靠性和机械零部件的使用寿命产生重要的影响。与此同时,近年来DLC(类金刚石薄膜)由于其高硬度、表面平滑以及良好的抗磨损特性而被广泛应用于各个领域,然而,较高的摩擦系数、较差的耐久性和较低的结合力无法满足其应用环境的要求。
经对现有文献检索发现,在Surface & Coatings Technology杂志2006年第200期第5849-5854页发表的《Friction properties of co-sputtered sulfide/DLC solidlubricating films》(共溅射硫化物/类金刚石薄膜的摩擦学性质)发现,用磁控溅射法制备的MoS2/DLC和WS2/DLC复合薄膜具有极其优异的摩擦学性能,其最低摩擦系数已低于0.05,并且表现出良好的力学性能。但单纯的MoS2/DLC或者WS2/DLC复合薄膜由于内应力较大,与金属基体结合力差,在较大载荷下薄膜的承载能力和耐磨性能不足,会发生过早失效(磨穿、脱落)现象。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足,提供一种磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法,制备工艺简单,沉积过程易于控制,薄膜沉积后无需进行热处理,可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用,制备所得的复合薄膜纳米硬度达到5.9GPa,摩擦系数可达到0.03。
本发明是通过以下技术方案实现的,本发明包括以下步骤:
第一步、将基片抛光后超声清洗并烘干,装入溅射室内。
所述的基片为不锈钢。
所述的抛光是指:将基片抛光至光洁度小于0.05μm;
所述的超声清洗是指:采用酒精、丙酮将抛光后的基片置于超声清洗机中进行超声清洗。
第二步、在溅射室中进行纯钛溅射和复合层溅射,然后待溅射室自然冷却至室温,制备得到磁控溅射制备减磨复合薄膜。
所述的纯钛溅射是指:将溅射室抽真空至10-4Pa后通入氩气并调整气压至0.3Pa,设置溅射功率为80W,溅射时间为40min,在基片上直流溅射纯钛靶,制成厚度约100nm的中间层;
所述的复合层溅射是指:在0.1~1Pa氩气环境下,分别设置:
a)MoS2靶射频溅射功率为100~300W;
b)石墨靶直流溅射功率5~20W;
c)纯钛靶直流溅射功率5~20W;
三靶同时开启进行溅射,溅射时间为20~60min,制成厚度为0.5~2.0μm的的复合层。
本发明的主要优点是采用磁控溅射,利用MoS2晶体结构具有降低摩擦系数的特性,加入C和Ti成分,使得薄膜的耐磨性能和硬度有了极大的提高。由于在溅射复合薄膜之前,在基体上溅射有一层100nm左右的中间层,进一步增强金属基体与薄膜之间的结合强度。本发明的减摩复合薄膜制备工艺简单,沉积过程易于控制,薄膜沉积后无需进行热处理,可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。本发明制备的复合薄膜具有低摩擦系数的同时耐磨性能优良,与金属基底有较高的结合力,可用于制造轴承、陀螺仪和齿轮等零部件表面的减摩防护薄膜。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3Pa,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。保持室内气压0.3Pa,开启电源,用射频溅射MoS2靶,功率100W,直流溅射石墨靶,功率10W,直流溅射Ti靶,功率10W,工作气压为0.3Pa,溅射时间20分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约0.5μm的薄膜。
实施例2:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3Pa,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。调整保持室内气压0.2Pa,开启电源,用射频溅射MoS2靶,功率150W,直流溅射石墨靶,功率10W,直流溅射Ti靶,功率5W,工作气压为0.2Pa,溅射时间33分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约0.7μm的薄膜。
实施例3:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3Pa,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。调整保持室内气压1Pa,用射频溅射MoS2靶,功率200W,直流溅射石墨靶,功率15W,直流溅射Ti靶,功率5W,工作气压为1Pa,溅射时间50分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约2.0μm的薄膜。
实施例4:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3Pa,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。调整室内气压为0.1Pa,开启电源,用射频溅射MoS2靶,功率300W,直流溅射石墨靶,功率10W,直流溅射Ti靶,功率15W,溅射时间43分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约1.7μm的薄膜。
实施例5:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。调整工作气压为0.7Pa,开启电源,用射频溅射MoS2靶,功率250W,直流溅射石墨靶,功率5W,直流溅射Ti靶,功率5W,溅射时间23分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约1.2μm的薄膜。
实施例6:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3Pa,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。调整工作气压为0.3Pa,开启电源,用射频溅射MoS2靶,功率150W,直流溅射石墨靶,功率5W,直流溅射Ti靶,功率10W,溅射时间33分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约1.0μm的薄膜。
实施例7:
