CN101572156A - 紧凑的平衡不平衡变换器 - Google Patents
紧凑的平衡不平衡变换器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101572156A CN101572156A CNA2009101268647A CN200910126864A CN101572156A CN 101572156 A CN101572156 A CN 101572156A CN A2009101268647 A CNA2009101268647 A CN A2009101268647A CN 200910126864 A CN200910126864 A CN 200910126864A CN 101572156 A CN101572156 A CN 101572156A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- balanced
- loop
- unbalanced transformer
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0046—Printed inductances with a conductive path having a bridge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Housings And Mounting Of Transformers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本文描述了平衡不平衡变换器，其中以初级环路和次级环路相互叠放的堆叠设计来实现多个变换器环路。通过在垂直方向上对准所述环路而不是偏移环路来缩小器件的面积。在每一层上嵌套多个变换器环路，并且利用位于不同层上的跨接线将给定层上的变换器环路连接在一起。
Description
技术领域
本发明涉及平衡不平衡变换器(balun transformer)，更具体地涉及以薄膜多环路配置实现的紧凑的平衡不平衡变换器。
背景技术
平衡/不平衡变换器(balun)是无线系统中的双平衡混频器和推挽放大器设计的关键部件。其从不平衡输入提供平衡输出。无线应用的平衡输出要求在彼此相位差为180°的两个输出端中的每一个上的一半输入信号幅度。原则上，使用绕线式线圈的传统线圈变换器设计能够产生这个结果。但是，由于漏磁和绕组之间的电容耦合，传统的绕线式器件具有几百兆赫的频率上限。当前的无线应用要求低功率下的极高频操作。有源平衡不平衡变换器设计虽然提供高频，但却在高DC功耗下工作。因此，最好是无源平衡不平衡变换器。在已知的无源平衡不平衡变换器设计当中，Marchand型器件已经成为无线应用优先选择的器件。其提供卓越的平衡，并且可以做成小的、容易集成的几何形状。从小型化的观点来看，优选的Marchand平衡不平衡变换器是螺旋线圈型的。T.Gokdemir等人报告了一种螺旋Marchand平衡不平衡变换器(T.Gokdemir et al.，IEEE MTT-S Int′l MicrowaveSymp.Dig.，pp.401-404)。他们利用GaAs MMIC技术和两条并排的螺旋形微带线实现了螺旋形平衡不平衡变换器。
Chen等人也报告了利用弯曲线配置进行的单片无源平衡不平衡变换器设计。有关内容请参阅″Broadband Monolithic Passive Balunsand Monolithic Double-Balanced Mixer″(Chen et al.IEEE Trans.Microwave Theory Tech.，Vol.39，No.12，pp.1980-1991)。这些设计具有利用空气桥(air bridge)来访问带状线的“矩形螺旋形”配置。
在2000年8月1月颁发的美国专利No.6097273中描述了更紧凑的平衡不平衡变换器设计。这种设计使用了螺旋形环路的薄膜叠层，其中不同平面上的多个环路具有偏移但叠置的关系。
人们仍然需要紧凑的并且能够被容易、有效地集成的高频、低功率的平衡不平衡变换器。
发明内容
按照本发明的一个方面，以初级环路和次级环路相互叠置的堆叠设计来实现具有多个变换器环路的平衡不平衡变换器。通过在垂直方向上对准环路而不是偏移环路来缩小器件的面积。按照本发明的另一个方面，在多个(至少两个)层的每一个层上嵌套多个变换器环路，并且利用位于不同层上的跨接线(crossover)将给定层上的变换器环路连接在一起。
附图说明
结合附图，可以更好地理解本发明，在附图中：
图1例示了使用交错的初级和次级环路的常用现有平衡不平衡变换器配置；
图2是沿图1的2-2观察的剖视图；
图3示出了初级和次级环路位于基底不同侧的可替代布置；
图4例示了按照本发明的一个方面，在垂直方向上对准环路的堆叠环路配置；
图5是图4中所示的两个层的示意性平面图表示；
图6是示出具有带抽头的次级线圈(split secondary)的平衡不平衡变换器实施例的电路图，其是图7-9中所示的实施例的电气表示；
图7A和7B是示出平衡不平衡变换器的次级环路的本发明的多层平衡不平衡变换器件的第1金属层的示意性平面图；
图8是示出平衡不平衡变换器的初级环路的本发明的多层平衡不平衡变换器件的第2金属层的示意性平面图；
图9是示出初级环路的互连线的本发明的多层平衡不平衡变换器件的另外的金属层的示意性平面图；以及
图10A-10C例示了可替代的环路形状。
具体实施方式
参照图1，图1中示出了传统的平衡不平衡变换器的结构，其中初级环路通道(runner)12和次级环路通道14在基底11上并排形成。图2是沿图1的2-2观察的剖面图。
图3表示可替代的平衡不平衡变换器的结构，所述结构示出形成在基底31的相反表面上的、包括初级环路的外环通道32和内环通道33以及包括次级环路的外环通道35和内环通道36。显然，图3的平衡不平衡变换器的横向面积小于图1、2的平衡不平衡变换器的面积。但是，在许多情况下，从成本或性能的观点来看，使用器件基底的两侧不是可行的或有效的。
图4表示初级和次级环路被堆叠在基底一侧上的按照本发明的实施例。基底41最好是大型集成无源器件(IPD，Integrated PassiveDevice)基底的一部分。IPD基底可以支持大量的诸如电感器、电容器、电阻器的器件。可以从各种各样的基底和基底材料中选择基底。其可包括硅、多晶硅、陶瓷、FR4环氧树脂板等。基底可以涂上诸如二氧化硅或聚酰亚胺的介电层。图4中所示的一个金属层包括次级环路通道43和44。这个金属层在这里将被称为金属1。但是，本领域技术人员应该明白，IPD可以包括若干层，并且可以从第一或之后的任何金属层开始构建平衡不平衡变换器。可以通过传统的方法创建环路通道。器件中使用的金属可以是任何适当的导电金属，例如，Cu、Ag、Au、Sn、Ta、Ti、Pd或它们的合金，但最好是Al。层45是层间电介质，可以包括诸如二氧化硅、氮化硅等的任何适当绝缘材料。最好，层45是诸如聚酰亚胺的聚合物。也可以使用诸如烃类聚合物、PVC、环氧树脂、环氧丙烯酸酯、光阻材料等的其它绝缘聚合物。为了使线圈之间的电容耦合最小，层45最好较厚，例如大于2微米。因此，将聚合物材料用于该层是有效的，因为可以通过容易和迅速地形成基本上共形的厚层的旋涂技术或类似的淀积技术来涂敷所述聚合物材料。
第二层金属，金属2最好是与层1的金属相同的金属，并且，在所示的实施例中，包括初级环路通道47和48。在可替代实施例中，层1可以包括初级环路通道，而层2可以包括次级环路通道。
本发明的特征是初级和次级通道在垂直方向(z方向)上基本对准。“基本对准”意味着，在平面图中，环路通道至少部分地重叠，但未必精确地垂直对准。这种布置使得在x-y平面内，平衡不平衡变换器的面积最小。这与并排形成环路通道的现有设计或处于不同层的环路通道在x-y方向上偏移的堆叠设计不同。
视所需的器件特性而定，环路通道的具体尺寸可以变化很大。在较早引用的申请，即在此通过引用而并入的2000年8月1月颁发的美国专利No.6097273中给出了关于尺寸的指导。通常，环路通道具有小于1微米的厚度、小于5微米的间距和小于20微米的宽度。关于这一点，需要说明的是，附图不是按比例绘制的。
图5示意性地示出了按照本发明优选实施例的初级环路通道51和次级环路通道51a。环路通道包括I/O端53和53a。环路通道具有图中所示的内环通道和外环通道。环路通道在提供了跨接结构的54和54a处相交，如以下更详细解释的。其中使嵌套环路通道互连的跨接布置形成本发明的另一个方面。当装配在平衡不平衡变换器件中时，两条环路导线如箭头所建议的那样叠加。图5为平衡不平衡变换器的初级和次级线圈中的每一个示出了两条环路通道。也可以使用单条环路通道或多于两条环路通道，或者甚至可以使用部分环路通道。
图6是示出具有带抽头的次级线圈，即具有2∶1变换率的平衡不平衡变换器的电路示意图。该例将用于图7-9中所示的例示性实施例。可以通过简单地选择沿环路通道的接地抽头的位置来实现其它变换率。
图7A是用于图6的电路的平衡不平衡变换器次级的示意性表示。所示的图案是更大IPD中的金属层1的一部分。在71和77处示出了次级环路的I/O端。环路通道从71开始，沿着外环路径72到达将外环72与内环74相连接的桥接线73。内环通道在通路75处结束，通路75构成连接内环和外环的跨接互连线的一部分。如下所述，在本例中利用另一层，即层2来实现该跨接。在76处示出了在外环和桥接线73外侧上的用于跨接的另一条通路。从通路76开始，环路通道沿着外环到达I/O端77。使用包括放在I/O端部分71和77之间的通道/端的抽头79来实现带抽头的次级线圈。显然，抽头79基本上将次级线圈分成近似相等的两部分。可替代地，可以利用刚才所述的那种跨接来实现沿着环路通道74的任何地方的抽头。遵照又一种替代，可以不使用跨接地形成在外环72上任何位置的抽头。
应当注意，桥接线73和通路75、76之间的跨接线可以互换。
图7A中所示的环路通道的配置是圆形的，如图所示。但是，也可以使用其它形状取代来形成环路的一匝或多匝。为了限定本发明，将环路定义成至少延伸300°的局部开口曲线。图7A示出了几乎延伸720°的双环路。如果以正方形配置实现，单个环路将延伸到四个角，或360°。
可以将图7A的环路图案概括地描述为具有内环和外环两个环路。在图7B中例示这里使用的名称。每个环路包括两段，总共四段：第一外环段(图7B中的a)、第二外环段(图7B中的b)、第一内环段(图7B中的c)和第二内环段(图7B中的d)。四个环路段中的每一个段名义上是半圆形的，并且每一个具有输入端和输出端。环路段可以是半圆形的，但也可以具有近似于或相当于半圆形的形状，如下文中更详细描述的。继续以这种描述方式来说明，平衡不平衡变换器的次级包括按照下述方式布置的四个环形段：其输入端是平衡不平衡变换器次级的输入端的第一外环段；其输入端与第一外环段的输出端相连接的第一内环段；其输入端与第一内环段的输出端相连接的第二内环段；以及其输入端与第二内环段的输出端相连接并且输出端是平衡不平衡变换器次级的输出端的第二外环段。
图7A中所示的平衡不平衡变换器的次级另外还具有与第一和第二内环段之间的连线相连接的导电输出通道。其还具有与第二内环段的输出端相连接的通路以及与第二外环段的输入端连接的通路。如上所述，所述通路可以连接到第一外环段的输出端和第二内环段的输入端。
图8示出了图6的平衡不平衡变换器的初级的、包括金属层2的图案。并且，所示的图案是形成IPD的第二(或另一个)金属层的更大金属图案的一部分。应该认识到，金属层2的这部分图案与图7A的图案类似，但是绕水平轴旋转了。该旋转使I/O端82和93处在图的顶部并且使跨接线处在图的底部。在图8中的81处示出了连接图7A的通路75和76的跨接线。图8中的环路通道从I/O端82开始，围绕外环83到达跨接通路84，然后到达另一层，然后在通路85处返回到层2。从那里开始，环路通道沿着内环86到达跨接通路87。该跨接适应为跨接线81留的空间。在通路88处完成跨接。从那里开始，环路通道继续沿着内环86到达桥接线89，在桥接线89处跨到外环90，并且与另一条跨接通路91相连接。跨接通路92与I/O端通道93连接。在结合图9进行描述的另一个层上完成通路91和92之间的跨接。
使用稍微不同的布局可以消除连接通路87和88以及91和92的跨接线。例如，通过进一步将环路隔开，可以消除通路87和88之间的跨接线。也可以通过截去一部分内环来消除这条跨接线，如虚线路径86a所示。但是由于在这个实施例中，对于连接内环和外环的跨接线，即在通路84和85之间的跨接线来说，需要另一个互连层，所以形成另外的跨接线来实现图7-9中所示的布置也没有什么不便。
应当注意，桥接线89以及通路84、85之间的跨接线可以互换。
使用上面针对平衡不平衡变换器的次级进行阐述的说明方式时，可以将图8的初级描述成也包括四个环路段(如图7B中那样)。按照下述方式布置所述初级的四个环路段：其输入端是平衡不平衡变换器初级的输入端的第一外环段、其输入端与第一外环段的输出端连接的第一内环段、其输入端与第一内环段的输出端相连接的第二内环段、以及其输入端与第二内环段的输出端相连接并且其输出端是平衡不平衡变换器初级的输出端的第二外环段。图8中的初级另外还具有与第一外环段的输出端相连接的通路和与第一内环段的输入端相连接的通路。如上所述，通路是可互换的，并且可替代地可以与第二内环段的输出端和第二外环段的输入端相连接。
在图9中示出了用于为图8的初级环路通道完成跨接的互连图案。图7A和8中所示的金属层一般是邻接层，但未必是层1和2。图9中所示的层可以是下一个相邻层，在本例中是层3，或者可以是另一个较高(或较低)的层。图9的图案具有连接通路84和85的通道95，并且如果有必要，可以具有分别连接通路87、88和91、92的通道96和97。
如前所述，图10A-10C表示可替代的环路导线的图案。由于在通道的角上形成的不希望的场方向图，所以一般避免像图10A中所示的图案那样的具有方角或尖角的图案。于是，对于一些应用，图10B的环路配置可能是优选的。可以将图10B中的环路的标称形状描述成圆角正方形。其中具有至少两个环路的通常的环路图案具有嵌套在一个环路内的另一个环路。在图7-9中所示的配置中，环路是圆形的，并且环路图案具有在另一个环路内同心形成的一个环路，即，圆形环路共享公共圆心。这些环路被称为嵌套环路。但是，在图10C中所示的可替代结构中，环路可以具有螺旋形配置。螺旋形配置的优点是不需要环路之间的跨接互连线。
在上文和在所附权利要求书中与金属化层或层间介电层有关地提及的“(第)一”、“(第)二”等旨在表达次序，因此，第一金属化层或层面指的是所述次序中的第一个，可能是也可能不是器件中的第一层或层面。
提及绝缘基底旨在表示基底的表面包括绝缘材料的意思。该表面可能是大块绝缘基底的表面，或可能是覆盖大块基底的绝缘材料层。所述基底也可能是包括层间电介质的绝缘层。在高性能IPD中，通常，重要的是大块材料以及任何表面层是绝缘的。
可以通过添加或去除处理来形成金属化层。术语“选择性淀积”或“有选择地淀积”旨在指这两者。
本领域普通技术人员可以想出对本发明的其它各种修改。基本上依赖于使技术进步的原理和其等效物的偏离本说明书的特定教导的所有内容都被正当地认为在所描述的和所要求的本发明的范围之内。
Claims (20)
1.一种具有至少两层，层1和层2的多层结构的平衡不平衡变换器件，其中，所述多层结构位于基本水平面中，并且包括：
(a)绝缘基底；
(b)在基底上形成并具有环形图案的层1导电通道；
(c)覆盖第一导电通道的层间电介质层；
(d)在层间电介质上形成并具有与第一导电通道的环形图案相对应的环形图案的层2导电通道；
其中，层1和层2导电通道的环形图案基本上垂直对准。
2.如权利要求1所述的平衡不平衡变换器件，其中，所述绝缘基底是集成无源器件的一部分。
3.如权利要求1所述的平衡不平衡变换器件，其中，层间电介质具有至少2微米的厚度。
4.如权利要求1所述的平衡不平衡变换器件，其中，第一和第二导电通道的环形图案包括至少两个环路，其中一个环路嵌套在另一个环路内。
5.如权利要求4所述的平衡不平衡变换器件，其中，所述环路是圆形环路，一个较大环路和一个较小环路，并且所述环路具有公共圆心。
6.如权利要求4所述的平衡不平衡变换器件，其中，所述环路是圆角正方形。
7.如权利要求4所述的平衡不平衡变换器件，其中，所述环路具有螺旋形配置。
8.如权利要求4所述的平衡不平衡变换器件，其中，第一层上的环路与第二层上的跨接连线相连接。
9.如权利要求8所述的平衡不平衡变换器件，其中，第二层上的环路与第三层上的跨接连线相连接。
10.如权利要求1所述的平衡不平衡变换器件，其中，层1和层2环路中的每一个具有输入端和输出端，其中，第一环路的输出端与第二环路的输入端相连接。
11.一种包括具有至少三层，层1、层2和层3的多层结构的平衡不平衡变换器的集成无源器件，其中，所述多层结构位于基本水平面中，并且包括：
(a)绝缘基底；
(b)在基底上形成的层1导电通道，所述层1导电通道具有包括至少两个环路的环形图案；
(c)覆盖所述层1导电通道的第一层间电介质层；
(d)在第一层间电介质层上形成的层2导电通道，所述层2导电通道具有与所述层1导电通道的环形图案相对应的环形图案；
(e)在第一层间电介质层上形成的连接所述层1导电通道的两个环路的层2跨接连线；
(f)覆盖所述层2导电通道的第二层间电介质层；
(g)在第二层间电介质层上形成的连接所述层2导电通道的两个环路的层3跨接连线。
12.如权利要求11所述的集成无源器件，其中，所述层1和层2导电通道的环形图案基本上垂直对准。
13.一种平衡不平衡变换器件，包括：
包括初级环路导线的第一金属层，所述初级环路导线具有内环和外环至少两个环路，其中，每个环路包括两段，内、外环包括四段：第一外环段、第二外环段、第一内环段和第二内环段，并且其中，所述四段中的每一个名义上是半圆形的，并且每一个具有输入端和输出端，所述四段按照如下布置：
第一外环段的输入端是平衡不平衡变换器次级的输入端；
第一内环段的输入端与第一外环段的输出端相连接；
第二内环段的输入端与第一内环段的输出端相连接；和
第二外环段的输入端与第二内环段的输出端相连接并且第二外环段的输出端是平衡不平衡变换器次级的输出端。
14.如权利要求13所述的平衡不平衡变换器件，另外还包括与第二内环段的输出端相连接的通路和与第二外环段的输入端相连接的通路。
15.如权利要求13所述的平衡不平衡变换器件，另外还包括与第一外环段的输出端相连接的通路和与第二内环段的输入端相连接的通路。
16.如权利要求13所述的平衡不平衡变换器件，另外还包括连接所述通路的跨接线。
17.如权利要求14所述的平衡不平衡变换器件，另外还包括连接所述通路的跨接线。
18.如权利要求13所述的平衡不平衡变换器件，另外还包含包括次级环路导线的第二金属层，所述次级环路导线具有内环和外环两个环路，其中，每个环路包括两段，并且内、外环包括四段：第一外环段、第二外环段、第一内环段和第二内环段，并且其中，四段中的每一个名义上是半圆形的，并且每一个具有输入端和输出端，所述四段按照如下布置：
第一外环段的输入端是平衡不平衡变换器次级的输入端；
第一内环段的输入端与第一外环段的输出端相连接；
第二内环段的输入端与第一内环段的输出端相连接；
第二外环段的输入端与第二内环段的输出端相连接并且第二外环段的输出端是平衡不平衡变换器次级的输出端。
19.如权利要求18所述的平衡不平衡变换器件，另外还包括与第一和第二内环段之间的连线相连接的导电输出通道。
20.如权利要求19所述的平衡不平衡变换器件，其中，初级导线的内环段和外环段与跨接线相连接，并且所述跨接互连线在所述第二层金属上形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/077,811 | 2008-03-21 | ||
| US12/077,811 US7692511B2 (en) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | Compact balun transformers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101572156A true CN101572156A (zh) | 2009-11-04 |
| CN101572156B CN101572156B (zh) | 2012-06-20 |
Family
ID=40673518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009101268647A Expired - Fee Related CN101572156B (zh) | 2008-03-21 | 2009-03-20 | 紧凑的平衡不平衡变换器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7692511B2 (zh) |
| EP (1) | EP2104227A2 (zh) |
| CN (1) | CN101572156B (zh) |
| SG (1) | SG155842A1 (zh) |
| TW (1) | TW200952001A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108933030A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 变压器 |
| RU2717386C1 (ru) * | 2019-05-27 | 2020-03-23 | Акционерное общество "Микроволновые системы" | Спиральный сверхширокополосный микрополосковый квадратурный направленный ответвитель |
| TWI726789B (zh) * | 2020-08-11 | 2021-05-01 | 財團法人國家同步輻射研究中心 | 平衡不平衡轉換器 |
| CN114079135A (zh) * | 2020-08-11 | 2022-02-22 | 尤宗旗 | 平衡不平衡转换器 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5142088B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-02-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜バラン |
| JP5142089B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-02-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜バラン |
| US8648667B2 (en) | 2009-06-30 | 2014-02-11 | Tdk Corporation | Thin film balun |
| CN102087908A (zh) * | 2009-12-08 | 2011-06-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 堆叠式差分电感 |
| CN102087911A (zh) * | 2009-12-08 | 2011-06-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感 |
| CN102087909A (zh) * | 2009-12-08 | 2011-06-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 内外径电流补偿的多路径叠层电感 |
| US20120092119A1 (en) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Xilinx, Inc. | Multiple-loop symmetrical inductor |
| US20130106552A1 (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-02 | International Business Machines Corporation | Inductor with multiple polymeric layers |
| US9064628B2 (en) | 2012-05-22 | 2015-06-23 | International Business Machines Corporation | Inductor with stacked conductors |
| EP2669906B1 (en) | 2012-06-01 | 2018-08-29 | Nxp B.V. | An integrated circuit based transformer |
| US9312815B2 (en) * | 2014-05-23 | 2016-04-12 | Linear Technology Corporation | Broadband integrated RF/microwave/millimeter mixer with integrated balun(s) |
| WO2017111910A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Intel Corporation | High performance integrated rf passives using dual lithography process |
| CN108022913B (zh) * | 2016-11-01 | 2019-11-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 变压器 |
| CN107946714B (zh) * | 2017-12-19 | 2023-07-04 | 成都芯通软件有限公司 | 一种平面巴伦 |
| WO2020047556A1 (en) | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Sehat Sutardja | Transformer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097273A (en) * | 1999-08-04 | 2000-08-01 | Lucent Technologies Inc. | Thin-film monolithic coupled spiral balun transformer |
| US6801114B2 (en) * | 2002-01-23 | 2004-10-05 | Broadcom Corp. | Integrated radio having on-chip transformer balun |
| KR101005264B1 (ko) * | 2003-07-26 | 2011-01-04 | 삼성전자주식회사 | 대칭형 인덕터 소자 |
| TWI238515B (en) * | 2004-10-08 | 2005-08-21 | Winbond Electronics Corp | Integrated transformer with stack structure |
-
2008
- 2008-03-21 US US12/077,811 patent/US7692511B2/en active Active
-
2009
- 2009-03-02 TW TW098106749A patent/TW200952001A/zh unknown
- 2009-03-03 SG SG200901489-5A patent/SG155842A1/en unknown
- 2009-03-20 CN CN2009101268647A patent/CN101572156B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-23 EP EP09155884A patent/EP2104227A2/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108933030A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 变压器 |
| RU2717386C1 (ru) * | 2019-05-27 | 2020-03-23 | Акционерное общество "Микроволновые системы" | Спиральный сверхширокополосный микрополосковый квадратурный направленный ответвитель |
| TWI726789B (zh) * | 2020-08-11 | 2021-05-01 | 財團法人國家同步輻射研究中心 | 平衡不平衡轉換器 |
| CN114079135A (zh) * | 2020-08-11 | 2022-02-22 | 尤宗旗 | 平衡不平衡转换器 |
| CN114079135B (zh) * | 2020-08-11 | 2023-03-21 | 尤宗旗 | 平衡不平衡转换器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200952001A (en) | 2009-12-16 |
| US7692511B2 (en) | 2010-04-06 |
| US20090237175A1 (en) | 2009-09-24 |
| EP2104227A2 (en) | 2009-09-23 |
| SG155842A1 (en) | 2009-10-29 |
| CN101572156B (zh) | 2012-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101572156B (zh) | 紧凑的平衡不平衡变换器 | |
| US10461717B2 (en) | Baluns for RF signal conversion and impedance matching | |
| EP1388907B1 (en) | Broadband planar coupled spiral balun | |
| US7171739B2 (en) | Method of manufacturing an on-chip transformer balun | |
| US8183970B2 (en) | Integrated high frequency BALUN and inductors | |
| US6794977B2 (en) | Planar transformers | |
| US6806558B2 (en) | Integrated segmented and interdigitated broadside- and edge-coupled transmission lines | |
| US6097273A (en) | Thin-film monolithic coupled spiral balun transformer | |
| JP3141562B2 (ja) | 薄膜トランス装置 | |
| US7253712B1 (en) | Integrated high frequency balanced-to-unbalanced transformers | |
| EP3758030B1 (en) | High current integrated circuit-based transformer | |
| US7948331B2 (en) | Thin film balun | |
| KR100452022B1 (ko) | 다중층금속중합체구조를이용한알에프변압기 | |
| JPH0319358A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2010050610A (ja) | 薄膜バラン | |
| JP6416102B2 (ja) | 可変容量デバイスおよび通信装置 | |
| JP5045965B2 (ja) | 薄膜バラン | |
| JP5131495B2 (ja) | 薄膜バラン | |
| JP2010279028A (ja) | バラン実装デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120620 Termination date: 20130320 |