CN101621021B - 基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备 - Google Patents

基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101621021B
CN101621021B CN200910151373.8A CN200910151373A CN101621021B CN 101621021 B CN101621021 B CN 101621021B CN 200910151373 A CN200910151373 A CN 200910151373A CN 101621021 B CN101621021 B CN 101621021B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pedestal
substrate
support frame
projection
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200910151373.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101621021A (zh
Inventor
朴锡珠
黄成龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jusung Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jusung Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Engineering Co Ltd filed Critical Jusung Engineering Co Ltd
Publication of CN101621021A publication Critical patent/CN101621021A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101621021B publication Critical patent/CN101621021B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明是用以将基板承载至腔室的基座上或将其从该处卸载的基板支撑框架，其中基板支撑框架设置于基座上方，该框架包括：一本体，支撑该基板的一边缘部分；一第一开口部，穿过该本体的一中心部分，并对应到该基座的一中心部分；数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及数个第一凹陷部分，每个第一凹陷部分对应到所述凸出部分的相邻两个第一凸出部分之间的一空间，其中，所述第一凸出部分的每一个对应到该基座上的一第二凹陷部分，且所述第一凹陷部分的每一个对应到该基座上的一第二凸出部分。

Description

基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备
【交叉参考的相关申请案】
本案对申请于2008年7月2日的韩国专利申请案第2008-0064016号主张优先权，该韩国专利申请案在此并入作为参考，如同将其完整描述于本说明书中。
【技术领域】
本发明涉及一种基板处理设备，特别是涉及支撑基板用的基板支撑框架，以及包括该框架的基板处理设备及使用该框架来承载及卸载基板的方法。
【背景技术】
因应化石燃料的耗尽及防止环境污染，焦点已聚集在如太阳能的洁净能源。特别是，用以将太阳能转换成电能的太阳能电池已迅速发展。
在太阳能电池中，其可以是硅晶圆或玻璃基板上的PN(正负型)接合二极管或PIN(正型-本质-负型)二极管的非结晶硅薄膜，受太阳能激发的少数载子会扩散穿过PN接合面，且电动势会由PN接合二极管的两端的压差产生。
用以形成抗反射层及P(正型)与N(负型)半导体层之一或P(正型)、I(本质)及N(负型)非结晶硅薄膜之一的工艺，以及用以蚀刻所述层或薄膜而形成预先决定的图形的工艺，皆为形成太阳能电池所需。
图1绘示用以将薄膜沉积在基板上的传统基板处理设备。近来，太阳能电池的基板尺寸已逐渐增大来改善产率。用以在太阳能电池的大尺寸基板上沉积薄膜用的基板处理设备具有如图1所示的元件。
在图1中，基板处理设备10包括腔室11、基座12、上电极15、气体分配板14、气体供应管16及排气孔18。基座12是设置于由腔室11所定义的内部空间，且基板S承载在基座12上。此外，基座12作为上电极15的对应电极。上电极15是设置于基座12的上方，并连接至RF(无线射频)电源17。气体分配板14是设置于基座12与上电极15之间，并具有数个注入孔。气体分配板14可与上电极15结合而固定于腔室11。用以将来源材料供应进入气体分配板14的气体供应管16贯穿上电极15的一部分，且腔室11中的剩余气体经由设置于腔室11的底部部分的排气孔18而排出。
依从基座12的中心部分下向延伸的基座支撑部12a的运动，基座12可上、下移动。
升降销13贯穿基座12，并用以将基板S承载至基座12上或将基板从该处卸载。基座12往下移动，以使升降销13从基座12凸出，而基板S输送进入腔室11。接着，基板S是置于升降销13上，且基座12往上移动，将基板S承载在基座12上。
相反地，在完成一处理后，基座12往下移动，以使升降销13将基板S从基座12上推。因此，基板S从基座12卸载。
然而，传统基板处理设备具有某些缺点。一般而言，升降销由陶瓷材料形成。升降销在承载及卸载基板期间作为基板的支撑部。当升降销支撑基板并相对于基板而倾斜时，升降销受到基板的承载而会发生如升降销的断裂。
特别是，太阳能的基板厚于半导体的基板。一般而言，因为太阳能基板具有数厘米以上的厚度，其具有相对较大的重量。当升降销所支撑的基板具有相对较大的重量时，升降销的断裂会较频繁发生。因升降销断裂之故，设备需离线以便更换或修复升降销，产量便会下降。
升降销断裂的问题并不限于用以处理太阳能基板的设备。升降销断裂会发生在用以处理用于其他目的的基板的设备。
【发明内容】
本发明提供基板支撑框架及包括该框架的基板处理设备，其消除了因相关技艺的限制及缺点所产生的一或多个问题。
本发明的其他特征及优点可于下述说明，且部分地由以下说明而能更加了解，或能由实施本发明而获知。本发明的目的及其他优点将会从以下说明的清楚揭露及其权利要求与附图中得知并实现。
为了达到上述目的，本发明提供一种基板支撑框架，用以将一基板承载至一腔室中的一基座上，或将其从该处卸载，其中，该基板支撑框架是设置于该基座上方，该基板支撑框架包含：
一本体，支撑该基板的一边缘部分；
一第一开口部，穿过该本体的一中心部分，并对应到该基座的一中心部分；
数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及
数个第一凹陷部分，每个第一凹陷部分对应到所述数个第一凸出部分中的相邻两个第一凸出部分之间的一空间，
其中，所述第一凸出部分的每一个对应到该基座上的一第二凹陷部分，且所述第一凹陷部分的每一个对应到该基座上的一第二凸出部分。
本发明还提供一种基板处理设备，包含：
一腔室，具有一内部空间；
一基板支撑框架，包括：一本体；一第一开口部，穿过该本体；数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及数个第一凹陷部分，每个第一凹陷部分对应到所述数个第一凸出部分中的相邻两个第一凸出部分之间的一空间；及
一基座，是位于该腔室的内部空间，并能上、下移动，该基座是位于该基板支撑框架的下方，并包括数个第二凸出部分及数个第二凹陷部分，所述第二凸出部分对应到所述第一凹陷部分，而所述第二凹陷部分对应到所述第一凸出部分，其中，所述第二凹陷部分的每一个对应到所述第二凸出部分中的相邻两个第二凸出部分之间的一空间。
如在此广泛叙述及所提及的实施例，为了实现本发明此等及其他优点，并依据其目的，用以将基板承载至腔室的基座上或将其从该处卸载的基板支撑框架，其中基板支撑框架设置于基座上方，该框架包括：一本体，支撑该基板的一边缘部分；一第一开口部，穿过该本体的一中心部分，并对应到该基座的一中心部分；数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及数个第一凹陷部分，每个第一凹陷部分对应到所述数个第一凸出部分中的相邻两个第一凸出部分之间的一空间，其中，所述第一凸出部分的每一个对应到该基座上的一第二凹陷部分，且所述第一凹陷部分的每一个对应到该基座上的一第二凸出部分。
在另一实施态样中，基板处理设备包括：一腔室，具有一内部空间；一基板支撑框架，包括：一本体；一第一开口部，穿过该本体；数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及数个第一凹陷部分，每个第一凹陷部分对应到所述第一凸出部分中的相邻两个第一凸出部分之间的一空间；及一基座，位于该腔室的内部空间，并能上、下移动，该基座是位于该基板支撑框架的下方，并包括数个第二凸出部分及数个第二凹陷部分，所述第二凸出部分对应到所述第一凹陷部分，而所述第二凹陷部分对应到所述第一凸出部分，其中，所述第二凹陷部分的每一个对应到所述第二凸出部分中的相邻两个第二凸出部分之间的一空间。
应了解到，前述一般性的说明及以下详细说明是例示性、解释性质的，其欲提供本发明的更详细说明。
【附图说明】
附图为本发明提供更详细的说明，在并入本说明书之后，成为本说明书的一部分，其并绘示本发明的实施例，连同发明说明而可解释本发明的要旨。
图1是传统基板处理设备的横剖面图。
图2是根据本发明的实施例的基板处理设备的横剖面图。
图3是根据本发明的实施例的基板支撑框架的立体图。
图4是根据本发明的实施例的基板支撑框架的平面图。
图5是根据本发明的实施例的基板支撑框架的立体图。
图6是根据本发明的实施例的基板支撑框架及框架支撑部的立体图。
图7是根据本发明的实施例的基板支撑框架的平面图。
图8A至图8D是分别为根据本发明的实施例的基板支撑框架的凸出部分的平面图。
10   基板处理设备                 16   气体供应管
11   腔室                         17   电源
12   基座                         18   排气孔
12a  基座支撑部                   100  基板处理设备
13   升降销                       110  腔室
14   气体分配板                   112  排气孔
15   上电极                       120  基座
122  第一外部部分                 264a 第一凹陷部分
124  第二外部部分                 264b 第二凹陷部分
126  强化部分                     S    基板
130  基板支撑框架                 W    宽度
131  本体
132  边缘部分
133  支脚
135  第一开口部
136  第二开口部
138  沟槽
140  框架支撑部
150  气体分配板
152  注入孔
160  上电极
170  气体供应管
180  电源
200  机器人
210  机械臂
220  基座
221  中心部分
222  第一外部部分
224  第二外部部分
230  基板支撑框架
231  本体
235  第一开口部
236  第二开口部
240  框架支撑部
254  倾斜侧部分
262a 第一凸出部分
262b 第二凸出部分
【具体实施方式】
参照较佳实施例而详述本发明，较佳实施例的范例是绘示于附图中。
图2是根据本发明的实施例而绘示基板处理设备的横剖面图，而图3是根据本发明的实施例而绘示基板支撑框架的立体图。图4是根据本发明的实施例而绘示基板支撑框架的平面图，而图5是根据本发明的实施例而绘示基板支撑框架的立体图。
基板处理设备100包括腔室110、基座120、上电极160、气体分配板150、气体供应管170及排气孔112。基座120是设置于由腔室110所定义的内部空间中，而基板S是承载在基座120上。此外，基座120作为上电极160的对应电极。上电极160是设置于基座120上方，并连接至RF(无线射频)电源180。气体分配板150是设置于基座120与上电极160之间，并具有数个注入孔152。气体分配板150可与上电极160结合而固定到腔室110。将来源材料供应进入气体分配板150的气体供应管170贯穿上电极160的一部分，而腔室110中的所剩气体是经由设置于腔室110的底部表面的排气孔112排出。
此外，基板处理设备100包括位于基座120上或其上方的基板支撑框架130。升降销13(图1)在承载及卸载期间支撑基板，而在本发明中，基板支撑框架130支撑基板S。另一方面，基板处理设备100不仅可包括基板支撑框架130，更可包括升降销，以在承载及卸载基板S期间支撑基板S。
参考图2及图3，基板支撑框架130包括本体131，以及第一及第二开口部135及136。基板S的边缘部分是由本体131所支撑。第一开口部135是形成在本体131的前侧表面上，而第二开口部136是形成在本体131的侧表面。本体131具有对应到基板S的形状。当基板S为晶圆时，本体131具有圆形形状。当基板S为玻璃基板时，本体131具有矩形形状。图3绘示本体131具有矩形形状。当基座120往上移动时，基座120的上表面穿过第一开口部135而接触基板S的底部表面，以将基板S上推。据此，第一开口部135的形状是取决于基座120的上表面的形状。基板S由机器人运送穿过第二开口部136而接触本体，并由本体支撑。在图3中，使机器人输入/输出的第二开口部136是形成在本体131的侧表面的整个区域上。或者，在图5中，开口部135被本体131包围。亦即，本体131包括四个侧壁，而没有第二开口部136(图3)。侧壁上形成有沟槽138。基板由机器人200经过沟槽138而输送进入开口部135。沟槽138的数量是取决于机器人200的机械臂210数量。在承载及卸载期间，机器人200必须稍微地向上或向下移动。据此，沟槽138的深度是取决于机器人200的运动。