将不锈钢基片抛光至光洁度小于0.05μm,并用酒精、丙酮在超声波清洗器中洗净,烘干,装入溅射室内。抽真空至10-4Pa,通入氩气,调整真空室内气压为0.3Pa,开启电源,直流溅射Ti靶,厚度约100nm,溅射功率为80W,工作气压为0.3Pa,溅射时间约40min,关闭电源。调整工作气压为0.3Pa,开启电源,用射频溅射MoS2靶,功率150W,直流溅射石墨靶,功率20W,直流溅射Ti靶,功率15W,溅射时间33分钟,关闭电源,待真空室温度降至室温后,打开真空室,制成薄膜厚度约1.3μm的薄膜。
在MFT-4000材料表面性能试验仪上对MoS2/C/Ti复合薄膜的摩擦性能进行评价。对磨材料材质为硬度60HRC的GCr15钢,直径为3mm钢球。试验条件为:试验载荷为20N,摩擦方式为往复摩擦,摩擦长度10mm,摩擦频率50Hz,试验时间30min,干摩擦(无油润滑)状态,在室温空气(相对湿度为60%)下进行,测试过程中自动记录摩擦系数。使用纳米压痕仪对MoS2/C/Ti复合薄膜的力学性能进行评价。表1为实施例1-7的MoS2/C/Ti复合薄膜以及纯MoS2薄膜在室温空气(相对湿度为60%)中的平均动摩擦系数(μ)。表2为实施例1-7的MoS2/C/Ti复合薄膜以及纯MoS2薄膜的纳米硬度。
表1
实施例编号 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 纯MoS2薄膜 |
摩擦系数(μ) | 0.051 | 0.078 | 0.030 | 0.041 | 0.053 | 0.062 | 0.043 | 0.107 |
表2
实施例编号 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 纯MoS2薄膜 |
纳米硬度(GPa) | 5.90 | 5.70 | 5.32 | 5.57 | 5.68 | 5.49 | 5.69 | 0.76 |
本实施例减摩MoS2/C/Ti复合薄膜具有如下特点:
1、摩擦系数低,摩擦系数稳定。本实施例1-7的MoS2/C/Ti复合薄膜在室温空气(相对湿度为60%)中平均动摩擦系数分别为0.051、0.078、0.030、0.041、0.053、0.062和0.043,低于纯MoS2薄膜在室温空气(相对湿度为60%)中的平均动摩擦系数0.107,并且在室温空气中摩擦系数变化极小,表现出良好的环境摩擦稳定性。本实施例1-7的MoS2/C/Ti复合薄膜在室温空气(相对湿度为60%)条件下经过半小时的往复摩擦循环过程,其摩擦系数变化平稳、波动小。
2、硬度较高。本实施例1-7的MoS2/C/Ti复合薄膜其纳硬度分别达到了5.90、5.70、5.32、5.57、5.68、5.49和5.69GPa,而纯MoS2薄膜纳硬度为0.76GPa。可见实施例1-7的MoS2/C/Ti复合薄膜具有良好的硬度性能,优于纯MoS2薄膜
本实施例减摩MoS2/C/Ti复合薄膜在室温空气(相对湿度为60%)具有低的摩擦系数,耐磨性能优良,并且具有较高的硬度,可用于制造轴承、陀螺仪和齿轮等零部件表面的减摩防护薄膜。
Claims (3)
1.一种磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步、将基片抛光后超声清洗并烘干,装入溅射室内;
第二步、在溅射室中进行纯钛溅射和复合层溅射,然后待溅射室自然冷却至室温,制备得到磁控溅射制备减磨复合薄膜;
所述的纯钛溅射是指:将溅射室抽真空至10-4Pa后,通入氩气并调整气压至0.3Pa,设置溅射功率为80W,溅射时间为40min,在基片上直流溅射纯钛靶,制成厚度约100nm的中间层;
所述的复合层溅射是指:在0.1~1Pa氩气环境下,分别设置:
a)MoS2靶射频溅射功率为100~300W;
b)石墨靶直流溅射功率5~20W;
c)纯钛靶直流溅射功率5~20W;
三靶同时开启进行溅射,溅射时间为20~60min,制成厚度为0.5~2.0μm的复合层。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法,其特征是,所述的抛光是指:将基片抛光至光洁度小于0.05μm。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法,其特征是,所述的超声清洗是指:采用酒精、丙酮将抛光后的基片置于超声清洗机中进行超声清洗。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101951272A CN101654771B (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101951272A CN101654771B (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101654771A CN101654771A (zh) | 2010-02-24 |
CN101654771B true CN101654771B (zh) | 2011-02-09 |
Family
ID=41709218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009101951272A Expired - Fee Related CN101654771B (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101654771B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101906614A (zh) * | 2010-06-10 | 2010-12-08 | 上海交通大学 | 二硫化钼基润滑耐磨复合薄膜的制备方法 |
CN101921983B (zh) * | 2010-09-08 | 2013-04-10 | 广州有色金属研究院 | 一种w-s-c复合膜的制备方法 |
CN101921984B (zh) * | 2010-09-15 | 2012-11-21 | 上海交通大学 | 基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法 |
CN102094172B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-01-01 | 无锡润鹏复合新材料有限公司 | 一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法 |
CN102994947B (zh) * | 2011-09-17 | 2014-12-10 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜及其制备方法 |
CN105586573B (zh) * | 2015-12-24 | 2018-10-16 | 北京矿冶研究总院 | 一种可调制多层复合薄膜的制备方法 |
CN106086990B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-02-01 | 北京工业大学 | 一种多孔氧化钛薄膜固载二硫化钼的方法 |
CN108060402B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-09-15 | 河南机电职业学院 | 一种树脂材料表面用高润滑高耐磨复合膜层及其制备方法 |
CN110195207A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面的二硫化钼/锡共掺杂复合薄膜及其制备方法 |
CN110344000A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-10-18 | 云南师范大学 | 一种二维二硫化钼薄膜的制备方法 |
CN111304616A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-06-19 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种掺杂Ti、C的二硫化钼基纳米复合薄膜的制备方法 |
CN111455316A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-07-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1255553A (zh) * | 1998-11-26 | 2000-06-07 | 武汉大学 | C3n4/mn多层复合超硬薄膜及其合成装置和方法 |
-
2009
- 2009-09-04 CN CN2009101951272A patent/CN101654771B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1255553A (zh) * | 1998-11-26 | 2000-06-07 | 武汉大学 | C3n4/mn多层复合超硬薄膜及其合成装置和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101654771A (zh) | 2010-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101654771B (zh) | 磁控溅射制备减磨MoS2/C/Ti复合薄膜的方法 | |
CN101906614A (zh) | 二硫化钼基润滑耐磨复合薄膜的制备方法 | |
CN101555584A (zh) | 三元复合润滑薄膜的制备方法 | |
CN107034440B (zh) | 一种复合类金刚石碳膜及其制备方法 | |
CN101921984B (zh) | 基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法 | |
CN101712215B (zh) | 一种TiCN系列纳米梯度复合多层涂层的制备方法 | |
CN109183020A (zh) | 一种铝合金表面复合梯度改性层的制备方法 | |
CN106191794A (zh) | 钛合金表面超硬减摩耐磨复合膜层的覆层方法及钛合金材料 | |
CN100387750C (zh) | 磁控溅射制备减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜的方法 | |
CN103920185A (zh) | 一种Mo金属掺杂复合类金刚石涂层钛合金人工骨关节及其制备方法 | |
CN107815645A (zh) | 一种低摩擦系数MoS2基金属复合固体润滑膜 | |
CN108796453A (zh) | 一种高温耐磨的AlCrSiN纳米复合涂层及其制备方法 | |
CN101550535A (zh) | 复合金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法 | |
CN105586573B (zh) | 一种可调制多层复合薄膜的制备方法 | |
CN110670038A (zh) | 具有自润滑和耐磨性能的AlCrN/MoS2纳米复合薄膜及其制备方法 | |
CN102321887B (zh) | 经复合表面改性的38CrMoAl压缩机叶片及其制备工艺 | |
CN106756816A (zh) | 一种基体表面的VC/a‑C:H纳米复合涂层及其制备方法 | |
CN110117774A (zh) | 一种tc4钛合金表面涂层及其制备方法和tc4钛合金产品 | |
CN107267917B (zh) | 一种纳米多层结构WSx/DLC润滑膜及制备方法 | |
Zheng et al. | Preparation and tribological behavior of TiN/aC composite films deposited by DC magnetron sputtering | |
Bülbül et al. | The effect of TiC transient layer on a DLC-based functionally gradient coating prepared by closed field unbalanced magnetron sputtering plating system | |
CN111534803A (zh) | 一种Mo-V-C-N复合涂层的制备方法 | |
Wang et al. | Microstructure and tribological properties of GLC/MoS2 composite films deposited by magnetron sputtering | |
CN111304612A (zh) | 具有高硬度和高抗氧化性能的CrAlN/AlN纳米多层涂层及其制备方法 | |
CN111378928B (zh) | 一种纳米晶MoS2固体润滑薄膜及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110209 Termination date: 20130904 |