CN101631206B - 固体成像装置 - Google Patents

固体成像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101631206B
CN101631206B CN200910160728XA CN200910160728A CN101631206B CN 101631206 B CN101631206 B CN 101631206B CN 200910160728X A CN200910160728X A CN 200910160728XA CN 200910160728 A CN200910160728 A CN 200910160728A CN 101631206 B CN101631206 B CN 101631206B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
current path
imaging device
solid
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200910160728XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101631206A (zh
Inventor
山下浩史
成濑纯次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN101631206A publication Critical patent/CN101631206A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101631206B publication Critical patent/CN101631206B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种固体成像装置，其特征在于，包括：光电二极管阵列，矩阵状地配置有分别进行光电变换的多个光电二极管；多个读出晶体管，四个设为一组，各组的每一个分别具有电流通路的一端以及另一端、栅极，电流通路的一端与在上述光电二极管阵列中在行方向上相邻的两个光电二极管以及在列方向上相邻的两个光电二极管对应的共四个光电二极管分别连接，而电流通路的另一端与第一结点公共地连接，该第一结点被设为浮置状态；多个读出控制线，以将上述多个读出晶体管的各组的对应的读出晶体管的栅极公共地连接的方式在行方向上延长，且分别独立地被供给读出信号；以及多个垂直信号线，在摄像扫描的一个水平消隐期间内的相互独立的期间，输出由上述多个光电二极管中的、在行方向上相邻的两个光电二极管各自光电变换的信号。

Description

固体成像装置
(相关申请的交叉引用)
本申请基于2008年7月18日提交的在先日本专利申请2008-187190并要求其优先权，其全部内容通过参考引入于此。
技术领域
本发明涉及例如数字照相机、便携电话机搭载用的数字照相机等中使用的固体成像装置，特别涉及MOS型固体成像装置。
背景技术
以CMOS传感器为首的固体成像装置在当今被用于数码相机、数字视频电影、监视照相机等多种用途。在固体成像装置中将光电二极管用作像素内的光电变换元件，为了从光电二极管读出信号电荷而使用读出电路。读出电路一般针对各像素的每一个由3～4个MOS晶体管构成。因此，在缩小像素尺寸而将像素微细化时，光电二极管所占的面积减少，各像素中的饱和电子数减少。鉴于这样的状况，期望即使缩小了像素尺寸也可以抑制各像素中的饱和电子数减少的固体成像装置。
发明内容
本发明的第一方面提供一种固体成像装置，其特征在于，包括：光电二极管阵列，矩阵状地配置有分别进行光电变换的多个光电二极管；多个读出晶体管，四个设为一组，各组中的每一个具有电流通路的一端以及另一端、栅极，电流通路的一端与在上述光电二极管阵列中在行方向上相邻的两个光电二极管以及在列方向上相邻的两个光电二极管对应的共四个光电二极管分别连接，电流通路的另一端与第一结点公共地连接，该第一结点被设为浮置状态；多个读出控制线，以将上述多个读出晶体管的各组的对应的读出晶体管的栅极公共地连接的方式在行方向上延长，且分别独立地被供给读出信号；以及多个垂直信号线，在摄像扫描的一个水平消隐期间内的相互独立的期间，输出由上述多个光电二极管中的、在行方向上相邻的两个光电二极管各自光电变换的信号。
本发明的第二方面提供一种固体成像装置，其特征在于，包括：光电二极管阵列，矩阵状地配置有分别进行光电变换的多个光电二极管；多个读出晶体管，四个设为一组，各组中的每一个具有电流通路的一端以及另一端、栅极，电流通路的一端与在上述光电二极管阵列中在行方向上相邻的两个光电二极管以及在列方向上相邻的两个光电二极管对应的共四个光电二极管分别连接，而电流通路的另一端与第一结点公共地连接，该第一结点被设为浮置状态；多个读出控制线，以将上述多个读出晶体管的各组的对应的读出晶体管的栅极公共地连接的方式在行方向上延长；多个垂直信号线，在摄像扫描的一个水平消隐期间内的相互独立的期间，输出由上述多个光电二极管中的、在行方向上相邻的两个光电二极管各自光电变换的信号；以及行选择驱动电路，向上述多个读出控制线独立地供给读出信号。
附图说明
图1是根据比较例的固体成像装置的电路图。
图2是用于说明图1的固体成像装置的动作的定时波形图。
图3是示出在图1的固体成像装置中在像素阵列的同一行中配置的光电二极管中存储的信号在同一水平消隐(blanking)期间被读出的样子的定时波形图。
图4是根据本发明的第一实施例的固体成像装置的电路图。
图5是用于说明图4的固体成像装置的动作的定时波形图。
图6是示出图4的固体成像装置中的各像素的信号存储期间的定时波形图。
图7是根据本发明的第二实施例的固体成像装置的电路图。
图8是示出图7的固体成像装置的动作的定时波形图。
具体实施方式
首先，在本发明的实施例的说明之前，对比较例进行说明。图1是根据比较例的固体成像装置的像素阵列的电路图。在美国专利申请公开US 2008/0284882的图1中示出了该固体成像装置。在图1中，11-11、11-12、11-21、11-22、11-31、11-32、11-41、11-42是在像素阵列内矩阵状地配置的光电变换元件即光电二极管，12-11、12-12、12-21、12-22、12-31、12-32、12-41、12-42是各电流通路的一端与各光电二极管连接的读出MOS晶体管。在多个读出MOS晶体管中，在行方向上相邻的两个读出MOS晶体管各自的电流通路的另一端被公共连接。而且，在列方向上分别每隔一个地将在列方向上相邻的两个公共连接结点各自相互连接。例如，两个读出MOS晶体管12-11、12-12的电流通路的另一端公共连接结点13-1与在纸面的上方配置的未图示的两个读出MOS晶体管的电流通路的另一端公共连接结点相互连接。两个读出MOS晶体管12-21、12-22的电流通路的另一端公共连接结点13-2与在列方向上邻接的两个读出MOS晶体管12-31、12-32的电流通路的另一端公共结点13-3相互连接。而且，两个读出MOS晶体管12-41、12-42的电流通路的另一端公共连接结点13-4与在纸面的下方配置的未图示的两个读出MOS晶体管的电流通路的另一端公共结点相互连接。
在多个MOS读出晶体管中，读出MOS晶体管12-11和12-21的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD11公共连接。读出MOS晶体管12-12和12-22的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD12公共连接。读出MOS晶体管12-31和12-41的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD21公共连接。读出MOS晶体管12-32和12-42的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD22公共连接。
在每四个读出MOS晶体管的另一端公共连接结点上，分别连接了多个复位门14各自的电流通路的一端。这些复位门14各自的电流通路的另一端与电源结点连接，并且复位门14各自的栅极与在行方向上延长的多个复位控制线RS中的对应的复位控制线连接。而且，在每四个读出MOS晶体管的另一端公共连接结点上，分别连接了多个放大MOS晶体管15的栅极。这些放大MOS晶体管15各自的电流通路的另一端与电源结点连接，并且放大MOS晶体管15各自的电流通路的另一端在列方向上每隔一个地分别与不同的垂直信号线16-1、16-2交替连接。
另外，在像素阵列内，读出MOS晶体管12、复位门14以及放大MOS晶体管15等构成用于从光电二极管11中读出信号的读出电路。
图2示出用于说明图1的固体成像装置的动作的定时波形图。在使光电二极管阵列的任意行成为非选择状态时，电源结点的电位成为低电平，同时复位门14成为导通状态。由此，每四个读出MOS晶体管的另一端公共连接结点中的电位被降低，栅极与此连接的放大MOS晶体管15被设为截止状态。在从成为选择对象的行的多个光电二极管读出信号时，电源结点的电位成为高电平，同时复位门14成为导通状态。由此，每四个读出MOS晶体管的另一端公共连接结点中的电位上升，栅极与此连接的放大MOS晶体管15成为导通状态。例如，在从光电二极管11-11、11-12读出信号时，首先，在电源结点的电位为高电平(VDD)时，复位控制线RS的电位成为高电平，从而复位门14成为导通状态。由此，放大MOS晶体管15成为导通状态，在之后的时刻t1，垂直信号线16-1被设定成用于从光电二极管11-11读出信号的基准信号电平。在复位控制线RS的电位返回到低电平之后，读出控制线RD11的电位成为高电平，从而读出MOS晶体管12-11成为导通状态。由此，从光电二极管11-11向垂直信号线16-1读出信号，在时刻t2，垂直信号线16-1被设定成与来自光电二极管11-11的读出信号对应的电平。同样地，在时刻t3，垂直信号线16-1被设定成用于从光电二极管11-12读出信号的基准信号电平，在时刻t4，垂直信号线16-1被设定成与来自光电二极管11-12的读出信号对应的电平。
在图1的固体成像装置中，在像素阵列内针对每1个光电二极管配置有1.5个MOS晶体管，所以可以扩大光电二极管在像素内所占的面积。另外，可以使所有放大MOS晶体管15同时动作，而向各个垂直信号线16-1、16-2同时读出信号，所以即使缩小了像素尺寸，也可以抑制饱和电子数的减少。
但是，在图1的固体成像装置中，如下所述，再生图像的图像质量劣化。即，通常在同一水平消隐期间(HBLK期间)从像素阵列读出在像素阵列的同一行中配置的多个光电二极管中存储的信号。但是，如图3的定时波形图所示，在不同的HBLK期间，读出了在同一行中配置的光电二极管中存储的信号中的、不同的列中配置的光电二极管的信号。例如，从同一行且列不同的两个光电二极管11-11、11-12，在相互错开1个HBLK期间的定时读出信号。同样地，从同一行且列不同的两个光电二极管11-21、11-22在相互错开1个HBLK期间的定时读出信号。在对运动中的被摄体进行摄像的情况下，在奇数列中配置的像素与偶数列中配置的像素中信号存储期间不同，所以在再生画面上产生图像的失真。特别在对明亮的被摄体进行摄像的条件下，电子快门动作，而信号存储期间为大约1～几十水平期间时，被摄体边缘的轮廓的偏移变得更加鲜明，而成为更加不自然的画面。
即，在图1的固体成像装置中，可以在像素内扩大光电二极管的面积，在缩小了像素尺寸的微细像素中也可以维持饱和电子数，如果每一列中信号存储期间偏移了一个水平期间，则在对运动的被摄体进行摄像时，产生在被摄体的边缘锯齿状地失真等问题，再生画面的图像质量劣化。
接下来，通过各种实施例对本发明进行说明。另外，在该说明时，在所有图中对共同的部分附加共同的参考标记。
(第一实施例)
图4示出根据本发明的固体成像装置的第一实施例的像素阵列的一部分以及控制电路。在图4中，在像素阵列中示出了相对由在行方向上相邻的两个像素以及在列方向上相邻的两个像素构成的共四个像素配置了一个读出电路的2行×2列的像素排列。11-11、11-12、11-21、11-22是光电变换元件即光电二极管，12-11、12-12、12-21、12-22是各电流通路的一端与各光电二极管连接的读出MOS晶体管。这四个读出MOS晶体管12-11、12-12、12-21、12-22的电流通路的另一端与结点13公共地连接。该结点13被设为浮置状态。
读出MOS晶体管12-11的栅极以及同一行中配置的其他多个像素内的对应的多个读出MOS晶体管的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD11公共连接。读出MOS晶体管12-12的栅极以及同一行中配置的其他多个像素内的对应的多个读出MOS晶体管的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD12公共连接。读出MOS晶体管12-21的栅极以及同一行中配置的其他多个像素内的对应的多个读出MOS晶体管的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD21公共连接。同样地，读出MOS晶体管12-22的栅极以及同一行中配置的其他多个像素内的对应的多个读出MOS晶体管的栅极与在行方向上延长的读出控制线RD22公共连接。读出控制线RD11、RD12、RD21、RD22等是利用从由垂直寄存器电路等构成的行选择驱动电路100输出的信号读出用的行选择信号独立地驱动的。
在上述结点13的各个上，分别连接了多个复位门14各自的电流通路的一端。这些复位门14各自的电流通路的另一端与电源结点连接，并且复位门14各自的栅极以行为单位与在行方向上延长的多个复位控制线RS中的对应的控制线公共地连接。而且，在各结点13上，分别连接了多个放大MOS晶体管15各自的栅极。这些放大MOS晶体管15各自的电流通路的另一端与电源结点连接，并且放大MOS晶体管15各自的电流通路的另一端与在多个垂直信号线16中的对应的信号线连接。在多个垂直信号线16各自的一端与接地电位的结点之间，连接了成为电流源的多个负载MOS晶体管17的每一个。对这些多个负载MOS晶体管17各自的栅极供给恒定的电位V0。另外，在多个垂直信号线16各自的另一端，分别连接了构成列选择电路的两个选择电路18-1、18-2。这两个选择电路18-1、18-2分别在基于信号扫描电路的信号扫描的一个水平消隐期间内被切换选择。而且，两个选择电路18-1、18-2各自经由内置有采样保持电路的相关双采样(Correlated Double Sampling，CDS)电路19-1、19-2与水平读出电路200连接。
图5是用于说明图4的固体成像装置的动作的定时波形图。在水平消隐(HBLK)期间的最初，在电源结点的电位为高电平(VDD)时，复位控制线RS的电位成为高电平，从而复位门14成为导通状态。由此，放大MOS晶体管15成为导通状态，在之后的时刻t1，垂直信号线16被设定成与用于从光电二极管11-11读出信号的基准信号电平。之后，在复位控制线RS的电位返回到低电平之后，读出控制线RD11的电位成为高电平，从而读出MOS晶体管12-11成为导通状态。由此，从光电二极管11-11向垂直信号线16读出信号，在时刻t2，垂直信号线16被设定成与来自光电二极管11-11的读出信号对应的电平。另外，在包括时刻t1与t2的连续的期间，列选择信号COL-SEL1成为高电平，从而选择电路18-1被选择驱动，垂直信号线16的信号被取入CDS电路19-1。
