CN101582385A - 发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

发光二极管显示器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101582385A
CN101582385A CNA2009101364714A CN200910136471A CN101582385A CN 101582385 A CN101582385 A CN 101582385A CN A2009101364714 A CNA2009101364714 A CN A2009101364714A CN 200910136471 A CN200910136471 A CN 200910136471A CN 101582385 A CN101582385 A CN 101582385A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
fixed bed
electrode
luminescence unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2009101364714A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101582385B (zh
Inventor
渡边秋彦
土居正人
村口昭一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN101582385A publication Critical patent/CN101582385A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101582385B publication Critical patent/CN101582385B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H01L2224/82102—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01041—Niobium [Nb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Abstract

本发明公开了一种发光二极管显示器和发光二极管显示器的制造方法。发光二极管显示器的制造方法包括以下步骤：将第一、第二以及第三发光二极管预固定在发光单元制造基板上，以制造均包括第一、第二以及第三发光二极管的发光单元，将第一、第二以及第三发光二极管的第一电极连接至子公共电极；以及将发光单元从发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置的，即以二维矩阵形式配置的发光单元的发光二极管显示器。

Description

发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
多个技术领域涉及在安装基板上安装微小物品。这种领域的实例为发光二极管显示器的领域。在发光二极管显示器中，红色发光二极管用作红色发光子像素，绿色发光二极管用作绿色发光子像素，并且蓝色发光二极管用作蓝色发光子像素，从而根据这三种类型的子像素的发光状态显示彩色图像。
例如，在40英寸对角线全HD(高清晰度)全色彩显示器中，在画面的水平方向上的像素数为1920，并且在画面的垂直方向上的像素数为1080。因此，在这种情况下，所安装的发光二极管数为1920×1080×(三种类型的发光二极管的数量，即构成一个像素的红色发光二极管、绿色发光二极管、以及蓝色发光二极管的数量)因此，约为6,000,000个。因此，作为用于在显示基板上安装这样的大量发光二极管的方法，已知形成尺寸小于画面尺寸的发光二极管阵列、并且从所述发光二极管阵列开始在移动位置的同时在显示基板上连续安装发光二极管的方法，即步进转移法(步进安装法)。
例如，在日本未审查专利申请公开第2004-273596号和第2004-281630号中公开了这种步进转移法。在这些专利申请公开中所公开的技术中，基本上，将元件埋入在形成在转移基板表面上的粘合层中，从而元件从基板中部分突出，然后使用轧辊等将元件深埋在粘合层中(例如，参照日本未审查专利申请公开第2004-273596号的段落[0045]～[0048]和日本未审查专利申请公开第2004-281630号的段落[0038]～[0046])。
作为用于制造GaInN基发光二极管的基板，目前，难以生产具有超过2英寸的大标称直径的基板。作为用于制造AlGaInP基发光二极管的基板，目前，难以生产具有超过3英寸的大标称直径的基板。因此，具有2英寸的标称直径的蓝宝石基板被用于生产蓝色发光二极管和绿色发光二极管，并且具有3英寸的标称直径的GaAs基板被用于生产红色发光二极管。当制造26英寸对角线发光二极管显示器时，在650mm×550mm尺寸的显示基板上安装蓝色发光二极管、绿色发光二极管以及红色发光二极管。
发明内容
如上所述，一个像素通常包括三个子像素。因此，将三种类型的发光二极管，即红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管移动(例如转移)至显示基板，然后，通过复杂的处理来形成并且引出配线，用于驱动这三种类型的发光二极管。
期望提供一种发光二极管显示器的制造方法，该方法能够通过简单处理制造发光二极管显示器，并且通过该方法制造发光二极管显示器。
根据本发明的实施方式的发光二极管显示器的制造方法包括以下步骤。
(A)将发射红光的多个第一发光二极管设置在第一发光二极管制造基板上，第一发光二极管均包括以下组件：
(a-1)第一化合物半导体层，具有第一导电型；
(a-2)活性层；
(a-3)第二化合物半导体层，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(a-4)第一电极，电连接至第一化合物半导体层；以及
(a-5)第二电极，电连接至第二化合物半导体层；
将发射绿光的多个第二发光二极管设置在第二发光二极管制造基板上，第二发光二极管均包括以下组件：
(b-1)第一化合物半导体层，具有第一导电型；
(b-2)活性层；
(b-3)第二化合物半导体层，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(b-4)第一电极，电连接至第一化合物半导体层；以及
(b-5)第二电极，电连接至第二化合物半导体层；以及
将发射蓝光的多个第三发光二极管设置在第三发光二极管制造基板上，第三发光二极管均包括以下组件：
(c-1)第一化合物半导体层，具有第一导电型；
(c-2)活性层；
(c-3)第二化合物半导体层，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(c-4)第一电极，电连接至第一化合物半导体层；以及
(c-5)第二电极，电连接至第二化合物半导体层。
(B)将第一发光二极管、第二发光二极管、以及第三发光二极管预固定至发光单元制造基板，以制造均包括期望数量的第一发光二极管、期望数量的第二发光二极管、以及期望数量的第三发光二极管的发光单元，并且第一发光二极管、第二发光二极管、以及第三发光二极管的第一电极连接至子公共电极。
(C)发光单元从发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括多个发光单元的发光二极管显示器，其中，这些发光单元以二维矩阵形式配置，即沿第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置。
在发光二极管显示器的制造方法中，优选地，在发光二极管显示器中的第一发光二极管的配置间距为在第一发光二极管制造基板上的第一发光二极管的制造间距的整数倍，在发光二极管显示器中的第二发光二极管的配置间距为在第二发光二极管制造基板上的第二发光二极管的制造间距的整数倍，以及在发光二极管显示器中的第三发光二极管的配置间距为在第三发光二极管制造基板上的第三发光二极管的制造间距的整数倍。在这种情况下，用于制造发光二极管的材料的损失减少，并且使制造过程合理。整数倍的值可以基于发光二极管显示器的规格、发光二极管的制造过程等确定。
根据本发明的优选实施方式的发光二极管显示器的制造方法可以包括制备具有固定层的第一转移基板。在这种情况下，步骤(B)包括以下步骤。
(B-1)将在第一发光二极管制造基板上的第一发光二极管转移至固定层，将在第二发光二极管制造基板上的第二发光二极管转移至固定层，以及将在第三发光二极管制造基板上的第三发光二极管转移至固定层。
(B-2)形成子公共电极以从发光二极管组的第一电极延伸至固定层，发光二极管组包括形成每个发光单元的期望数量的第一发光二极管、期望数量的第二发光二极管、以及期望数量的第三发光二极管。
(B-3)通过固定层和子公共电极将形成每个发光单元的发光二极管组粘结并且预固定至发光单元制造基板，然后，移除第一转移基板。
(B-4)在固定层中形成第一接触孔以连接至第一发光二极管的第二电极，并且形成第一衬垫部以从第一接触孔延伸至固定层。在固定层中形成第二接触孔以连接至第二发光二极管的第二电极，并且形成第二衬垫部以从第二接触孔延伸至固定层。在固定层中形成第三接触孔以连接至第三发光二极管的第二电极，并且形成第三衬垫部以从第三接触孔延伸至固定层。此外，在固定层中形成第四接触孔以连接至子公共电极，并且形成第四衬垫部以从第四接触孔延伸至固定层。结果，形成发光单元。
(B-5)然后，在固定层中分离发光单元。
该方法进一步包括制备显示基板，在显示基板上，形成绝缘材料层和用绝缘材料覆盖并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极。在这种情况下，步骤(C)包括以下步骤。
(C-1)将发光单元粘结至第二转移基板并且移除发光单元制造基板。
(C-2)将发光单元配置在显示基板上，从而由绝缘材料层围绕发光单元，然后，移除第二转移基板。
(C-3)形成第一连接部以将第一衬垫部电连接至第一公共电极，从而从固定层延伸至绝缘材料层。形成第二连接部以将第二衬垫部电连接至第二公共电极，从而从固定层延伸至绝缘材料层。形成第三连接部以将第三衬垫部电连接至第三公共电极，从而从固定层延伸至绝缘材料层。在绝缘材料层上形成第四公共电极，并且形成第四连接部以将第四衬垫部电连接至第四公共电极，从而从固定层延伸至绝缘材料层。为了方便起见，将该配置称作“根据本发明的第一配置的发光二极管显示器的制造方法”。
可选地，根据本发明的优选实施方式的发光二极管显示器的方法可以包括制备具有固定层的第一转移基板、执行在根据本发明的第一配置的发光二极管显示器的制造方法中的步骤(B)(即步骤(B-1)～步骤(B-5))、以及制备在其上第一、第二以及第三公共电极被形成为沿第一方向延伸的显示基板。在这种情况下，步骤(C)包括以下步骤。
(C-1)将发光单元粘结至第二转移基板并且移除发光单元制造基板。
(C-2)将发光单元配置在显示基板上，然后，移除第二转移基板。
(C-3)形成绝缘材料层以覆盖第一、第二以及第三公共电极并且围绕发光单元。
(C-4)为了将第一衬垫部电连接至第一公共电极而形成第一连接部，以从固定层延伸至绝缘材料层。为了将第二衬垫部电连接至第二公共电极而形成第二连接部，以从固定层延伸至绝缘材料层。为了将第三衬垫部电连接至第三公共电极而形成第三连接部，以从固定层延伸至绝缘材料层。在绝缘材料层上形成第四公共电极，并且为了将第四衬垫部电连接至第四公共电极而形成第四连接部，以从固定层延伸至绝缘材料层。为了方便起见，将该配置称作“根据本发明的第二配置的发光二极管显示器的制造方法”。
可选地，根据本发明的优选实施方式的发光二极管显示器的制造方法可以包括制备具有固定层的第一转移基板。在这种情况下，步骤(B)包括以下步骤。
(B-1)将在第一发光二极管制造基板上的第一发光二极管转移至固定层，将在第二发光二极管制造基板上的第二发光二极管转移至固定层，以及将在第三发光二极管制造基板上的第三发光二极管转移至固定层。
(B-2)形成子公共电极以从发光二极管组的第一电极延伸至固定层，发光二极管组包括形成每个发光单元的期望数量的第一发光二极管、期望数量的第二发光二极管、以及期望数量的第三发光二极管。
(B-3)通过固定层和子公共电极将形成每个发光单元的发光二极管组粘结并且预固定至发光单元制造基板以制造发光单元，然后，移除第一转移基板。
(B-4)然后，在固定层中分离发光单元。
该方法进一步包括制备显示基板，在显示基板上，形成绝缘材料层和用绝缘材料覆盖并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极。在这种情况下，步骤(C)包括以下步骤。
(C-1)将发光单元粘结至第二转移基板并且移除发光单元制造基板。
(C-2)将发光单元配置在显示基板上，从而由绝缘材料层围绕发光单元，然后，移除第二转移基板。
(C-3)为了将第一发光二极管的第二电极电连接至第一公共电极而在固定层中形成第一接触孔，并且形成第一连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。为了将第二发光二极管的第二电极电连接至第二公共电极而在固定层中形成第二接触孔，并且形成第二连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。为了将第三发光二极管的第二电极电连接至第三公共电极而在固定层中形成第三接触孔，并且形成第三连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。在绝缘材料层上形成第四公共电极，并且为了将子公共电极电连接至第四公共电极而在固定层中形成第四接触孔，并且形成第四连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。为了方便起见，将该配置称作“根据本发明的第三配置的发光二极管显示器的制造方法”。
可选地，根据本发明的优选实施方式的发光二极管显示器的制造方法可以包括：制备具有固定层的第一转移基板、执行在根据本发明的第三配置的发光二极管显示器的制造方法中的步骤(B)(即步骤(B-1)～步骤(B-4))、以及制备在其上第一、第二以及第三公共电极被形成为沿第一方向延伸的显示基板。在这种情况下，步骤(C)包括以下步骤。
(C-1)将发光单元粘结至第二转移基板并且移除发光单元制造基板。
(C-2)将发光单元配置在显示基板上，然后，移除第二转移基板。
(C-3)形成绝缘材料层以覆盖第一、第二以及第三公共电极并且围绕发光单元。
(C-4)为了将第一发光二极管的第二电极电连接至第一公共电极而在固定层中形成第一接触孔，并且形成第一连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。为了将第二发光二极管的第二电极电连接至第二公共电极而在固定层中形成第二接触孔，并且形成第二连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。为了将第三发光二极管的第二电极电连接至第三公共电极而在固定层中形成第三接触孔，并且形成第三连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。在绝缘材料层上形成第四公共电极，并且为了将子公共电极电连接至第四公共电极而在固定层中形成第四接触孔，并且形成第四连接部以从固定层延伸至绝缘材料层。为了方便起见，将该配置称作“根据本发明的第四配置的发光二极管显示器的制造方法”。
根据本发明的实施方式的发光二极管显示器包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置，即以二维矩阵形式配置的多个发光单元，发光单元均包括以下组件：
期望数量的第一发光二极管，其发射红光并且每一个均包括以下组件：
(a-1)第一化合物半导体层，具有第一导电型；
(a-2)活性层；
(a-3)第二化合物半导体层，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(a-4)第一电极，电连接至第一化合物半导体层；以及
(a-5)第二电极，电连接至第二化合物半导体层；
期望数量的第二发光二极管，其发射绿光并且每一个均包括以下组件：
(b-1)第一化合物半导体层，具有第一导电型；
(b-2)活性层；
(b-3)第二化合物半导体层，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(b-4)第一电极，电连接至第一化合物半导体层；以及
(b-5)第二电极，电连接至第二化合物半导体层；以及
期望数量的第三发光二极管，其发射蓝光并且每一个均包括以下组件：
(c-1)第一化合物半导体层，具有第一导电型；
(c-2)活性层；
(c-3)第二化合物半导体层，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(c-4)第一电极，电连接至第一化合物半导体层；以及
(c-5)第二电极，电连接至第二化合物半导体层。
将在每个发光单元中的第一、第二以及第三发光二极管的第一电极连接至子公共电极，将在以第一方向配置的每个发光单元中的第一、第二以及第三发光二极管的第二电极分别连接至沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极，以及将以第二方向配置的发光单元的子公共电极连接至沿第二方向延伸的第四公共电极。
可以如下构成发光二极管显示器。
在显示基板上形成第一、第二以及第三公共电极。
在固定在显示基板上的固定层中形成子公共电极。
将在每个发光单元中的第一、第二以及第三发光二极管固定在固定层中。
用覆盖第一、第二以及第三公共电极的绝缘材料层来围绕固定层。
将每个发光单元中的第一、第二以及第三发光二极管设置在子公共电极上，从而将发光二极管的第一电极连接至子公共电极。
将第一发光二极管的第二电极通过在固定层中形成的第一接触孔以及被形成为从固定层延伸至绝缘材料层的第一连接部而连接至第一公共电极。
将第二发光二极管的第二电极通过在固定层中形成的第二接触孔以及被形成为从固定层延伸至绝缘材料层的第二连接部而连接至第二公共电极。
将第三发光二极管的第二电极通过在固定层中形成的第三接触孔以及被形成为从固定层延伸至绝缘材料层的第三连接部而连接至第三公共电极。
将子公共电极通过在固定层中形成的第四接触孔以及被形成为从固定层延伸至绝缘材料层的第四连接部而连接至在绝缘材料层上形成的第四公共电极。
可以如下构成具有上述优选配置的发光二极管显示器。
将第一衬垫部设置在固定层中，以被设置在第一接触孔和第一连接部之间。
将第二衬垫部设置在固定层中，以被设置在第二接触孔和第二连接部之间。
将第三衬垫部设置在固定层中，以被设置在第三接触孔和第三连接部之间。
将第四衬垫部设置在固定层中，以被设置在第四接触孔和第四连接部之间。
可以如下构成具有上述优选配置的发光二极管显示器或者包括上述优选配置的根据本发明的第一或第二配置的发光二极管显示器的制造方法。
第一衬垫部的尺寸大于第一发光二极管的第二电极的尺寸。
第二衬垫部的尺寸大于第二发光二极管的第二电极的尺寸。
第三衬垫部的尺寸大于第三发光二极管的第二电极的尺寸。
具体地，当第一、第二或者第三衬垫的尺寸(面积)为SP，并且第一、第二、或者第三发光二极管的第二电极的尺寸(面积)为SE时，优选地，满足SE＜SP＜LU/3，优选地，SE＜SP＜LU/12，其中，LU表示一个像素的一边的最大长度。
可以如下构成具有上述优选配置的发光二极管显示器或者包括上述优选配置的根据本发明的第一或第二配置的发光二极管显示器的制造方法。
接近每个第一接触孔的第一衬垫部的中心不与第一接触孔的中心一致并且偏离第一公共配线侧。
接近每个第二接触孔的第二衬垫部的中心不与第二接触孔的中心一致并且偏离第二公共配线侧。
接近每个第三接触孔的第三衬垫部的中心不与第三接触孔的中心一致并且偏离第三公共配线侧。
在该配置中，当形成第一、第二以及第三连接部时，可对这些连接部和第四连接部之间的距离给出余量。因此，可以确保防止在这些连接部和第四连接部之间发生短路。
可以如下构成具有上述优选配置的发光二极管显示器或者包括上述优选配置的本发明的发光二极管显示器的制造方法。从第一、第二以及第三发光二极管所发射的光从第一电极侧发出，并且子公共电极具有光透射结构。在这种情况下，子公共电极可以包括金属层或者合金层。可选地，在这种情况下，子公共电极可以包括光透射电极和从光透射电极延伸的金属层或者合金层，从而第一、第二以及第三发光二极管的第一电极与光透射电极接触，并且第四接触孔与金属层或合金层接触。
子公共电极可以包括金属层或合金层，并且具体地，子公共电极可以为网格状电极或者梳状电极。可选地，子公共电极可以包括光透射电极和从光透射电极延伸的金属层或合金层。具体地，光透射电极可以由诸如ITO、IZO等的透明导电材料构成，或者光透射电极可以为网格状电极或者梳状电极。只要具有光透射结构，网格状电极或者梳状电极可以不具有光透射性。用于形成金属层或合金层的材料的实例包括诸如钛、铬、镍、金、银、铜、铂、钨、钽、铝等的金属元素、以及其合金。子公共电极可以具有包括二层以上的多层结构。第一、第二以及第三发光二极管的第一电极与光透射电极接触。具体地，光透射电极可以在第一电极上或在第一电极和其外周上形成。优选地，第四接触孔与金属层或者合金层接触。具体地，第四接触孔可以在金属层或合金层上形成。
此外，在具有上述优选配置的发光二极管显示器或者具有本发明的上述优选配置的发光二极管显示器的制造方法中，优选地，满足以下关系：
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.5，
优选地，
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.25，
其中，LP-1和LP-2为包括第一、第二以及第三发光二极管的一个像素分别沿着第一方向和第二方向的长度，以及LU-1和LU-2为一个发光单元分别沿着第一方向和第二方向的长度。
此外，在具有上述优选配置的发光二极管显示器或者具有本发明的上述优选配置的发光二极管显示器的制造方法中，优选地，满足以下关系：
2.5×10-11m2≤Smax≤1×10-8m2，
优选地
2.5×10-11m2≤Smax≤2.5×10-9m2，
其中，Smax为在第一、第二以及第三发光二极管中的最大发光二极管的发射表面的面积。另外，优选地，满足以下关系：
3×100≤SUnit/STotal≤1.3×104，
优选地
5≤SUnit/STotal≤1×103，
其中，STotal为在一个发光单元中第一、第二以及第三发光二极管的发光表面的总面积，以及SUnit为一个发光单元的面积。然而，比率SUnit/STotal不限于该范围。
在具有上述优选配置的发光二极管显示器或者具有本发明的上述优选配置的发光二极管显示器的制造方法(下文中，可通称为“本发明”)中，构成一个发光单元的第一发光二极管的期望数量N1可以为1或2以上的整数，构成一个发光单元的第二发光二极管的期望数量N2可以为1或2以上的整数，且构成一个发光单元的第三发光二极管的期望数量N3可以为1或2以上的整数。N1、N2以及N3的数量可以相同或者不同。当N1、N2以及N3的数量均为2以上的整数时，可以在一个发光单元中以串联或并联连接发光二极管。(N1，N2，N3)的数量的组合实例包括但不限于(1，1，1)、(1，2，1)、(2，2，2)以及(2，4，2)。
在本实施方式中，构成第一化合物半导体层、活性层、第二化合物半导体层的化合物半导体的实例包括：GaN基化合物半导体(包括AlGaN混晶、AlGaInN混晶以及GaInN混晶)、GaInNAs基化合物半导体(包括GaInAs混晶和GaNAs混晶)、AlGaInP基化合物半导体、AlAs基化合物半导体、AlGaInAs基化合物半导体、AlGaAs基化合物半导体、GaInAs基化合物半导体、GaInAsP基化合物半导体、GaInP基化合物半导体、GaP基化合物半导体、InP基化合物半导体、InN基化合物半导体以及AlN基化合物半导体。要添加至化合物半导体层的n型杂质的实例包括：硅(Si)、硒(Se)、锗(Ge)、锡(Sn)、碳(C)以及钛(Ti)。p型杂质的实例包括：锌(Zn)、镁(Mg)、铍(Be)、镉(Cd)、钙(Ca)、钡(Ba)以及氧(O)。活性层可以包括单化合物半导体层或者可以具有单量子阱结构(QW结构)或者多量子阱结构(MQW结构)。用于形成包括活性层的各种化合物半导体层的方法的实例包括：金属有机物化学气相沉积法(MOCVD法和MOVPE法)、金属有机物分子束外延法(MOMBE法)以及氢化物气相外延方法(HVPE法)，其中，卤素有助于运输或反应。为了制造发射红光的第一发光二极管、发射绿光的第二发光二极管以及发射蓝光的第三发光二极管，可以适当地选择化合物半导体及其组成。
当第一导电型为n型时，第二导电型为p型，而当第一导电型为p型时，第二导电型为n型。
为了将第一电极电连接至第一化合物半导体层，例如，可以在第一化合物半导体层上形成第一电极。类似地，为了将第二电极电连接至第二化合物半导体层，例如，可以在第二化合物半导体层上形成第二电极。当第一导电型为n型，而第二导电型为p型时，第一电极为n侧电极，并且第二电极为p侧电极。反之，当第一导电型为p型，并且第二导电型为n型时，第一电极为p侧电极，并且第二电极为n侧电极。p侧电极的实例包括Au/AuZn、Au/Pt/Ti(/Au)/AuZn、Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuZn、Au/AuPd、Au/Pt/Ti(/Au)/AuPd、Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuPd、Au/Pt/Ti、Au/Pt/TiW(/Ti)、Au/Pt/TiW/Pd/TiW(/Ti)、Pt、Ni、Ag以及Ge。n侧电极的实例包括Au/Ni/AuGe、Au/Pt/Ti(/Au)/Ni/AuGe、Au/Pt/TiW(/Ti)/Ni/AuGe以及Ti。在该表达中，若某层被描述为越是在“/”前面，该层就位于越电远离活性层的位置。可选地，第一电极可以由诸如ITO、IZO、ZnO:Al、或者ZnO:B的透明导电材料构成。当第一电极为n侧电极或者p侧电极时，由透明导电材料所构成的层可以被用作电流扩散层并且与任何一种上述金属层压结构进行组合。
第一、第二以及第三发光二极管制造基板的实例包括：GaAs基板、GaP基板、AlN基板、AlP基板、InN基板、InP基板、AlGaInN基板、AlGaN基板、AlInN基板、GaInN基板、AlGaInP基板、AlGaP基板、AlInP基板、GaInP基板、ZnS基板、蓝宝石基板、SiC基板、氧化铝基板、ZnO基板、LiMgO基板、LiGaO基板、MgAl2O4基板、Si基板、Ge基板，并且这些基板均进一步包括在表面(主表面)上形成基础层和缓冲层。为了制造发射红光的第一发光二极管、发射绿光的第二发光二极管、以及发射蓝光的第三发光二极管，可以从这些基板中适当地选择基板。
构成发光单元制造基板、显示基板、第一转移基板以及第二转移基板的材料的实例包括：玻璃板、金属板、合金板、陶瓷板以及塑料板。用于将第一、第二以及第三发光二极管预固定至发光单元制造基板的方法、用于将发光二极管组粘结至发光单元制造基板的方法、用于将发光单元粘结至第二转移基板的方法、以及用于将发光单元固定至显示基板的方法的实例包括：使用粘合剂的方法、金属粘结法、半导体粘结法、以及金属-半导体粘结法。另一方面，例如，可以通过激光磨蚀法、加热法或者蚀刻法去除第一、第二和第三发光二极管制造基板、第一转移基板、发光单元制造基板、以及第二转移基板。发光单元可以被配置在显示基板上，从而被绝缘材料层所围绕，或者例如通过使用粘合剂的方法而被配置。
固定层可能具有包括从第一转移基板侧起按顺序设置的绝缘层和包埋材料层的两层结构。构成绝缘层的材料的实例包括聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂。作为用于将第一、第二以及第三发光二极管固定至固定层的方法的实例，先部分固化包埋材料层，将第一、第二以及第三发光二极管埋入包埋材料层的剩余的未固化部分中，然后，固化包埋材料层的未固化部分。
包埋材料层基本上可以由任何期望的材料构成，只要该材料可以通过诸如光(具体地，紫外光)、放射线(X-射线)、电子束等的能量射线的照射来固化或者凝固，或者可通过施加热、压力等固化或者凝固，或者可基于任何方法固化或者凝固。容易形成和容易固化或者凝固的材料的实例包括树脂层，具体地，感光树脂、热固性树脂以及热塑性树脂。感光树脂的实例包括：露出部分通过光交联反应而变成不能溶解的诸如聚乙烯醇肉桂酸酯、聚乙烯醇叠氮基亚苄酯(polyvinylazidobenzal)等的负型树脂；露出部分通过丙烯酰胺等的光聚合反应而变成不能溶解的负型树脂；以及通过醌二叠氮基(quinonediazido)的光分解作用而生成羧酸从而变得容易溶解的诸如邻醌二叠氮基酚醛(o-quinone diazidonovolac)树脂的正型树脂。热固性树脂的实例包括：环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、非饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂等。热塑性树脂的实例包括：聚乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚酰胺树脂等。例如，当使用由感光树脂构成的树脂层时，可以通过光或者紫外光的照射来固化包埋材料层。当使用由热固性树脂所构成的树脂层时，可以通过加热板、烘炉等来固化包埋材料层。当使用由热塑性树脂构成树脂层时，可以通过光照射加热来选择性地加热部分包埋材料层，使其被熔化并且具有流动性。作为包埋材料层，还可以使用诸如感压树脂(例如丙烯酸树脂)、金属(金属单体或合金)、玻璃等的其他材料。
构成第一、第二、第三以及第四公共电极(下文中，可以称作“公共电极等”)的材料的实例(下文中，可以称作“电极材料”)包括：诸如铬(Cr)、铝(Al)、钨(W)、铌(Nb)、钽(Ta)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、铁(Fe)、铂(Pt)、锌(Zn)等的各种金属；合金(例如MoW)或者化合物(例如TiW、诸如TiN、WN等氮化物、诸如WSi2、MoSi2、TiSi2、TaSi2等硅化物)；诸如硅(Si)等的半导体；诸如金刚石等的碳薄膜；以及诸如ITO(氧化铟锡)、氧化铟、氧化锌等的导电金属氧化物。用于形成公共电极等的方法的实例包括：诸如真空沉积法(诸如电子束蒸发法和热灯丝蒸发法)、溅射法、离子镀法以及激光磨蚀法的各种物理气相沉积法(PVD)；各种化学气相沉积法(CVD法)；丝网印刷法；喷墨印刷法；金属掩膜印刷法；镀金属方法(电镀法和非电镀法)；剥离法；溶胶凝胶法等。可以将这些方法的任何一种与蚀刻法进行组合。可以选择适当形成方法，以允许直接图案化形成公共电极等。
第一、第二、第三以及第四接触孔可以使用例如上述电极材料的任何一种来形成。第一、第二、第三以及第四接触孔可以通过与用于基于光刻在固定层中形成孔或者使用上述电极材料形成电极相同的方法来形成。可以从用于形成公共电极等的上述方法中适当地选择用于形成从第一接触孔延伸至固定层的第一衬垫部、形成从第二接触孔延伸至固定层的第二衬垫部、形成从第三接触孔延伸至固定层的第三衬垫部、以及形成从第四接触孔延伸至固定层的第四衬垫部的方法。此外，可以从用于形成公共电极等的上述方法中适当地选择用于形成从固定层延伸至绝缘材料层的第一连接部、形成从固定层延伸至绝缘材料层的第二连接部、形成从固定层延伸至绝缘材料层的第三连接部、以及形成从固定层延伸至绝缘材料层的第四连接部的方法。
作为用于分离包括在固定层中的发光二极管组的发光单元的方法，可以使用激光照射法、干蚀刻法、湿蚀刻法或者切割法。
作为绝缘材料层，可以单独使用或者适当组合地使用诸如氧化硅、氮氧化硅、SOG(旋涂玻璃)、低熔点玻璃、以及玻璃板的氧化硅材料；以及诸如聚酰亚胺等的绝缘树脂。可以通过诸如各种CVD处理、涂覆处理、溅射处理、诸如丝网印刷处理的各种印刷处理等的各种处理的任何一种来形成绝缘材料层。
在现有技术中，将多个第一、第二、以及第三发光二极管转移至显示基板，然后，将配线延伸至第一、第二以及第三发光二极管的第一和第二电极。另一方面，根据本发明的实施方式，将均包括第一、第二、第三发光二极管的多个发光单元转移至显示基板，发光二极管的第一电极连接至子公共电极。因此，配线(公共电极)可以容易地延伸至第一、第二以及第三发光二级管的每一个的第二电极。结果，可以简化制造发光二极管显示器的处理。
附图说明
图1是示出了在根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器中的一个发光单元的示意平面图；
图2A、图2B以及图2C是根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器中的一个发光单元分别沿着图1中的线A-A、B-B以及C-C所获得的示意性的部分截面图；
图3A、图3B以及图3C是根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器中的一个发光单元分别沿着图1中的线D-D、E-E以及F-F所获得的示意性的部分截面图；
图4A和图4B均为用于示出根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的发光二极管等的示意性的部分端视图；
图5A和图5B均为用于示出继图4B之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的发光二极管等的示意性的部分端视图；
图6A和图6B均为用于示出继图5B之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的发光二极管等的示意性的部分端视图；
图7A和图7B均为用于示出继图6B之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的发光二极管等的示意性的部分端视图；
图8A、图8B以及图8C是用于示出根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图9A、图9B以及图9C是用于示出分别继图8A、图8B以及图8C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图10A、图10B以及图10C是用于示出分别继图9A、图9B以及图9C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图11A、图11B以及图11C是用于示出分别继图10A、图10B以及图10C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图12A、图12B以及图12C是用于示出分别继图11A、图11B以及图11C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图13A、图13B以及图13C是用于示出分别继图12A、图12B以及图12C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图14A、图14B以及图14C是用于示出分别继图13A、图13B、以及图13C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图15A、图15B以及图15C是用于示出分别继图14A、图14B以及图14C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图16A、图16B以及图16C是用于示出分别继图15A、图15B以及图15C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图17A、图17B以及图17C是用于示出分别继图16A、图16B以及图16C之后的根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图18A、图18B以及图18C是示出了根据本发明的第二实施方式的发光二极管显示器的一个发光单元的与分别沿着图1中的线A-A、B-B以及C-C所获得截面图等价的示意性的部分截面图；
图19A、图19B以及图19C是示出了根据本发明的第二实施方式的发光二极管显示器的一个发光单元的与分别沿着图1中的线D-D、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性部分截面图；
图20A、图20B以及图20C是用于示出根据本发明的第二实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图21A、图21B以及图21C是用于示出分别继图20A、图20B以及图20C之后的根据本发明的第二实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图22A、图22B以及图22C是用于示出分别继图21A、图21B以及图21C之后的根据本发明的第二实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图23A、图23B以及图23C是示出了根据本发明的第三实施方式的发光二极管显示器的一个发光单元的与分别沿着图1中的线A-A、B-B以及C-C所获得截面图等价的示意性的部分截面图；
图24A、图24B以及图24C是示出了根据本发明的第三实施方式的发光二极管显示器的一个发光单元的与分别沿着图1中的线D-D、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分截面图；
图25A、图25B以及图25C是用于示出根据本发明的第三实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图26A、图26B以及图26C是用于示出分别继图25A、图25B以及图25C之后的根据本发明的第三实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图27A、图27B以及图27C是用于示出分别继图26A、图26B以及图26C之后的根据本发明的第三实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图28A、图28B以及图28C是示出了根据本发明的第四实施方式的发光二极管显示器的一个发光单元的与分别沿着图1中的线A-A、B-B以及C-C所获得截面图等价的示意性的部分截面图；
图29A、图29B以及图29C是示出了根据本发明的第四实施方式的发光二极管显示器的一个发光单元的与分别沿着图1中的线D-D、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分截面图；
图30A、图30B以及图30C是用于示出根据本发明的第四实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图31A、图31B以及图31C是用于示出分别继图30A、图30B以及图30C之后的根据本发明的第四实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图32A、图32B以及图32C是用于示出分别继图31A、图31B以及图31C之后的根据本发明的第四实施方式的发光二极管显示器的制造方法的与分别沿着图1中的线B-B、E-E以及F-F所获得截面图等价的示意性的部分端视图；
图33是在根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的修改例中的一个发光单元的示意性平面图；
图34A和图34B是用于示出根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的示意性的部分平面图；
图35A和图35B是用于示出根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法的示意性的部分平面图。
具体实施方式
下面将参照附图基于实施方式来描述本发明。
第一实施方式涉及根据本发明的实施方式的发光二极管显示器及其制造方法，并且具体地，涉及根据第一配置的发光二极管显示器的制造方法。
图1是示出了一个发光单元的示意性平面图。图2A、图2B以及图2C是分别沿着在图1中的线A-A、B-B以及C-C所获得的示意性的部分截面图。图3A、图3B以及图3C是分别沿着在图1中的线D-D、E-E以及F-F所获得的示意性的部分截面图。在图1中，通过点划线示出一个发光单元，并且通过虚线示出发光二极管。另外，交叉线画出第一、第二、第三公共电极的外部边缘，并且通过实线示出第四公共电极和第一、第二以及第三连接部的外部边缘。此外，图4A是发光二极管的示意性的部分截面图。
第一实施方式的发光二极管显示器包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置的，即以二维矩阵形式配置的多个发光单元，每个发光单元包括期望数量的发射红光的第一发光二极管110、期望数量的发射绿光的第二发光二极管210、以及期望数量的发射蓝光的第三发光二极管310。
每个发射红光的第一发光二极管110包括：
(a-1)第一化合物半导体层11，具有第一导电型(具体地，在本实施方式中，n型)；
(a-2)活性层13；
(a-3)第二化合物半导体层12，具有与第一导电型不同的第二导电型(具体地，在本实施方式中，p型)；
(a-4)第一电极114，电连接至第一化合物半导体层11；以及
(a-5)第二电极115，电连接至第二化合物半导体层12；
每个发射绿光的第二发光二极管包括：
(b-1)第一化合物半导体层11，具有第一导电型；
(b-2)活性层13；
(b-3)第二化合物半导体层12，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(b-4)第一电极214，电连接至第一化合物半导体层11；以及
(b-5)第二电极215，电连接至第二化合物半导体层12；
每个发射蓝光的第三发光二极管包括：
(c-1)第一化合物半导体层11，具有第一导电型；
(c-2)活性层13；
(c-3)第二化合物半导体层12，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(c-4)第一电极314，电连接至第一化合物半导体层11；以及
(c-5)第二电极315，电连接至第二化合物半导体层12；
将在每个发光单元中的第一发光二极管110的第一电极114、第二发光二极管210的第一电极214、以及第三发光二极管310的第一电极314连接至子公共电极43。另一方面，将沿着第一方向配置的每个发光单元的第一发光二极管110的第二电极115连接至沿着第一方向延伸的第一公共电极(第一公共配线)401。此外，将第二发光二极管210的第二电极215连接至沿着第一方向延伸的第二公共电极(第二公共配线)402。此外，将第三发光二极管310的第二电极315连接至沿着第一方向延伸的第三公共电极(第三公共配线)403。另外，将沿着第二方向配置的发光单元的子公共电极43连接至沿着第二方向延伸的第四公共电极(第四公共配线)404。
在显示基板61上形成第一、第二以及第三公共电极401、402以及403，并且在固定在显示基板61上的固定层34中形成子公共电极43。此外，将在每个发光单元中的第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310固定在固定层34中，固定层34被绝缘材料层71围绕。绝缘材料层71覆盖在显示基板61上形成的第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。
在第一实施方式的发光二极管显示器中，从第一、第二以及第三发光二级管110、210以及310所发射的光从第一电极侧发出。子公共电极43具有光透射结构。子公共电极43可以包括金属层或者合金层。可选地，子公共电极43可以包括光透射电极42和从光透射电极42延伸的金属层41。此外，在将第一电极114、214以及314连接至子公共电极43的同时，将在每个发光单元中的第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310配置在子公共电极43上。具体地，第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的第一电极114、214以及314与光透射电极42接触。更具体地，在第一电极114、214以及314上以及在第一电极114、214以及314的外周形成光透射层42。另一方面，第四接触孔421与金属层41接触。具体地，在金属层41上形成第四接触孔421。光透射电极42由透明导电材料构成，而金属层41例如由诸如金、铜或者铝的金属配线材料构成。
通过形成在固定层34中的第一接触孔121以及从固定层34至绝缘材料层71形成的第一连接部124而将第一发光二极管110的第二电极115连接至第一公共电极401。通过形成在固定层34中的第二接触孔221以及从固定层34至绝缘材料层71形成的第二连接部224而将第二发光二极管210的第二电极215连接至第二公共电极402。通过形成在固定层34中的第三接触孔321以及从固定层34至绝缘材料层71形成的第三连接部324而将第三发光二极管310的第二电极315连接至第三公共电极403。通过形成在固定层34中的第四接触孔421以及从固定层34至绝缘材料层71形成的第四连接部424而将子公共电极43连接至形成在绝缘材料层71上的第四公共电极404。在第一实施方式中，在固定层34中形成第一衬垫部122以使其被设置在第一接触孔121和第一连接部124之间。另外，在固定层34中形成第二衬垫部222以使其被设置在第二接触孔221和第二连接部224之间。此外，在固定层34中形成第三衬垫部322以使其被设置在第三接触孔321和第三连接部324之间。此外，在固定层34中形成第四衬垫部422以使其被设置在第四接触孔421和第四连接部424之间。
在根据第一实施方式的发光二极管显示器中，第一、第二以及第三衬垫部122、222、322的大小(面积SP)大于第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的第二电极115、215以及315的大小(面积SE)。优选地，SP/SE＝2。
此外，根据第一实施方式的发光二极管显示器满足以下关系：
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.5，
其中，LP-1和LP-2为包括发射红光的第一发光二极管110、发射绿光的第二发光二极管210、以及发射蓝光的第三发光二极管310的一个像素分别沿着第一方向和第二方向的长度，以及LU-1和LU-2为一个发光单元分别沿着第一方向和第二方向的长度。更具体地，
LU-1/LP-1＝2
LU-2/LP-2＝4。
另外，根据第一实施方式的发光二极管显示器满足以下关系：
2.5×10-11m2≤Smax≤1×10-8m2，
其中，Smax为在第一、第二、以及第三发光二极管110、210、以及310中的最大发光二极管的发射表面的面积。更具体地，
Smax＝1×10-10m2。
此外，根据第一实施方式的发光二极管显示器满足以下关系：
3×100≤SUnit/STotal≤1.3×104，
其中，STotal为在一发光单元中第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的发光表面的总面积，而SUnit为一个发光单元的面积。更具体地，
SUnit/STotal≤1.3×101。
此外，当构成一个发光单元的第一发光二极管的期望数量为N1、构成一个发光单元的第二发光二极管的期望数量为N2、以及构成一发光单元的第三发光二极管的期望数量为N3时，(N1，N2，N3)的组合为(1，1，1)。
在第一实施方式中，在发射红光的每个第一发光二极管110中的第一化合物半导体层11、活性层13以及第二化合物半导体层12由AlGaInP化合物半导体构成。在发射绿光的每个第二发光二极管210中的第一化合物半导体层11、活性层13以及第二化合物半导体层12由GaInN化合物半导体构成。在发射蓝光的每个第三发光二极管310中的第一化合物半导体层11、活性层13以及第二化合物半导体层12由InGaN化合物半导体构成。
将第一化合物半导体层11电连接至各个第一电极114、214以及314。具体地，在各个第一化合物半导体层11上形成第一电极114、214以及314。类似地，将第二化合物半导体层12电连接至各个第二电极115、215以及315。具体地，在各个第二化合物半导体层12上形成第二电极115、215以及315。在第一实施方式中，第一导电型为n型，并且第二导电型为p型。因此，第一电极114、214以及314为n侧电极，而第二电极115、215以及315为p侧电极。具体地，第二电极115、215以及315由诸如镍等的欧姆接触材料构成，而第一电极114、214以及314由诸如钛等的欧姆接触材料构成。另外，第一、第二、第三以及第四公共电极401、402、403以及404由诸如铝、铜等的配线材料构成。此外，第一、第二、第三以及第四接触孔121、221、321以及421由诸如铝、铜等的配线材料构成。第一、第二、第三以及第四衬垫部122、222、322以及422由诸如铝、铜等的配线材料构成。第一、第二、第三以及第四连接部124、224、324以及424由诸如铝、铜等的配线材料构成。
固定层34具有两层结构，其包括例如从第一转移基板侧起按顺序设置的绝缘层32和包埋材料层33。绝缘层32由聚酰亚胺树脂构成，而包埋材料层33由紫外光固化树脂构成。绝缘材料层71由聚酰亚胺树脂构成。
将参照图4A、4B、5A、5B、6A、8B、7A、7B、8A、8B、8C、9A、9B、9C、10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C、15A、15B、15C、16A、16B、16C、17A、17B以及17C来描述根据本发明的第一实施方式的发光二极管显示器的制造方法，具体来说，是根据第一配置发光二极管显示器的制造方法。另外，图8A、9A、10A、11A、12A、13A、14A、15A、16A以及17A为与沿着图1中的线B-B所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图8B、9B、10B、11B、12B、13B、14B、15B、16B以及17B为与沿着图1中的线E-E所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图8C、9C、10C、11C、12C、13C、14C、15C、16C以及17C为与沿着图1中的线F-F所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。
[步骤-100]
首先，通过通常方法制造发光二极管(110，210，310)。即将发射红光的多个第一发光二极管110设置在第一发光二极管制造基板上，每个第一发光二极管110均包括以下组件：
(a-1)第一化合物半导体层11，具有第一导电型(具体地，在第一实施方式中，n型)；
(a-2)活性层13；
(a-3)第二化合物半导体层12，具有与第一导电型不同的第二导电型(具体地，在第一实施方式中，p型)；
(a-4)第一电极114，电连接至第一化合物半导体层11；以及
(a-5)第二电极115，电连接至第二化合物半导体层12；另外，将发射绿光的多个第二发光二极管210设置在第二发光二极管制造基板上，每个第二发光二极管210均包括以下组件：
(b-1)第一化合物半导体层11，具有第一导电型；
(b-2)活性层13；
(b-3)第二化合物半导体层12，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(b-4)第一电极214，电连接至第一化合物半导体层11；以及
(b-5)第二电极215，电连接至第二化合物半导体层12；此外，将发射蓝光的多个第三发光二极管310设置在第三发光二极管制造基板上，每个第三发光二极管310均包括以下组件：
(c-1)第一化合物半导体层11，具有第一导电型；
(c-2)活性层13；
(c-3)第二化合物半导体层12，具有与第一导电型不同的第二导电型；
(c-4)第一电极314，电连接至第一化合物半导体层11；以及
(c-5)第二电极315，电连接至第二化合物半导体层12；
具体地，基于MOCVD方法在包括例如具有2英寸的标称直径的蓝宝石基板的发光二极管制造基板10A上形成缓冲层10B。此外，基于MOCVD方法在缓冲层10B上按顺序形成具有n导电型的第一化合物半导体层11、活性层13以及具有p导电型的第二化合物半导体层12。然后，图案化形成第一化合物半导体层11、活性层13以及第二化合物半导体层12，并且通过剥离法和真空蒸发法在第二化合物半导体层12上进一步形成第二电极15(115，215，315)作为p侧电极。结果，制造了具有包括第一化合物半导体层11、活性层13、第二化合物半导体层12以及第二电极15(115，215，315)的层压结构的发光二极管10(110，210，310)(参照图4A)。
[步骤-110]
然后，将第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310预固定至发光单元制造基板53，以制备均包括期望数量的第一发光二极管110、期望数量的第二发光二极管210以及期望数量的第三发光二极管310的发光单元，第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的第一电极114、214以及314连接至子公共电极43。
[步骤-110A]
具体地，将在第一发光二极管制造基板上的第一发光二极管110转移至固定层34，将在第二发光二极管制造基板上的第二发光二极管210转移至固定层34，以及将在第三发光二极管制造基板上的第三发光二极管310转移至固定层34。转移顺序基本上为任意顺序。为了转移，制备设置有固定层34的第一转移基板31。如上所述，固定层34具有两层结构，其包括从第一转移基板侧起按顺序设置的绝缘层32和包埋材料层33。绝缘层32由聚酰亚胺树脂构成，并且包埋材料层33由感光树脂构成。包埋材料层33要埋入第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的部分没有被固化，而包埋材料层33的其他部分被固化。
[步骤-110A-(1)]
首先，将预固定基板20粘结以与第二电极15(115，215，315)接触，然后，从发光二极管10(110，210，310)移除发光二极管制造基板10A。然后，在露出的第一化合物半导体层11上形成第一电极14(114，214，314)作为n侧电极。具体地，首先，将第二电极15(115，215，315)粘结至预固定基板20(参照图4B和图5A)。更具体地，制备包括具有形成在其表面上的粘合层21并且由非固化的粘合剂所构成的玻璃基板的预固定基板20。然后，将第二电极15(115，215，315)粘结至粘合层21，然后，固化粘合层21。然后，从发光二极管10(110，210，310)移除发光二极管制造基板10A。具体地，由准分子激光通过发光二极管制造基板10A照射发光二极管10(110，210，310)(更具体地，第一化合物半导体层11)和发光二极管制造基板10A之间的界面。结果，发生激光磨蚀，导致发光二极管制造基板10A与发光二极管10(110，210，310)分离。然后，通过剥离法或者真空蒸发法在各个第一化合物半导体层11上形成第一电极14(114，214，314)作为n侧电极。从而，制备了在图5B中所示的结构。
[步骤-110A-(2)]
接下来，将期望的发光二极管10(110，210，310)从预固定基板20转移至中间基板22。即将粘结至预固定基板20的发光二极管10(110，210，310)粘附至中间基板22。具体地，首先，在预固定基板20上的发光二极管10(110，210，310)上按压在包括玻璃基板的中间基板22的表面上形成的微粘合层23，如图34A示意性地示出的，在预固定基板20上以阵列(以二维矩阵)形式保留了发光二极管10(参照图6A和图6B)。在图34A、34B、35A以及35B中，通过在中央的“G”所表示的圆代表发射绿光的第二发光二极管210。在图35B中，通过在中央的“R”所示的圆代表发射红光的第一发光二极管110，以及通过在中央的“B”所示的圆代表发射蓝光的第三发光二极管310。例如，微粘合层23由硅橡胶构成。通过定位装置(未示出)来支撑中间基板22，从而通过操作定位装置来控制中间基板22和预固定基板20之间的位置关系。接下来，例如，由准分子激光从预固定基板20的背部照射要安装的发光二极管10(110，210，310)(参照图7A)。结果，发生激光磨蚀，以将用准分子激光所照射的发光二极管10(110，210，310)与预固定基板20分离。然后，将中间基板22与发光二极管10分离，以获得与预固定基板20分离并且粘附至薄粘合层23的发光二极管10(参照图7B)。图34B示意性地示出了沿第一方向的每六个发光二极管之一被分离并且将其粘附至微粘合层23、以及沿第二方向的每三个发光二极管之一被分离并且将其粘附至薄粘合层23的预固定基板20的状态。
然后，将发光二极管10(110，210，310)配置(移动或者转移)到包埋材料层33上。具体地，基于形成在第一转移基板31上的对准标记将发光二极管10(110，210，310)从中间基板22配置到第一转移基板31的包埋材料层33上。由于发光二极管10(110，210，310)微弱地粘附至微粘合层23，所以通过将发光二极管10(110，210，310)(按压)与包埋材料层接触并且将中间基板22移开第一转移基板31，在未固化的包埋材料层上保留了发光二极管10(110，210，310)。此外，使用轧辊等将发光二极管10(110，210，310)深埋到包埋材料层33中，以将发光二极管10(110，210，310)固定(配置)在固定层34中。图35A示意性地示出了第一转移基板31的状态。
为了方便起见，将使用中间基板22的方法称作“步进转移法”。当将这种步进转移法重复期望次数时，以二维矩阵形式将期望数量的发光二极管10(110，210，310)粘附至微粘合层23并且转移至第一转移基板31。具体地，在第一实施方式中，在一次步骤转移中，以二维矩阵形式将10800(＝120×90)个发光二极管10(110，210，310)粘附至微粘合层23并且转移至第一转移基板31。该操作重复(4×3)次。此外，对于第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310执行向第一转移基板31的转移，因此，转移被执行了共36次(＝4×3×3)。结果，在第一转移基板31上以预定的间隔(间距)安装了预定数量的红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管。图35B示意性地示出了第一转移基板31的该状态。在图35B中，通过点划线来围绕每个发光单元。最后，将发光单元转移并固定至显示基板61，以制造包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置，即以二维矩阵形式配置的多个发光单元的发光二极管显示器。在这种情况下，当每次将129600(＝480×270)个发光单元转移至显示基板61时，16次的转移制造了包括(1920×1080)个发光单元的发光二极管显示器。
然后，通过紫外光照射已经配置发光二极管10(110，210，310)的由感光树脂所构成的未固化的包埋材料层33，以固化构成包埋材料层33的感光树脂。结果，将发光二极管10(110，210，310)固定至包埋材料层33(参照图8A、图8B以及图8C)。在这种状态下，露出了发光二极管10(110，210，310)的第一电极14(114，214，314)。
[步骤-110B]
接下来，在构成每个发光单元和固定层34的发光二极管组110、210以及310的第一电极114、214以及314上通过溅射法和剥离法形成子公共电极43，发光二极管组包括期望数量(在第一实施方式中，N1＝1)的第一发光二极管110，期望数量(在第一实施方式中，N2＝1)的第二发光二极管210，期望数量(在第一实施方式中，N3＝1)的第三发光二极管310。
具体地，首先，基于溅射法和剥离法在固定层34上远离第一电极114、214以及314的位置处形成金属层41(参照图9A、图9B以及图9C)。
然后，基于溅射法和剥离法在固定层34上形成光透射电极42，使其在金属层41和第一电极114、214以及314上延伸(参照图10A、图10B以及图10C)。
[步骤-110C]
然后，通过固定层34和子公共电极43将形成每个发光单元的的发光二极管组110、210以及310粘结并且预固定至发光单元制造基板53，然后，移除第一转移基板31。具体地，制备发光单元制造基板53，发光单元制造基板53包括：激光分离层52，由诸如环氧树脂或者聚酰亚胺树脂的具有激光磨蚀特性的树脂层构成；以及绝缘层(第二绝缘层51)，由环氧树脂构成并且用作粘合层。然后，将固定层34和子公共电极43粘结并且预固定至第二绝缘层51(参照图11A、图11B以及图11C)。然后，例如，从第一转移基板31侧施加准分子激光。结果，发生激光磨蚀以将第一转移基板31与绝缘层32分离(参照图12A、图12B以及图12C)。
[步骤-110D]
接下来，在固定层34中形成连接至第一发光二极管110的第二电极115的第一接触孔121，并且形成第一衬垫部122，以从第一接触孔121延伸至固定层34。另外，在固定层34中形成连接至第二发光二极管210的第二电极215的第二接触孔221，并且形成第二衬垫部222，以从第二接触孔221延伸至固定层34。此外，在固定层34中形成连接至第三发光二极管310的第二电极315的第三接触孔321，并且形成第三衬垫部322，以从第三接触孔321延伸至固定层34。此外，在固定层34中形成连接至子公共电极43的第四接触孔421，并且形成第四衬垫部422，以从第四接触孔421延伸至固定层34。结果，制造了发光单元。具体地，基于光刻技术和蚀刻技术在绝缘层32中设置孔501、502、503以及504，使它们被设置在第二电极115、215以及315和金属层41的上方。然后，通过溅射法在包括孔501、502、503以及504的绝缘层32上形成金属材料层，然后基于光刻技术和蚀刻技术对该金属材料层进行图案化以形成第一接触孔121、第一衬垫部122、第二接触孔221、第二衬垫部222、第三接触孔321、第三衬垫部322、第四接触孔421以及第四衬垫部422(参照图13A、图13B和图13C，以及图14A、图14B和图14C)。
[步骤-110E]
接下来，基于激光照射法在固定层34中分离包括发光二极管组110、210以及310的发光单元。在图14A、图14B以及图14C中，通过空心箭头示出了用激光所照射的部分。
在第一实施方式中，在发光二极管显示器中的第一发光二极管110的配置间距为在第一发光二极管制造基板上的第一发光二极管110的制造间距的整数倍。在发光二极管显示器中的第二发光二极管210的配置间距为在第二发光二极管制造基板上的第二发光二极管210的制造间距的整数倍。在发光二极管显示器中的第三发光二极管310的配置间距为在第三发光二极管制造基板上的第三发光二极管310的制造间距的整数倍。具体地，在发光二极管显示器中第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310沿着第一方向的配置间距为在发光二极管制造基板上的第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的制造间距的6倍。在发光二极管显示器中第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310沿着第二方向的配置间距为在发光二极管制造基板上的第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的制造间距的3倍。
[步骤-120]
具体地，首先，将发光单元从发光单元制造基板转移至并且固定至显示基板61，以制造以第一方向和以与第一方向垂直的第二方向配置，即以二维矩阵形式配置的多个发光单元的发光二极管显示器。
具体地，制备显示基板61，在显示基板上已经形成了沿着第一方向延伸的绝缘材料层71和第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。在这种情况下，用绝缘材料层71覆盖第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。用绝缘材料层(第三绝缘层62)来覆盖显示基板61，在第三绝缘层62上形成第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。由用作粘合层的绝缘层(第四绝缘层63)覆盖第三绝缘层62和第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。此外，更具体地，在第四绝缘层63上形成绝缘材料层71。在显示基板61中要固定发光单元的部分中没有形成绝缘材料层71。没有固化第四绝缘层63要固定发光单元的部分，而固化第四绝缘层63的其他部分。可以通过正常方法来形成具有这种配置和结构的显示基板61。
[步骤-120A]
具体地，首先，将光透射单元粘结至第二转移基板(未示出)，然后，移除发光单元制造基板53。具体地，可以执行与步骤-110A-(2)基本上相同的步骤。例如，从发光单元制造基板53的背侧施加准分子激光。结果，发生激光磨蚀以将发光单元制造基板53与激光分离层52分离。
[步骤-120B]
接下来，将发光单元配置在显示基板61上，以使其被绝缘材料层71围绕，然后，移除第二转移基板。具体地，将发光单元和在该单元周围的固定层34配置(移动或者转移)到通过绝缘材料层71露出并且围绕的第四绝缘层63上(参照图15A、图15B以及图15C)。更具体地，基于形成在第二转移基板上的对准标记将发光单元和在这些单元周围的固定层34配置在被露出并且被绝缘材料层71围绕的第四绝缘层63上。由于将发光单元和在该单元周围的固定层34微弱地粘附至设置在第二转移基板上的微粘合层(未示出)，所以在使发光单元和在这些单元周围的固定层34与第四绝缘层63接触(按压到其上)的同时，从显示基板61移除第二转移基板。结果，在第四绝缘层63上保留了发光单元和在这些单元周围的固定层34。此外，当使用轧辊等将发光单元和在这些单元周围的固定层34深埋在第四绝缘层63中时，将发光单元和在这些单元周围的固定层34固定(配置)至第四绝缘层63。在完成配置所有的发光单元之后，固化第四绝缘层63。
[步骤-120C]
然后，通过旋涂法在整个表面上形成由绝缘树脂所构成的平坦化层72以形成平滑的平坦化层72。结果，制造在图16A、图16B以及图16C中所示的结构。
[步骤-120D]
接下来，形成用于电连接第一衬垫部122和第一公共电极401的第一连接部124以从固定层34延伸至绝缘材料层71。另外，形成用于电连接第二衬垫部222和第二公共电极402的第二连接部224以从固定层34延伸至绝缘材料层71。此外，形成用于电连接第三衬垫部322和第三公共电极403的第三连接部324以从固定层34延伸至绝缘材料层71。此外，在绝缘材料层71上形成第四第公共电极404，并且形成用于电连接第四衬垫部422和第四公共电极404的第四连接部424以从固定层34延伸至绝缘材料层71。
具体地，基于光刻技术和蚀刻技术在平坦化层72、绝缘材料层71以及第四绝缘层63中形成孔(在图17中所示的实例中，孔512)。然后，基于溅射法和光刻技术和蚀刻技术形成第一、第二、第三以及第四连接孔124、224、324以及424。结果，制造了在图2A、图2B和图2C、以及图3A、图3B和图3C中所示的结构。
在第一实施方式或者下文将描述的第二实施方式～第四实施方式中，将多个发光单元转移至显示基板61，其中，在每个发光单元中，将第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的第一电极114、214以及314连接至子公共电极43。此外，将发光单元通过面向上的第二电极115、215以及315固定至显示基板61。因此，在随后的步骤中，第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的第二电极115、215以及315分别容易地延伸至公共电极(公共配线)401、402以及403，并且第一电极114、214以及314容易地延伸至第四公共电极(第四公共配线)404。结果，减少了微处理，并且可以简化用于制造发光二极管显示器的处理。此外，在一个像素中的发光二极管110、210以及310的面积较小，并且发光二极管110、210以及310彼此接近地进行配置，从而，几乎不会引起所谓的色彩分离(color breakup)。
第二实施方式
第二实施方式为第一实施方式的修改，并且更具体地涉及根据第二配置的发光二极管显示器的制造方法。图18A、图18B、图18C、图19A、图19B以及图19C是示出了通过第二实施方式的发光二极管显示器的制造方法所制造的发光二极管显示器的示意性的部分截面图。除没有形成平坦化层72之外，第二实施方式的发光二极管显示器的配置和结构基本上与第一实施方式的相同。因此，省略具体描述。图18A、图18B、图18C、图19A、图19B以及图19C是与分别沿着图1中的线A-A、B-B、C-C、D-D、E-E以及F-F所获得的截面图等价的示意性的部分截面图。
下文中，将参照图20A、20B、20C、21A、21B、21C、22A、22B以及22C来描述第二实施方式的发光二极管显示器的制造方法，更具体地，根据第二配置的发光二极管显示器的制造方法。图20A、图21A以及图22A是与沿着在图1中的线B-B所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图20B、图21B以及图22B是与沿着在图1中的线E-E所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图20C、图21C以及图22C是与沿着图1中的线F-F所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。
[步骤-200]
首先，通过与在第一实施方式的步骤-100相同的方法制造发光二极管10(110，210，310)。接下来，执行与第一实施方式的步骤-110相同的步骤，即步骤-110A、步骤110A-(1)、步骤110A-(2)、步骤-110B、步骤-110C、步骤-110D以及步骤-110E，以将第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310预固定至发光单元制造基板53，从而制造发光单元。发光单元均包括期望数量的第一发光二极管110、期望数量的第二发光二极管210、以及期望数量的第一发光二极管310，将第一、第二以及第三发光二极管110、210以及310的第一电极114、214以及314连接至子公共电极43。
[步骤-210]
在第二实施方式中，制备已经在其上形成沿着第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极401、402以及403的显示基板61。与在第一实施方式中不同，此时，没有形成绝缘材料层。
[步骤-210A]
通过与在第一实施方式的步骤-120A中相同的方法将发光单元粘结至第二转移基板，然后，移除发光单元制造基板53。
[步骤-210B]
接下来，将发光单元配置在显示基板61上，然后移除第二转移基板。具体地，通过与在第一实施方式的步骤-210B中相同的方法将发光单元和在这些发光单元周围的固定层34配置(移动或者转移)到第四绝缘层63的预定部分上(参照图20A、图20B以及图20C)。
[步骤-210C]
然后，形成绝缘材料层171以覆盖第一、第二以及第三公共电极401、402以及403并且围绕发光单元(参照图21A、图21B以及图21C)。具体地，通过CVD法形成由SiO2所构成的绝缘材料层171，然后，进行抛光或者内蚀刻，以露出第一、第二、第三以及第四衬垫部122、222、322以及422。
[步骤-210D]
接下来，形成用于电连接第一衬垫部122和第一公共电极401的第一连接部124以从固定层34延伸至绝缘材料层171。另外，形成用于电连接第二衬垫部222和第二公共电极402的第二连接部224以从固定层34延伸至绝缘材料层171。此外，形成用于电连接第三衬垫部322和第三公共电极403的第三连接部324以从固定层34延伸至绝缘材料层171。此外，形成用于电连接第四衬垫部422和第四公共电极404的第四连接部424以从固定层34延伸至绝缘材料层171。
具体地，基于光刻技术和蚀刻技术在绝缘材料层171和第四绝缘层63中形成孔(在图22所示的实例中，孔512)。然后，基于溅射法和光刻技术和蚀刻技术形成第一、第二、第三、以及第四连接部124、224、324以及424。结果，制造在图18A、图18B和图18C、以及图19A、图19B和图19C中所示的结构。
第三实施方式
第三实施方式为第一实施方式的修改，并且更具体地涉及根据第三配置的发光二极管显示器的制造方法。图23A、图23B、图23C、图24A、图24B以及图24C是示出了通过第三实施方式的发光二极管显示器的制造方法所制造的发光二极管显示器的示意性的部分截面图。除没有形成第一、第二、第三以及第四衬垫部之外，第三实施方式的发光二极管显示器的配置和结构基本上与第一实施方式的相同。因此，省略具体描述。图23A、图23B、图23C、图24A、图24B以及图24C是与分别沿着图1中的线A-A、B-B、C-C、D-D、E-E以及F-F所获得的截面图等价的示意性的部分截面图。
下文中，将参照图25A、25B、25C、26A、26B、26C、27A、27B、以及27C来描述第三实施方式的发光二极管显示器的制造方法，更具体地，根据第三配置的发光二极管显示器的制造方法。图25A、图26A以及图27A是与沿着图1中的线B-B所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图25B、图26B以及图27B是与沿着图1中的线E-E所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图25C、图26C以及图27C是与沿着图1中的线F-F所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。
[步骤-300]
首先，通过与在第一实施方式的步骤-100中相同的方法制造发光二极管10(110，210，310)。接下来，执行与第一实施方式的步骤-110A和步骤-110B相同的步骤，然后，执行与第一实施方式的步骤-110C相同的步骤，以通过固定层34和子公共电极43将构成发光单元的发光二极管组110、210以及310粘结并且预固定至发光单元制造基板53，从而制造发光单元。然后，移除第一转移基板31。然后，执行与第一实施方式的步骤-110E相同的步骤，以分离在固定层34中的发光单元。
[步骤-310]
与在第一实施方式中类似地，制备显示基板61，在该显示基板上已经形成了绝缘材料层71以及用绝缘材料层所覆盖并且沿着第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。
[步骤-310A]
通过与第一实施方式的步骤-120A的相同的步骤将发光单元粘结至第二转移基板(未示出)，然后，移除发光单元制造基板53。
[步骤-310B]
接下来，通过与在第一实施方式的步骤-210B和步骤-210C中相同的方法将发光单元配置在显示基板61上，以使其被绝缘材料层71围绕，然后移除第二转移基板(参照图25A、图25B、图25C、图26A、图26B以及图26C)。
[步骤-310C]
然后，在固定层34中形成用于电连接第一发光二极管110的第二电极115和第一公共电极401的第一接触孔121，并且形成第一连接部124以从固定层34延伸至平坦化层72和绝缘材料层71。另外，在固定层34中形成用于电连接第二发光二极管210的第二电极215和第二公共电极402的第二接触孔221，并且形成第二连接部224以从固定层34延伸至平坦化层72和绝缘材料层71。此外，在固定层34中形成用于电连接第三发光二极管310的第二电极315和第三公共电极403的第三接触孔321，并且形成第三连接部324以从固定层34延伸至平坦化层72和绝缘材料层71。此外，在绝缘材料层71上形成第四公共电极404，在固定层34中形成用于电连接子公共电极43和第四公共电极404的第四接触孔421，并且形成第四连接部424以从固定层34延伸至平坦化层72和绝缘材料层71。
具体地，基于光刻技术和蚀刻技术在平坦化层72、绝缘材料层71以及绝缘层32中形成孔521、522、523以及524，以使它们被设置在第二电极115、215以及315和金属层41的上方。另外，在平坦化层72、绝缘材料层71以及绝缘层32中设置孔，以使这些孔被设置在第一、第二、第三以及第四公共电极401、402、403以及404的上方(参照图27A、图27B以及图27C)。图27A仅示出了孔526。然后，通过溅射法在包括孔521、522、523、524以及526的绝缘层32上形成金属材料层并且基于光刻技术和蚀刻技术对该金属材料层进行图案化，以形成第一、第二、第三和第四接触孔121、221、321和421以及第一、第二、第三和第四连接部124、224、324和424(参照图23A、图23B、图23C、图24A、图24B以及图24C)。
第四实施方式
第四实施方式为第一实施方式的修改，并且更具体地涉及根据第四配置的发光二极管显示器的制造方法。图28A、图28B、图28C、图29A、图29B以及图29C是示出通过第四实施方式的发光二极管显示器的制造方法所制造的发光二极管显示器的示意性的部分截面图。除没有形成第一、第二、第三以及第四衬垫部之外，第四实施方式的发光二极管显示器的配置和结构基本上与第二实施方式的相同。因此，省略具体描述。图28A、图28B、图28C、图29A、图29B以及图29C是与分别沿着图1中的线A-A、B-B、C-C、D-D、E-E以及F-F所获得的截面图等价的示意性的部分截面图。
下文中，将参照图30A、30B、30C、31A、31B、31C、32A、32B以及32C来描述第四实施方式的发光二极管显示器的制造方法，更具体地，根据第四配置的发光二极管显示器的制造方法。图30A、图31A以及图32A是与沿着图1中的线B-B所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图30B、图31B以及图32B是与沿着图1中的线E-E所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。图30C、图31C以及图32C是与沿着图1中的线F-F所获得的截面图等价的示意性的部分端视图。
[步骤-400]
首先，执行与第三实施方式的步骤-300相同的步骤。
[步骤-410]
与在第二实施方式中类似地，制备显示基板61，在该显示基板上已经形成了沿着第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极401、402以及403。与在第三实施方式不同，此时，没有形成绝缘材料层。
[步骤-410A]
通过与在第一实施方式的步骤-120A中相同的方法将发光单元粘结至第二转移基板，然后，移除发光单元制造基板53。
[步骤-410B]
接下来，通过与在第二实施方式的步骤-210B中相同的方法将发光单元配置在显示基板61上，然后移除第二转移基板(参照图30A、图30B以及图30C)。
[步骤-410C]
接下来，通过与第二实施方式的步骤-210C相同的方法形成绝缘材料层171以覆盖第一、第二、以及第三公共电极401、402、以及403并且围绕发光单元(参照图31A、31B、以及31C)。
[步骤-410D]
然后，在固定层34中形成用于电连接第一发光二极管110的第二电极115和第一公共电极401的第一接触孔121，并且形成第一连接部124以从固定层34延伸至绝缘材料层171。另外，在固定层34中形成用于电连接第二发光二极管210的第二电极215和第二公共电极402的第二接触孔221，并且形成第二连接部224以从固定层34延伸至绝缘材料层171。此外，在固定层34中形成用于电连接第三发光二极管310的第二电极315和第三公共电极403的第三接触孔321，并且形成第三连接部324以从固定层34延伸至绝缘材料层171。此外，在绝缘材料层171上形成第四公共电极404，在固定层34中形成用于电连接子公共电极43和第四公共电极404的第四接触孔421，并且形成第四连接部424以从固定层34延伸至绝缘材料层171。具体地，可以执行与第三实施方式的步骤-310C相同的步骤。
尽管上文已基于优选实施方式描述了本发明，但本发明不仅限于这些实施方式。在实施方式中描述的发光二极管和包括这些发光二极管的发光二极管显示器的配置和结构仅为实例，并且组成构件和材料等也为实例。因此，可以适当地改变配置和结构、以及组成构件和材料等。在这些实施方式中，尽管子公共电极43包括金属层41和光透射电极42，但是可选地，只要不抑制来自发光单元的光发射，子公共电极43可以仅包括金属层或者合金层。根据实际情况，第一电极114、214以及314可以在第一实施方式的步骤-110A-(2)之后，或者在第一实施方式的步骤-110B中形成。在每个发光二极管中，可以颠倒化合物半导体层的层压顺序。即在这些实施方式中，第一导电型为n型，而第二导电型为p型。然而，相反地，第一导电型为p型，而第二导电型为n型。作为构成每个发光单元的发光二极管，可以将第四发光二极管、第五发光二极管等进一步添加至第一、第二以及第三发光二极管。这样的情况的实例包括：还包括用于改善亮度的发射白光的子像素的发光单元，还包括用于扩大色彩再生范围的发射补充彩色光的子像素的发光单元，还包括用于扩大色彩再生范围的发射黄色光的子像素的发光单元，以及还包括用于扩大色彩再生范围的发射黄色和青色光的子像素的发光单元。在这种情况下，可以将第四发光二极管、第五发光二极管等的第一电极连接至子公共电极。该发光二极管显示器不仅可以应用于诸如电视接收器和计算机终端的彩色显示的平板直视型图像显示器，而且还可以应用于将图像投影在人的视网膜上、并且显示投影型图像的类型的图像显示器。在这些图像显示器中，例如，可以使用场序驱动系统，其中，通过第一、第二以及第三发光二极管的发光/非发光状态的时分控制来显示图像。然而，驱动系统不仅限于此。
图33是示出了在根据第一实施方式的发光二极管显示器的修改例中的发光单元的示意性平面图。在该修改例中，封堵第一接触孔121(由图33中的虚线所示的)的第一衬垫部122(由图33中的细线所示的)的中心与第一接触孔121的中心不一致并且偏离第一公共配线401侧。另外，封堵第二接触孔221(由图33中的虚线所示的)的第二衬垫部222(由图33中的细线所示的)的中心与第二接触孔221的中心不一致并且偏离第二公共配线402侧。此外，封堵第三接触孔321(由图33中的虚线所示的)的第三衬垫部322(由图33中的细线所示的)的中心与第三接触孔321的中心不一致并且偏离第三公共配线403侧。在该配置中，例如，当形成第一、第二以及第三连接部124、224以及324时，对于这些连接部124、224以及324和第四连接部424之间的距离可以获得余量。因此，可以安全地防止在这些连接部124、224以及324和第四连接部424之间产生短路。该修改例也可以应用于其他实施方式。
本申请包含于2008年5月12日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2008-124444的所涉及的主题，其全部内容结合于此作为参考。
本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以有多种修改、组合、子组合和改进，均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围之内。

Claims (23)

1.一种发光二极管显示器的制造方法，包括以下步骤：
(A)在第一发光二极管制造基板上设置发射红光的多个第一发光二极管，所述第一发光二极管均包括：(a-1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(a-2)活性层，(a-3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(a-4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(a-5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；
在第二发光二极管制造基板上设置发射绿光的多个第二发光二极管，所述第二发光二极管均包括：(b-1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(b-2)活性层，(b-3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(b-4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(b-5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；以及
在第三发光二极管制造基板上设置发射蓝光的多个第三发光二极管，所述第三发光二极管均包括：(c-1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(c-2)活性层，(c-3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(c-4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(c-5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；
(B)将所述第一发光二极管、所述第二发光二极管、以及所述第三发光二极管预固定至发光单元制造基板，以形成包括期望数量的所述第一发光二极管、期望数量的所述第二发光二极管、以及期望数量的所述第三发光二极管的发光单元，将每个第一发光二极管、每个第二发光二极管、以及每个第三发光二极管的所述第一电极连接至子公共电极；以及
(C)将所述发光单元从所述发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括以二维矩阵形式配置的，即沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向配置的多个发光单元的发光二极管显示器。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，在所述发光二极管显示器中的所述第一发光二极管的配置间距为在所述第一发光二极管制造基板上的所述第一发光二极管的制造间距的整数倍；
在所述发光二极管显示器中的所述第二发光二极管的配置间距为在所述第二发光二极管制造基板上的所述第二发光二极管的制造间距的整数倍；以及
在所述发光二极管显示器中的所述第三发光二极管的配置间距为在所述第三发光二极管制造基板上的所述第三发光二极管的制造间距的整数倍。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，制备具有固定层的第一转移基板；
步骤(B)包括以下步骤：
(B-1)将在所述第一发光二极管制造基板上的所述第一发光二极管转移至所述固定层，将在所述第二发光二极管制造基板上的所述第二发光二极管转移至所述固定层，以及将在所述第三发光二极管制造基板上的所述第三发光二极管转移至所述固定层；
(B-2)从发光二极管组的所述第一电极至所述固定层形成所述子公共电极，所述发光二极管组包括形成每个发光单元的期望数量的所述第一发光二极管、期望数量的所述第二发光二极管、以及期望数量的所述第三发光二极管；
(B-3)通过所述固定层和所述子公共电极将形成每个发光单元的所述发光二极管组粘结并且预固定至所述发光单元制造基板，然后，移除所述第一转移基板；
(B-4)在所述固定层中形成连接至所述第一发光二极管的所述第二电极的第一接触孔并且形成从所述第一接触孔延伸至所述固定层的第一衬垫部，在所述固定层中形成连接至所述第二发光二极管的所述第二电极的第二接触孔并且形成从所述第二接触孔延伸至所述固定层的第二衬垫部，在所述固定层中形成连接至所述第三发光二极管的所述第二电极的第三接触孔并且形成从所述第三接触孔延伸至所述固定层的第三衬垫部，以及在所述固定层中形成连接至所述子公共电极的第四接触孔并且形成从所述第四接触孔延伸至所述固定层的第四衬垫部，从而形成发光单元；以及
(B-5)在所述固定层中分离所述发光单元；
制备在其上形成有绝缘材料层和用所述绝缘材料层覆盖并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极的显示基板；以及
步骤(C)包括以下步骤：
(C-1)将所述发光单元粘结至第二转移基板并且移除所述发光单元制造基板；
(C-2)将所述发光单元配置在所述显示基板上，从而使所述发光单元被所述绝缘材料层围绕，然后，移除所述第二转移基板；以及
(C-3)形成第一连接部以将所述第一衬垫部电连接至所述第一公共电极，使得所述第一连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
形成第二连接部以将所述第二衬垫部电连接至所述第二公共电极，使得所述第二连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
形成第三连接部以将所述第三衬垫部电连接至所述第三公共电极，使得所述第三连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
在所述绝缘材料层上形成第四公共电极；以及
形成第四连接部以将所述第四衬垫部电连接至所述第四公共电极，使得所述第四连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，制备具有固定层的第一转移基板；
步骤(B)包括以下步骤：
(B-1)将在所述第一发光二极管制造基板上的所述第一发光二极管转移至所述固定层，将在所述第二发光二极管制造基板上的所述第二发光二极管转移至所述固定层，以及将在所述第三发光二极管制造基板上的所述第三发光二极管转移至所述固定层；
(B-2)从发光二极管组的所述第一电极至所述固定层形成所述子公共电极，所述发光二极管组包括形成每个发光单元的期望数量的所述第一发光二极管、期望数量的所述第二发光二极管、以及期望数量的所述第三发光二极管；
(B-3)通过所述固定层和所述子公共电极将形成每个发光单元的所述发光二极管组粘结并且预固定至所述发光单元制造基板，然后，移除所述第一转移基板；
(B-4)在所述固定层中形成连接至所述第一发光二极管的所述第二电极的第一接触孔并且形成从所述第一接触孔延伸至所述固定层的第一衬垫部，在所述固定层中形成连接至所述第二发光二极管的所述第二电极的第二接触孔并且形成从所述第二接触孔延伸至所述固定层的第二衬垫部，在所述固定层中形成连接至所述第三发光二极管的所述第二电极的第三接触孔并且形成从所述第三接触孔延伸至所述固定层的第三衬垫部，以及在所述固定层中形成连接至所述子公共电极的第四接触孔并且形成从所述第四接触孔延伸至所述固定层的第四衬垫部，从而形成发光单元；以及
(B-5)在所述固定层中分离所述发光单元。
制备在其上第一、第二以及第三公共电极被形成为沿第一方向延伸的显示基板；以及
步骤(C)包括以下步骤：
(C-1)将所述发光单元粘结至第二转移基板并且移除所述发光单元制造基板；
(C-2)将所述发光单元配置在所述显示基板上，然后，移除所述第二转移基板；
(C-3)形成绝缘材料层以覆盖所述第一、第二以及第三公共电极并且围绕所述发光单元；以及
(C-4)形成第一连接部以将所述第一衬垫部电连接至所述第一公共电极，使得所述第一连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
形成第二连接部以将所述第二衬垫部电连接至所述第二公共电极，使得所述第二连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
形成第三连接部以将所述第三衬垫部电连接至所述第三公共电极，使得所述第三连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
在所述绝缘材料层上形成第四公共电极；以及
形成第四连接部以将所述第四衬垫部电连接至所述第四公共电极，使得所述第四连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，制备具有固定层的第一转移基板；
步骤(B)包括以下步骤：
(B-1)将在所述第一发光二极管制造基板上的所述第一发光二极管转移至所述固定层，将在所述第二发光二极管制造基板上的所述第二发光二极管转移至所述固定层，以及将在所述第三发光二极管制造基板上的所述第三发光二极管转移至所述固定层；
(B-2)从发光二极管组的所述第一电极至所述固定层形成所述子公共电极，所述发光二极管组包括形成每个发光单元的期望数量的所述第一发光二极管、期望数量的所述第二发光二极管、以及期望数量的所述第三发光二极管；
(B-3)通过所述固定层和所述子公共电极将形成每个发光单元的所述发光二极管组粘结并且预固定至所述发光单元制造基板，以制造发光单元，然后移除所述第一转移基板；以及
(B-4)在所述固定层中分离所述发光单元；
制备在其上形成有绝缘材料层和用所述绝缘材料层覆盖并且沿第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极的显示基板；以及
步骤(C)包括以下步骤：
(C-1)将所述发光单元粘结至第二转移基板并且移除所述发光单元制造基板；
(C-2)将所述发光单元配置在所述显示基板上，从而，使所述发光单元被所述绝缘材料层围绕，然后，移除所述第二转移基板；以及
(C-3)为了将所述第一发光二极管的所述第二电极电连接至所述第一公共电极而在所述固定层中形成第一接触孔，并且形成第一连接部，使得所述第一连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
为了将所述第二发光二极管的所述第二电极电连接至所述第二公共电极而在所述固定层中形成第二接触孔，并且形成第二连接部，使得所述第二连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
为了将所述第三发光二极管的所述第二电极电连接至所述第三公共电极而在所述固定层中形成第三接触孔，并且形成第三连接部，使得所述第三连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
在所述绝缘材料层上形成第四公共电极；以及
为了将所述子公共电极电连接至所述第四公共电极而在所述固定层中形成第四接触孔，并且形成第四连接部，使得所述第四连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，制备具有固定层的第一转移基板；
步骤(B)包括以下步骤：
(B-1)将在所述第一发光二极管制造基板上的所述第一发光二极管转移至所述固定层，将在所述第二发光二极管制造基板上的所述第二发光二极管转移至所述固定层，以及将在所述第三发光二极管制造基板上的所述第三发光二极管转移至所述固定层；
(B-2)从发光二极管组的所述第一电极至所述固定层形成所述子公共电极，所述发光二极管组包括形成每个发光单元的期望数量的所述第一发光二极管、期望数量的所述第二发光二极管、以及期望数量的所述第三发光二极管；
(B-3)通过所述固定层和所述子公共电极将形成每个发光单元的所述发光二极管组粘结并且预固定至所述发光单元制造基板，从而制造发光单元，然后移除所述第一转移基板；以及
(B-4)在所述固定层中分离所述发光单元；
制备在其上第一、第二以及第三公共电极被形成为沿第一方向延伸的显示基板；以及
步骤(C)包括以下步骤：
(C-1)将所述发光单元粘结至第二转移基板并且移除所述发光单元制造基板；
(C-2)将所述发光单元配置在所述显示基板上，然后，移除所述第二转移基板；
(C-3)形成绝缘材料层以覆盖所述第一、第二以及第三公共电极并且围绕所述发光单元；以及
(C-4)为了将所述第一发光二极管的所述第二电极电连接至所述第一公共电极而在所述固定层中形成第一接触孔，并且形成第一连接部，使得所述第一连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
为了将所述第二发光二极管的所述第二电极电连接至所述第二公共电极而在所述固定层中形成第二接触孔，并且形成第二连接部，使得所述第二连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
为了将所述第三发光二极管的所述第二电极电连接至所述第三公共电极而在所述固定层中形成第三接触孔并且形成第三连接部，使得所述第三连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层；
在所述绝缘材料层上形成第四公共电极；以及
为了将所述子公共电极电连接至所述第四公共电极而在所述固定层中形成第四接触孔，并且形成第四连接部，使得所述第四连接部从所述固定层延伸至所述绝缘材料层。
7.根据权利要求3或4所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，所述第一衬垫部的尺寸大于所述第一发光二极管的所述第二电极的尺寸；
所述第二衬垫部的尺寸大于所述第二发光二极管的所述第二电极的尺寸；以及
所述第三衬垫部的尺寸大于所述第三发光二极管的所述第二电极的尺寸。
8.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，从所述第一、第二以及第三发光二极管发射的光从所述第一电极侧发出，并且所述子公共电极具有光透射结构。
9.根据权利要求8所述的发光二极管显示器的制造方法，其中，
所述子公共电极包括金属层或合金层。
10.根据权利要求8所述的发光二极管显示器的制造方法，
其中，所述子公共电极包括光透射电极和从所述光透射电极延伸的金属层或者合金层；
所述第一、第二以及第三发光二极管的所述第一电极与所述光透射电极接触；以及
所述第四接触孔与所述金属层或者合金层接触。
11.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中，满足以下关系：
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.5
其中，LP-1和LP-2为包括所述第一、第二以及第三发光二极管的一个像素分别沿着所述第一方向和所述第二方向的长度，以及LU-1和LU-2为一个发光单元分别沿着所述第一方向和所述第二方向的长度。
12.根据权利要求11所述的发光二极管显示器的制造方法，其中，满足以下关系：
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.25。
13.根据权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中，满足以下关系：
2.5×10-11m2≤Smax≤1×10-8m2，
其中，Smax为在所述第一、第二以及第三发光二极管中最大的发光二极管的发光表面的面积。
14.一种发光二极管显示器，包括：
沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向配置的，即以二维矩阵形式配置的多个发光单元，所述发光单元均包括：
期望数量的第一发光二极管，其发射红光并且每一个均包括：(a-1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(a-2)活性层，(a-3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(a-4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(a-5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；
期望数量的第二发光二极管，其发射绿光并且每一个均包括：(b-1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(b-2)活性层，(b-3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(b-4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(b-5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；以及
期望数量的第三发光二极管，其发射蓝光并且每一个均包括：(c-1)具有第一导电型的第一化合物半导体层，(c-2)活性层，(c-3)具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层，(c-4)电连接至所述第一化合物半导体层的第一电极，以及(c-5)电连接至所述第二化合物半导体层的第二电极；
其中，每个所述发光单元中的所述第一、第二以及第三发光二极管的所述第一电极连接至子公共电极；
沿所述第一方向配置的每个所述发光单元中的所述第一、第二以及第三发光二极管的所述第二电极分别连接至沿所述第一方向延伸的第一、第二以及第三公共电极；
沿所述第二方向配置的所述发光单元的所述子公共电极连接至沿所述第二方向延伸的第四公共电极。
15.根据权利要求14所述的发光二极管显示器，
其中，所述第一、第二以及第三公共电极形成在显示基板上；
所述子公共电极在固定在所述显示基板上的固定层中形成；
所述发光单元中的所述第一、第二以及第三发光二极管被固定在所述固定层中；
所述固定层被覆盖所述第一、第二以及第三公共电极的绝缘材料层所围绕；
所述发光单元中的所述第一、第二以及第三发光二极管被设置在所述子公共电极上，使得所述发光二极管的所述第一电极连接至所述子公共电极；
所述第一发光二极管的所述第二电极通过形成在所述固定层中的第一接触孔以及被形成为从所述固定层延伸至所述绝缘材料层的第一连接部而连接至所述第一公共电极；
所述第二发光二极管的所述第二电极通过形成在所述固定层中的第二接触孔以及被形成为从所述固定层延伸至所述绝缘材料层的第二连接部而连接至所述第二公共电极；
所述第三发光二极管的所述第二电极通过形成在所述固定层中的第三接触孔以及被形成为从所述固定层延伸至所述绝缘材料层的第三连接部而连接至所述第三公共电极；以及
所述子公共电极通过形成在所述固定层中的第四接触孔以及被形成为从所述固定层延伸至所述绝缘材料层的第四连接部而连接至形成在所述绝缘材料层上的所述第四公共电极。
16.根据权利要求15所述的发光二极管显示器，
其中，第一衬垫部被设置在所述固定层中并且被设置在所述第一接触孔和所述第一连接部之间；
第二衬垫部被设置在所述固定层中并且被设置在所述第二接触孔和所述第二连接部之间；
第三衬垫部被设置在所述固定层中并且被设置在所述第三接触孔和所述第三连接部之间；以及
第四衬垫部被设置在所述固定层中并且被设置在所述第四接触孔和所述第四连接部之间。
17.根据权利要求16所述的发光二极管显示器，
其中，所述第一衬垫部的尺寸大于所述第一发光二极管的所述第二电极的尺寸；
所述第二衬垫部的尺寸大于所述第二发光二极管的所述第二电极的尺寸；以及
所述第三衬垫部的尺寸大于所述第三发光二极管的所述第二电极的尺寸。
18.根据权利要求14所述的发光二极管显示器，
其中，从所述第一、第二以及第三发光二极管所发射的光从所述第一电极侧发出，并且所述子公共电极具有光透射结构。
19.根据权利要求18所述的发光二极管显示器，所述子公共电极包括金属层或合金层。
20.根据权利要求18所述的发光二极管显示器，
其中，所述子公共电极包括光透射电极和从所述光透射电极延伸的金属层或者合金层；
所述第一、第二以及第三发光二极管的所述第一电极与所述光透射电极接触；以及
所述第四接触孔与所述金属层或者合金层接触。
21.根据权利要求14所述的发光二极管显示器，其中，满足以下关系：
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.5
其中，LP-1和LP-2为包括所述第一、第二以及第三发光二极管的一个像素分别沿着所述第一方向和所述第二方向的长度，以及LU-1和LU-2为一个发光单元分别沿着所述第一方向和所述第二方向的长度。
22.根据权利要求21所述的发光二极管显示器，其中，满足以下关系：
LU-1/LP-1≤0.5
LU-2/LP-2≤0.25。
23.根据权利要求14所述的发光二极管显示器，其中，满足以下关系：
2.5×10-11m2≤Smax≤1×10-8m2，
其中，Smax为在所述第一、第二以及第三发光二极管中的最大发光二极管的发光表面的面积。
CN2009101364714A 2008-05-12 2009-05-11 发光二极管显示器及其制造方法 Active CN101582385B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008124444 2008-05-12
JP2008-124444 2008-05-12
JP2008124444A JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2008-05-12 発光ダイオード表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101582385A true CN101582385A (zh) 2009-11-18
CN101582385B CN101582385B (zh) 2011-06-08

Family

ID=41266146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101364714A Active CN101582385B (zh) 2008-05-12 2009-05-11 发光二极管显示器及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7795629B2 (zh)
JP (1) JP4479827B2 (zh)
CN (1) CN101582385B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105378552A (zh) * 2013-07-09 2016-03-02 Psi株式会社 包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
CN107017319A (zh) * 2017-05-23 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
CN107155373A (zh) * 2014-06-18 2017-09-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
CN107221291A (zh) * 2017-07-31 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置
CN109346430A (zh) * 2018-07-16 2019-02-15 友达光电股份有限公司 显示设备及其制造方法

Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008111693A1 (en) 2007-03-13 2008-09-18 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ac light emitting diode
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
JP5966412B2 (ja) 2011-04-08 2016-08-10 ソニー株式会社 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
KR101400389B1 (ko) * 2011-11-01 2014-05-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8794501B2 (en) 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9105492B2 (en) * 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US8415767B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US8383506B1 (en) 2012-07-06 2013-02-26 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
JP5935557B2 (ja) 2012-07-09 2016-06-15 ソニー株式会社 実装基板および光学装置
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
JP6017904B2 (ja) 2012-09-21 2016-11-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 実装基板、表示パネルおよび表示装置
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
WO2014069362A1 (ja) 2012-11-05 2014-05-08 ソニー株式会社 光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9391042B2 (en) 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
JP5974910B2 (ja) 2013-01-18 2016-08-23 ソニー株式会社 表示パネルおよび表示装置
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9095980B2 (en) 2013-02-25 2015-08-04 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array mount with integrated displacement sensor
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
KR102049635B1 (ko) 2013-06-12 2019-11-28 로히니, 엘엘씨. 피착된 광-생성 소스에 의한 키보드 백라이팅
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) * 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
JP6128046B2 (ja) * 2014-03-31 2017-05-17 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
JP6453437B2 (ja) * 2014-07-20 2019-01-16 エックス−セレプリント リミテッドＸ−Ｃｅｌｅｐｒｉｎｔ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロ転写印刷のための装置および方法
KR20170047324A (ko) 2014-08-26 2017-05-04 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
EP3239592B1 (en) * 2014-11-18 2021-03-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and vehicular lamp comprising same
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
WO2016100657A2 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Glo Ab Method of making a light emitting diode array on a backplane
KR102376468B1 (ko) * 2014-12-23 2022-03-21 엘지이노텍 주식회사 적색 발광소자 및 조명장치
US9583493B2 (en) * 2015-04-08 2017-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit and semiconductor device
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
CN107924653B (zh) 2015-09-11 2020-02-28 夏普株式会社 图像显示装置以及图像显示元件的制造方法
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
WO2017124109A1 (en) 2016-01-15 2017-07-20 Rohinni, LLC Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus
US10714464B2 (en) 2016-02-16 2020-07-14 Glo Ab Method of selectively transferring LED die to a backplane using height controlled bonding structures
TWI681508B (zh) 2016-02-25 2020-01-01 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US9893041B2 (en) 2016-04-15 2018-02-13 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
JP2017212283A (ja) * 2016-05-24 2017-11-30 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
US10236447B2 (en) 2016-05-24 2019-03-19 Glo Ab Selective die repair on a light emitting device assembly
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
TWI762428B (zh) 2016-11-15 2022-04-21 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微轉印可印刷覆晶結構及方法
DE102016124525B4 (de) * 2016-12-15 2023-08-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Modul mit Leuchtdiodenchips und Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit einer Mehrzahl von Leuchtdiodenchips
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
KR102514503B1 (ko) * 2017-03-13 2023-03-27 서울반도체 주식회사 디스플레이 장치 제조 방법
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US11393963B2 (en) 2017-09-13 2022-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha LED unit, image display element, and method of manufacturing the same
US10748881B2 (en) * 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102603411B1 (ko) * 2017-12-18 2023-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치
JP7079106B2 (ja) * 2018-01-24 2022-06-01 シャープ株式会社 画像表示素子、及び画像表示素子の製造方法
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
US11967605B2 (en) * 2018-11-13 2024-04-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US11127720B2 (en) 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
CN111525013A (zh) 2019-02-01 2020-08-11 隆达电子股份有限公司 发光二极管及其制造方法
US11430830B2 (en) 2019-04-05 2022-08-30 Nanosys, Inc. White light emitting diode (LED) and method of repairing light emitting device using same
CN210837757U (zh) * 2020-01-06 2020-06-23 北京京东方光电科技有限公司 显示基板、拼接显示面板及显示装置
WO2023204155A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 東レ株式会社 表示装置
CN115410996B (zh) * 2022-07-28 2024-04-19 惠科股份有限公司 显示面板及其制造方法
TWI824688B (zh) 2022-08-31 2023-12-01 晶呈科技股份有限公司 晶粒封裝體的接合與轉移方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004178930A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JP4082242B2 (ja) * 2003-03-06 2008-04-30 ソニー株式会社 素子転写方法
JP4100203B2 (ja) 2003-03-14 2008-06-11 ソニー株式会社 素子転写方法
JP4474441B2 (ja) * 2007-06-29 2010-06-02 株式会社沖データ 発光パネル、表示装置及び光源装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105378552B (zh) * 2013-07-09 2018-09-11 Psi株式会社 包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法
CN105378552A (zh) * 2013-07-09 2016-03-02 Psi株式会社 包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法
CN107155373B (zh) * 2014-06-18 2019-01-15 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
CN107155373A (zh) * 2014-06-18 2017-09-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
CN113013150A (zh) * 2014-06-18 2021-06-22 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
CN113035851A (zh) * 2014-06-18 2021-06-25 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
CN113035851B (zh) * 2014-06-18 2022-03-29 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
CN113013150B (zh) * 2014-06-18 2022-04-19 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
US10396237B2 (en) 2016-04-19 2019-08-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Light-emitting diode substrate and manufacturing method thereof, and display device
US11088296B2 (en) 2016-04-19 2021-08-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Light-emitting diode substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN107017319A (zh) * 2017-05-23 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
CN107221291A (zh) * 2017-07-31 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置
CN109346430A (zh) * 2018-07-16 2019-02-15 友达光电股份有限公司 显示设备及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090278142A1 (en) 2009-11-12
JP4479827B2 (ja) 2010-06-09
JP2009272591A (ja) 2009-11-19
CN101582385B (zh) 2011-06-08
US7795629B2 (en) 2010-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101582385B (zh) 发光二极管显示器及其制造方法
CN101859730A (zh) 半导体发光器件、其组件制造方法以及电子设备
CN108701744B (zh) 玻璃配线基板及其生产方法、安装有部件的玻璃配线基板及其生产方法、以及显示设备用基板
JP5493624B2 (ja) 画像表示装置及び電子機器
TWI775740B (zh) 發光元件組裝體及其製造方法以及顯示裝置
CN101197355B (zh) 电子器件及其制造方法、发光二极管显示单元及其制造方法
CN109326559A (zh) 半导体装置的制造方法
CN101997072A (zh) 半导体发光装置及其制造方法
JP5321376B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器
US11621367B2 (en) LED device, method of manufacturing the LED device, and display apparatus including the LED device
CN108878499A (zh) 全彩显示阵列结构及制备方法
CN218333835U (zh) 微型led器件及led显示器
CN111863871A (zh) 一种显示面板及其制备方法
US20240038933A1 (en) Semiconductor light-emitting device package and display device comprising same
KR102665039B1 (ko) 칼라필터가 불필요한 수직 적층형 마이크로디스플레이 패널 및 그 제조 방법
US20240021593A1 (en) Light-emitting diode structure and method of manufacturing the same
US20220399479A1 (en) High pixel density structures and methods of making
US20230112531A1 (en) Display panel
CN111788871A (zh) 玻璃布线基板与组件安装型玻璃布线基板
KR20220085607A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
CN115458663A (zh) 一种全彩化倒装发光二极管芯片单元、制备方法及显示屏

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant