CN101578673B - 电容器材料及其制造方法、含有该材料的电容器、布线板和电子设备 - Google Patents

电容器材料及其制造方法、含有该材料的电容器、布线板和电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明的电容器材料层叠有二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层。

Description

电容器材料及其制造方法、含有该材料的电容器、布线板和电子设备
技术领域
本发明涉及耐电压高、漏电流小的电容器材料及其制造方法、和含有该材料的电容器、布线板以及电子设备。
本申请基于在2007年1月26日在日本申请的专利申请2007-016687号、在2007年2月6日在美国申请的美国临时申请60/899664要求优先权，将上述这些申请的内容援引到其中。
背景技术
以往，作为电解电容器的电介质使用氧化铝、氧化钽、氧化铌。以前就进行了使用相对介电常数比这些氧化物大的二氧化钛作为电介质的电容器(以下，有时称为钛电容器)的研究，但存在漏电流大的问题，还没有达到实用化。尤其是对最近期望的GHz区域中的阻抗降低有效的金属电极，不能如电解电容器那样期待将电解液、导电性高分子用于阴极时引起的漏电部的修复(再氧化)，因此漏电流大是个致命的问题。
作为降低钛电容器的漏电流的尝试有以下的方案。
在特公昭33-5816号公报(专利文献1)中，以非水溶剂作为电解液进行阳极氧化，但有「在非水溶液中化学转化了的物质转移到水溶液中时忽然恶化」的记载。因此虽然没有记载但表明使用导电率低的非水溶剂作为电解液。或许因为使用非水溶剂作为电解液，因此漏电流低，但10kHz下的介质损耗角正切(介质衰耗因数)均在10％以上。
美国专利第3,126,503号说明书(专利文献2)公开了通过使用含有钒、铬、铝的钛合金得到电特性优异的阳极氧化膜的方法。但介质损耗角正切为1.5％以上。
特公昭42-27011号公报(专利文献3)中，描述了由钛的阳极氧化得到的电容器其漏电流比钽、铝大两个数量级以上。
专利文献3公开了作为阳极氧化的预处理通过在硝酸溶液中形成钝态层使漏电流降低的方法，但所得试样的介质损耗角正切为1.5％以上。
与专利文献3相同的发明者在特公昭42-24103号公报(专利文献4)中，公开了通过在钛中添加钨或钼，漏电流减少到未添加时的约1/2。然而，即使是漏电流被改善成1/2，在实用上还不充分。
特公昭43-2649号公报(专利文献5)公开了通过使亚硝酸钠的熔融盐中含有过氧化钡或过氧化锶，在280～350℃的温度下进行阳极子氧化，能够减少漏电流、损耗。但，此时的介质损耗角正切为2.8％以上。
特公昭54-1020号公报(专利文献6)公开了通过使用在钛中含有20～30原子％的铝的合金来减少漏电流。然而，电特性的测定在电解液中进行。已知一般地电解电容器在电解液、导电性高分子等中施加直流电压时漏电部再阳极氧化从而绝缘体化(修复效果)。因此可推测在该测定中能够利用修复效果减少漏电流。
特开平5-121275号公报(专利文献7)公开了阳极氧化的条件和通过进行其后的热处理制得介质损耗角正切良好的电容器的方法。这也使用具有修复能力的电解液测定电特性，因此与上述专利文献6同样。
此外，作为在钛基材上形成钛酸钡等的化合物来作为电介质的例，可举出以下的例子。
特公平6-49950号公报(专利文献8)公开了通过在钛上形成Ba1-xSrxTiO3而使电容器小型化。通过X射线衍射，显示出生成了Ba1-xSrxTiO3，但没有发现氧化钛。
特开平7-86075号公报(专利文献9)公开了在钛表面具有氧化钛层和复合钛氧化物层的电容器。其中，通过在大气中在700℃下将在表面形成有钛酸钡薄膜的钛金属基体进行1小时烧成，在钛与钛酸钡的界面生成氧化钛薄膜。但是，在这样的烧成条件下不能够形成如可用于电容器那样的绝缘性的氧化钛薄膜。这种情况，例如在“PHASE DIAGRAMS FORELECTRONIC CERAMICS I：DIELECTRIC Ti，Nb，and Ta OXIDESYSTEMS”(The American Ceramie Society)4～8页(非专利文献1)中由有关钛的热氧化的相图表示。再者，在氧化钛中绝缘性的物质是二氧化钛(TiO2)。例如，“GMELINS(TM)HANDBUCH DERANORGANISCHEN CHEMIE TITAN”1951VERLAG CHEMIE，GMBH(非专利文献2)中示出了各氧化钛的电阻率。即，即使在大气气氛下在700℃烧成，只要是残留钛的状态则一定存在TiO，还存在Ti2O3。因此专利文献9中绝缘特性提高的原因可推测是钛酸钡薄膜被氧化，成为氧空穴的部分减少或结晶化的缘故。
特开平11-172489号公报(专利文献10)公开了通过预先在基板上形成钛氧化物后，在钡水溶液中进行阳极氧化从而生成钛酸钡膜的方法。然而可知该方法如图1所示由于反应氧化钛层消失。
专利文献1：日本特公昭33-5816号公报
专利文献2：美国专利第3,126,503号说明书
专利文献3：日本特公昭42-27011号公报
专利文献4：日本特公昭42-24103号公报
专利文献5：日本特公昭43-2649号公报
专利文献6：日本特公昭54-1020号公报
专利文献7：日本特开平5-121275号公报
专利文献8：日本特公平6-49950号公报
专利文献9：日本特开平7-86075号公报
专利文献10：日本特开平11-172489号公报
非专利文献1：PHASE DIAGRAMS FOR ELECTRONICCERAMICS I：DIELECTRIC Ti，Nb，and Ta OXIDE SYSTEMS(TheAmerican Ceramie Society)4～8页。
非专利文献2：GMELINS(TM)HANDBUCH DERANORGANISCHEN CHEMIE TITAN(1951)VERLAG CHEMIE，GMBH。
发明内容
本发明的目的是解决上述的钛电容器涉及的课题，提供可得到在不修复下漏电流小、介质损耗角正切(tanδ)小的钛电容器的材料、钛电容器和用途(例如基板内电容器)。
为了解决上述的课题，本发明提供以下的发明。
(1)一种电容器材料，其层叠有二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层。
(2)根据上述(1)所述的电容器材料，在二氧化钛层或钛酸化合物层上还层叠有绝缘材料层。
(3)根据上述(2)所述的电容器材料，绝缘材料是二氧化钛或具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物。
(4)根据上述(1)～(3)的任一项所述的电容器材料，钛酸化合物是与选自Ca、Sr和Ba中的至少一种元素的化合物。
(5)根据上述(1)～(3)的任一项所述的电容器材料，二氧化钛层和钛酸化合物层层叠在基体上。
(6)根据上述(5)所述的电容器材料，基体是电极。
(7)根据上述(5)或(6)所述的电容器材料，基体是钛或含钛的合金。
(8)根据上述(5)～(7)的任一项所述的电容器材料，基体是箔。
(9)根据上述(8)所述的电容器材料，箔的厚度为5～300μm。
(10)根据上述(5)～(7)的任一项所述的电容器材料，基体是钛的烧结体或含有钛的合金的烧结体。
(11)根据上述(10)所述的电容器材料，烧结体是粒径为0.1～20μm的粒子的烧结体。
(12)一种电容器，在一对电极之间以电串联方式配置有上述(1)～(11)的任一项所述的电容器材料的二氧化钛层和钛酸化合物层。
(13)根据上述(12)所述的电容器，在测定频率1kHz下的容量密度与绝缘击穿电压的积为300nF·V/cm2以上。
(14)根据上述(12)或(13)所述的电容器，在测定频率1kHz下的介质损耗角正切为0.03以下。
(15)根据上述(12)～(14)的任一项所述的电容器，在测定频率1MHz下的静电容量为在测定频率100Hz下的静电容量的80％以上。
(16)一种布线板，其包含上述(12)～(15)的任一项所述的电容器。
(17)一种电子设备，其包含上述(12)～(15)的任一项所述的电容器。
(18)一种电容器材料的制造方法，其具有层叠二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层的工序。
(19)根据上述(18)所述的电容器材料的制造方法，在基体上进行层叠。
(20)根据上述(19)所述的电容器材料的制造方法，基体是钛或含钛的金属，通过将上述基体进行阳极氧化而形成二氧化钛层。
(21)根据上述(20)所述的电容器材料的制造方法，除去基体表面的自然氧化皮膜后进行阳极氧化。
(22)根据上述(18)～(21)的任一项所述的电容器材料的制造方法，通过使含有选自Ca、Sr和Ba中的至少一种的金属离子的pH 11以上的水溶液在80℃～沸点的温度范围与二氧化钛层进行反应，从而层叠具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层。
(23)根据上述(22)所述的电容器材料的制造方法，包括在反应后将电容器材料干燥的工序，并且含有选自Ca、Sr和Ba中的至少一种的金属离子的水溶液，含有在上述干燥温度以下的大气压下或减压下采用蒸发、升华、热分解中的至少一种方法变为气体的碱性化合物。
(24)根据上述(18)～(23)的任一项所述的电容器材料的制造方法，还具有在二氧化钛层或钛酸化合物层上层叠绝缘材料层的工序。
(25)根据上述(24)所述的电容器材料的制造方法，绝缘材料是二氧化钛或具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物。
(26)一种电容器的制造方法，具有：
采用上述(18)～(25)的任一项所述的制造方法制造电容器材料的工序；和
相对于上述电容器材料的二氧化钛层和钛酸化合物层以电串联的方式形成一对电极的工序。
(27)一种电容器的制造方法，具有：
采用上述(19)～(21)的任一项所述的制造方法制造电容器材料的工序；和
以上述电容器材料的基体为一个电极，在上述电容器材料的叠层上进一步层叠对电极层的工序。
根据本发明，通过层叠二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层，能够得到可获得在为各单层时不能得到的高耐电压且低漏电流的电容器的电容器材料。只有1层时将绝缘材料进行薄层化时会引起绝缘击穿或漏电流增大。对此，在本发明中发现通过将耐电压高的二氧化钛与漏电流小的绝缘体进行层叠(电串联地配置)，成为高耐电压且低漏电的绝缘材料。例如，如图1所示，通过在该材料(2-具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层、3-二氧化钛层)上形成电极1，能够良好地作为电容器使用。另外，如图2那样可以使用2层以上的相同的绝缘材料层，如图3那样可以使用3种以上的绝缘材料(4-其他的绝缘层)。另外，如图4那样，可以通过并列地层叠图1～3中表示的材料，来增大电容量。包含电极在内的厚度尽量地薄对设备的小型化、高功能化而言是优选的，优选为200μm以下的厚度。在100μm以下时，在布线板内能够容易地形成电容器因而更优选。电绝缘材料的厚度变薄时，引起绝缘击穿的电压变低，但电容器的电容量增加。因此，各电绝缘材料的厚度由电容器的所期望的耐电压和电容量决定。本发明的方法，采用预先形成设定厚度的二氧化钛层，使金属的离子与该二氧化钛层的一部分反应这种极简单的方法，能够在二氧化钛层上形成具有钙钛矿型结晶结构的钛酸化合物层。因此，不需要使用复杂而庞大的设备，能够以低成本制造电容器材料。预先形成的二氧化钛层的厚度和反应后得到的钛酸化合物层的厚度，根据使用的材料和制造条件而具有相关关系，因此能够得到所期望的层厚度。
这些层形成在基体上进行时操作容易。作为基体使用导电性的材料，来形成电容器时，也可以原样地作为电极使用。另外，作为基体使用绝缘材料。也可以原样地作为绝缘层(例如图3的4)使用。
尤其是，作为基体若使用金属钛或含钛的合金，则例如将该基体进行阳极氧化而在其表面形成二氧化钛层时，能够容易地控制二氧化钛层的厚度。通过使含有选自Ca、Sr和Ba中的至少一种的金属离子的水溶液与二氧化钛层反应，能够在二氧化钛层上形成具有钙钛矿型结晶结构的钛酸化合物层。
在此，通过作为含有Ca、Sr或Ba的离子的溶液，使用pH 11以上的碱性溶液，能够形成具有缺陷少的钙钛矿型结晶结构的钛酸化合物层，能够得到低的介质损耗角正切的电容器。作为该碱性溶液的碱成分，若使用在大气压下或减压下采用蒸发、升华、热分解中的至少一种方法变成为气体的碱性化合物，则能够抑制由碱成分残留在钛酸化合物层中所导致的电容器电特性的降低，能够得到具有稳定特性的电容器。另外，通过使反应温度为80℃以上，能够更切实地进行反应。反应温度高有利于反应进行，但若为了在水溶液的沸点以上的温度下反应而在加压容器中进行水热反应的话，则不成为两层结构的绝缘体，具有钙钛矿型结晶结构的钛酸化合物层甚至到达与基材的界面。
这样地得到的层叠有二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层的电容器材料，具有高的容量密度(电容密度)。由该材料构成的电容器，成为在2个电极间以电串联方式配置有氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层的构成。因此，在形成为只具有上述两层作为电介质的电容器的场合，其电容量大致根据介电常数低的二氧化钛层决定。因此，作为具有介电常数高的钙钛矿型结构的钛酸化合物层，即使使用显示较大地依赖于温度、直流偏电压的容量特性的钛酸钡等，也可将其影响抑制为较小。另外，由于漏电流小，因此不使用电解液、导电性高分子等的能够将电介质膜再氧化的电极，能够直接形成金属等的电极。其结果，高频特性得到改善，本发明得到的电容器，通常在1MHz下的静电容量为在100Hz下的静电容量的82％以上。另外，由于不需要使用电解液、导电性高分子、碳膏，因此能够期待材料的薄型化、工序的简化。适合作为电容器等的电子部件使用，电子部件能够小型化，进而包含这些电子部件的电子设备能够小型化、轻量化。
附图说明
图1是表示使用了本发明的电容器材料的电容器的一个方式的模式图。
图2是表示使用了本发明的电容器材料的电容器的一个方式的模式图。
图3是表示使用了本发明的电容器材料的电容器的一个方式的模式图。
图4是表示使用了本发明的电容器材料的电容器的一个方式的模式图。
图5是实施例1中的被阳极氧化的钛基体表面的SEM照片。
图6是实施例1中的被阳极氧化的钛基体截面的TEM照片。
图7是实施例1中的被阳极氧化的钛基体上形成的钛酸钡层的SEM照片。
图8是实施例1中的钛基体上层叠的二氧化钛层和钛酸钡层的截面的TEM照片。
附图标号说明
1电极
2具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层
3二氧化钛层
4绝缘层
具体实施方式
首先，详细地说明本发明的电容器材料的制造方法。本发明的材料采用包括下述工序的制造方法制得：在基体表面上形成二氧化钛层的工序；和使含有Ca、Sr和Ba中的至少一种的离子的溶液与上述二氧化钛层反应，在二氧化钛层上层叠具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层的工序。基体的材质没有特别的限制，可根据用途使用导电体、半导体、绝缘体。作为在电容器用途中优选的材质的例子，可举出作为导电体的金属钛或含钛的合金。通过在这些金属基体上形成作为电介质的二氧化钛层，能够原样地直接使用金属基体作为电容器的电极。基体的形状也没有特别的限制，可以使用板状的基体、箔状的基体，也可以使用表面不平滑的基体。在电容器用途中，从小型、轻量化的观点和单位基体质量的表面积越大则钛酸化合物层相对于基体的比例越增大并有利的观点考虑，优选为箔状的基体，可以使用厚度为5μm～300μm、更优选厚度为5μm～10μm、进一步优选厚度为5μm～30μm的箔。作为基体使用箔时，通过采用氢氟酸等的化学蚀刻、电解蚀刻等来预先进行蚀刻，在表面形成凹凸，由此能够增大表面积。同样地，为了增大钛酸化合物层相对于基体的比例，作为基体可以使用平均粒径0.1μm～20μm的金属钛或含钛的合金微粒子的烧结体，优选使用平均粒径1μm～10μm的金属钛或含钛的合金微粒子的烧结体。
在该基体表面形成设定厚度的二氧化钛层。作为二氧化钛的结晶结构，可以是金红石型、锐钛矿型、板钛矿型中的任一种。二氧化钛层的形成方法没有特别的限制。例如可以使用溅射法、等离子蒸镀法等的干式工艺，但从低成本制造的观点考虑，优选采用溶胶-凝胶法、LPD法等的湿式工艺形成。或者，也可以采用基体表面的自然氧化、热氧化、阳极氧化等的方法形成，尤其是在可利用电压容易地控制层厚方面，优选阳极氧化。作为优选的例，可举出由金属钛或含钛的合金形成的基体。二氧化钛层的厚度，可根据所期望的钛酸化合物层的厚度适当地进行调整，通常可调整为1nm～4000nm的范围。
在阳极氧化处理中，例如，将由钛或含钛的合金形成的基体的一部分区域浸渍在化学转化液中，以设定的电压电流密度进行化学转化。此时，为了避免化学转化液的浸渍液面水平面的变动的影响，优选在设定的位置涂布掩蔽材料从而实施化学转化。作为掩蔽材料，可以使用一般的耐热性树脂，优选对溶剂可溶或可膨润(溶胀)的耐热性树脂或其前体，以及可以使用包含无机质微粉和纤维素系树脂的组合物(特开平11-80596号公报)等，但不限于这些。
在进行阳极氧化处理时，优选尽量地除去基体表面的自然氧化皮膜后进行。该场合下，二氧化钛层大体由只来源于阳极氧化处理的氧化钛形成，因此容易控制二氧化钛层的层厚、均匀性等，再现性也提高。再者，基体表面的自然氧化皮膜可以通过利用氢氟酸等进行蚀刻来除去。
作为阳极氧化处理条件，使用酸和/或其盐的电解液，例如含有磷酸、硫酸、草酸、硼酸、己二酸及它们的盐的至少一种的电解液，在该电解液浓度为0.1质量％～30质量％、温度为0℃～90℃、电流密度为0.1mA/cm2～1000mA/cm2、电压为2V～400V、时间为1msec～400分的条件下以阀金属材料为阳极进行恒电流阳极氧化，达到规定电压后进行恒电压阳极氧化，更优选选定电解液浓度为1质量％～20质量％、温度为20℃～80℃、电流密度为1mA/cm2～400mA/cm2、电压为5V～90V、时间为1秒～300分。
接着，使含有Ca、Sr和Ba中的至少一种的离子的溶液与采用上述的方法形成的二氧化钛层反应。通过该反应能够在二氧化钛层上形成具有钙钛矿型结构的与上述离子的元素的钛酸化合物层。
作为上述含有Ca、Sr和Ba中的至少一种的离子的溶液，可以使用Ca、Sr或Ba的氢氧化物、硝酸盐、乙酸盐、氯化物等的水溶液。另外，这些金属化合物可以单独使用1种，也可以按任意的比率将两种以上混合使用。具体地，可以使用氯化钙、硝酸钙、乙酸钙、氯化锶、硝酸锶、氢氧化钡、氯化钡、硝酸钡、乙酸钡等。
作为该反应的条件，优选在存在碱性化合物的碱性溶液中进行反应。溶液的pH优选为11以上，更优选为13以上，特别优选为14以上。通过提高pH，能够制造缺陷更少的具有钙钛矿型结晶结构的钛酸化合物层。缺陷越少则层的介质损耗角正切越小因而优选。反应溶液，例如优选添加有机碱化合物来保持pH 11以上的碱性的溶液。作为添加的碱成分，没有特别的限制，但优选是在干燥温度下，且在大气压下或减压下，通过蒸发、升华和/或热分解而变成为气体的物质，例如，可优选使用TMAH(氢氧化四甲铵)、胆碱等的有机碱性化合物。如果添加氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾等的碱金属氢氧化物，则在得到的具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层中残存碱金属。制成制品时有可能作为电介质材料、电容器等的功能材料的特性差。因此优选使用氢氧化四甲基铵等的上述有机碱性化合物。
这样的溶液中的Ca、Sr和Ba的各金属离子的量，优选进行调整使得相对于由于钛酸化合物层的生成等而消耗的量为大量过剩。例如，每1cm2形成钛酸化合物层的面积为3毫摩尔以上即可，此外，为了调整制成的电容器的电特性，也可以在溶液中添加含有选自Sn、Zr、La、Ce、Mg、Bi、Ni、Al、Si、Zn、B、Nb、W、Mn、Fe、Cu、Dy中的至少一种元素的化合物以使反应后的钛酸化合物层中含有这些元素。
将这样地调制的碱溶液一边搅拌一边在常压下，通常加热保持在80℃～溶液的沸点使其反应。反应时间通常为10分钟以上，优选为1小时以上。得到的试样也可以根据需要采用透析、离子交换、水洗等方法除去杂质离子。若在大气中进行反应，则有时产生不溶性的Ca、Sr或Ba的碳酸盐。采用上述方法难以从试样表面除去这样的不溶性的碳酸盐的场合，优选预先通过酸洗来溶解除去不溶性的碳酸盐后除去杂质离子。接着干燥试样。干燥通常在室温～150℃进行1～24小时，干燥的气氛没有特别的限制，可以在大气中或减压中进行。
将这样地形成了本发明的材料的金属基体作为一个电极，能够制作电容器。此时，将铜、镍、铂、钯、铝等金属作为另一个电极(一个电极的对电极)，能够制作电容器。其中，最优选铜。
这样地制得的电容器，能够减薄电介质层，由此能够使电容器本身为小型。另外，通过电介质层变薄，能够进一步提高电容器的静电容量。
本发明的电容器，通常在测定频率1kHz下的容量密度与绝缘击穿电压的积为300nF·V/cm2以上(例如，若施加直流电压时的绝缘击穿电压为2V，则容量密度为150nF/cm2以上)，在测定频率1kHz下的介质损耗角正切为0.03以下，在测定频率1MHz下的静电容量为在测定频率100Hz下的静电容量的80％以上。
此外，本发明也能够得到在测定频率1kHz下容量密度与绝缘击穿电压的积为1000nF·V/cm2以上、在测定频率1kHz下的介质损耗角正切为0.013以下、或者在测定频率1MHz下的静电容量为在测定频率100Hz下的静电容量的90％以上的电容器。
这样的小型的电容器，能够适合作为布线板、电子设备类、尤其是以便携式电话机为首的便携式设备的部件使用。它们的组装本身可以采用常规方法。
实施例
以下举出实施例和比较例对本发明具体地说明，但本发明并不仅限于这些实施例。
实施例1
得到利用氢氟酸将厚度50μm的纯度99.9％的钛箔(株式会社サンクメタル制)蚀刻到厚度变为40μm的箔来作为基体。在得到的箔的一面涂布掩蔽材料。将该箔片的一个边固定在用于阳极氧化的电极端子上。在温度20℃的5质量％磷酸水溶液中，在电流密度30mA/cm2下以恒电流从与固定的边相对的侧的钛箔的边的端部将10cm2的部分进行阳极氧化直到达到60V。到达60V后，从阳极氧化开始到达到10分钟以恒电压进行阳极氧化处理。接着对阳极氧化了的试样进行水洗、干燥。对试样表面进行SEM(扫描电镜)观察，为平滑(图5)。另外，使用TEM(透射电镜)调查使用FIB装置切取的截面结构，生成了约140nm的二氧化钛层(图6)。然后，通过在20％氢氧化四甲基铵水溶液(セイケム昭和株式会社制)1L中溶解有10g的氢氧化钡八水合物(日本ソルベイ株式会社制)的溶液中在大气压下、沸点(该场合为104℃)将试样浸渍4小时而进行反应。从反应液中取出试样，浸渍在0.1N硝酸中溶解除去附着的碳酸钡，水洗后在150℃进行干燥。对该试样的表面进行SEM观察，可看到粒状的凹凸，但没有发现附着于表面的异物(图7)。通过X射线衍射来鉴定，除了作为基体的钛、由阳极氧化生成的二氧化钛的衍射峰以外，还观察到作为立方晶的钙钛矿型结构的钛酸钡的衍射峰，因此可知生成了立方晶钛酸钡。钛酸钡层的层厚，对由FIB装置进行截面加工的试样进行TEM观察，可知二氧化钛层表面的平均约20nm厚度的部分变成了钛酸钡(图8)。接着从钛箔上慎重地剥下掩蔽材料后，切取30mm×30mm的大小的试样。在该试样的生成了钛酸钡的面上，使用具有10mm×10mm的开口部的掩膜采用电子束蒸镀来层叠厚度200nm的铜，形成10mm×10mm的一个电极。包含钛基体在内得到的试样整体的厚度为41μm。另一个电极为作为基体的钛箔，采用以下的条件测定了静电容量。
装置：LF阻抗分析仪(アジレントテクノロジ一株式会社制4192A型)
测定频率：1kHz
振幅：1V
其结果，静电容量为212nF，为较大的值。由于电极面积为1cm2，因此容量密度为212nF/cm2，tanδ为0.003这一极小的值。
将试样与1MΩ的电阻串联连接，使钛箔侧为正极对试样和1MΩ的电阻施加1V的直流电压。施加经过30秒后，测定1MΩ电阻两端施加的电压，由该测定值算出试样的直流电阻，其结果，直流电阻为1.4GΩ。
绝缘击穿电压，使用与上述直流电阻测定相同的测定电路，从1V以每隔0.1V来提高直流施加电压，以各电压施加30秒后，将施加电压回复到1V，测定经过30秒后的直流电阻。当此时的电阻小于1MΩ时，将该施加电压作为绝缘击穿电压。其结果，绝缘击穿电压为6.4V。
将同样制作的试样夹在2片100mm×100mm的玻璃环氧树脂铜层压板(FR-4)进行层叠。在该状态下使用LF阻抗分析仪测定静电容量的结果，可知在测定频率100Hz下为216nF、在1kHz下为213nF、在1MHz下为199nF、在1MHz下的静电容量为在100Hz下的静电容量的92.1％，频率依赖性极小，最适合于布线板、高频模件等的电子设备。
实施例2
除了使阳极氧化电压为5V以外，与实施例1完全同样地进行实验。另外，生成的钛酸钡层的层厚为平均约8nm，阳极氧化后的二氧化钛层厚为约12nm，电特性记载于表1。
此外，不仅进行室温下的测定，而且一边使温度在-55～+125℃范围连续变化一边对得到的电容器试样测定静电容量，在该温度范围内，电容量最小为2.35μF、最大为2.54μF。另外，对层叠了铜的电极，使钛箔的电极为正电位而施加1.5V的直流偏电压，在该状态下测定静电容量，结果为2.50μF。与其他的实施例相比，可知如本实施例那样即使二氧化钛层薄、可考虑到容易受到钛酸钡层的特性的影响的情况下，电容量对温度、偏电压的依赖性也被抑制为极低。
实施例3
除了使阳极氧化电压为90V以外，与实施例1完全同样地进行实验。阳极氧化后的二氧化钛层厚为约210nm，电特性记载于表1。
实施例4
作为电解液，使用10质量％的己二酸铵代替5质量％的磷酸，除此以外，与实施例1完全同样地进行实验。阳极氧化后二氧化钛层厚为约150nm。电特性记载于表1。
实施例5
除了使阳阳氧化时的电流密度为3mA/cm2、阳极氧化时间为60分钟以外，与实施例1完全同样地进行实验。阳极氧化后的二氧化钛层厚为约140nm，电特性记载于表1。
实施例6
除了使阳极氧化时的电流密度为300mA/cm2以外，与实施例1完全同样地进行实验。阳极氧化后的二氧化钛层厚为约140nm，电特性记载于表1。
比较例1
阳极氧化后进行水洗、干燥后，不进行与氢氧化钡的反应，从钛箔上慎重地剥下掩蔽材料后，切取30mm×30mm大小的试样，在该试样的生成了二氧化钛的面上，使用具有10mm×10mm的开口部的掩膜采用电子束蒸镀来层叠200nm的铜，形成10mm×10mm的电极，除此以外，与实施例1完全同样地进行实验。电特性记载于表1。
实施例7
除了使用10％胆碱水溶液代替20％氢氧化四甲基铵水溶液以外，与实施例1完全同样地进行实验。电特性记载于表1。
实施例8
除了使用1N氢氧化钠水溶液代替20％氢氧化四甲基铵水溶液以外，与实施例1完全同样地进行实验。电特性记载于表1。
实施例9
除了使用相同摩尔量的氢氧化锶八水合物代替氢氧化钡八水合物以外，与实施例1完全同样地进行实验。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛、由阳极氧化生成的二氧化钛的衍射峰以外，还观察到作为立方晶的钙钛矿型结构的钛酸锶的衍射峰，可知生成了立方晶钛酸锶。电特性记载于表1。
实施例10
除了与氢氧化钡八水合物一起进一步添加与氢氧化钡八水合物相同的摩尔量的氢氧化锶八水合物以外，与实施例1完全同样地进行实验。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛、由阳极氧化生成的氧化钛的衍射峰以外，还观察到作为立方晶的钙钛矿型结构的衍射峰。由TEM-EDS进行分析的结果，同时检测出钡和锶，因此可认为生成了钙钛矿型结构的(Bax，Sr1-x)TiO3。电特性记载于表1。
实施例11
除了通过在20％氢氧化四甲基铵水溶液1L中溶解有5g的氢氧化钡八水合物的溶液中，在80℃下将阳极氧化后进行了水洗和干燥的试样浸渍4小时来进行反应以外，与实施例1同样地进行实验。电特性记载于表1。
比较例2
除了在保持在200℃的高压釜中将阳极氧化后进行了水洗和干燥的试样在20％氢氧化四甲基铵水溶液1L中溶解有10g氢氧化钡八水合物的溶液中浸渍4小时来进行反应以外，与实施例1完全同样地进行实验。4小时后打开高压釜，可确认生成了作为氢氧化四甲基铵的分解性产物的三甲铵。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛、由阳极氧化生成的二氧化钛的衍射峰以外，还观察到非常弱的、作为立方晶的钙钛矿型结构的钛酸钡的衍射峰，由此可认为在该条件下氢氧化四甲基铵进行分解，基本上不进行二氧化钛与钡离子的反应。由TEM观察截面，立方晶钛酸钡呈粒状散布在二氧化钛上，没有形成层。
比较例3
除了使用1N氢氧化钠水溶液代替20％氢氧化四甲基铵水溶液以外，与比较例2完全同样地进行实验。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛和作为立方晶的钙钛矿型结构的钛酸钡的衍射峰以外，没有观察到由阳极氧化生成的二氧化钛的衍射峰。由此可认为二氧化钛层基本上全部与钡离子反应而变成立方晶钛酸钡。与实施例1同样地由该试样制作了电容器，但发生短路，不能进行电特性测定。
比较例4
得到利用氢氟酸将厚度50μm的纯度99.9％的钛箔(株式会社サンクメタル制)蚀刻到厚度变成40μm的箔来作为基体。在得到箔的一面涂布掩蔽材料。不对该试样进行阳极氧化而是通过在20％氢氧化四甲基铵水溶液1L中溶解有10g氢氧化钡八水合物的溶液中在80℃下浸渍4小时来进行反应，除此之外，与实施例1完全同样地进行实验。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛的衍射峰以外，还观察到非常弱的、作为立方晶的钙钛矿型结构的钛酸钡的衍射峰，得到的电容器发生短路，不能进行电特性测定。可以认为这是因为没有形成二氧化钛层的缘故。
比较例5
除了通过使用1N氢氧化钠水溶液代替20％氢氧化四甲基铵水溶液，在保持在200℃的高压釜中浸渍4小时来进行反应以外，与比较例4完全同样地进行实验。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛的衍射峰以外，还观察到弱的、作为立方晶的钙钛矿型结构的钛酸钡的衍射峰(但是比比较例4的强)。得到的电容器发生短路，不能进行电特性测定。
不剥离由同样方法在高压釜中反应了的试样的掩蔽材料，而将钛箔的一部分浸渍在5质量％磷酸水溶液中。以钛基体为正极，以不与试样接触地在同一液体中浸渍的铂箔作为负极，测定电特性。浸渍在5质量％磷酸水溶液中的试样的面积为112mm2。此时的1kHz下的静电容量为178nF，tanδ为0.056。采用铜电极时不能测定的试样的电特性在电解液中能够测定可以认为是因为漏电部在电解液中被氧化(修复)的缘故。
实施例12
作为溅射装置使用日电アネルバ株式会社制SPF-332H。将按直径76mm、厚5mm大小制作的具有金红石型结晶结构的二氧化钛、和同样按直径76mm、厚5mm大小制作的具有钙钛矿型结晶结构的钛酸钡设置在溅射装置中用作为溅射靶。将15mm×15mm、厚度50μm的铂箔作为基板，按靶-基板间距离为50mm的方式设置在溅射装置中。不进行基板加热而减压到变成2×10-4Pa。然后向溅射装置中导入氧气直到变成1×10-2Pa后，导入氩气直到变成2×10-1Pa。将RF电力设定在200W，首先进行二氧化钛靶的溅射，在基板上形成了140nm厚的二氧化钛膜。接着，仍保持气氛，以钛酸钡为溅射靶，以RF电力200W进行溅射，在二氧化钛膜上形成了20nm厚的钛酸钡膜。从溅射装置中取出基板，设置开口部10mm×10mm的掩膜，按200nm的厚度蒸镀铜，形成为一个电极。另一个电极为基板的铂箔，采用与实施例1同样的方法测定电特性。电特性记载于表1。
实施例13
在铂箔上首先采用RF溅射法形成20nm厚的钛酸钡层后，形成140nm厚的二氧化钛层，除此以外，与实施例12完全同样地进行实验。电特性记载于表1。
实施例14
在铂箔上首先采用RF溅射法形成20nm厚的钛酸钡层后，形成140nm厚的二氧化钛层，再采用RF溅射法形成20nm厚的钛酸钡层，除此以外，与实施例12完全同样地进行实验。电特性记载于表1。
实施例15
除了使用氢氧化钙代替氢氧化钡八水合物以外，与实施例1完全同样地进行实验。通过X射线衍射鉴定的结果，除了作为基体的钛、由阳极氧化生成的二氧化钛的衍射峰以外，还观察到作为斜方晶的钙钛矿型结构的钛酸钙的衍射峰，因此可知生成了斜方晶钛酸钙。电特性记载于表1。
Figure G2008800015902D00191
产业上的利用可能性
根据本发明，通过层叠二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层，能够得到在为各单层时所不能得到的高耐电压并且低漏电流的材料。该材料适合作为电容器等的电子部件使用。电子部件能够小型化，进而包含这些电子部件的电子设备能够小型化、轻量化。
本发明中表示数值范围的“以上”和“以下”均包括本数。

Claims (25)

1.一种电容器材料，其层叠有二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层；
在二氧化钛层或钛酸化合物层上还层叠有绝缘材料层，绝缘材料是二氧化钛或具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物，
所述具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层是通过使含有选自Ca、Sr和Ba中的至少一种的金属离子的pH 11以上的水溶液在80℃～沸点的温度范围与所述二氧化钛层进行反应，从而层叠的。
2.根据权利要求1所述的电容器材料，二氧化钛层和钛酸化合物层层叠在基体上。
3.根据权利要求2所述的电容器材料，基体是电极。
4.根据权利要求2所述的电容器材料，基体是钛或含钛的合金。
5.根据权利要求3所述的电容器材料，基体是钛或含钛的合金。
6.根据权利要求2～5的任一项所述的电容器材料，基体是箔。
7.根据权利要求6所述的电容器材料，箔的厚度为5～300μm。
8.根据权利要求2～5的任一项所述的电容器材料，基体是钛的烧结体或含有钛的合金的烧结体。
9.根据权利要求8所述的电容器材料，烧结体是粒径为0.1～20μm的粒子的烧结体。
10.一种电容器，在一对电极之间以电串联方式配置有权利要求1～9的任一项所述的电容器材料的二氧化钛层和钛酸化合物层。
11.根据权利要求10所述的电容器，在测定频率1kHz下的容量密度与绝缘击穿电压的积为300nF·V/cm2以上。
12.根据权利要求10或11所述的电容器，在测定频率1kHz下的介质损耗角正切为0.03以下。
13.根据权利要求10所述的电容器，在测定频率1MHz下的静电容量为在测定频率100Hz下的静电容量的80％以上。
14.一种布线板，其包含权利要求10～13的任一项所述的电容器。
15.一种电子设备，其包含权利要求10～13的任一项所述的电容器。
16.一种电容器材料的制造方法，其具有层叠二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层的工序，
所述具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层是通过使含有选自Ca、Sr和Ba中的至少一种的金属离子的pH 11以上的水溶液在80℃～沸点的温度范围与所述二氧化钛层进行反应，从而层叠的。
17.根据权利要求16所述的电容器材料的制造方法，其中，还具有在二氧化钛层或钛酸化合物层上层叠绝缘材料层的工序。
18.根据权利要求16所述的电容器材料的制造方法，其中，在基体上进行层叠。
19.根据权利要求18所述的电容器材料的制造方法，基体是钛或含钛的金属，通过将所述基体进行阳极氧化而形成二氧化钛层。
20.根据权利要求19所述的电容器材料的制造方法，除去基体表面的自然氧化皮膜后进行阳极氧化。
21.根据权利要求16、18～20的任一项所述的电容器材料的制造方法，包括在反应后将电容器材料干燥的工序，并且所述水溶液含有在所述干燥温度以下的大气压下或减压下采用蒸发、升华、热分解中的至少一种方法变为气体的碱性化合物。
22.根据权利要求16、18～20的任一项所述的电容器材料的制造方法，其中，还具有在二氧化钛层或钛酸化合物层上层叠绝缘材料层的工序。
23.根据权利要求22所述的电容器材料的制造方法，绝缘材料是二氧化钛或具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物。
24.一种电容器的制造方法，具有：
采用权利要求16～23的任一项所述的制造方法制造电容器材料的工序；和
相对于所述电容器材料的二氧化钛层和钛酸化合物层以电串联的方式形成一对电极的工序。
27.一种电容器的制造方法，具有：
采用权利要求18～20的任一项所述的制造方法制造电容器材料的工序；和
以所述电容器材料的基体为一个电极，在所述电容器材料的叠层上进一步层叠对电极层的工序。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100014211A1 (en) * 2006-12-14 2010-01-21 Tama-Tlo Ltd. Storage battery
CN105699810A (zh) * 2016-02-29 2016-06-22 珠海格力电器股份有限公司 一种电解电容的在路测试装置及方法
CN112466665B (zh) * 2020-11-19 2022-06-10 嘉兴学院 一种柔性固态电介质薄膜电容器及其制备方法
DE102022132815A1 (de) * 2022-12-09 2024-06-20 Tdk Electronics Ag Substrat für einen keramischen Dünnfilm und Dünnfilmvorrichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1474422A (zh) * 2002-07-26 2004-02-11 三洋电机株式会社 电解电容及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3126503A (en) 1964-03-24 Electrical capacitor and electrode
JPS335816B1 (zh) 1956-11-17 1958-07-31
JPS432649B1 (zh) 1964-05-28 1968-01-30
JPS4227011B1 (zh) 1964-10-03 1967-12-21
JPS4224103B1 (zh) 1965-01-19 1967-11-20
JPS541020B1 (zh) 1968-11-05 1979-01-19
DE1955396B2 (de) 1968-11-05 1971-09-30 Elektrolytkondensator und verfahren zu seiner herstellung
JPS6024931B2 (ja) 1977-06-03 1985-06-15 コニカ株式会社 ハロゲン化銀写真感光材料
JPH0649950B2 (ja) 1984-07-19 1994-06-29 ソニー株式会社 Ｔｉ金属層とＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３被膜よりなる複合体及びその製造方法
EP0146284B1 (en) 1983-11-29 1988-06-29 Sony Corporation Methods of manufacturing dielectric metal titanates
JPS60116119A (ja) 1983-11-29 1985-06-22 ソニー株式会社 Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法
JPS62181415A (ja) 1986-02-05 1987-08-08 松下電器産業株式会社 コンデンサ−
JPH05121275A (ja) 1991-10-28 1993-05-18 Sumitomo Chem Co Ltd チタン電解コンデンサの製造方法
JP2660888B2 (ja) 1992-05-28 1997-10-08 新日本製鐵株式会社 コンクリート用鉄筋材およびコンクリート用鉄筋篭
JPH0786075A (ja) 1993-06-30 1995-03-31 Murata Mfg Co Ltd コンデンサ
JPH1131857A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Tokai Rubber Ind Ltd 圧電体構造物およびその製造方法
JPH1180596A (ja) 1997-09-04 1999-03-26 Central Glass Co Ltd マスキング剤及びパターン膜の形成法
JPH11172489A (ja) 1997-12-09 1999-06-29 Murata Mfg Co Ltd チタン酸バリウム被膜の製造方法
JP2000173349A (ja) 1998-12-02 2000-06-23 Ube Ind Ltd 誘電体薄膜とその製法およびコンデンサ
JP3792129B2 (ja) * 2001-03-01 2006-07-05 新光電気工業株式会社 キャパシタ、キャパシタ内蔵回路基板及びそれらの製造方法
CN100506701C (zh) * 2001-07-04 2009-07-01 昭和电工株式会社 钛酸钡及其制造方法
JP2003146659A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Toho Titanium Co Ltd 複合チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ
US6819540B2 (en) * 2001-11-26 2004-11-16 Shipley Company, L.L.C. Dielectric structure
JP2003294527A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Isao Tatsuno フィルム状の光センサーとそれを用いた光センサー回路
TWI290539B (en) * 2004-08-31 2007-12-01 Showa Denko Kk Barium titanate and capacitor
JP4348547B2 (ja) * 2005-04-14 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 ペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1474422A (zh) * 2002-07-26 2004-02-11 三洋电机株式会社 电解电容及其制造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP昭62-181415A 1987.08.08
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