接下来，在相同HBLK期间的电源结点的电位为高电平时，复位控制线RS的电位成为高电平，从而复位门14成为导通状态。由此，放大MOS晶体管15成为导通状态，之后，在时刻t3，垂直信号线16被设定成用于从光电二极管11-12读出信号的基准信号电平。之后，复位控制线RS的电位返回到低电平之后，读出控制线RD12的电位成为高电平，从而读出MOS晶体管12-12成为导通状态。由此，从光电二极管11-12向垂直信号线16读出信号，在时刻t4，垂直信号线16被设定成与来自光电二极管11-12的读出信号对应的电平。另外，在包括时刻t3与t4的连续的期间，列选择信号COL-SEL 2成为高电平，从而选择电路18-2被选择驱动，垂直信号线16的信号被取入CDS电路19-2。
分别在两个CDS电路19-1、19-2中，取得最初取入并保持的基准信号电平与之后取入的读出信号电平的差分，并保持这些差分。在这些动作之后，水平消隐期间结束，在其后接着的水平读出期间，由水平读出电路200依次读出两个CDS电路19-1、19-2各自中保持的一行的信号。
以下，同样地，在包括时刻t5与t6的连续的期间以及包括时刻t7与t8的连续的期间，垂直信号线16中的基准信号电平以及来自光电二极管11-21的读出信号、以及垂直信号线16中的基准信号电平以及来自光电二极管11-22的读出信号被取入不同的两个CDS电路19-1、19-2。而且，在两个CDS电路19-1、19-2的各个中，取入最初取入并保持的基准信号电平与之后取入的读出信号电平的差分，并保持这些差分。在这些动作之后，水平消隐期间结束，在之后接着的水平读出期间，由水平读出电路200依次读出两个CDS电路19-1、19-2的各个中保持的一行的信号。
图6示出图5所示的动作中的各像素的信号存储期间。在本实施例中，一行的光电二极管的信号在一个HBLK期间被分成两次读出。因此，同一行的信号存储期间之差极其微小，即使对运动的被摄体进行摄像，也可以避免在每一列中产生被摄体边缘的轮廓的偏差而成为不自然的再生画面的情况。
例如在具有大约500万像素的CMOS区域传感器中，像素阵列中的行数是2048行，例如在每秒摄像7.5帧的情况下，邻接的行的水平消隐期间相互的间隔是32.6μs。与其相对，在如图5所示的动作例那样，在一个HBLK期间进行两次信号读出的情况下，读出间隔是1.6μs左右。因此，同一行的邻接的两个像素的读出间隔可以缩短至以往的读出间隔的大约1/40左右。
根据上述实施例，由行方向2像素×列方向2像素、共四个光电二极管共用一个读出电路，针对每个光电二极管配置有1.5个MOS晶体管。由此，可以扩大一个光电二极管所占的面积，即使缩小了像素尺寸也可以抑制饱和电子数的减少。
而且，根据本实施例，在共用一个读出电路的四个光电二极管1-11、11-12、11-21、11-22分别对应地连接的读出MOS晶体管12-11、12-12、12-21、12-22的栅极上连接的读出控制线RD11、RD12、RD21、RD22被分别独立地配置，从行选择驱动电路100向读出控制线RD11、RD12、RD21、RD22的各个分别独立地供给行选择信号。由此，可以在不同的期间读出在不同的行中配置的光电二极管的信号。另外，可以在一个水平消隐期间时分地读出同一行中配置的光电二极管的信号。由此，可以解决比较例的固体成像装置中存在的、在对运动的被摄体进行摄像时在再生画面上产生图像失真的问题。
(第二实施例)
在第一实施例的固体成像装置中，示出了如下例子：没有为了行选择而配置行选择MOS晶体管，而通过对电源结点供给脉冲电压来进行行选择动作。即，在将行设为非选择状态时，电源结点的电位成为低电平，同时复位门14成为导通状态。由此，结点13的电位被降低，使放大MOS晶体管15成为截止状态，从而该行成为非选择状态。另外，在将行设为选择状态时，电源结点的电位成为高电平，同时复位门14成为导通状态，结点13的电位上升，放大MOS晶体管15成为导通状态，从而该行成为选择状态。
与其相对，在第二实施例的固体成像装置中，为了进行像素阵列的行选择，如图7所示，针对相对由在行方向上相邻的两个像素以及在列方向上相邻的两个像素构成的共四个像素公共地设置的读出电路的每一个，追加了行选择MOS晶体管20。行选择MOS晶体管20的电流通路的一端与放大MOS晶体管15的电流通路的另一端连接，行选择MOS晶体管20的电流通路的另一端与垂直信号线16连接。行选择MOS晶体管20的栅极以行为单位与在行方向上延长的多个行选择线ROSELi(i＝1、2、3...)中的对应的行选择线公共地连接。多个行选择线ROSELi是利用从由垂直寄存器电路等构成的行选择驱动电路100输出的像素行选择用的行选择信号独立地驱动的。
图8是示出图7的固体成像装置的动作的定时波形图。图8与第一实施例的图5的定时波形图不同的点在于，对电源结点，总是供给高电平(VDD)。即，对与被设为非选择状态的行对应的行选择MOS晶体管20，供给低电平的行选择线ROSELi，行选择MOS晶体管20成为截止状态，对应的行的放大MOS晶体管15从垂直信号线16分离。与其相对，对与被设为选择状态的行对应的行选择MOS晶体管20，供给高电平的行选择线ROSELi，行选择MOS晶体管20成为导通状态，对应的行的放大MOS晶体管15与垂直信号线16连接。
在第二实施例的固体成像装置中，针对每个光电二极管配置了1.75个MOS晶体管，与第一实施例的情况相比，一个光电二极管所占的面积稍微变小。但是，无需对电源结点供给脉冲电压，而总是供给高电平(VDD)即可，所以适合于更高速的动作。
本领域技术人员容易想到本发明的其它优点和改良，因此，本发明不限于本申请文件中示出和描述的具体细节以及代表性实施例。因此，在不背离随附的权利要求书或其等同物所限定的总的发明构思的精神或范围的情况下可以进行各种变更。

Claims (19)

1.一种固体成像装置，其特征在于，包括：
光电二极管阵列，矩阵状地配置有分别进行光电变换的多个光电二极管；
多个读出晶体管，四个设为一组，各组中的每一个读出晶体管分别具有：与在上述光电二极管阵列中在行方向上相邻的两个光电二极管以及在列方向上相邻的两个光电二极管即共四个光电二极管分别连接的电流通路的一端、与被设为浮置状态的第一结点公共地连接的电流通路的另一端、和栅极；
多个读出控制线，以将上述多个读出晶体管中的各组的读出晶体管的栅极公共地连接的方式在行方向上延长，且分别独立地被供给读出信号；以及
多个垂直信号线，在摄像扫描的一个水平消隐期间内的相互独立的期间，输出由上述多个光电二极管中的在行方向上相邻的两个光电二极管各自光电变换的信号。
2.根据权利要求1所述的固体成像装置，其特征在于，还包括：
多个复位门，分别具有：分别与上述第一结点连接的电流通路的一端、以及与电源结点连接的电流通路的另一端、和栅极；以及
多个复位控制线，与上述多个复位门的栅极以行为单位公共地连接，且被分别供给复位信号。
3.根据权利要求2所述的固体成像装置，其特征在于，在从上述四个光电二极管读出上述光电变换的信号之前，向上述多个复位控制线分别供给上述复位信号。
4.根据权利要求2所述的固体成像装置，其特征在于，在从上述四个光电二极管的各个读出上述光电变换的信号之前，与上述复位信号同步地向上述电源结点供给基准电位。
5.根据权利要求1所述的固体成像装置，其特征在于，还包括：
多个放大晶体管，分别具有：与电源结点连接的电流通路的一端、与上述多个垂直信号线分别连接的电流通路的另一端、和与上述第一结点连接的栅极。
6.根据权利要求5所述的固体成像装置，其特征在于，还包括多个列选择电路，该多个列选择电路与上述多个垂直信号线分别连接，且切换选择上述垂直信号线各自的信号而输出两个信号。
7.根据权利要求6所述的固体成像装置，其特征在于，上述多个列选择电路的每一个在摄像扫描的一个水平消隐期间内切换选择上述垂直信号线各自的信号而输出上述两个信号。
8.根据权利要求1所述的固体成像装置，其特征在于，还包括：
多个放大晶体管，分别具有：与电源结点连接的电流通路的一端、电流通路的另一端、和与上述第一结点连接的栅极；
多个行选择晶体管，分别具有：与上述多个放大晶体管各自的电流通路的另一端连接的电流通路的一端、与上述多个垂直信号线分别连接的电流通路的另一端、和栅极；以及
多个行选择线，与上述多个行选择晶体管的栅极以行为单位公共地连接，且被分别供给行选择信号。
9.根据权利要求8所述的固体成像装置，其特征在于，上述电源结点总是被供给恒定的电源电位。
10.一种固体成像装置，其特征在于，包括：
光电二极管阵列，矩阵状地配置有分别进行光电变换的多个光电二极管；
多个读出晶体管，四个设为一组，各组中的每一个读出晶体管分别具有：与在上述光电二极管阵列中在行方向上相邻的两个光电二极管以及在列方向上相邻的两个光电二极管即共四个光电二极管分别连接的电流通路的一端、与被设为浮置状态的第一结点公共地连接的电流通路的另一端、和栅极；
多个读出控制线，以将上述多个读出晶体管中的各组的读出晶体管的栅极公共地连接的方式在行方向上延长；
多个垂直信号线，在摄像扫描的一个水平消隐期间内的相互独立的期间，输出由上述多个光电二极管中的在行方向上相邻的两个光电二极管各自光电变换的信号；以及
行选择驱动电路，向上述多个读出控制线独立地供给读出信号。
11.根据权利要求10所述的固体成像装置，其特征在于，还包括：
多个复位门，分别具有：与上述第一结点分别连接的电流通路的一端、与电源结点连接的电流通路的另一端、和栅极；以及
多个复位控制线，与上述多个复位门的栅极以行为单位公共地连接，且被分别供给复位信号。
12.根据权利要求11所述的固体成像装置，其特征在于，在从上述四个光电二极管的每一个读出上述光电变换的信号之前，向上述多个复位控制线的每一个供给上述复位信号。
13.根据权利要求11所述的固体成像装置，其特征在于，在从上述四个光电二极管读出上述光电变换的信号之前，与上述复位信号同步地向上述电源结点供给基准电位。
14.根据权利要求10所述的固体成像装置，其特征在于，还包括多个放大晶体管，该多个放大晶体管分别具有：与电源结点连接的电流通路的一端、与上述多个垂直信号线分别连接的电流通路的另一端、和与上述第一结点连接的栅极。
15.根据权利要求14所述的固体成像装置，其特征在于，还包括多个列选择电路，该多个列选择电路与上述多个垂直信号线分别连接，且切换选择上述垂直信号线各自的信号而输出两个信号。
16.根据权利要求15所述的固体成像装置，其特征在于，上述多个列选择电路的每一个在摄像扫描的一个水平消隐期间内切换选择上述垂直信号线各自的信号而输出上述两个信号。
17.根据权利要求10所述的固体成像装置，其特征在于，还包括：
多个放大晶体管，分别具有：与电源结点连接的电流通路的一端、电流通路的另一端、和与上述第一结点连接的栅极；
多个行选择晶体管，分别具有：与上述多个放大晶体管各自的电流通路的另一端连接的电流通路的一端、与上述多个垂直信号线分别连接的电流通路的另一端、和栅极；以及
多个行选择线，与上述多个行选择晶体管的栅极以行为单位公共地连接，且被分别供给行选择信号。
18.根据权利要求17所述的固体成像装置，其特征在于，上述电源结点总是被供给恒定的电源电位。
19.根据权利要求17所述的固体成像装置，其特征在于，上述行选择信号是从上述行选择驱动电路输出的。
CN200910160728XA 2008-07-18 2009-07-17 固体成像装置 Expired - Fee Related CN101631206B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008187190 2008-07-18
JP2008187190A JP5058090B2 (ja) 2008-07-18 2008-07-18 固体撮像装置
JP2008-187190 2008-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101631206A CN101631206A (zh) 2010-01-20
CN101631206B true CN101631206B (zh) 2012-05-30

Family

ID=41529525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910160728XA Expired - Fee Related CN101631206B (zh) 2008-07-18 2009-07-17 固体成像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8319873B2 (zh)
JP (1) JP5058090B2 (zh)
CN (1) CN101631206B (zh)
TW (1) TWI396278B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI463869B (zh) * 2010-11-12 2014-12-01 Himax Imagimg Inc 感測畫素陣列及感測裝置
JP5755111B2 (ja) * 2011-11-14 2015-07-29 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法
KR102170627B1 (ko) * 2014-01-08 2020-10-27 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP6631887B2 (ja) * 2015-01-28 2020-01-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置およびカメラ
CN107534744A (zh) * 2015-09-30 2018-01-02 奥林巴斯株式会社 摄像元件和内窥镜
CN110378320A (zh) * 2019-08-07 2019-10-25 华泰证券股份有限公司 多个信号的共同周期确定方法、装置和可读存储介质

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6107655A (en) * 1997-08-15 2000-08-22 Eastman Kodak Company Active pixel image sensor with shared amplifier read-out
US6977684B1 (en) * 1998-04-30 2005-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus
JP3854720B2 (ja) * 1998-05-20 2006-12-06 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US6956605B1 (en) * 1998-08-05 2005-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
JP3697073B2 (ja) * 1998-08-05 2005-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP4248256B2 (ja) 2003-01-07 2009-04-02 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP3916612B2 (ja) * 2003-02-13 2007-05-16 松下電器産業株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及びそれを用いたカメラ
EP1594312A4 (en) 2003-02-13 2006-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd SOLID STATE VIEWING DEVICE, ASSOCIATED CONTROL METHOD, AND CAMERA USING THE DEVICE
US7989749B2 (en) * 2007-10-05 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing shared pixel architecture
US7619197B2 (en) * 2008-02-04 2009-11-17 Carestream Health, Inc. Digital radiographic imaging apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP5058090B2 (ja) 2012-10-24
US8319873B2 (en) 2012-11-27
US20100012993A1 (en) 2010-01-21
CN101631206A (zh) 2010-01-20
TWI396278B (zh) 2013-05-11
JP2010028434A (ja) 2010-02-04
TW201012211A (en) 2010-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214491B2 (en) Solid-state imaging apparatus for causing an FD capacitor value to be variable without increasing a number of elements
US10554920B2 (en) Image processing apparatus, image processing method and manufacturing apparatus
KR102117136B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및, 전자기기
JP6246004B2 (ja) 固体撮像装置
JP4500862B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP4611215B2 (ja) 広いダイナミックレンジを有するｃｍｏｓイメージセンサの単位画素とそれを含むｃｍｏｓイメージセンサ
JP4818018B2 (ja) 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
US8253836B2 (en) Solid-state imaging device, imaging device and driving method of solid-state imaging device
JP4792934B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
CN101631206B (zh) 固体成像装置
CN101316329B (zh) 固态图像获取设备及电子信息装置
US20050224842A1 (en) Solid-state imaging device, method for driving dolid-state imaging device, imaging method, and imager
CN102164252B (zh) 固态图像拾取设备及其驱动方法
JP2014064240A (ja) 撮像装置、撮像装置の駆動方法、および撮像システム。
JP2000324397A (ja) 固体撮像素子
JP2773787B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法と固体撮像装置
JP2008270995A (ja) 固体撮像装置
JP5460342B2 (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法
JP2011139350A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2721603B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法と固体撮像装置
WO2017085848A1 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
US8184185B2 (en) Solid-state imaging apparatus
JP2001197378A (ja) 固体撮像素子
JP2809903B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法と固体撮像装置
JP2015180005A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120530

Termination date: 20160717

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee