CN101616863A - 包括差动传感器mems器件和带孔衬底的电子器件 - Google Patents

包括差动传感器mems器件和带孔衬底的电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101616863A
CN101616863A CN200880003036A CN200880003036A CN101616863A CN 101616863 A CN101616863 A CN 101616863A CN 200880003036 A CN200880003036 A CN 200880003036A CN 200880003036 A CN200880003036 A CN 200880003036A CN 101616863 A CN101616863 A CN 101616863A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
substrate
mems
differential pick
responsive part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200880003036A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101616863B (zh
Inventor
L·巴尔多
C·康比
M·F·科特斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Publication of CN101616863A publication Critical patent/CN101616863A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101616863B publication Critical patent/CN101616863B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0154—Moulding a cap over the MEMS device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

电子器件(1，1a，1b，1c，1d，1e)包括：衬底(2)，其设有至少一个通行开口(5)；MEMS器件(7)，其具有设有第一及第二表面(9，10)的差动传感器的功能和具有包括至少一个对与其第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)相一致存在的流体的化学和/或物理变化敏感的部分(11)的类型的功能，该MEMS器件(7)的第一表面(9)使第一作用表面(11a)暴露并且使第二表面(10)设有暴露着第二相对作用表面(11b)的另一开口(12)，该电子器件(1，1d，1e)特征在于MEMS器件(7)的第一表面(9)面向衬底(2)并且与其隔开一段确定距离，敏感部分(11)与衬底(2)的通行开口(5)对准，以及特征在于其还包括：保护性封装(14，14a，14b)，其至少部分地合并MEMS器件(7)与衬底(2)以便使第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)分别通过衬底(2)的通行开口(5)和第二表面(10)的另一开口(12)而暴露。

Description

包括差动传感器MEMS器件和带孔衬底的电子器件
技术领域
本发明涉及包括MEMS器件和带孔(drilled)衬底的电子器件，该带孔衬底特别为LGA或BGA类型。
本发明特别地但不排他地涉及包括装配在LGA衬底上的MEMS差动传感器的电子器件，其中该MEMS差动传感器需要与电子器件外部的环境通信的双物理接口，并且仅以例解的方式参照本申请领域进行以下描述。
背景技术
众所周知，MEMS器件(微机电系统)是一种通过使用微制造的光刻技术在硅芯片或管芯上集成机械和电学功能的微器件。
特别地，参照图1，描述了一种MEMS差动压力传感器100，其包括由环形部分102和连接到环形部分102上边缘的圆形或方形隔板103形成的硅管芯101。
环形部分102的下边缘借助于粘结层105而连接到塑料、金属或陶瓷材料的保护性封装104。
保护性封装104由外壳构成，该外壳为大体杯状的外壳并且示出了其中装配有管芯101的内腔106。保护性封装104还设有通行开口(passing opening)107。当管芯101被装配在该腔106中时，环形部分102包围着该通行开口107，由此通行开口107实现了到隔板103下表面上的第一压力P1的第一进入门(access gate)。
以常规方式，在将管芯101胶粘到该腔106内之前通过模制来实现保护性封装104。
然后该腔106在顶部上由金属或塑料盖子108封闭，该盖子108设有开口109以使该腔106与保护性封装104的外部连通。
特别地，这个开口109实现了到隔板103上表面上的第二压力P2的第二进入门。于是，MEMS差动压力传感器100能够测量第一和第二压力P1、P2之间的压力差。
此外，金属引脚110从保护性封装104中伸出以允许MEMS差动压力传感器100与保护性封装104的外部的电连接。
在已经将管芯101固定到腔106中之后，用于将管芯101与腔106的金属引脚110电连接起来的连接111是通过引线接合来实现的。
保护性涂层112(通常为硅胶)几乎完全地填充该腔106。
在其它已知的实施例中，盖子108也通过模制而形成，并且在MEMS差动压力传感器100已经固定于腔106中且电连接到引脚111之后连接到保护性封装104。
尽管包括MEMS差动压力传感器的组装电子器件的这些实施例在若干方面是有利的，但其仍有缺点：笨重，因为该腔106必须足够宽以容置该管芯101以及允许通过引线接合的替代连接操作。
因此，这些器件的制造提供以下步骤：
-制造保护性封装104和盖子108，
-在保护性封装104内装配和电连接管芯101，
-将盖子108装配到保护性封装104上。
由于在实现集成电路的常规工艺流程中不提供这些工艺步骤，这就造成了最终器件成本的相当可观的增加。
本发明潜在的技术问题是设计一种包括MEMS差动压力传感器的电子器件，该电子器件具有这样的结构特性以使得允许用常规集成电路的制造工艺来实现这个电子器件，从而克服了仍限制着根据现有技术实现的电子器件的局限和/或缺点。
发明内容
本发明的第一实施例涉及：
一种电子器件，包括：
-衬底，其具有至少一个通行开口；
-差动传感器MEMS器件，其具有分别使第一和第二作用表面(active surface)暴露的至少第一和第二表面；
-保护性封装，其至少部分地将所述MEMS器件与所述衬底合并以便使所述第一和第二作用表面暴露；
-所述差动传感器，其对于与所述第一和/或第二作用表面相接触的流体的化学和/或物理变化敏感；
-所述MEMS器件的所述第一表面，其面向所述衬底并且与所述衬底隔开一段距离；
-所述第二表面，其与所述第一表面相对并且具有用于暴露所述第二作用表面的开口；
-所述敏感部分，其与所述衬底的所述通行开口对准。
通过参照附图以指示性而非限制性示例的方式给出的本发明实施例的以下描述，根据本发明的电子器件的特定和优点将显现出来。
附图说明
在这些附图中：
-图1是包括根据现有技术实现的MEMS差动压力传感器器件的电子器件的实施例的截面图，
-图2是包括根据本发明的MEMS器件的电子器件的第一实施例的截面图，
-图3是图2的电子器件的第一形式的截面图，
-图4是图2的器件的第二形式的截面图，
-图5是图2的器件的第三形式的截面图，
-图6是包括根据本发明的MEMS器件的电子器件的第二实施例的截面图，
-图7是包括根据本发明的MEMS器件的电子器件的第三实施例的截面图，
-图8和9示出了包括根据本发明实现的MEMS器件的电子器件的应用的截面图，
-图10和11是已知MEMS差动压力传感器的截面图。
具体实施方式
参照图2，示出了用于根据本发明的MEMS差动压力传感器器件的电子器件1的第一实施例，其包括例如为LGA/BGA类型的衬底2，该衬底2具有上表面3和与上表面3相对的下表面4并且在这两个表面3、4之间设有通行开口5。
以已知的方式，通过借助于绝缘或介电材料层而彼此绝缘的导电层来形成LGA/BGA类型的衬底。使这些导电层适合(conform)由绝缘或介质材料层而彼此绝缘的导电轨迹。通常通过绝缘层来实现称为“过孔”的导电孔，其相对于各个层具有垂直取向以在属于不同导电层的导电轨迹之间形成导电路径。
此外，在衬底2的下表面4上存在着连接盘(land)6，该连接盘6连接到存在于下表面4上的导电轨迹。
电子器件1还包括MEMS差动传感器器件7，该差动传感器器件7包括例如为Si的管芯8，该管芯8具有第一表面9和与第一表面9相对的第二表面10。在第一表面9上集成有MEMS差动传感器器件7的敏感部分11，这使得敏感部分11的第一作用表面11a暴露，而第二表面10设有开口12，该开口12暴露出与敏感部分11的第一作用表面11a相对的第二作用表面11b。
根据本发明，MEMS差动传感器器件7的第一表面9面向衬底2的上表面3并且与其隔开一确定的距离，且敏感表面11I与开口5对准。
此外，MEMS差动传感器器件7的第一表面9的外围部分设有连接盘以借助于电连接13(例如凸起)而连接到存在于衬底2的上表面3上的导电轨迹。
有利地，MEMS差动传感器器件7借助于已知的“倒装芯片”组装方法而被电装配到衬底2上。
仍根据本发明，电子器件1包括通过模制实现的保护性封装14，该电子器件1合并MEMS差动传感器器件7、电连接13以及衬底2，使得MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第一作用表面11a通过通行开口5暴露以及使敏感部分11的第二作用表面11b通过第二表面10的开口12暴露。
有利地，保护性封装14还使衬底2的下表面4暴露。
有利地，MEMS差动传感器器件7的第二表面10位于保护性封装14的上表面的侧面。
根据本发明，敏感部分11对于存在于敏感部分11的两个作用表面11a、11b上或与该两个作用表面相接触的流体的化学和/或物理变化敏感。这些流体可以是至少两种，在这种情况下第一流体与MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第一作用表面11a通过通行开口5相互作用，而第二流体与MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第二作用表面11b通过在第二表面10上所提供的开口12相互作用。
有利地，阻挡元件15位于MEMS差动传感器器件7的第一表面9与衬底2的上表面3之间以便包围所述敏感部分11。
有利地根据本发明，在通过模制进行的保护性封装14的制造过程期间这个阻挡元件15的存在保护着敏感部分11，从而使得这个敏感部分11保持不受影响。
实际上以已知的方式，保护性封装14的形成在模具的腔内引入了衬底2，在该衬底2上装配着MEMS差动传感器器件7。
然后在压力和高温下提供正处于熔化态的电绝缘材料到模具腔中的注入，所述电绝缘材料将构成保护性封装14的塑料本体。这种材料通常是合成树脂，例如环氧树脂。
正常的模制步骤涉及将树脂注入到模具腔内。紧接着这个步骤之后的是用于完成保护性封装14的冷却步骤。
为了避免在树脂的注入步骤期间树脂损坏MEMS差动传感器器件7的敏感部分11，根据本发明，在衬底2的上表面3与第一表面9之间提供阻挡元件15，该阻挡元件15完全包围着至少该MEMS差动传感器器件7的敏感部分11。
有利地，阻挡元件15是个环，当MEMS器件7被装配到衬底2上时该环完全包围着MEMS器件7的敏感部分11，并且该环接触着衬底2的上表面3和MEMS差动传感器器件7的第一表面9。
有利地，阻挡元件15由焊接涂料形成，从而在这样的实施例中MEMS差动传感器器件7到衬底2的电连接步骤和胶粘步骤被同时实施，导致特别紧凑的简单实现结构，不需要不同结构之间的严格对准。
此外，这个阻挡元件15的外边缘例如被完全合并在保护性封装14中。
参照图3，示出了根据本发明的电子器件1a的第一实施例。
相对于参照图2所描述的电子器件在结构上和功能上相同的元件将被给予相同的参考标记。
有利地，阻挡元件15a至少位于包围着敏感部分11的区域中。
在这个实施例中，阻挡元件15a是在衬底2的上表面3上形成的不规则区域15a。
有利地，这个不规则区域15a示出了波纹表面。
有利地，这个不规则区域15a在衬底2的上表面3上与整个中心不受影响区(free)3c相一致地延伸。
有利地，根据本发明，通过修改衬底2的上表面3的化学属性来获得这个不规则区域15a，如图3所示。
有利地，该不规则区域15a由非可湿性材料形成。
没有什么能阻止在衬底2的上表面3上形成该非可湿性材料层15a。
参照图4，示出了根据本发明的电子器件1b的实施例的第二形式。
相对于参照图2所描述的器件1在结构上和功能上相同的元件将被给予相同的参考标记。
有利地，阻挡元件15b至少位于包围着敏感部分11的区域中。
在这个第二形式中，阻挡元件15b是在MEMS差动传感器器件7的第一表面9上形成的不规则区域15b，并且是通过修改MEMS差动传感器器件7的第一表面9的化学属性来获得的。
有利地，这个不规则区域15b在MEMS差动传感器器件7的第一表面9上与差动传感器器件7的整个敏感部分11相一致地延伸。
事实上已知的是，硅管芯8，至少与MEMS差动传感器器件7的第一表面9相一致，被非可湿性类型的绝缘层9b覆盖，该绝缘层9b被保护层9a覆盖，该保护层9a包括可湿性材料例如塑料层，例如包括诸如聚酰亚胺这样的有机材料。
有利地，至少与MEMS差动传感器器件7的敏感部分11相一致，将可湿性材料层9a去除掉，使得例如由氧化硅形成的绝缘层9b暴露。
有利地，在从MEMS差动传感器器件7的敏感部分11移除可湿性材料层9a的步骤之后，MEMS差动传感器器件被焊接到衬底2上并且例如在等离子体中通过使用包括氩气和氧气的气体混合物而经受清洗操作。
有利地，该清洗混合物中的氧气与可湿性材料层9a发生化学反应，提高了可湿性，而覆盖着敏感部分11的介电层9b对于该处理是惰性的。
因此，作为该处理之后的结果，可湿性材料层9a的可湿性获得了提高，可与衬底2的上表面3的可湿性比拟，并且覆盖着敏感部分11的介电层9b的表面的可湿性有所降低。
这个可湿性差异意味着在保护性封装14的模制步骤期间树脂流的突然减速，从而树脂的表面电压导致在覆盖着敏感部分11的介质层9b的外围表面周围形成弯液面(meniscus)。
没有什么能阻止不仅在MEMS器件的第一表面9上而且在与敏感部分11对准的衬底2的上表面3上形成非可湿性材料的阻挡层9b。
在本发明的这两个后者实施例的另外的形式中，不规则区域15a、15b示出了褶皱。
有利地，在不规则区域15a、15b中形成了沟漕，其制作在衬底中或在MEMS差动传感器器件7中，以便在模制步骤期间为树脂实现在衬底2中或在MEMS差动传感器器件7上限定的优选路径。
有利地，这些沟槽完全包围着MEMS器件7的敏感部分11，例如图5的器件1c中所示，其中相对于参照图2所描述的器件1在结构上和功能上相同的元件将被给予相同的参考标记。
有利地，在这个后者实施例中与MEMS差动传感器器件7的敏感部分11相一致地存在非可湿性材料层，该敏感部分11与沟槽所封闭的区域相一致。
根据本发明，在通过模制进行的该保护性封装14的制造步骤期间不规则区域15a、15b的存在保护着敏感部分11，从而使得液态树脂均一地分布在电连接周围而不会达到敏感部分11。
参照图6，示出了根据本发明的电子器件1d的第二实施例。
相对于参照图2所描述的器件1在结构上和功能上相同的元件将被给予相同的参考标记。
特别在这个实施例中，底层填料(underfiller)16合并了电连接13以使电子器件1在MEMS差动传感器器件7和衬底2之间的连接区域中在机械强度上有所加强。
有利地，底层填料16由环氧化合物(例如环氧树脂)形成。
有利地，可以在MEMS差动传感器器件7和衬底2之间提供阻挡元件15。
有利地，底层填料16示出了MEMS差动传感器器件7向外的锥形轮廓，同时其示出了与阻挡元件15相一致的基本垂直轮廓。
换言之，底层填料16的横截面在临近衬底2的上表面3时增加。
电子器件1d还包括通过模制实现的保护性封装14d，该电子器件1d合并了MEMS差动传感器器件7、底层填料16以及衬底2，使得MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第一作用表面11a通过衬底2的通行开口5暴露以及使第二作用表面11b通过第二表面10的开口12暴露。
有利地，保护性封装14d还使衬底2的下表面4暴露。
有利地，第二表面10位于保护性封装14d的上表面的侧面。
阻挡元件15的存在允许使MEMS差动传感器器件7的敏感部分11维持没有底层填料16。
此外，底层填料16在塑料封装14d的制造步骤期间保护MEMS差动传感器器件7的第一表面9。
有利地，底层填料16存在于参照图3、4和5描述的实施例的阻挡元件15a、15b之外，至少存在于介于衬底2的上表面3与MEMS差动传感器器件7的第一表面9之间的区域中，以便合并电连接13用于在MEMS差动传感器器件7与衬底2之间在机械强度上加强该电子器件1。
参照图7，示出了根据本发明的电子器件1e的第三实施例。
相对于参照图2所描述的器件1在结构上和功能上相同的元件将被给予相同的参考标记。
电子器件1e也包括通过模制实现的保护性封装14e，该电子器件1e合并了MEMS差动传感器器件7以及衬底2，使得MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第一作用表面11a通过通行开口5暴露，以及有利地通过衬底2的下表面4而暴露。保护性封装14e覆盖着MEMS差动传感器器件7的第二表面10并且设有另一通行开口17，该通行开口17与存在于MEMS差动传感器器件7的第二表面10上的开口12对准。
有利地，在保护性封装14e的通行开口17上形成圆柱形凸出物18以便利进入MEMS差动传感器器件7的敏感部分11。
有利地，这个圆柱形凸出物18在形成保护性封装14e的同一模制步骤期间与这个封装同时实现。
有利地，可以在MEMS差动传感器器件7与衬底2之间提供阻挡元件15。
有利地，也可以在本发明的这个实施例中提供参照图3至5所示的阻挡元件15a和15b、或者像参照图6所示的底层填料16。
参照图8，示出了图2的器件1，其中集成电路19被装配在位于MEMS差动传感器器件7的侧面的衬底2上、并且例如借助于焊接层20固定到衬底2上。
集成电路19借助于其它电连接21而电连接到衬底2。
通过模制实现的保护性封装14将MEMS差动传感器器件7与电连接13合并到一起、将集成电路19与其它电连接21及衬底2合并到一起，使得MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第一作用表面11a通过通行开口5暴露以及使敏感部分11的第二作用表面11b通过第二表面10的开口12暴露。
有利地，保护性封装14还使衬底2的下表面4暴露。
有利地，MEMS差动传感器器件7的第二表面10位于保护性封装14的上表面的侧面。
参照图9，示出了图6的器件1d，其中集成电路19被装配在位于MEMS差动传感器器件7的侧面的衬底2上、并且例如借助于焊接层20固定到衬底2上。
集成电路19借助于其它电连接21而电连接到衬底2。
通过模制实现的保护性封装14d将MEMS差动传感器器件7、底层填料16、集成电路19与其它电连接21及衬底2合并到一起，使得MEMS差动传感器器件7的敏感部分11的第一作用表面11a通过通行开口5暴露以及使敏感部分11的第二作用表面11b通过第二表面10的开口12暴露。
有利地，保护性封装14d还使衬底2的下表面4暴露。
有利地，MEMS差动器件7的第二表面10位于保护性封装14d的上表面的侧面。
有利地，用于根据本发明器件的MEMS差动传感器器件7是图10和11所示的差动压力传感器器件。
特别地，参照这些图，示出了在例如硅的半导体管芯8a中形成的差动压力传感器7a。
在半导体管芯8a中，腔3a是邻近半导体管芯8a的第一表面9c实现的。
介于腔3a与第一表面9c之间的半导体管芯8a的部分形成隔板11c，即压力传感器7a的敏感元件。
电阻性元件6a形成在邻近第一表面9c的隔板11c的外围部分中。
绝缘层4a，例如氧化物，覆盖着管芯2a的第一作用表面9c，使得介于电阻性元件6a之间的隔板11c的第一作用表面11d暴露。此外，在与这些电阻性元件6a相一致的绝缘层4a中提供开口以允许电连接到形成于绝缘层4a上的导电层2a。
没有什么可以阻止绝缘层覆盖着管芯2a的整个作用表面9c。
有利地，钝化层覆盖着管芯2a的第一作用表面9c。
特别地，导电层2a包括彼此分开并通过电阻性元件6a而电连接的两个部分2b和2c。
在与第一表面9c相对的传感器7a的第二表面10a中提供开口12a、12b，该开口使得腔3a与传感器7a的外部连通。以此方式，开口12a、12b实现了第二压力的进入门，该第二压力作用于在腔3a内面对的隔板11c的第二作用表面11e。
如图10所示，如果开口12a通过干法蚀刻来实现，则开口12a的侧壁相对于第二表面10a基本垂直，即开口12a的横断面尺寸基本恒定。
相反如图11所示，如果开口12b通过湿法类型的蚀刻来实现，则开口12b的侧壁是锥形的，即开口12b的横断面尺寸在背离第二表面10a时减小。
总之，利用根据本发明的器件，有可能实现麦克风、压力、气体、化学差动传感器，这些传感器被围封在通过模制实现的保护性封装中。
根据本发明，还有可能在相同的保护性封装14中集成更多传感器(加速计和压力传感器)。
有利地，在优选实施例中，全部的电子器件1、1a、1b、1c、1d、1e、1e示出了介于3×3×1mm^3之间的空间，而MEMS差动传感器器件7示出了1500μm的宽度、1500μm的长度以及厚度700μm并且示出了在第二表面10上介于100和500μm之间的开口12。
MEMS差动传感器器件7的敏感部分11为圆形或方形形状并且具有介于100μm和1000μm之间的直径/侧边。
MEMS差动传感器器件7的第一表面9与衬底的上表面3之间的距离介于50和500μm之间，而衬底2的厚度介于150和300μm之间，而开口5的宽度介于100和700μm之间。
如果阻挡元件15由焊接涂料环实现，则其横截面的厚度被介于60和300μm之间。
如果阻挡元件15a、15b由不规则区域实现，则其横截面的宽度被介于10和50μm之间以及深度例如被介于20和80μm之间。
总之，根据本发明的电子器件特别紧凑并且使用不提供严格对准的技术方案。
有利地，在根据本发明的电子器件1中，阻挡元件15、15a、15b的存在允许在保护性封装14的制造步骤期间或者在底层填料16的分配步骤期间保护MEMS差动传感器器件7的敏感部分11。
有利地，这个阻挡元件15、15a、15b能够具有物理或化学性质或者这两者的组合并且能够实现在衬底2以及MEMS差动传感器器件7二者上。

Claims (35)

1.电子器件(1，1a，1b，1c，1d，1e)，包括：
-衬底(2)，其设有至少一个通行开口(5)，
-MEMS器件(7)，其具有设有第一及第二表面(9，10)的差动传感器的功能和具有包括至少一个对与其第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)相一致存在的流体的化学和/或物理变化敏感的部分(11)的类型的功能，所述MEMS器件(7)的所述第一表面(9)使所述第一作用表面(11a)暴露并且使所述第二表面(10)设有暴露着所述第二作用相对表面(11b)的另一开口(12)，该电子器件(1，1d，1e)特征在于所述MEMS器件(7)的所述第一表面(9)面向所述衬底(2)并且与其隔开一段确定距离，所述敏感部分(11)与所述衬底(2)的所述通行开口(5)对准，以及特征在于其还包括：
-保护性封装(14，14a，14b)，其至少部分地合并所述MEMS器件(7)和所述衬底(2)以便使所述第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)分别通过所述衬底(2)的所述通行开口(5)以及所述第二表面(10)的所述另一开口(12)而暴露。
2.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于其包括阻挡元件(15，15a，15b)，该阻挡元件包围着所述敏感部分(11)以实现用于所述MEMS差动传感器器件(7)的保护结构，从而使得所述敏感部分(11)的所述第一作用表面(11a)不受影响。
3.根据权利要求2所述的电子器件(1)，特征在于所述阻挡元件(15)是与所述衬底(2)的所述上表面(3)和所述MENS器件(6)的所述第一表面(9)相接触的环，并且所述阻挡元件的外边缘完全被所述保护性封装(14)覆盖。
4.根据权利要求2所述的电子器件(1)，特征在于所述阻挡元件(15)由焊接涂料形成。
5.根据权利要求2所述的电子器件(1)，特征在于所述阻挡元件(15a)是在衬底(2)的上表面(3)上形成的不规则区域(15a)。
6.根据权利要求5所述的电子器件(1)，特征在于这个不规则区域(15a)在所述衬底(2)的所述上表面(3)上与所述敏感部分(11)相一致地延伸。
7.根据权利要求5或6所述的电子器件(1)，特征在于这个不规则区域(15a)是通过修改衬底(2)的上表面(3)的化学属性来获得的。
8.根据权利要求5或6所述的电子器件(1)，特征在于所述不规则区域(15a)由非可湿性材料形成。
9.根据权利要求2所述的电子器件(1)，特征在于所述阻挡元件(15b)是在MEMS差动传感器器件(7)的所述第一表面(9)上形成的不规则区域(15b)。
10.根据权利要求9所述的电子器件(1)，特征在于这个不规则区域(15b)在MEMS差动传感器器件(7)的敏感部分(11)上延伸。
11.根据权利要求9或10所述的电子器件(1)，特征在于这个不规则区域(15b)是通过修改MEMS差动传感器器件(7)的所述第一表面(9)周围的化学属性来获得的。
12.根据权利要求9或10所述的电子器件(1)，特征在于所述不规则区域(15b)由非可湿性材料形成。
13.根据权利要求12所述的电子器件(1)，特征在于所述敏感部分(11)的所述第一作用表面(11a)被非可湿性绝缘层(9b)和保护层(9a)覆盖，特征在于所述不规则区域(15b)是通过从MEMS差动传感器器件(7)的所述第一表面(9)中去除所述保护层(9a)以暴露所述非可湿性材料层(9b)来形成的。
14.根据权利要求13所述的电子器件(1)，特征在于所述保护层(9a)是聚酰亚胺并且所述非可湿性材料层(9b)是氧化物。
15.根据权利要求5或9所述的电子器件(1)，特征在于所述不规则区域(15a，15b)介于保护性封装的形成步骤期间构成优选路径的沟槽。
16.根据权利要求15所述的电子器件(1)，特征在于非可湿性材料层与所述MEMS差动传感器器件(7)的所述敏感部分(11)相一致地形成。
17.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述第二表面(10)位于所述保护性封装(14)的上表面的侧面。
18.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述保护性封装(14e)还覆盖所述第二表面(10)并且设有与存在于所述MEMS差动传感器器件(7)的所述第二表面(10)上的开口(12)对准的通行开口(17)。
19.根据权利要求18所述的电子器件(1)，特征在于在所述保护性封装(14e)的所述通行开口(17)上形成圆柱形凸出物(18)以便利进入所述MEMS差动传感器器件(7)的所述敏感部分(11)。
20.根据权利要求2所述的电子器件(1)，特征在于将所述MEMS差动传感器器件(7)电耦合到所述衬底(2)的电连接(13)存在于所述阻挡元件(15，15a)相对于所述敏感部分(11)的外部。
21.根据权利要求20所述的电子器件(1)，特征在于底层填料(16)合并所述电连接(13)。
22.根据权利要求21所述的电子器件(1)，特征在于阻挡元件(15，15a，15b)在形成所述底层填料(16)期间保护敏感部分(11)。
23.根据权利要求21所述的电子器件(1)，特征在于所述底层填料(16)示出了在所述外围区域之外的锥形轮廓，而其示出了与包围着所述敏感部分(11)的所述区域相一致的基本垂直轮廓。
24.根据权利要求9所述的电子器件(1)，特征在于所述电连接(13)包括凸起。
25.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述MEMS差动传感器器件(7)通过已知的“倒装芯片”组装方法而被装配到所述衬底(2)上。
26.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于其包括集成电路(19)，该集成电路(19)被装配在MEMS差动传感器器件(7)的侧面。
27.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述集成电路(19)借助于其它电连接(21)而电连接到存在于所述衬底(2)上的导电轨迹。
28.根据权利要求25所述的电子器件(1)，特征在于所述保护性封装(14)合并所述集成电路(19)与所述其它电连接(21)。
29.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述衬底是LGA类型。
30.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述衬底是BGA类型。
31.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述MEMS差动传感器器件(7)是压力传感器。
32.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述MEMS器件(7)是气体传感器。
33.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述MEMS器件(7)是化学传感器。
34.根据权利要求1所述的电子器件(1)，特征在于所述保护性封装(14)通过模制来实现。
35.一种电子器件(1)，包括：
-衬底(2)，其具有至少一个通行开口(5)；
-差动传感器MEMS器件(7)，其具有至少分别使第一和第二作用表面暴露的第一(9)和第二表面(10)；
-保护性封装，其至少部分地合并所述MEMS器件(7)与所述衬底(2)从而使所述第一和第二作用表面(11a，11b)暴露；
-所述差动传感器(7)，其具有对与所述第一和第二作用表面(11a，11b)接触的流体的化学和/或物理变化敏感的部分(11)；
-所述MEMS器件(9)的所述第一表面，其面向所述衬底(2)并且与所述衬底(2)隔开一段距离；
-所述第二表面(10)，其与所述第一表面(9)相对并且具有用于暴露所述第二作用表面(11b)的开口(12)；
-所述敏感部分(11)，其与所述衬底(2)的所述通行开口(5)对准。
CN2008800030368A 2007-01-24 2008-01-23 包括差动传感器mems器件和带孔衬底的电子器件 Active CN101616863B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI2007A000099 2007-01-24
IT000099A ITMI20070099A1 (it) 2007-01-24 2007-01-24 Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati
PCT/EP2008/000495 WO2008089969A2 (en) 2007-01-24 2008-01-23 Electronic device comprising differential sensor mems devices and drilled substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101616863A true CN101616863A (zh) 2009-12-30
CN101616863B CN101616863B (zh) 2013-08-21

Family

ID=39473216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800030368A Active CN101616863B (zh) 2007-01-24 2008-01-23 包括差动传感器mems器件和带孔衬底的电子器件

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8134214B2 (zh)
EP (2) EP2121513B1 (zh)
JP (1) JP5619425B2 (zh)
CN (1) CN101616863B (zh)
IT (1) ITMI20070099A1 (zh)
WO (1) WO2008089969A2 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101685037B (zh) * 2008-07-31 2013-03-20 森萨塔科技公司 用于测量介质中压力的压力传感器
CN103313172A (zh) * 2012-03-05 2013-09-18 罗伯特·博世有限公司 微机械声变换器装置和相应的制造方法
CN103539063A (zh) * 2013-11-05 2014-01-29 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 环境mems传感器基板封装结构及制作方法
CN103818872A (zh) * 2012-10-12 2014-05-28 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件和制造mems器件的方法
CN104716115A (zh) * 2013-12-12 2015-06-17 恩智浦有限公司 传感器封装及其制造方法
CN107076630A (zh) * 2014-09-03 2017-08-18 韩国株式会社科迈特 差压传感器
CN109073487A (zh) * 2016-02-10 2018-12-21 捷太格特欧洲公司 包括封装传感器的电子电路的步骤的制造扭矩传感器的方法
CN109952498A (zh) * 2016-11-11 2019-06-28 测量专业股份有限公司 压差传感器和制造

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20070099A1 (it) 2007-01-24 2008-07-25 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati
US7900521B2 (en) 2009-02-10 2011-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Exposed pad backside pressure sensor package
US8359927B2 (en) 2009-08-12 2013-01-29 Freescale Semiconductor, Inc. Molded differential PRT pressure sensor
EP2320453A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-11 Nxp B.V. Sensor packaging
DE102010001711A1 (de) * 2010-02-09 2011-08-11 Robert Bosch GmbH, 70469 Halbleiter-Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102010022204B4 (de) * 2010-05-20 2016-03-31 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit flacher Bauform und Herstellungsverfahren
JP2012073233A (ja) * 2010-08-31 2012-04-12 Mitsumi Electric Co Ltd センサ装置及び半導体センサ素子の実装方法
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
DE102011006517A1 (de) 2011-03-31 2012-10-04 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckfest gekapselter Differenzdrucksensor
DE102011007604A1 (de) * 2011-04-18 2012-10-18 Robert Bosch Gmbh Mikroelektromechanische Schalldetektionsvorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
WO2013001171A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Murata Electronics Oy A method of making a system-in-package device, and a system-in-package device
US8946833B2 (en) * 2012-10-22 2015-02-03 Freescale Semiconductor, Inc. Packaging for semiconductor sensor devices and methods
JP2014126507A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Bosch Corp 圧力センサモジュール
EP2759832B1 (en) * 2013-01-23 2020-11-11 Sciosense B.V. Electrochemical sensor device
US20140374848A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Wen Shi Koh Semiconductor sensor device with metal lid
US9627229B2 (en) * 2013-06-27 2017-04-18 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming trench and disposing semiconductor die over substrate to control outward flow of underfill material
WO2015042700A1 (en) 2013-09-24 2015-04-02 Motion Engine Inc. Mems components and method of wafer-level manufacturing thereof
JP6339669B2 (ja) 2013-07-08 2018-06-06 モーション・エンジン・インコーポレーテッド Ｍｅｍｓデバイスおよび製造する方法
ITTO20130651A1 (it) 2013-07-31 2015-02-01 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo incapsulato, in particolare un sensore micro-elettro-meccanico incapsulato, dotato di una struttura accessibile, quale un microfono mems e dispositivo incapsulato cosi' ottenuto
WO2015013828A1 (en) 2013-08-02 2015-02-05 Motion Engine Inc. Mems motion sensor and method of manufacturing
EP2857349B1 (en) * 2013-10-01 2020-08-05 LG Innotek Co., Ltd. Gas sensor package
US9190352B2 (en) 2013-11-21 2015-11-17 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-die sensor device
SG10201709524QA (en) * 2013-12-26 2018-01-30 Agency Science Tech & Res Chemical sensor package for highly pressured environment
WO2015103688A1 (en) 2014-01-09 2015-07-16 Motion Engine Inc. Integrated mems system
TWI538113B (zh) * 2014-02-14 2016-06-11 南茂科技股份有限公司 微機電晶片封裝及其製造方法
US20170030788A1 (en) 2014-04-10 2017-02-02 Motion Engine Inc. Mems pressure sensor
US11674803B2 (en) 2014-06-02 2023-06-13 Motion Engine, Inc. Multi-mass MEMS motion sensor
US9638597B2 (en) * 2014-09-24 2017-05-02 Nxp Usa, Inc. Differential pressure sensor assembly
CA3004760A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Motion Engine Inc. 3d mems magnetometer and associated methods
EP3239680B1 (en) * 2014-12-24 2020-01-15 Fujikura Ltd. Pressure sensor and pressure sensor module
CA3220839A1 (en) 2015-01-15 2016-07-21 Motion Engine Inc. 3d mems device with hermetic cavity
DE102015104257A1 (de) * 2015-03-20 2016-09-22 Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn Sensor zur Bestimmung von Druck und/oder Strömung
US9778129B2 (en) * 2015-08-03 2017-10-03 DunAn Sensing, LLC Universal hermetically sealed button pressure sensor
DE102015116081A1 (de) 2015-09-23 2017-03-23 Infineon Technologies Ag Elektronisches Sensorbauelement mit einem Flip-Chip-montierten Halbleiterchip und einem Substrat mit einer Öffnung
IT201600121210A1 (it) 2016-11-30 2018-05-30 St Microelectronics Srl Modulo di trasduzione multi-dispositivo, apparecchiatura elettronica includente il modulo di trasduzione e metodo di fabbricazione del modulo di trasduzione
US10373883B2 (en) * 2017-10-26 2019-08-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10730743B2 (en) 2017-11-06 2020-08-04 Analog Devices Global Unlimited Company Gas sensor packages
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber
DE102020212123A1 (de) 2020-09-25 2021-12-16 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5828754B2 (ja) * 1977-05-19 1983-06-17 株式会社デンソー 圧力−電気変換装置
US4763098A (en) * 1985-04-08 1988-08-09 Honeywell Inc. Flip-chip pressure transducer
US5658828A (en) 1989-11-30 1997-08-19 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming an aluminum contact through an insulating layer
US5189777A (en) 1990-12-07 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of producing micromachined differential pressure transducers
DE4207225C2 (de) 1992-03-07 1994-06-16 Bosch Gmbh Robert Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
JPH10274583A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
US5923995A (en) 1997-04-18 1999-07-13 National Semiconductor Corporation Methods and apparatuses for singulation of microelectromechanical systems
JPH11230846A (ja) * 1998-02-09 1999-08-27 Denso Corp 半導体力学量センサの製造方法
JP3567740B2 (ja) * 1998-07-02 2004-09-22 オムロン株式会社 半導体センサ及び実装構造
US6346742B1 (en) * 1998-11-12 2002-02-12 Maxim Integrated Products, Inc. Chip-scale packaged pressure sensor
FR2801971B1 (fr) 1999-12-07 2002-02-15 St Microelectronics Sa Emetteur et recepteur acoustiques integres, et procede de fabrication correspondant
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US7439616B2 (en) 2000-11-28 2008-10-21 Knowles Electronics, Llc Miniature silicon condenser microphone
DE10059813A1 (de) * 2000-12-01 2002-06-13 Hahn Schickard Ges Vorrichtung zur Erfassung eines Fluiddrucks
US6432737B1 (en) * 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package
DE10205127A1 (de) * 2002-02-07 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit Sensor- bzw. Aktoroberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung
US6850133B2 (en) 2002-08-14 2005-02-01 Intel Corporation Electrode configuration in a MEMS switch
DE10238581B4 (de) * 2002-08-22 2008-11-27 Qimonda Ag Halbleiterbauelement
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
JP2004177343A (ja) 2002-11-28 2004-06-24 Fujikura Ltd 圧力センサ
US7501703B2 (en) 2003-02-28 2009-03-10 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer module
US7382048B2 (en) 2003-02-28 2008-06-03 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer module
US7262509B2 (en) * 2004-05-11 2007-08-28 Intel Corporation Microelectronic assembly having a perimeter around a MEMS device
WO2006061025A2 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Inverness Medical Switzerland Gmbh A method of producing a micro fluidic device and a micro fluidic device
EP1719993A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-08 STMicroelectronics S.r.l. Integrated differential pressure sensor and manufacturing process thereof
EP1775259A1 (en) 2005-10-14 2007-04-18 STMicroelectronics S.r.l. Wafer level package for sensor devices
US20070215962A1 (en) 2006-03-20 2007-09-20 Knowles Elecronics, Llc Microelectromechanical system assembly and method for manufacturing thereof
CN101542257B (zh) * 2006-11-29 2012-04-04 株式会社藤仓 压力传感器模块
ITMI20070099A1 (it) 2007-01-24 2008-07-25 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati
TWI364804B (en) * 2007-11-14 2012-05-21 Ind Tech Res Inst Wafer level sensor package structure and method therefor

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101685037B (zh) * 2008-07-31 2013-03-20 森萨塔科技公司 用于测量介质中压力的压力传感器
CN103313172A (zh) * 2012-03-05 2013-09-18 罗伯特·博世有限公司 微机械声变换器装置和相应的制造方法
CN103818872B (zh) * 2012-10-12 2016-08-17 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件和制造mems器件的方法
CN103818872A (zh) * 2012-10-12 2014-05-28 英飞凌科技股份有限公司 Mems器件和制造mems器件的方法
US9402138B2 (en) 2012-10-12 2016-07-26 Infineon Technologies Ag MEMS device and method of manufacturing a MEMS device
US9938140B2 (en) 2012-10-12 2018-04-10 Infineon Technologies Ag MEMS device and method of manufacturing a MEMS device
US10384934B2 (en) 2012-10-12 2019-08-20 Infineon Technologies Ag MEMS device and method of manufacturing a MEMS device
US10829368B2 (en) 2012-10-12 2020-11-10 Infineon Technologies Ag MEMS device and method of manufacturing a MEMS device
CN103539063A (zh) * 2013-11-05 2014-01-29 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 环境mems传感器基板封装结构及制作方法
CN104716115A (zh) * 2013-12-12 2015-06-17 恩智浦有限公司 传感器封装及其制造方法
US10192842B2 (en) 2013-12-12 2019-01-29 Ams International Ag Package for environmental parameter sensors and method for manufacturing a package for environmental parameter sensors
CN110459520A (zh) * 2013-12-12 2019-11-15 ams国际有限公司 传感器封装及其制造方法
CN107076630A (zh) * 2014-09-03 2017-08-18 韩国株式会社科迈特 差压传感器
CN109073487A (zh) * 2016-02-10 2018-12-21 捷太格特欧洲公司 包括封装传感器的电子电路的步骤的制造扭矩传感器的方法
CN109952498A (zh) * 2016-11-11 2019-06-28 测量专业股份有限公司 压差传感器和制造

Also Published As

Publication number Publication date
US20090278215A1 (en) 2009-11-12
CN101616863B (zh) 2013-08-21
US20120164775A1 (en) 2012-06-28
US8847340B2 (en) 2014-09-30
WO2008089969A3 (en) 2008-12-31
EP2121513B1 (en) 2015-01-21
JP5619425B2 (ja) 2014-11-05
WO2008089969A2 (en) 2008-07-31
EP2644563A2 (en) 2013-10-02
JP2010517021A (ja) 2010-05-20
EP2644563A3 (en) 2013-12-04
ITMI20070099A1 (it) 2008-07-25
EP2121513A2 (en) 2009-11-25
US8134214B2 (en) 2012-03-13
US20130264662A1 (en) 2013-10-10
US8796059B2 (en) 2014-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101616863B (zh) 包括差动传感器mems器件和带孔衬底的电子器件
US8043881B2 (en) Electronic device including MEMS devices and holed substrates, in particular of the LGA or BGA type
CN100584741C (zh) 用于装配半导体芯片的方法及相应的半导体芯片装置
CN106029554B (zh) 具有脱耦结构的传感器单元及其制造方法
JP5763682B2 (ja) Ｍｅｍｓ及びａｓｉｃを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法
US7781852B1 (en) Membrane die attach circuit element package and method therefor
CN107764299A (zh) 传感器组件
JP2012225925A (ja) 封止構造を有するセンサデバイス
JP2010528888A (ja) コンポーネントの製造方法およびコンポーネント
ITTO20120753A1 (it) Dispositivo incapsulato esposto all'aria ambiente e a liquidi e relativo processo di fabbricazione
US10113928B2 (en) Pressure sensor and a method for manufacturing the same
CN105609490B (zh) 一种复合传感器模块的封装结构及其制造方法
TWI624010B (zh) 具有互鎖的模壓封裝體的電子裝置
JP2007139517A (ja) 圧力センサの製造方法並びに圧力センサ及び圧力センサの実装方法
CN108292634A (zh) 传感器半导体器件和生产传感器半导体器件的方法
TWI666438B (zh) 濕度檢測裝置
WO2022061721A1 (zh) 芯片及其制作方法、电子设备
US20150177028A1 (en) Sensor package and portable terminal having the same
US20240083743A1 (en) Microelectromechanical systems package and method for manufacturing the same
US7696083B2 (en) Multi-layer device
TWM624369U (zh) 感測模組
CN114112175A (zh) 压力传感器
CN114440954A (zh) 传感器封装结构、封装方法及电子设备
Wang et al. New low-cost MEMS capacitive pressure sensor concept
ITMI20070008A1 (it) Dispositivo elettronico comprendente dispositivi mems e substrati bucati in particolare di tipo lga o bga

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant