CN101577084B - 显示装置、显示装置驱动方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

在此公开了一种显示装置，包括：像素矩阵部分，包括被布局以形成像素矩阵的像素电路，用作如下像素电路，该像素电路每个具有：电光设备，信号写晶体管，用于写视频信号，信号存储电容器，用于将由所述信号写晶体管写入的所述视频信号保持在所述信号存储电容器中，以及设备驱动晶体管，用于根据由所述信号存储电容器所保持的所述视频信号来驱动所述电光设备，以及电源部分，被配置以 将在用于提供流向所述设备驱动晶体管的驱动电流的电源线上出现的电源电势从一个电平改变为另一电平，以便控制从所述电光设备的发光时段到所述电光设备的不发光时段的转换，并反之亦然，以及在所述电光设备的所述不发光时段的一部分期间，停止将所述电源电势维持在所述电源线上的操作。

Description

显示装置、显示装置驱动方法和电子设备
技术领域
通常，本发明涉及显示装置、用于该显示装置的驱动方法以及采用该显示装置的电子设备。具体地，本发明涉及具有采用二维地布局以形成矩阵的像素电路作为每个包括电光设备的像素的平板型的显示装置，并涉及用于驱动该显示装置的驱动方法以及采用该显示装置的电子设备。
背景技术
近年来，在用于显示图像的显示装置的领域，具有采用二维地布局以形成矩阵的像素电路作为每个包括用作发光设备的电光设备的像素的平板型的显示装置已经迅速变得普遍。在平板型显示装置的每个像素电路中所采用的电光设备是所谓的电流驱动型发光设备，其中由发光设备所发射的光的亮度根据流经该设备的驱动电流的量值(magnitude)而变化。采用每个包括所谓的电流驱动型发光设备的像素电路的平板显示装置的例子是采用每个包括用作发光设备的有机EL(电致发光)设备的像素电路的有机EL显示装置。有机EL显示装置采用每个包括有机EL设备的像素电路，其中该有机EL设备每个利用当将电场施加到有机EL设备的有机薄膜时产生光的现象。
采用每个包括用作电光设备的有机EL设备的像素电路的有机EL显示装置具有以下特性。由于即使由被设置在不超过10V的低电平的施加电压驱动有机EL设备，该设备也能够操作，因此有机EL设备具有低功率消耗。另外，由于有机EL设备是自己发光的设备，因此与根据用于控制由已知为在每个像素电路中所采用的、用于液晶的背光的光源所产生的光的亮度的操作而显示图像的液晶显示装置相比，由光产生的图像表现出高度可识别性。在此之上，由于有机EL显示装置不需要诸如背光之类的照明元件，因此可以容易使该装置轻薄。此外，由于有机EL设备具有大约几微秒的很短响应时间，因此在显示时不会产生残留图像。
与液晶显示装置非常类似，有机EL显示装置可以采取简单(无源)或有源矩阵方法作为其驱动方法。然而，尽管采取无源矩阵方法的显示装置具有简单的结构，但电光设备的发光时段随着扫描线的数量(即像素电路的数量)的增加而减小。因此，有机EL显示装置产生了难以实现大尺寸和高清晰度模型的问题。
由于上述原因，近年来广泛开发了采取有源矩阵方法的显示装置。根据有源矩阵方法，用于控制流经电光设备的驱动电流的有源设备被提供在与电光设备相同的像素电路中。有源设备的例子是绝缘栅极型场效应晶体管。绝缘栅极型场效应晶体管通常是TFT(薄膜晶体管)。在采取有源矩阵方法的显示装置中，每个电光设备能够在一帧的时段中始终维持发光的状态。因此容易实现采取有源矩阵方法的大尺寸和高清晰度的显示装置。
顺便提及，如公知地，作为表示在被施加到有机EL设备的电压与由于向其施加电压而流向该设备的驱动电流之间的关系的特性的、由有机EL设备表现出的I-V特性通常随着时间流逝而恶化。随着时间流逝的恶化也称作时间退化。在采用N沟道型TFT作为用于产生流向在像素电路中所包括的有机EL设备的驱动电流的设备驱动晶体管的像素电路中，TFT的源极电极连接到有机EL设备。因此，由于由有机EL设备表现出的I-V特性的时间退化，施加在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压Vgs改变，结果，由有机EL设备发射的光的亮度也改变。在以下描述中，使用技术术语“设备驱动晶体管”暗示了用于产生流向有机EL设备的驱动电流的TFT。
如下更详细地说明以上所描述的内容。通过设备驱动晶体管和有机EL设备的操作点来确定在设备驱动晶体管的源极栅极上出现的电势。由于有机EL设备的I-V特性的时间退化，设备驱动晶体管和有机EL设备的操作点不被期望地改变。因此，即使施加到设备驱动晶体管的栅极电极上的电压仍然未改变，但是在设备驱动晶体管的源极栅极上出现的电势也改变。即，被施加在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压Vgs改变。因此，流经设备驱动晶体管的驱动电流也改变。结果，流经有机EL设备的驱动电流也改变，使得即使施加到设备驱动晶体管的栅极电极的电压仍然未改变，由有机EL设备发射的光的亮度也变化。
另外，在采用多晶硅TFT作为设备驱动晶体管的像素电路中，除了有机EL设备的I-V特性的时间退化之外，由于时间退化，设备驱动晶体管的阈值电压Vth和组成设备驱动晶体管中的沟道的半导体薄膜的迁移率μ也改变。在以下的描述中，将组成设备驱动晶体管中的沟道的半导体薄膜的迁移率μ简称为设备驱动晶体管的迁移率μ。另外，由于制造工艺中的变化，表示设备驱动晶体管的特性的阈值电压Vth和迁移率μ也随像素不同而改变。即，设备驱动晶体管的特性随像素不同而改变。
如果设备驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ由于制造工艺的变化和/或由于时间退化而随像素不同而改变，则即使施加在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压仍然未改变，流经设备驱动晶体管的驱动电流也随像素不同而改变。因此，即使施加在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间的电压仍然未改变，由有机EL设备发射的光的亮度也随像素不同而变化。结果，丧失了屏幕均匀性。
如日本专利公开第2006-133542号公开的，为了即使有机EL设备的I-V特性、阈值电压Vth和迁移率μ由于时间退化而改变，也对于施加在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间的恒定电压，将有机EL设备发射的光的亮度维持在不受有机EL设备的I-V特性的变化、设备驱动晶体管的阈值电压Vth的变化、以及设备驱动晶体管的迁移率μ的变化影响的恒定值，因此需要提供包括各种补偿功能的配置。
每个像素电路的补偿功能包括：用于对有机EL设备发射的光的亮度补偿有机EL设备的I-V特性的变化的补偿功能、用于对有机EL设备发射的光的亮度补偿设备驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的补偿功能、以及用于对有机EL设备发射的光的亮度补偿设备驱动晶体管的迁移率μ的变化补偿功能。在以下的描述中，对于有机EL设备发射的光的亮度补偿设备驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的处理称作阈值电压补偿处理，而将对有机EL设备发射的光的亮度补偿设备驱动晶体管的迁移率μ的变化的处理称作迁移率补偿处理。
通过为每个像素电路提供如上所述的用于对有机EL设备发射的光的亮度补偿有机EL设备的I-V特性的变化的补偿功能、用于对有机EL设备发射的光的亮度补偿设备驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的补偿功能、以及用于对有机EL设备发射的光的亮度补偿设备驱动晶体管的迁移率μ的变化补偿功能，即使有机EL设备的I-V特性由于时间退化而改变、而阈值电压Vth和迁移率μ由于时间退化和/或制造工艺的变化而改变，对于施加在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间的恒定电压，也能够将有机EL设备发射的光的亮度维持在不受有机EL设备的I-V特性的变化、设备驱动晶体管的阈值电压Vth的变化、以及迁移率μ的变化影响的恒定值。然而，在每个像素电路中所采用的组件的数量增加了。因此，由于在每个像素电路中采用的组件的数量的增加，产生了难以减小像素电路的尺寸并因此难以实现高清晰度显示装置的问题。
同时，作为例子，还已经提出了能够改变在用于向设备驱动晶体管提供驱动电流的电源线上出现的电源电势的像素电路。由于可以改变在用于向设备驱动晶体管提供驱动电流的电源线上出现的电源电势，因此像素电路不需要用于控制从电光设备的发光时段向电光设备的不发光时段转换以及反之亦然的晶体管。事实上，像素电路也不需要用于初始化在设备驱动晶体管的源极电极上出现的电势的晶体管和用于初始化在设备驱动晶体管的栅极电极上出现的电势的晶体管。关于所提出的像素电路的更多信息，建议读者参考诸如日本专利公开第2007-310311号的文档。由于可以省略用于控制从电光设备的发光时段向电光设备的不发光时段转换以及反之亦然的晶体管以及用于初始化在设备驱动晶体管的栅极和源极电极上出现的电势的晶体管，因此可以减少在每个像素电路中所采用的组件的数量和连接这些组件的线的数量。
发明内容
根据日本专利公开第2007-310311号中公开的现有技术，可以减少在每个像素电路中所采用的组件的数量和连接这些组件的线的数量。因此能够减小像素电路的尺寸，并因此能够实现高清晰度的显示装置。在此像素电路的情况下，采取用于通过改变在用于向设备驱动晶体管提供驱动电流的电源线上出现的电源电势来控制从电光设备的发光时段向电光设备的不发光时段转换的配置。详细地，为了进行从电光设备的发光时段向电光设备的不发光时段的转换，将在电源线上出现的电源电势改变为低电平，以便将反向偏压施加到电光设备，使得电光设备被设置在不发光的状态。
然而，如果电光设备被设置在反向偏压状态，则即使电光设备不正在发光，在电光设备中也产生电压力(electrical stress)。如果在电光设备中正在产生电压力期间的时段很长，则在其他原因之中，由于电光设备的特性恶化并且电光设备处在不能发光的状态中变为有缺陷的该事实，因此丧失了屏幕均匀性。
克服上述问题，本发明的发明人已经创新了一种显示装置，其能够减少在不发光时段期间由施加到电光设备的反向偏压所产生的电压力的量。发明人还创新了用于驱动该显示装置的方法和采用该显示装置的电子设备。
为了解决上述问题，提供了一种显示装置，其采用被布局以形成像素矩阵的像素电路，以用作如下像素电路，该像素电路每个具有：电光设备；信号写晶体管，用于将视频信号写入信号存储电容器；信号存储电容器，用于保持由所述信号写晶体管写入所述信号存储电容器中的所述视频信号；以及设备驱动晶体管，用于根据由所述信号存储电容器所保持的视频信号来驱动所述电光设备。
在通过利用设备驱动晶体管来驱动电光设备的操作中，将在用于提供流向所述设备驱动晶体管的驱动电流的电源线上出现的电源电势从一个电平改变为另一电平，以便控制从所述电光设备的发光时段到所述电光设备的不发光时段的转换，并反之亦然，以及在所述电光设备的不发光时段的一部分期间，停止将所述电源电势维持在所述电源线上的操作。
如上所述，为了进行从电光设备的发光时段到电光设备的不发光时段的转换，在电源线上出现的电源电势被改变到低电平，以便将反向偏压施加到电光设备，使得电光设备被设置在不发光的状态中。然而，如果电光设备被设置在反向偏压状态中，则在电光设备中产生电压力。为了解决由反向偏压产生的电压力所引起的问题，在电光设备的不发光时段的一部分中，如上所述地暂停用于维持在电源线上出现的电源电势的操作。在正暂停在不发光时段的一部分中进行的、作为维持在电源线上出现的电源电势的操作的操作的同时，电源线被置于浮置状态。设备驱动晶体管的电极的具体一个连接到电源线，而设备驱动晶体管的另一电极连接到相对于设备驱动晶体管而与设备驱动晶体管的具体电极相对的一侧的电光设备的阳极端。因此，设备驱动晶体管的具体电极也被置于浮置状态。另一方面，在设备驱动晶体管的另一电极上出现的电势变得等于在电光设备的阴极端上出现的电势与电光设备的阈值电压之和。因此，在不发光时段的一部分期间，没有反向偏压被施加到电光设备。因此，减少了其中反向偏压正被施加到电光设备的时段的长度。结果，也降低了由于所施加的反向偏压而在电光设备中产生的电压力的量。
根据本发明的实施例，能够减少在不发光时段期间由施加到电光设备的反向偏压产生的电压力的量。因此能够防止电光设备的特性改变，并能够防止电光设备由于电压力而在不能发光的状态中变得无效或不能发光。
附图说明
图1是示出应用本发明的实施例的有源矩阵有机EL显示装置的大致配置的方框图；
图2是示出有机EL显示装置中所采用的像素电路的具体典型配置的图；
图3是示出像素电路的典型结构的截面部分的截面图；
图4是在描述有机EL显示装置所实现的基本电路操作时将要参考的说明时序/波形图；
图5A到图5D是在描述基本电路操作的第一部分时将要参考的多个说明图；
图6A到图6D是在描述基本电路操作的第二部分时将要参考的多个说明图；
图7是示出作为用于说明阈值电压Vth随晶体管不同而变化的曲线的、每个代表如下电流-电压特性的曲线的特性图，该电流-电压特性表示在设备驱动晶体管的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids与在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间施加的栅极-源极电压Vgs之间的关系；
图8是示出作为用于说明迁移率μ随晶体管不同而变化的曲线的、每个代表如下电流-电压特性的曲线的特性图，该电流-电压特性表示在设备驱动晶体管的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids与在设备驱动晶体管的栅极和源极电极之间施加的栅极-源极电压Vgs之间的关系；
图9A到图9C是每个示出对于各种情况下视频信号Vsig与在设备驱动晶体管的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids之间的关系的多个图；
图10是在说明在根据本发明的实施例的有机EL显示装置中所采用的像素电路所实现的电路操作时将要参考的时序/波形图；
图11是示出代表施加到有机EL设备的电压与流经有机EL设备的驱动电流之间的关系的特性的图；
图12是示出根据本发明的第一实施例的像素矩阵部分和电源扫描电路的配置的方框图；
图13是示出在根据第一实施例的电源扫描电路中产生在电源线上维持的电势DS、扫描脉冲SP和控制脉冲CP所利用的定时之间的关系的时序图；
图14是示出根据本发明的第二实施例的像素矩阵部分和电源扫描电路的配置的方框图；
图15是示出应用本发明的实施例的电视机的外观的斜视图的图；
图16A是示出从数码相机的前侧上的位置观看的数码相机的外观的斜视图的图；
图16B是示出从数码相机的后侧上的位置观看的数码相机的外观的斜视图的图；
图17是示出应用本发明的实施例的笔记本个人计算机的外观的斜视图的图；
图18是示出应用本发明的实施例的摄像机的外观的斜视图的图；
图19A是示出处于已经被翻开的状态的手机的前视图的图；
图19B是示出处于已经被翻开的状态的手机的侧面的图；
图19C是示出处于已经被闭合的状态的手机的前视图的图；
图19D是示出处于已经被闭合的状态的手机的左侧的图；
图19E是示出处于已经被闭合的状态的手机的右侧的图；
图19F是示出处于已经被闭合的状态的手机的顶视图的图；以及
图19G是示出处于已经被闭合的状态的手机的底视图的图。
具体实施方式
如下通过参考附图详细说明本发明的优选实施例。
系统配置
图1是示出应用本发明的实施例的有源矩阵型显示装置的大致配置的系统配置图。作为例子，在有源矩阵型显示装置中所采用的每个像素电路具有电流驱动的发光设备，用作以由流经电光设备的驱动电流的量值而确定的亮度来发光的电光设备。这种电光设备的典型例子是有机EL设备。采用每个具有用作发光设备的有机EL设备的像素电路的显示装置被称作有源矩阵型有机EL显示装置，如下将作为典型的有源矩阵型显示装置来说明。
如图1的系统配置图所示，用作有源矩阵型显示装置的典型例子的有机EL显示装置10采用像素矩阵部分30和在围绕像素矩阵部分30的位置处所提供的驱动部分作为每个用于驱动在像素矩阵部分30中所采用的多个像素电路(PXLC)20的驱动部分。在像素矩阵部分30中，每个包括发光设备的像素电路20以二维排列以形成像素矩阵。驱动部分典型地是写扫描电路40、电源扫描电路50和信号输出电路60。
在用于示出彩色显示的有源矩阵有机EL显示装置10的情况下，像素电路20的每个包括多个子像素电路，该每个子像素电路用作像素电路20。更具体地，在用于示出彩色显示的有源矩阵有机EL显示装置10中，每个像素电路20包括三个子像素电路，即用于发射红光(即R颜色的光)的子像素电路、用于发射绿光(即G颜色的光)的子像素电路和用于发射蓝光(即B颜色的光)的子像素电路。
然而，每个用作像素电路的子像素电路的组合绝不限于以上用于三原色即R、G和B颜色的子像素电路的组合。例如，另一颜色的子像素电路或者甚至用于多个其他颜色的子像素电路可以被添加到用于三原色的子像素电路来用作像素电路。更具体地，例如，可以将用于产生用来增加亮度的白(W)色的光的子像素电路添加到用于三原色的子像素电路来用作像素电路。作为另一例子，可以将每个用于产生补色的光的子像素电路添加到用于三原色的子像素电路来用作具有增加的颜色再现范围的像素电路。
对于排列以形成在像素矩阵部分30中的m行和n列的m行/n列矩阵的像素电路20，提供了扫描线31-1到31-m和电源线32-1到32-m，位于图1的方框图中的行方向或者水平方向上。行方向是排列像素电路20所沿着的每个矩阵行的方向。更具体地，为像素电路20的矩阵的m行中的一个提供扫描线31-1到31-m的每个和电源线32-1到32-m的每个。另外，还为像素矩阵部分30中的像素电路20的m行/n列矩阵提供了每个面向图1的方框图中的列方向或者垂直方向上的信号线33-1到33-n。列方向是排列像素电路20所沿着的每个矩阵列的方向。更具体地，为像素电路20的矩阵的n列中的一个提供信号线33-1到33-n的每个。
扫描线31-1到31-m的任意具体一个被连接到写扫描电路40中所采用的输出端，该输出端作为与被提供了具体扫描线31的行关联的输出端。由于相同的原因，电源线32-1到32-m的任意具体一个被连接到在电源扫描电路50中所采用的输出端，该输出端作为与被提供了具体电源线32的行关联的输出端。另一方面，信号线33-1到33-n的任意具体一个被连接到在信号输出电路60中所采用的输出端，该输出端作为与被提供了具体信号线33的列关联的输出端。
通常在诸如玻璃基板的透明绝缘基板上建立像素矩阵部分30。因此，有源矩阵有机EL显示装置10可以被构建为具有平板结构。每个用作被配置以驱动像素矩阵部分30中所包括的像素电路20的驱动部分的写扫描电路40、电源扫描电路50和信号输出电路60的每个可以由无定形硅TFT(薄膜晶体管)或者低温硅TFT组成。如果使用低温硅TFT，则写扫描电路40、电源扫描电路50和信号输出电路60的每个也可以被建立在组成像素矩阵部分30的显示面板70(或基板)上。
写扫描电路40包括移位寄存器，用于与时钟脉冲信号ck同步地顺次移位(传递，propagate)开始脉冲sp。在将视频信号写入在像素矩阵部分30中所采用的像素电路20中的操作中，写扫描电路40将开始脉冲sp作为写脉冲(或扫描信号)WS1到WSm之一顺次供应至扫描线31-1到31-m之一。被供应至扫描线31-1到31-m的写脉冲因此被用于在所谓的逐线顺次扫描操作中以行为单元顺次扫描在像素矩阵部分30中所采用的像素电路20，以同时将在相同行上所提供的像素电路20置于能够接收视频信号的状态。
由于相同的原因，电源扫描电路50也包括移位寄存器，用于与时钟脉冲信号ck同步地顺次移位(传递)开始脉冲sp。与写扫描电路40进行的逐线顺次扫描操作同步地、即与由开始脉冲sp确定的定时同步地，电源扫描电路50分别将电源线电势DS1到DSm供应至电源线32-1到32-m。将电源线电势DS1到DSm的每个从第一电源电势Vccp切换到低于第一电源电势Vccp的第二电源电势Vini并反之亦然，以便以行为单位控制像素电路20的发光状态和不发光状态，且以便以行为单位将驱动电流供应至每个在像素电路20中被采用作为发光设备的有机EL设备。
信号输出电路60适当地选择从图1的方框图中未示出的信号源接收的、表示亮度信息的视频信号的电压Vsig或参考电势Vofs，并典型地以行为单位通过信号线33-1到33-m将所选择的电势写入在像素矩阵部分30中所采用的像素电路20中。在以下描述中，作为从信号源接收的、表示亮度信息的视频信号的电压的视频信号电压Vsig也被称作信号电压。即，信号输出电路60采取逐线顺次写操作的驱动方法，用于以行为单位将视频信号电压Vsig写入处于能够接收视频信号电压Vsig的状态中的像素电路20中。这是因为如之前说明的，以行为单位将像素电路20置于能够接收视频信号电压Vsig的状态。
像素电路
图2是示出像素电路20的具体典型配置的图。
如图2的图中所示，像素电路20包括有机EL设备21，用作根据流经该设备的电流的量值来改变由此生成的光的亮度的电光设备(或电流驱动的发光设备)。像素电路20还具有驱动电路，用于驱动有机EL设备21。有机EL设备21的阴极电极被连接到由所有像素电路20共享的公共电源线34。公共电源线34也被称作所谓的贝塔线(beta line)。
如上所述，除了有机EL设备21以外，像素电路20还具有驱动电路，该驱动电路由包括上述设备驱动晶体管22、信号写晶体管23和信号存储电容器24的驱动组件组成。在像素电路20的典型配置中，设备驱动晶体管22和信号写晶体管23的每个是N沟道TFT。然而，设备驱动晶体管22和信号写晶体管23的导电类型绝不限于N沟道导电类型。即，设备驱动晶体管22和信号写晶体管23的导电类型每个可以是另一导电类型，或者可以是彼此不同的导电类型。
要注意，如果N沟道TFT被用作设备驱动晶体管22和信号写晶体管23的每个，则可以将无定形硅(a-Si)工艺应用于像素电路20的制造。通过将无定形硅(a-Si)工艺应用于像素电路20的制造，能够减少在其上建立TFT的基板的成本，并因此减少有源矩阵有机EL显示装置10本身的成本。另外，如果设备驱动晶体管22和信号写晶体管23具有相同的导电类型，则可以使用相同的工艺来建立设备驱动晶体管22和信号写晶体管23。因此，设备驱动晶体管22和信号写晶体管23的相同导电类型有助于成本减少。
设备驱动晶体管22的一个电极(即源极或者漏极电极)被连接到有机EL设备21的阳极电极，而设备驱动晶体管22的另一电极(即漏极或者源极电极)被连接到电源线32，即电源线32-1到32-m之一。
信号写晶体管23的栅极电极被连接到扫描线31，即扫描线31-1到31-m之一。信号写晶体管23的一个电极(即源极或者漏极电极)被连接到信号线33，即信号线33-1到33-n之一，而信号写晶体管23的另一电极(即漏极或者源极电极)被连接到设备驱动晶体管22的栅极电极。
在设备驱动晶体管22和信号写晶体管23中，一个电极是连接到晶体管的源极或漏极区域的金属线，而另一电极是连接到晶体管的漏极或源极区域的金属线。另外，根据在一个电极上出现的电势与在另一电极上出现的电势之间的关系，一个电极变成源极或者漏极电极，而另一电极变成漏极或者源极电极。
信号存储电容器24的一端被连接到设备驱动晶体管22的栅极电极，而信号存储电容器24的另一端被连接到设备驱动晶体管22的一个电极和有机EL设备21的阳极电极。
要注意，用于驱动有机EL设备21的驱动电路的配置绝不限于如上所述的采用设备驱动晶体管22、信号写晶体管23和信号存储电容器24的配置。例如，如需要，驱动电路可以包括辅助电容器，其具有用于对有机EL设备21补偿有机EL设备21的电容不足的电容。辅助电容器的一端连接到有机EL设备21的阳极电极，而辅助电容器的另一端连接到有机EL设备21的阴极电极。如上所述，有机EL设备21的阴极电极连接到被设置为固定电势的公共电源线34。
在具有上述配置的像素电路20中，通过由写扫描电路40经由扫描线31、即扫描线31-1到31-m之一而施加到信号写晶体管23的栅极电极的高电平扫描信号WS，来将信号写晶体管23置于导电状态。在信号写晶体管23的该导电状态下，信号写晶体管23采样作为具有表示亮度信息的量值的电压的、由信号输出电路60经由信号线33(即信号线33-1到33-n之一)供应的视频信号电压Vsig，或者采样也由信号输出电路60经由信号线33供应的参考电势Vofs，并将采样的视频信号电压Vsig或者采样的参考电势Vofs写入在像素电路20中所采用的信号存储电容器24中。采样的视频信号电压Vsig或者采样的参考电势Vofs被施加到设备驱动晶体管24的栅极电极，并被保持在信号存储电容器24中。
通过被维持(assert)在电源线32(即电源线32-1到32-m之一)上作为电源电势DS的电源电势Vccp，设备驱动晶体管22的电极中的具体一个变成漏极电极，而设备驱动晶体管22的另一电极变成源极电极。在以此方式运作的设备驱动晶体管22的电极中，设备驱动晶体管22正操作在饱和区，并使从电源线32接收的电流流向有机EL设备21，作为用于驱动有机EL设备21进入发光状态的驱动电流。更具体地，设备驱动晶体管22正操作在饱和区，以将用作具有与在信号存储电容器24中存储的视频信号电压Vsig的量值相应的量值的发光电流的驱动电流供应至有机EL设备21。有机EL设备21因此在发光状态中发出具有与驱动电流的量值相应的亮度的光。
当维持在电源线32(即电源线32-1到32-m)上作为电势DS的第一电源电势Vccp被改变到第二电源电势Vini时，设备驱动晶体管22操作为开关晶体管。当操作为开关晶体管时，设备驱动晶体管22的具体电极变成源极电极，而设备驱动晶体管22的另一电极变成漏极电极。作为这种开关晶体管，设备驱动晶体管22停止将驱动电流供应至有机EL设备21的操作，将有机EL设备21置于不发光状态。即，设备驱动晶体管21还具有用于控制在有机EL设备21的发光和不发光状态之间的转换的晶体管的功能。
设备驱动晶体管22进行切换操作，以便设置有机EL设备21的不发光时段为不发光状态的时段，并控制被定义为有机EL设备21的发光时段与有机EL设备21的不发光时段的比率的占空比(duty)。通过执行这种控制，能够减少由归因于在整个一帧中由像素电路所产生的光的余象而引起的模糊量。因此，特别是可以使得运动图像的质量更精良。
由信号输出电路60选择性地产生并维持在信号线33上的参考电势Vofs是被用作从信号源接收的、表示亮度信息的视频信号电压Vsig的参考的电势。参考电势Vofs典型地是表示黑电平的电势。
第一电源电势Vccp或者第二电源电势Vini由电源扫描电路50选择性地产生，并维持在电源线32上。第一电源电势Vccp是用于向设备驱动晶体管22提供用于驱动有机EL设备21发光的驱动电流的电源电势。另一方面，第二电源电势Vini是用作施加到有机EL设备21以便将有机EL设备置于不发光状态的反向偏压的电源电势。第二电源电势Vini必须低于参考电势Vofs。例如，第二电源电势Vini低于(Vofs-Vth)，其中参考标记Vth表示在像素电路20中所采用的设备驱动晶体管22的阈值电压。希望将第二电源电势Vini设置在足够低于(Vofs-Vth)的电势。
像素结构
图3是示出像素电路20的典型结构的截面部分的截面图。如图3所示，像素电路20的结构包括玻璃基板201，在该玻璃基板201上建立了包括设备驱动晶体管22的驱动组件。另外，像素电路20的结构还包括绝缘膜202、绝缘平坦膜203和窗口绝缘膜204，它们按照在此句子中所列举的绝缘膜202、绝缘平坦膜203和窗口绝缘膜204的顺序顺次被建立在玻璃基板201上。在此结构中，有机EL设备21被提供在窗口绝缘膜204的凹陷204A上。图3仅示出驱动电路的设备驱动晶体管22作为配置元件，省略了驱动电路的其他驱动组件。
有机EL设备21具有包括阳极电极205、有机层206和阴极电极207的配置。阳极电极205典型地是在窗口绝缘膜204的凹陷204A的底部上建立的金属。有机层206是电子传输层、发光层和空穴传输/注入层，它们被建立在阳极电极205上。阴极电极207被放置在有机层206上，阴极电极207典型地是作为对所有像素电路20公共的膜而建立的透明导电膜。
通过在阳极电极205上顺次堆叠空穴传输层/空穴注入层2061、发光层2062、电子传输层2063和电子注入层，建立被包括在有机EL设备21中的有机层206。要注意，图3中未示出电子注入层。在如图2的图中所示的由设备驱动晶体管22进行的通过使电流流向有机EL设备21来驱动有机EL设备21发光的操作中，电流从设备驱动晶体管22经过阳极电极205流向有机层206。通过流向有机层206的电流，在发光层2062中空穴和电子彼此重新组合，致使发光。
建立设备驱动晶体管22以具有包括栅极电极221、半导体层222、源极/漏极区域223、漏极/源极区域224和沟道建立区域225的配置。在此配置中，源极/漏极区域223被建立在半导体层222的一侧上，而漏极/源极区域224被建立在半导体层222的另一侧上，并且沟道建立区域225面对半导体层222的栅极电极221。源极/漏极区域223通过接触孔(contact hole)而电连接到有机EL设备21的阳极电极205。
如图3所示，对于每个像素电路20，有机EL设备21被建立在玻璃基板201上，将绝缘膜202、绝缘平坦膜203和窗口绝缘膜204夹在有机EL设备21与玻璃基板201之间，在玻璃基板201上形成了包括设备驱动晶体管22的驱动组件。在以此方式建立有机EL设备21后，钝化膜208被建立在有机EL设备21上，并被密封基板(sealing substrate)覆盖，将粘合剂210夹在密封基板209与钝化膜208之间。以此方式，有机EL设备21被密封基板209密封，形成显示面板70。
有机EL显示装置的电路操作
接下来，通过参考作为基础的图4的时序/波形图以及图5和图6的电路图，以下描述说明了由采用二维地布局以形成矩阵的像素电路20的有源矩阵有机EL显示装置10所实现的电路操作。
要注意，在图5和图6的电路操作说明图中，信号写晶体管22被示出为表示开关的符号，以便使得各图简单。另外，在图5和图6的电路操作说明图的每个中示出电容器25用作有机EL设备21的等效电容器。
图4的时序/波形图示出了在扫描线31(扫描线31-1到31-m的任意一个)上出现的电势(写扫描信号)WS的变化、在电源线32(电源线32-1到32-m的任意一个)上出现的电势DS的变化、在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的栅极电势Vg的变化、以及在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的变化。由点划线示出栅极电势Vg的波形，而由点线示出源极电势Vs的波形，使得可以彼此区分这些波形。
前一帧的发光时段
在图4的时序/波形图足够，在时间t1之前的时段是紧接在当前帧(或当前场)之前的帧中(或场)中的有机EL设备21的发光时段。在发光时段中，在电源线32上出现的电势DS是在下文中也被称作高电势的第一电源电势Vccp，并且信号写晶体管23处于非导电状态。
通过维持在电源线32上并被施加到设备驱动晶体管22的第一电源电势Vccp，设置设备驱动晶体管22以操作在饱和区。因此，在发光时段中，根据施加在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs的驱动电流(即在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的发光电流或漏极-源极电流Ids)从电源线32经过设备驱动晶体管22流向有机EL设备21，如图5A的电路图所示。结果，有机EL设备21发射具有与驱动电流Ids的量值成比例的亮度的光。
阈值电压补偿准备时段
然后，在时间t1时，逐线顺次扫描操作的新的帧(也称作图4的时序/波形图中的前述当前帧)到达。如图5B的电路图所示，在电源线32上出现的电势DS从高电势Vccp改变为第二电源电势Vini，以便开始阈值电压补偿准备时段。下文中也被典型地称作低电势的，低电势Vini足够低于比Vofs更低的(Vofs-Vth)，其中参考标记Vth表示设备驱动晶体管22的阈值电压，而参考标记Vofs表示在信号线33上出现的前述的参考电势Vofs。
假设低电势Vini满足关系Vini＜(Vthel+Vcath)，其中参考标记Vthel表示有机EL设备21的阈值电压，而参考标记Vcath表示在公共电源线34上出现的电势。在此情况下，由于在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的源极电势Vs几乎等于低电势Vini，因此有机EL设备21被置于反向偏压状态，导致停止发光。
然后，在稍后时间t2时，在扫描线31上出现的电势WS从低电平改变为高电平，将信号写晶体管23置于导电状态，以开始阈值电压补偿准备时段，如图5C所示。在此状态下，信号输出电路60正将参考电势Vofs维持在信号线33上，并且通过信号写晶体管23将参考电势Vofs施加到设备驱动晶体管22的栅极电极，作为栅极电势Vg。如上所述，足够低于参考电势Vofs的低电势Vini正被供应至设备驱动晶体管22的源极电极，作为那时的源极电势Vs。
因此，那时，施加在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs等于电势差(Vofs-Vini)。如果电势差(Vofs-Vini)不大于设备驱动晶体管22的阈值电压Vth，则可以不进行稍后将描述的阈值电压补偿处理。因此需要将低电势Vini和参考电势Vofs设置在满足电势关系(Vofs-Vini)＞Vth的电平。
用于将在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg固定(设置)在参考电势Vofs且将在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs固定(设置)在低电势Vini的初始化处理是用于稍后将描述的阈值电压补偿处理的准备处理。在以下描述中，用于阈值电压补偿处理的准备处理也被称作阈值电压补偿准备处理。在此处理中，参考电势Vofs是在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg的初始化电势，而低电势Vini是在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的初始化电势。
阈值电压补偿时段
然后，当在电源线32上出现的电势DS在如图5D所示的稍后时间t3时从低电势Vini改变为高电势Vccp时，在照原样维持在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg的状态中，开始阈值电压补偿时段。即，在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs开始向着作为由于从栅极电势Vg减去设备驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电势而上升。
为了方便，用作如上所述的在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg的初始化电势的参考电势Vofs被作为参考电势，并且电势Vs向着作为从栅极电势Vg减去设备驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电势而上升的处理被称作阈值电压补偿处理。随着阈值电压补偿处理继续，在适当时，在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间施加的电压Vgs被收敛于设备驱动晶体管22的阈值电压Vth，致使与阈值电压Vth对应的电压被存储在信号存储电容器24。
要注意，为了在正进行阈值电压补偿处理的阈值电压补偿时段期间使全部驱动电流流向信号存储电容器24而不是部分地流向有机EL设备21，预先将公共电源线34设置在电势Vcath，以便将有机EL设备21置于截止状态。
然后，在与阈值电压补偿时段的结束相一致的稍后时间t4时，在扫描线31上出现的电势WS改变到低电平，以便将信号写晶体管23置于非导电状态，如图6A所示。在信号写晶体管23的此非导电状态中，设备驱动晶体管22的栅极电极与信号线33电断开，进入浮置状态。然而，由于在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间出现的电压Vgs等于设备驱动晶体管22的阈值电压Vth，因此设备驱动晶体管22被置于截止状态。因此，漏极-源极电流Ids不流经设备驱动晶体管22。
信号写和迁移率补偿时段
然后，在稍后时间t5时，在信号线33上出现的电势从参考电势Vofs改变为视频信号电压Vsig，如图6B所示。随后，在与信号写和迁移率补偿时段的开始相一致的稍后时间t6时，通过将在扫描线31上出现的电势WS设置为高电平，信号写晶体管23被置于导电状态，如图6C所示。在此状态下，信号写晶体管23采样视频信号电压Vsig，并将采样的视频信号电压Vsig存储在像素电路20中。
由于由信号写晶体管23进行的将采样的视频信号电压Vsig存储到像素电路20中的操作，在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg变得等于视频信号电压Vsig。在通过利用视频信号电压Vsig来驱动设备驱动晶体管22的操作中，设备驱动晶体管22的阈值电压Vth和被存储在信号存储电容器24中作为与阈值电压Vth对应的电压的电压在所谓的阈值电压补偿处理中彼此抑制(kill)，其原理将在稍后详细描述。
那时，有机EL设备21初始地处于截止状态(或高阻状态)。因此，从电源线32流向由视频信号电压Vsig驱动的设备驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids实际上去往与有机EL设备21并联的前述等效电容器25，而不是进入有机EL设备21本身。结果，开始等效电容器25的充电处理。
在正在对等效电容器25充电的同时，在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs随着时间流逝而升高。由于已经对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿了随像素不同的Vth(阈值电压)变化，因此漏极-源极电流Ids仅根据设备驱动晶体管22的迁移率μ随像素不同而变化。
假设写增益具有理想值1。写增益被定义为电压Vgs与视频信号电压Vsig的比率，如上所述，在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间观察到该电压Vgs，并且该电压Vgs被存储在信号存储电容器24中，作为与设备驱动晶体管22的阈值电压Vth对应的电压。随着在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs达到电势(Vofs-Vth+ΔV)，在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间观察到的电压Vgs变得等于电势(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)，其中参考标记ΔV表示源极电势Vs的增加。
即，进行负反馈操作，以便从被存储在信号存储电容器24中作为电压(Vsig-Vofs+Vth)的电压中减去在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的增量ΔV，或者换句话说，进行负反馈操作，以便从信号存储电容器24中电地放电一些电荷。在负反馈操作中，使用在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的增量ΔV作为负反馈量。
如上所述，通过将在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids负反馈回到设备驱动晶体管22的栅极输入，即通过将在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids负反馈回到在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间出现的电压Vgs，可以消除漏极-源极电流Ids对设备驱动晶体管22的迁移率μ的依赖性。即，在采样视频信号电压Vsig并将采样的视频信号电压Vsig存储在像素电路20的操作中，还同时进行迁移率补偿处理，以便对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿随像素不同的迁移率(μ)变化。
更具体地，要被存储在设备驱动晶体管22的栅极电极中的视频信号电压Vsig的幅度Vin(＝Vsig-Vofs)越大，在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids越大，并因此被用作负反馈操作的负反馈量(或者补偿量)的增量ΔV的绝对值越大。因此，能够根据由有机EL设备21发射的光的亮度等级来进行迁移率补偿处理。
对于视频信号电压Vsig的固定幅度Vin，设备驱动晶体管22的迁移率μ越大，被用作负反馈操作的负反馈量(或者补偿量)的增量ΔV的绝对值越大。因此能够对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿随像素不同的迁移率(μ)变化。稍后将详细描述迁移率补偿处理的原理。
发光时段
然后，在与信号写和迁移率补偿时段的结束或者发光时段的开始相一致的稍后时间t7时，在扫描线31上出现的电势WS改变到低电平，以便将信号写晶体管23置于非导电状态，如图6D所示。随着电势WS被置于低电平，设备驱动晶体管22的栅极电极与信号线33电断开，进入浮置状态。
通过被置于浮置状态的设备驱动晶体管22的栅极电极以及连接到信号存储电容器24的设备驱动晶体管22的源极电极，当在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs根据在信号存储电容器24中存储的电荷量而变化时，在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg也以与电势Vs的变化联锁(interlocked)的方式变化。在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg也以与在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的变化联锁的方式而变化的操作被称作自举操作，该自举操作基于信号存储电容器24所提供的耦合效应。
在设备驱动晶体管22的栅极电极被置于浮置状态时，在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids开始流向有机EL设备21。因此，在设备驱动晶体管21的阳极电极上出现的电势根据漏极-源极电流Ids的增加而升高。
随着在有机EL设备21的阳极电极上出现的电势超过电势(Vthel+Vcath)，驱动电流(或发光电流)开始流经有机EL设备21，致使有机EL设备21开始发光。在有机EL设备21的阳极电极上出现的电势的增加正是出现在设备驱动晶体管22的源极电极上的电势Vs的增加。当在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs升高时，在基于由信号存储电容器24所提供的耦合效应的自举操作中，在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg也以与出现在设备驱动晶体管22的源极电极上的电势Vs的变化联锁的方式升高。
假设自举操作的自举增益具有理想值1。自举操作的自举增益被定义为在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg的增量与在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的增量的比率。通过被假设具有理想值1的自举操作的自举增益，在设备驱动晶体管22的栅极电极上出现的电势Vg的增量等于在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs的增量。因此，在发光时段期间，施加在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs被维持在固定电平(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)。然后，在稍后时间t8时，维持在信号线33上的视频信号电压Vsig改变到参考电势Vofs。
在上述操作序列中，在也称作1H的一个水平扫描时段中进行包括阈值电压补偿准备处理、阈值电压补偿处理、将视频信号电压Vsig写入信号存储电容器24中的信号写操作以及迁移率补偿处理的各种处理。在时间t6与时间t7之间的时段期间同时进行将视频信号电压Vsig写入信号存储电容器24中的信号写操作以及迁移率补偿处理。
阈值电压补偿处理的原理
以下描述说明了在较早时通过参考图4的时序/波形图描述的时间t3与t4之间的阈值电压补偿时段期间进行的阈值电压补偿处理以便对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿设备驱动晶体管22随像素不同的阈值电压Vth的变化的原理。如上所述，设备驱动晶体管22被设计以操作在饱和区，其中第一电源电势Vccp维持在电源线32上，并在时间t3和t4之间的阈值电压补偿时段中被施加到设备驱动晶体管22，如图5D和图6A的电路图中所示。因此，设备驱动晶体管22工作作为恒流源。结果，设备驱动晶体管22将通过公式(1)给出的恒定的漏极-源极电流Ids(也称作驱动电流或发光电流)供应给有机EL设备21。
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2...(1)
在以上公式中，参考标记N表示设备驱动晶体管22的沟道宽度，参考标记L表示沟道长度，参考标记Cox表示每单位面积的栅极电容。
图7是示出每个代表如下电流-电压特性的曲线的特性图，该电流-电压特性表达了在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids与施加在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs之间的关系。
图7的特性图中的实线代表用于具有阈值电压为Vth1的设备驱动晶体管22的像素电路A的特性，而该特性图中的虚线代表用于具有不同于阈值电压Vth1的阈值电压Vth2的设备驱动晶体管22的像素电路B的特性。如从图7的特性图很明显，对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是Ids1，而在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是与漏极-源极电流Ids1不同的Ids2，除非进行阈值电压补偿处理来对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿随像素不同的Vth变化，其中参考标记Vth表示设备驱动晶体管22的阈值电压。
在图7的特性图所示的例子中，在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的阈值电压Vth2大于在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的阈值电压Vth1，即Vth2＞Vth1。在此情况下，对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是Ids1，而在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是小于漏极-源极电流Ids1的Ids2，即Ids2＜Ids1。即，即使对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，如果设备驱动晶体管22的阈值电压Vth随像素不同而变化，在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids也随像素不同而变化。
另一方面，在具有上述配置的像素电路20中，如前所述，在发光时施加在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs等于(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)。通过将表达式(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)代入公式(1)以用作项Vgs的替换，可以由公式(2)表达漏极-源极电流Ids如下：
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)2...(2)
即，从公式(2)的右侧的表达式中消去了代表设备驱动晶体管22的阈值电压的项Vth。换句话说，从设备驱动晶体管22流向有机EL设备21的漏极-源极电流Ids不再取决于设备驱动晶体管22的阈值电压Vth。结果，即使设备驱动晶体管22的阈值电压Vth由于制造设备驱动晶体管22的工艺中的变化或者由于时间退化而随像素不同而变化，如果将由水平轴代表的相同栅极-源极电压Vgs施加到在各像素电路中所采用的设备驱动晶体管22的栅极电极，则漏极-源极电流Ids不随像素不同而变化。因此，如果将代表相同视频信号电压Vsig的相同栅极-源极电压Vgs施加到在每个包括一个有机EL设备21的像素电路20中所采用的设备驱动晶体管22的栅极电极，能够将由每个有机EL设备21发射的光的亮度维持在相同的值。
迁移率补偿处理的原理
以下描述说明了实现以对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿设备驱动晶体管22的迁移率随像素不同的变化的迁移率补偿处理的原理。图8也是示出每个代表如下电流-电压特性的曲线的特性图，其中该电流-电压特性表达了在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids与施加在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间的栅极-源极电压Vgs之间的关系。图8的特性图中的实线代表对于具有相对较大的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路A的特性，而同一特性图中的虚线代表对于具有相对较小的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路B的特性，即使在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22具有等于在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的阈值电压Vth的阈值电压Vth。如从图8的特性图很明显，对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是Ids1’，而在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是与漏极-源极电流Ids1’不同的Ids2’，除非进行迁移率补偿处理以对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿随像素不同的迁移率变化。如果在像素电路20中采用多晶硅薄膜晶体管等作为设备驱动晶体管22，则不能避免诸如像素电路A和B之间的迁移率μ的差之类的随像素不同的迁移率μ的变化。
通过在像素电路A和B之间的存在的迁移率μ的差，即使将代表相同视频信号电压Vsig的相同栅极-源极电压Vgs施加到在采用具有相对较大的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路A和采用具有相对较小的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的栅极电极，在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是Ids1’，而在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids是很不同于漏极-源极电流Ids1’的Ids2’，除非进行迁移率补偿处理以对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿在像素电路A和B之间的迁移率μ的差。如果这种很大的Ids差是由μ随像素不同的变化引起的、作为在设备驱动晶体管之间的漏极-源极电流Ids的差(其中参考标记μ表示设备驱动晶体管22的迁移率)，则损失了屏幕的均匀性。
如从较早前作为表达设备驱动晶体管22的特性的等式而给出的公式(1)中很明显，设备驱动晶体管22的迁移率μ越大，在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids越大。由于负反馈操作的反馈量ΔV与在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids成比例，因此设备驱动晶体管22的迁移率μ越大，负反馈操作的反馈量ΔV越大。如图8的特性图所示，采用具有相对较大的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路A的反馈量ΔV1大于采用具有相对较小的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路B的反馈量ΔV2。
通过将在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids负反馈回到Vsig侧来进行迁移率补偿处理，其中参考标记Vsig表示视频信号的电压。在该负反馈操作中，设备驱动晶体管22的迁移率μ越大，进行负反馈操作的程度越高。结果，能够消除μ随像素不同的变化，其中参考标记μ表示设备驱动晶体管22的迁移率。
具体地，如果取补偿量ΔV1作为对采用具有相对较大的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路A进行的迁移率补偿处理的负反馈操作中的反馈量ΔV1，则在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids从Ids1’大量减少到Ids1。另一方面，如果取小于补偿量ΔV1的补偿量ΔV2作为对采用具有相对较小的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路B进行的迁移率补偿处理的负反馈操作中的反馈量ΔV2，则与像素电路A相比，在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids从Ids2’轻微下降到几乎等于漏极-源极电流Ids1的Ids2。结果，由于代表在像素电路A中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids的Ids1几乎等于代表在像素电路B中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids的Ids2，因此能够对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿设备驱动晶体管22的迁移率随像素不同的变化。
将以上描述的总结如下。与在对采用具有相对较小的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路B进行的迁移率补偿处理的负反馈操作中所采取的反馈量ΔV2相比，在作为对采用具有相对较大的迁移率μ的设备驱动晶体管22的像素电路A的迁移率补偿处理而实现的负反馈操作中所采取的反馈量ΔV1较大。即，设备驱动晶体管22的迁移率μ越大，对采用设备驱动晶体管的像素电路进行的负反馈操作的反馈量ΔV越大，因此在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids下降的越大。
因此，通过将在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids负反馈回到作为设备驱动晶体管22的栅极电极侧的、被提供了视频信号电压Vsig的栅极电极侧，可以平均化流经作为具有不同的迁移率μ的值的设备驱动晶体管22的、在像素电路中所采用的设备驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids的量值。结果，能够对在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids补偿设备驱动晶体管22的迁移率随像素不同的变化。即，将在设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids负反馈回到设备驱动晶体管22的栅极电极的负反馈操作是迁移率补偿处理。
图9是每个示出视频信号电压Vsig(或采样的电势)与在图2的方框图中所示的有源矩阵有机EL显示装置10中所包括的像素电路20中所采用的设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids之间的关系的多个图。这些图示出了对于所进行的具有或不具有阈值电压补偿处理以及具有或不具有迁移率补偿处理的各种驱动方法的这种关系。
更具体地，图9A是示出每个代表分别对于不同的像素电路A和B在视频信号电压Vsig与设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids之间的关系的两个曲线的图，其中像素电路A和B既未经历阈值电压补偿处理，也未经历迁移率补偿处理。图9B是示出每个代表分别对于不同的像素电路A和B在视频信号电压Vsig与设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids之间的关系的两个曲线的图，其中像素电路A和B经历了阈值电压补偿处理，但未经历迁移率补偿处理。图9C是示出每个代表分别对于不同的像素电路A和B在视频信号电压Vsig与设备驱动晶体管22的漏极和源极电极之间流动的漏极-源极电流Ids之间的关系的两个曲线的图，其中像素电路A和B即经历了阈值电压补偿处理，又经历迁移率补偿处理。
如由对于像素电路A和B既未经历阈值电压补偿处理也未经历迁移率补偿处理的情况给出的图9A的曲线所示，对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，观察到在具有不同的阈值电压Vth和不同的迁移率μ的值的像素电路A和B之间的漏极-源极电流Ids的很大的差，作为由不同的阈值电压Vth和不同的迁移率μ的值引起的差。
另一方面，如由对于像素电路A和B经历了阈值电压补偿处理但未经历迁移率补偿处理的情况给出的图9B的曲线所示，对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，观察到在具有不同的阈值电压Vth和不同的迁移率μ的值的像素电路A和B之间的漏极-源极电流Ids的较小的差，作为由不同的阈值电压Vth和不同的迁移率μ的值引起的差。尽管该差从对于由图9A的曲线所示的情况的差减少到一定程度，但是差仍然存在。
如由对于像素电路A和B即经历了阈值电压补偿处理又经历了迁移率补偿处理的情况给出的图9C的曲线所示，对于由水平轴代表的栅极-源极电压Vgs的相同量值，观察到在具有不同的阈值电压Vth和不同的迁移率μ的值的像素电路A和B之间的漏极-源极电流Ids几乎没有差，作为由不同的阈值电压Vth和不同的迁移率μ的值引起的差。因此，对于每个等级由有机EL设备21发射的光的亮度随像素不同而没有变化。结果，能够显示具有高质量的图像。
另外，除了阈值电压和迁移率补偿功能之外，被包括在图2所示的有源矩阵有机EL显示装置10中的像素电路20还具有如前所述的基于由信号存储电容器24提供的耦合效应的自举操作功能，使得像素电路20能够表现出如下所述的效果。
即使由于有机EL设备21的I-V特性在时间退化过程中随着时间流逝而恶化，在设备驱动晶体管22的源极电极上出现的电势Vs改变，基于由信号存储电容器24提供的耦合效应的自举操作也允许在设备驱动晶体管22的栅极和源极电极之间施加的栅极-源极电压Vgs被维持在固定电平，使得流经有机EL设备21的驱动电流也不在时间退化过程中随着时间流逝而改变。因此，由于由有机EL设备21发射的光的亮度也不在时间退化过程中随着时间流逝而变化，因此即使I-V特性在时间退化过程中随着时间流逝而变坏，也能够显示没有伴随有机EL设备21的I-V特性的时间退化而恶化的图像。
在不发光时段期间在有机EL设备中产生的压力
如从由像素电路20进行的操作的以上描述中很明显，在时间t1与t2之间的有机EL设备21的不发光时段期间，维持在电源线32上的电势DS被切换到第二电势Vini，将有机EL设备21置于反向偏压状态。随着有机EL设备21被置于反向偏压状态，有机EL设备21不发光，因此进入具有高可靠度的不发光时段。
然而，如果有机EL设备21被置于反向偏压状态，则在有机EL设备21中出现电压力。另外，如果在有机EL设备21中出现电压力的时段很长，则由于之前所说明的压力，有机EL设备21的特性改变，或者有机EL设备21在不能发光的状态下变得有缺陷。结果，显示的图像的质量恶化。有机EL设备21的发光缺陷是使得有机EL设备21不能发光的缺陷。
实施例
为了解决上述问题，本发明的实施例实现了通过在有机EL设备21的一部分不发光时段期间在有机EL设备21中不产生电压力来驱动像素电路20的操作。根据由用作电源部分的电源扫描电路50执行的控制来进行该驱动操作。以下描述具体说明了在有机EL设备21中不出现电压力的驱动方法。
图10是在根据本发明的实施例由有机EL显示装置中所采用的像素电路20进行的操作的说明时所参考的时序/波形图。如此时序/波形图所示，在有机EL设备21的一部分不发光时段中，电源扫描电路50停止将电势DS维持在电源线32上。前述的有机EL设备21的一部分不发光时段是不发光时段的前一部分。即，有机EL设备21的一部分不发光时段是紧接在用于在将出现在设备驱动晶体管22的源极电极上的电势Vs初始化为第二电源电势Vini的处理之前的部分。如较早前所述，设备驱动晶体管22的源极电极是相对于设备驱动晶体管22在与电源线32相对的一侧的电极。具体地，有机EL设备21的一部分不发光时段时在图10所示的时间t1与t10之间的时段。
如上所述，在有机EL设备21的一部分不发光时段中，电源扫描电路50停止将电势DS维持在电源线32上的操作，将电源线32置于浮置状态。因此，用作被连接到电源线32的电极，设备驱动晶体管22的漏极电极也被置于浮置状态。图11是示出代表施加到有机EL设备21的电压与流经有机EL设备21的驱动电流之间的关系的特性的图。如此图所示，当施加到有机EL设备21的电压超过有机EL设备21的阈值电压Vthel时，驱动电流开始流经有机EL设备21。
因此，电源扫描电路50在有机EL设备21的一部分不发光时段期间停止将电势DS维持在电源线32的操作时，设备驱动晶体管22的源极电势Vs等于Vthel+Vcath。因此，在有机EL设备21的一部分不发光时段期间，没有反向偏压被施加到有机EL设备21。结果，与电源扫描电路50不停止将电势DS维持在电源线32上的操作的配置相比，其中反向偏压被施加到设备驱动晶体管22的时段极短。因此，能够减少由于施加到有机EL设备21的反向偏压而在有机EL设备21中出现的电压力的量。因此，能够防止有机EL设备21的特性改变，并防止由于由施加到有机EL设备21的反向偏压而出现在有机EL设备21中的电压力引起的有机EL设备21在不能发光的状态中变得有缺陷。结果，可以提高显示的图像的质量。
电源扫描电路
接下来，以下描述说明了在有机EL设备21的一部分不发光时段期间停止将电势DS维持在电源线32上的操作的电源扫描电路50的具体配置。
第一实施例
图12是示出根据本发明的第一实施例的像素矩阵部分30和电源扫描电路50A的配置的方框图。如此方框图所示，根据第一实施例的电源扫描电路50A具有包括第一移位寄存器51、第二移位寄存器52和输出部分53的配置。
第一移位寄存器51是被配置以与由图1的方框图所示的写扫描电路进行的作为写扫描操作的垂直扫描操作同步地输出用于改变电势DS的扫描脉冲SP的部分。第二移位寄存器52是被配置以与由第一移位寄存器51进行的扫描操作同步地输出用于控制停止将电势DS维持在电源线32上的操作的控制脉冲CP的部分。
输出部分53具有采用与像素矩阵部分30的像素行同样多的缓冲器531的配置。图12的方框图仅示出了对于像素行i的缓冲器531i，作为所有像素行的缓冲器531的代表。另外，缓冲器531i具有单级配置。然而，实际上，不需要说明，缓冲器531i可以具有多级配置。
缓冲器531i具有采用P-沟道MOS晶体管Qp、N-沟道MOS晶体管Qn和开关设备SW的配置。P-沟道MOS晶体管Qp和N-沟道MOS晶体管Qn的栅极电极通过输入节点Nin彼此连接。由于相同的原因，P-沟道MOS晶体管Qp和N-沟道MOS晶体管Qn的漏极电极还通过输出节点Nout彼此连接。开关设备SW的具体一个端子连接到N-沟道MOS晶体管Qn的源极电极。P-沟道MOS晶体管Qp的源极电极连接到传送正侧电源电势VDD的电源线，而开关设备SW的另一端连接到传送负侧电源电势VSS的电源线。
将P-沟道MOS晶体管Qp和N-沟道MOS晶体管Qn的栅极电极彼此连接的输入节点Nin用作缓冲器531i的输入节点。第一移位寄存器51将扫描脉冲SP供应至输入节点Nin。由于相同的原因，将P-沟道MOS晶体管Qp和N-沟道MOS晶体管Qn的漏极电极彼此连接的输出节点Nout用作缓冲器531i的输出节点。输出节点Nout连接到对于第i像素行的电源线32-i的一端。由第二移位寄存器52产生的控制脉冲CP控制将开关设备SW置于接通(闭合)状态或断开(打开)状态的操作。
图13是示出其中在电源扫描电路50A中产生被维持在电源线32上的电势DS、扫描脉冲SP和控制脉冲CP的时刻之间的关系的时序图。
在其中扫描脉冲SP被设置在低电平的时段中，即在时间t1之前的时段和时间t2之后的时段中，P-沟道MOS晶体管Qp被设置在导电状态，并且正侧电源电势VDD被维持在电源线32-i上，作为第一电源电势Vccp。另一方面，在其中扫描脉冲SP被设置在高电平的时段中，即在时间t1与t2之间的时段中，N-沟道MOS晶体管Qn被设置在导电状态。然而，在时间t1与时间t10之间的时段中，控制脉冲CP被设置在低电平，将开关设备SW置于断开状态。随着开关设备SW被置于断开状态，停止将可以是第一电源电势Vccp或第二电源电势Vini的电势DS维持在电源线32-i上的操作。然后，在时间t10时，控制脉冲CP从低电平改变为高电平，将开关设备SW置于接通状态。随着开关设备SW被置于接通状态，N-沟道MOS晶体管Qn将负侧电源电势VSS维持在电源线32-i上，作为第二电源电势Vini。
第二实施例
图14是示出根据本发明的第二实施例的像素矩阵部分30和电源扫描电路50B的配置的方框图。在图14的方框图中，与图12的方框图中所示的配置中所采用的其各个类似部分一致的部分通过与类似部分相同的参考标记表示。与根据第一实施例的电源扫描电路50A非常类似，根据第二实施例的电源扫描电路50B具有包括第一移位寄存器51、第二移位寄存器52和输出部分53的配置。
然而，在根据第二实施例的电源扫描电路50B的输出部分53中所采用的缓冲器531i的配置与在根据第一实施例的电源扫描电路50A的输出部分53中所采用的缓冲器531i的配置不同。具体地，在根据第一实施例的电源扫描电路50A的输出部分53中所采用的缓冲器531i的配置中，开关设备SW连接在N-沟道MOS晶体管Qn的源极电极与负侧电源电势VSS的电源线之间。另一方面，在根据第二实施例的电源扫描电路50B的输出部分53中所采用的缓冲器531i的配置中，开关设备SW连接在输出节点Nout与电源线32-i之间。
与根据第一实施例的电源扫描电路50A非常类似，开关设备SW由控制脉冲CP控制。当N-沟道MOS晶体管Qn被置于导电状态时，负侧电源电势VSS通过输出节点Nout被输出到电源线32-i，作为第二电源电势Vini。然而，由于在时间t1与时间t10之间的时段期间开关设备SW被置于断开状态，因此暂停通过输出节点Nout将负侧电源电势VSS输出到电源线32-i作为第二电源电势Vini的操作。在时间t10与t2之间的时段中，开关设备SW被置于接通状态，通过输出节点Nout将负侧电源电势VSS输出到电源线32-i，作为第二电源电势Vini。
通过采用上述根据第一实施例的电源扫描电路50A和根据第二实施例的电源扫描电路50B，能够防止在有机EL设备21的一部分不发光时段期间将反向偏压施加到有机EL设备21，而不利用像素电路20中的特定控制设备。
然而，要注意，电源扫描电路50的实施方式绝不限于根据第一实施例的电源扫描电路50A和根据第二实施例的电源扫描电路50B。即，电源扫描电路50可以具有任意的偏置，只要该配置能够在有机EL设备21的一部分不发光时段期间停止将电势DS维持在电源线32上的操作即可。
修改版本
在以上每个作为典型例子而描述的实施例中，在像素电路20中所采用的用作驱动有机EL设备21的电路的驱动电路主要包括两个晶体管，即设备驱动晶体管22和信号写晶体管23。然而，本发明的应用绝不限于此像素配置。例如，还可以将本发明应用于各种可想像的像素配置，包括具有用于选择性地将参考电势Vofs供应至设备驱动晶体管22的栅极电极的开关晶体管的配置。
在此之上，尽管将上述每个实施例应用于采用每个具有用作电光设备的有机EL设备的像素电路20的有源矩阵有机EL显示装置10，但是本发明的范围绝不限于这些实施例。具体地，可以将本发明应用于每个采用如下像素电路的一般显示装置：该像素电路的每个具有电流驱动的发光设备(或电光设备)，用于发射具有根据流经该设备的电流的量值的亮度的光。这种电流驱动电光设备的例子是无机EL设备、LED(发光二极管)设备和半导体激光器设备。
应用例子
上述根据本发明的实施例的显示装置典型地被用在作为所有领域中使用的设备的、图15到图19中所示的各种电子设备。电子设备的典型例子是数码相机、笔记本个人计算机、诸如手机之类的便携终端和摄像机。在这些电子设备的每个中，显示装置被用于将供应至其处或在其中产生的的视频信号显示为图像或视频。
通过在所有领域中使用的各种电子设备中采用根据本发明的实施例的显示装置作为每个设备的显示单元，每个电子设备能够显示具有高质量的图像。即，如从实施例的描述中很明显，由本发明提供的显示装置能够减少由在不发光时段期间被施加到有机EL设备21的反向偏压在有机EL设备21中产生的电压力的量。因此，能够防止有机EL设备21的特性改变，并防止有机EL设备21由于电压力在不能发光的状态中变得有缺陷。结果，可以提高显示的图像的质量。
根据本发明的实施例的显示装置包括被构建成具有密封配置的模块形的装置。例如，根据本发明的实施例的显示装置被设计成这样的配置：其中像素矩阵部分30被实现为通过将显示模块附连于由诸如透明玻璃之类的材料制成的面向单元(facing unit)而建立的该显示模块。在该透明面向单元上，除了较早前所述的遮光膜之外，还可以建立诸如滤色器和保护膜之类的组件。要注意，用作像素矩阵部分30的显示模块可以包括诸如用于将从外部源接收的信号供应至像素矩阵部分30的电路、用于将从像素矩阵部分30接收的信号供应至外部目的地的电路和FPC(柔性印刷电路)之类的组件。
以下描述说明了应用本发明的实施例的电子设备的具体实施方式。
图15是示出应用本发明的实施例的电视机的外观的斜视图的图。用作应用本发明的实施例的电子设备的典型实施方式的电视机采用了前面板102和典型地是过滤器玻璃板103的视频显示屏部分101。通过在电视机中采用由本发明的实施例提供的显示装置作为视频显示屏部分101而构建该电视机。
图16是每个示出应用本发明的实施例的数码相机的外观的斜视图的多个图。更具体地，图16A是示出从数码相机的前侧的位置观看的数码相机的外观的斜视图的图，而图16B是示出从数码相机的后侧的位置观看的数码相机的外观的斜视图的图。用作应用本发明的实施例的电子设备的典型实施方式的数码相机采用了用于产生闪光的发光部分111、显示部分112、菜单开关113和快门按钮114。通过在数码相机中采用由本发明的实施例提供的显示装置作为显示部分112来构建该数码相机。
图17是示出应用本发明的实施例的笔记本个人计算机的外观的斜视图的图。用作应用本发明的实施例的电子设备的典型实施方式的笔记本个人计算机采用包括将由用户操作用于输入字符的键盘122或如用于显示图像的显示部分123的主体121。通过在笔记本个人计算机中采用由本发明的实施例提供的显示装置作为显示部分123而构建该笔记本个人计算机。
图18是示出应用本发明的实施例的摄像机的外观的斜视图的图。用作应用本发明的实施例的电子设备的典型实施方式的摄像机采用了主体131、摄像镜头132、开始/停止开关133和显示部分134。在摄像机的前面提供的、面向前方的摄像镜头132是用于拍摄要被摄像的物体的画面的镜头。开始/停止开关133是将由用户操作以开始或停止摄像操作的开关。通过在摄像机中采用由本发明的实施例提供的显示装置作为显示部分134而构建该摄像机。
图19是每个示出应用本发明的实施例的诸如手机之类的便携终端的外观的斜视图的多个图。更具体地，图19A是示出处于已经被翻开的状态的手机的前视图的图。图19B是示出处于已经被翻开的状态的手机的侧面的图。图19C是示出处于已经被闭合的状态的手机的前视图的图。图19D是示出处于已经被闭合的状态的手机的左侧的图。图19E是示出处于已经被闭合的状态的手机的右侧的图。图19F是示出处于已经被闭合的状态的手机的顶视图的图。图19G是示出处于已经被闭合的状态的手机的底视图的图。用作应用本发明的实施例的电子设备的典型实施方式的手机采用了上盖141、下盖142、作为铰链的链接部分143、显示部分144、显示子部分145、画面灯146和照相机147。通过在手机中采用由本发明的实施例提供的显示装置作为显示部分144和/或子显示部分145而构建该手机。
本领域技术人员应当理解，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种修改、组合、子组合和变更，主要它们在所附权利要求或其等效物的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请包含与2008年5月8日在日本专利局提交的日本专利申请JP2008-121999有关的主题，通过引用将其全部内容合并于此。

Claims (5)

1.一种显示装置，包括：
像素矩阵部分，包括被布局以形成像素矩阵的像素电路，用作如下像素电路，该像素电路每个具有
电光设备，
信号写晶体管，用于写视频信号，
信号存储电容器，用于将由所述信号写晶体管写入的所述视频信号保持在所述信号存储电容器中，以及
设备驱动晶体管，用于根据由所述信号存储电容器所保持的所述视频信号来驱动所述电光设备，以及
电源部分，被配置以
将在用于提供流向所述设备驱动晶体管的驱动电流的电源线上出现的电源电势从一个电平改变为另一电平，以便控制从所述电光设备的发光时段到所述电光设备的不发光时段的转换，并将所述电源电势从所述另一电平改变为所述一个电平，以便控制从所述电光设备的不发光时段到所述电光设备的发光时段的转换，以及
在所述电光设备的所述不发光时段的一部分期间，停止将所述电源电势维持在所述电源线上的操作，
其中在初始化在具体电极上出现的电势的操作开始时结束的所述一部分期间，所述电源部分停止将所述电源电势维持在所述电源线上的所述操作，所述具体电极属于所述设备驱动晶体管，并被置于相对于所述设备驱动晶体管与所述电源线相对的一侧上。
2.根据权利要求1的显示装置，其中：
在初始化在所述设备驱动晶体管的所述具体电极上出现的电势的所述操作中，所述电源部分将所述电源电势设置在致使反向偏压被施加到所述电光设备的电平处，以及
在所述电光设备的所述发光时段中，所述电源部分将所述电源电势设置在致使正向偏压被施加到所述电光设备的另一电平处。
3.根据权利要求2的显示装置，其中所述电源部分通过调整所述发光时段的长度来控制所述电光设备的所述发光时段与所述电光设备的所述不发光时段的比率，所述发光时段被用作这样的时段：在其间所述电源部分正将所述正向偏压施加于所述电光设备。
4.一种为显示装置提供的驱动方法，该显示装置包括：
像素电路，被布局以形成像素矩阵，用作如下像素电路，该像素电路每个具有
电光设备，
信号写晶体管，用于写视频信号，
信号存储电容器，用于将由所述信号写晶体管写入的所述视频信号保持在所述信号存储电容器中，以及
设备驱动晶体管，用于根据由所述信号存储电容器所保持的视频信号来驱动所述电光设备，
所述驱动方法包括步骤：
将在用于提供流向所述设备驱动晶体管的驱动电流的电源线上出现的电源电势从一个电平改变为另一电平，以便控制从所述电光设备的发光时段到所述电光设备的不发光时段的转换，并将所述电源电势从所述另一电平改变为所述一个电平，以便控制从所述电光设备的不发光时段到所述电光设备的发光时段的转换，以及
在所述电光设备的不发光时段的一部分期间，停止将所述电源电势维持在所述电源线上的操作，
其中在初始化在具体电极上出现的电势的操作开始时结束的所述一部分期间，所述电源部分停止将所述电源电势维持在所述电源线上的所述操作，所述具体电极属于所述设备驱动晶体管，并被置于相对于所述设备驱动晶体管与所述电源线相对的一侧上。
5.一种采用显示装置的电子设备，该显示装置包括：
像素矩阵部分，包括被布局以形成像素矩阵的像素电路，用作如下像素电路，该像素电路每个具有
电光设备，
信号写晶体管，用于将视频信号写入信号存储电容器中，
所述信号存储电容器，用于将由所述信号写晶体管写入的所述视频信号保持在所述信号存储电容器中，以及
设备驱动晶体管，用于根据由所述信号存储电容器所保持的所述视频信号来驱动所述电光设备，以及
电源部分，被配置以
将在用于提供流向所述设备驱动晶体管的驱动电流的电源线上出现的电源电势从一个电平改变为另一电平，以便控制从所述电光设备的发光时段到所述电光设备的不发光时段的转换，并将所述电源电势从所述另一电平改变为所述一个电平，以便控制从所述电光设备的不发光时段到所述电光设备的发光时段的转换，以及
在所述电光设备的不发光时段的一部分期间，停止将所述电源电势维持在所述电源线上的操作，
其中在初始化在具体电极上出现的电势的操作开始时结束的所述一部分期间，所述电源部分停止将所述电源电势维持在所述电源线上的所述操作，所述具体电极属于所述设备驱动晶体管，并被置于相对于所述设备驱动晶体管与所述电源线相对的一侧上。
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