基板支撑框架130是位于使第二开口部136对应到位于腔室110的侧壁的基板进/出埠(未绘示)的位置。本体131可具有边缘部分132，该边缘部分从本体的上表面凹陷，以有效地支撑基板S。亦即，边缘部分132的上表面具有比本体131较低的高度。本体131的上表面延伸并倾斜至边缘部分132。在此情况下，基板不接触本体131的上表面，而接触边缘部分132的上表面。当本体131具有平坦的上表面而不具有边缘部分132时，基板S会从本体131分离或摇动。因为基板S接触本体131的边缘部分132且受其支撑，可避免前述问题。此外，基板支撑框架130具有支脚133，该支脚从基板支撑框架130的底部表面凸出，并接触基座120的一部分。支脚133可以是跟着本体131而连续延伸的。另一方面，数个支脚133可彼此隔开而形成。亦可省略支脚133。
基板支撑框架130可由阳极处理铝(Al)形成，且其具有数个优点。铝具有对处理气体的化学容受性。此外，基板支撑框架130与作为上电极160的对应电极的基座电性隔离，以防止等离子体密度呈不均匀状态。
框架支撑部140是形成在腔室110的内侧壁。框架支撑部140作为基板支撑框架130的支撑部。据此，只要框架支撑部140支撑基板支撑框架130，且不阻碍基座120的运动，并不限制框架支撑部140的形状或数量。如图4所示，基板支撑框架130的各侧形成有一个框架支撑部140。或者，框架支撑部可以形成在基板支撑框架的相对二侧。在此情况下，两个框架支撑部可形成在基板支撑框架的相对二侧的每一侧。
参考图4，图4绘示设置在基板支撑框架的边缘部分上的基板，基板S与基板支撑框架130的边缘部分132接触了宽度W。宽度W可以是约3毫米(mm)至约10mm。当宽度太狭窄时，基板S可能会有不稳定的位置。相反而言，当宽度太宽时，因为基板支撑框架130与基座120(图2)之间的温度差异，便会发生如在边缘部分的非均匀涂布厚度的问题。其是因加热器(未绘示)设置于基座120以加热基板S之故。
在图4中，边缘部分132的上表面与本体131的上表面之间的一个部分为对该两表面呈倾斜状。将基板S对准到基板支撑框架130上具有其优点。另一方面，边缘部分132的上表面与本体131的下表面之间的一个部分为对该两表面呈垂直状。避免薄膜形成在基板S的侧表面有其优点。
当基座120往上移动时，基座120的上表面穿过第一开口部135而接触基板S的底部表面，以将基板S上推到处理位置。因为基板S的背侧表面应该与基座120的上表面完整接触，进而执行期望的处理，基座120的上表面便具有不平均的形状。基座120的中心部分接触基板S的底部部分，基座120的第一外部部分122接触边缘部分132的底部表面，且基座120的第二外部部分124接触支脚133的底部表面。
基座120可包括强化部分126。强化部分126可由陶瓷材料形成。当基座120接触基板支撑框架130的支脚133时，基座120的一部分或支脚133的阳极处理膜可能会损耗，使基板支撑框架130与基座120之间电性隔离受到破坏。具有抗磨耗属性的材料(如陶瓷)的强化部分126能避免此问题。强化部分126是设置于基座120中或基座120上。在任何情况下，当支脚133接触强化部分126时，基座120应该接触基板S。
当强化部分126不从第二外部部分124的上表面凸出时，支脚133的厚度是等于第一及第二外部部分122及124之间的高度差。另一方面，当强化部分126从第二外部部分124的上表面凸出时，支脚133与强化部分126的厚度总和是等于第一及第二外部部分122及124之间的高度差。若未形成支脚133，基座120便不具有第二外部部分124。
在此，基板的承载及卸载处理以图2至图5来说明。在基板S未输入进入腔室110之前，基板支撑框架130是设置于基座120上方，并由位于腔室110侧壁的框架支撑部140所支撑。基板S借由机器人(未绘示)穿过基板进/出埠(未绘示)而输送进入腔室110，并穿过基板支撑框架130的第二开口部136而置在基板支撑框架130的第一开口部135上方。接着，机器人(未绘示)往下移动，使基板S置于基板支撑框架130的边缘部分132上。当机器人(未绘示)消失之后，腔室110的内部空间借由真空泵(未绘示)透过排气孔112而形成真空。基座120往上移动到处理位置。亦即，基座120的中心部分穿过基板支撑框架130的第一开口部135而接触基板S的底部表面，并将基板S连同基板支撑框架130上推。此称作承载处理。当基板S置于处理位置时，将来源材料经由气体分配板150喷涂在基板S上，而上电极160从RF电源180取得电力。因此，作为活化自由基与离子的混合物的等离子体便可产生，使薄膜沉积到基板S上。
在薄膜形成工艺完成之后，基座120往下移动。当基座120移动时，基板支撑框架130的本体131会由框架支撑部140所悬挂，以使基板支撑框架130及基板S从基座120分离。
即使基板S因静电而紧密粘合在基座120上，当基板从基座120分离时，因为基板S有足够厚度，基板S不会受损。
当基座120往下移动到初始位置时，机器人(未绘示)便进入腔室而到达基板S下方。接着，基板S被机器人(未绘示)上推而与基板支撑框架130分离，并从腔室110输出。此称作卸载处理。
在图2至图5所示的基板支撑框架及基板处理设备中，基板S与基板支撑框架130的边缘部分132接触了W宽度，该宽度是在约3mm至约10mm之内，基板S的边缘并不直接接触基座120。从基座120到基板S边缘的热传导会传递经过基板支撑框架130，致使在接触基板支撑框架130的基板S边缘与接触基座120的基板S中心具有温度差。此温度差可以是在约摄氏5至10度之内，使沉积率亦具有差异。因此，基板S上的薄膜的均匀性便会劣化。
为了解决这些问题，图6至图8D说明基板支撑框架及基板处理设备。图6是根据本发明的实施例而绘示基板支撑框架及框架支撑部的立体图，而图7是根据本发明的实施例而绘示基板支撑框架的平面图。图8A至图8D分别根据本发明的实施例而绘示基板支撑框架的凸起部分的平面图。其差异仅在于基板支撑框架的第一凸出部分及第一凹陷部分与基座的第二凸出部分与第二凹陷部分之间。
基板支撑框架230包括本体231，以及第一及第二开口部235及236。基板S的边缘部分是由本体231所支撑。第一开口部235是形成在本体231的前侧表面上，而第二开口部236是形成在本体231的侧表面。本体231具有与基板S相对应的形状。当基板S为晶圆时，本体231具有圆形形状。当基板S为玻璃基板时，本体231具有矩形形状。图6绘示本体231具有矩形形状。数个第一凸出部分262a是形成在本体231的侧表面上。在相邻的第一凸出部分262a之间的空间是定义为第一凹陷部分264a。亦即，在本体231的侧表面上，第一凸出部分262a及第一凹陷部分264a是交替形成。第二开口部236是形成于本体231的一侧表面，而第一凸出部分262a及凹陷部分264a是形成于本体231的其他侧表面。倾斜侧部分254是设置于本体231的上表面与本体231的其他侧表面之间。第一凸出部分262a从倾斜侧部分254延伸。因倾斜侧部分254之故，能够有效防止基板S在处理期间的运动。各第一凸出部分262a的距离本体231侧表面的宽度可以是在约3至10mm的范围之内。各第一凸出部分262a的沿着本体231侧表面的长度可以是在约5至20mm的范围之内。
基座220包括中心部分221、第一外部部分222及第二外部部分224。第一外部部分222是位于中心部分221与第二外部部分224之间。基座220具有阶梯形状。中心部分221是对应到基板支撑框架230的第一开口部235，并由第一开口部曝露出，而本体231是对应到基座220的第一及第二外部部分222及224。基座220的中心部分221包括第二凸出部分262b及第二凹陷部分264b。第二凸出部分262b是对应到第一凹陷部分264a，而第二凹陷部分264b是对应到第一凸出部分262a。亦即，第一凸出部分262a具有与第二凹陷部分264b相同的形状，而第二凸出部分262b具有与第一凹陷部分264a相同的形状。此外，第一凸出部分262a可以具有与第二凸出部分262b相同的形状。据此，当基板支撑框架230是直接设置在基座220上时，第一凸出部分262a及第二凸出部分262b会分别插入第二凹陷部分264b及第一凹陷部分264a之中，以获得一平坦顶部表面。第一凸出部分262a的厚度可等于第二凹陷部分264b的深度，而第二凸出部分262b的厚度可等于第一凹陷部分264a的深度。举例而言，第一凸出部分262a的厚度可等于第二凸出部分262b的厚度。第一凸出部分262a的底部表面接触基座220的第一外部部分222。
当置有基板S的基板支撑框架230往下移动而被设置在基座220上时，以使基板S的温度差异最小化的方式，基板S的边缘接触基板支撑框架230的第一凸出部分262a及基座220的第二凸出部分262b。因此，能改进基板S上的薄膜的均匀性。
虽未绘示，基板支撑框架的第一凹陷部分可延伸至本体231侧表面的一部分，且基座的第二凸出部分亦可延伸而具有与第一凹陷部分相同的尺寸。在此情况下，基板S的温度差异能更进一步最小化。
参考图7，框架支撑部240是形成在腔室110(图2)的内侧壁。框架支撑部240作为基板支撑框架230的支撑部。如图7所示，一个框架支撑部240形成在基板支撑框架230的各侧。或者，框架支撑部可形成在基板支撑框架的相对二侧。在此情况下，两个框架支撑部可形成在基板支撑框架的相对二侧的每一侧。
参考图8A至图8D，其绘示基板支撑框架的数个第一凸出部分，第一凸出部分262a及第二凸出部分262b具有矩形、梯形、三角形、半圆形等中的一种形状。
本技术领域中具有通常知识的技术人员将了解到：在不背离本发明的精神与范畴的情况下，可将具有边缘框架的设备进行各式修改及变化。因此，若对本发明的修改与变化落入权利要求及其均等物的范围中，本发明欲涵盖该修改与变化。

Claims (14)

1.一种基板支撑框架，用以将一基板承载至一腔室中的一基座上，或将其从该处卸载，其中，该基板支撑框架是设置于该基座上方，该基板支撑框架包含：
一本体，支撑该基板的一边缘部分；
一第一开口部，穿过该本体的一中心部分，并对应到该基座的一中心部分；
数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及
数个第一凹陷部分，每一个第一凹陷部分对应到所述数个第一凸出部分中的相邻两个第一凸出部分之间的一空间，
其中，所述第一凸出部分的每一个对应到该基座上的一第二凹陷部分，且所述第一凹陷部分的每一个对应到该基座上的一第二凸出部分。
2.如权利要求1所述的基板支撑框架，其特征在于：该本体包括从该本体凸出而进入该第一开口部的一倾斜侧部分，且其中，所述第一凸出部分从该倾斜侧部分延伸。
3.如权利要求1所述的基板支撑框架，其特征在于：还包含对应到该本体的一侧的一第二开口部，其中，该基板是设置于该本体上，并穿过该第二开口部，以重叠该基座的中心部分。
4.如权利要求2所述的基板支撑框架，其特征在于：该第二开口部包括至少一沟槽，该至少一沟槽是位于该本体的一侧壁。
5.如权利要求1所述的基板支撑框架，其特征在于：第一凸出部分及第二凸出部分各自具有矩形、梯形、三角形及半圆形中的一种形状。
6.一种基板处理设备，包含：
一腔室，具有一内部空间；
一基板支撑框架，包括：一本体；一第一开口部，穿过该本体；数个第一凸出部分，从该本体的一侧延伸至该第一开口部；及数个第一凹陷部分，每个第一凹陷部分对应到所述数个第一凸出部分中的相邻两个第一凸出部分之间的一空间；及
一基座，位于该腔室的内部空间，并能上、下移动，该基座是位于该基板支撑框架的下方，并包括数个第二凸出部分及数个第二凹陷部分，第二凸出部分对应到所述第一凹陷部分，而第二凹陷部分对应到所述第一凸出部分，其中，所述第二凹陷部分的每一个对应到所述第二凸出部分中的相邻两个第二凸出部分之间的一空间。
7.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：所述第一凸出部分的厚度等于所述第二凹陷部分的深度，且所述第二凸出部分的厚度等于所述第一凹陷部分的深度。
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其特征在于：所述第一凸出部分的该厚度等于所述第二凸出部分的该厚度。
9.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：该基板支撑框架还包括一第二开口部，该第二开口部是位于该本体的一侧，且其中，一基板经过该第二开口部而被传输到该基板支撑框架上。
10.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：该基座包括：一中心部分，对应到该基板支撑框架的第一开口部；一第一外部部分，围绕该基座的中心部分，且其距离该基座的一底部表面的高度是小于该基座的中心部分的高度，其中，所述第一凸出部分的一底部表面接触该基座的第一外部部分。
11.如权利要求10所述的基板处理设备，其特征在于：基板支撑框架还包括一支脚，该支脚从该本体延伸进入该基座，且该基座还包括一第二外部部分，以使该第一外部部分设置于该基座的中心部分与该第二外部部分之间，其中，当该基座往上移动时，该支脚接触该第二外部部分。
12.如权利要求11所述的基板处理设备，其特征在于：还包含一对应图形部，该对应图形部接触该第二外部部分，并对应到该支脚，以使该基座与包括该支脚的该基板支撑框架电性隔离。
13.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：还包含一框架支撑部，该框架支撑部是位于该腔室的一内侧壁，以将该基板支撑框架支撑在该基座上方。
14.如权利要求6所述的基板处理设备，其特征在于：该第一凸出部分具有与该第二凸出部分相同的形状。
CN200910151373.8A 2008-07-02 2009-07-02 基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备 Active CN101621021B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0064016 2008-07-02
KR1020080064016A KR101465766B1 (ko) 2008-07-02 2008-07-02 기판지지프레임을 가지는 기판처리장치
KR1020080064016 2008-07-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101621021A CN101621021A (zh) 2010-01-06
CN101621021B true CN101621021B (zh) 2014-01-29

Family

ID=41514177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910151373.8A Active CN101621021B (zh) 2008-07-02 2009-07-02 基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101465766B1 (zh)
CN (1) CN101621021B (zh)
TW (1) TWI496239B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248929B1 (ko) * 2006-08-25 2013-03-29 주성엔지니어링(주) 기판지지부재를 포함하는 기판처리장치
CN102263051A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 桦塑企业股份有限公司 晶片承载装置
KR101247160B1 (ko) * 2010-10-18 2013-03-25 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치
US20120171002A1 (en) * 2011-01-05 2012-07-05 Electro Scientific Industries, Inc Apparatus and method for transferring a substrate
KR101296313B1 (ko) * 2011-02-10 2013-08-14 주성엔지니어링(주) 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치
KR101292817B1 (ko) * 2011-07-25 2013-08-02 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR101885276B1 (ko) * 2013-04-15 2018-09-11 주식회사 원익아이피에스 플립챔버 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템
KR101885273B1 (ko) * 2013-04-15 2018-08-03 주식회사 원익아이피에스 플립챔버 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템
KR101856689B1 (ko) * 2017-10-23 2018-05-14 주식회사 기가레인 승강하는 유도부를 포함하는 기판 처리 장치
KR101987576B1 (ko) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 승강하는 유도부와 연동하는 연동부를 포함하는 기판 처리 장치
KR102080671B1 (ko) * 2019-05-17 2020-02-25 (주)이엠아이티 회전형 tem 시료 부착장치 및 그를 이용한 시료 가공방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030122238A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-03 Chung-Ju Wu Integrated circuit package capable of improving signal quality
CN1648725A (zh) * 2004-01-20 2005-08-03 周星工程股份有限公司 有线基板支撑构件和使用此构件的设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175162A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
JP2963275B2 (ja) * 1992-05-15 1999-10-18 ローム株式会社 棒状基板における電極膜の焼成用マガジンの構造
JP3909888B2 (ja) * 1996-04-17 2007-04-25 キヤノンアネルバ株式会社 トレイ搬送式インライン成膜装置
JP4470274B2 (ja) * 2000-04-26 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100971369B1 (ko) * 2003-10-31 2010-07-20 주성엔지니어링(주) 기판트레이를 포함하는 엘씨디 제조장치 및 이를 이용한기판의 로딩 또는 언로딩 방법
KR100550806B1 (ko) * 2003-10-31 2006-02-10 권혁종 미끄럼 방지용 커버 및 그 제조장치
JP2006080445A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Bridgestone Corp ウェハボート用ウェハホルダ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030122238A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-03 Chung-Ju Wu Integrated circuit package capable of improving signal quality
CN1648725A (zh) * 2004-01-20 2005-08-03 周星工程股份有限公司 有线基板支撑构件和使用此构件的设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201009999A (en) 2010-03-01
KR101465766B1 (ko) 2014-12-01
TWI496239B (zh) 2015-08-11
CN101621021A (zh) 2010-01-06
KR20100003947A (ko) 2010-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101621021B (zh) 基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备
CN101622703B (zh) 基板支持框架及基板处理设备和以此设备装卸基板的方法
KR101088289B1 (ko) 탑재대, 처리 장치 및 처리 시스템
CN102498558B (zh) 将基板放置在处理腔室中的设备和让处理腔室中的基板朝向中心的方法
TWI405261B (zh) 乾蝕刻設備
CN102017122B (zh) 低轮廓性的工艺套组
US20060005771A1 (en) Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
KR20020008780A (ko) 기판을 디처킹하기 위한 방법 및 장치
US20100000684A1 (en) Dry etching apparatus
CN108666232B (zh) 基板处理系统、基板翻转装置和方法
JP2012230900A (ja) 真空処理装置用の接地アセンブリ
KR20080050304A (ko) 표면 텍스쳐링을 구비한 플라즈마 반응기 기판
CN106024566A (zh) 等离子处理装置以及等离子处理方法
TW201031285A (en) Plasma treatment device
TWI374471B (en) Apparatus having edge frame and method of using the same
WO2009150968A1 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法
KR20210088723A (ko) 척킹 및 아크 발생 성능이 개선된 정전 척 설계
WO2007094416A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20200130743A (ko) 시일 표면을 갖는 정전 척
CN108666231B (zh) 基板处理系统、基板传送装置和传送方法
US20190237307A1 (en) Support table, substrate processing apparatus, substrate processing system, and support manufacturing method
JP6684943B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20100113774A (ko) 기판처리장치
CN107871681B (zh) 一种去气腔室和半导体处理装置
CN113078097A (zh) 衬底处理设备和衬底处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant