TW200952001A - Compact balun transformers - Google Patents

Compact balun transformers Download PDF

Info

Publication number
TW200952001A
TW200952001A TW098106749A TW98106749A TW200952001A TW 200952001 A TW200952001 A TW 200952001A TW 098106749 A TW098106749 A TW 098106749A TW 98106749 A TW98106749 A TW 98106749A TW 200952001 A TW200952001 A TW 200952001A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
loop
level
segment
conductive
balanced
Prior art date
Application number
TW098106749A
Other languages
English (en)
Inventor
Yinon Degani
Yu Fan
Charley Chunlei Gao
Kunquan Sun
Liguo Sun
Jian Cheng
Original Assignee
Sychip Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sychip Inc filed Critical Sychip Inc
Publication of TW200952001A publication Critical patent/TW200952001A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F17/0013Printed inductances with stacked layers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F2017/0046Printed inductances with a conductive path having a bridge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804Printed windings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Housings And Mounting Of Transformers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

200952001 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於平衡/不平衡變磨器’且更具體而言係關 於按薄膜多迴路組態建構之小型平衡/不平衡 【先前技術】
平衡/不平衡變塵器(balun)係無線系統中之雙平衡混頻 器及推挽放大器設計之-關難件。其自_不平衡輸入提 供平衡輸出。無線應用之平衡輸出需要兩個輸出端子中之 每一者處之輸入信號振幅的一半彼此異18〇度。原則上, 使用繞線線圈之習用線圏變壓器設計可產生此結果。然 而,習用繞線裝置因繞組之間的磁通量茂漏及電隸W 而具有-數百兆赫之上部頻率限制。當前無線應用需要以 ^電力之極高頻運作。主動平衡/不平衡變壓器設計提供 尚頻但以高DC電力消耗運作。因此,被動平衡/不平衡變 壓器較佳。在已知被動平衡/不平衡變壓器設計令, Marchand類型裝置已成為無線應用之裝置選擇。其提供極 好的平衡且可被製成為小的易於整合的幾何形狀。自=型 化觀點來看,一較佳Marchand平衡/不平衡變壓器係螺旋 形線圈類型。螺旋形Marchand平衡/不平衡變壓器之一版 本已由 T. Gokdemir 等人之 IEEE MTT_S Ιηη Micr〇wave
Symp.Dig.,第4〇1_4〇4頁報導。其使技術及 兩個並行螺旋形微帶線路建構該螺旋形平衡/不平衡變壓 器。
Chen等人亦已報導使用婉挺線路組態之單片被動平衡/ 138737.doc 200952001 不平衡變壓器設計。參見Chen等人在IEEE Trans、微波理 論技術卷39 ’第12號’第1980-1991頁之「Broadband Monolithic Passive Baiuns and Monolithic Double-Balanced Mixer」。此等設計具有帶有空氣橋來接近該等帶線路之 「矩形螺旋形」組態。 在2000年8月1日發佈之美國專利第6097273號中闡述了 一更小型平衡/不平衡變壓器設計。此設計使用一薄膜螺 旋形迴路堆疊,其中多個迴路按一偏移但上覆關係位於不 同平面上。 繼續需要小型且可易於且有效整合之高頻、低電力平衡/ 不平衡變壓器。 【發明内容】 根據本發明之一個態樣,具有多個變壓器迴路之平衡/ 不平衡變壓器係按其中初級迴路及次級迴路上覆彼此之一 堆疊設計予以建構。藉由沿一垂直方向對準該等迴路而非 偏移該等迴路,減少該裝置之面積。根據本發明之另一態 樣,多個變壓器迴路巢套於多個(至少南個)層級中之每一 者上,且位於一既定層級上之變壓器迴路係使用一位於一 不同層級上之交越而連接在一起。 【實施方式】 參照圖1,其顯示一習用平衡/不平衡變壓器結構具有並 行形成於基板11上之初級迴路滑道(runner)i2及次級迴路 滑道14。圖2係透過圖!之截面2_2之_視圖。 圖3表示一替代平衡/不平衡變壓器結構,其顯示形成於 138737.doc •4· 200952001 == = :外部迴路滑道32與”迴路_ 肉如、 巧、部迴路滑道36,外部迴路.V-fW盘 路;fit 33包括斜初㈣路,且 =與 内部迴路滑道36包括若干次級迴路。顯秋,圖3月道5與 平衡變覆器之側面積小於圖】及^、圖3之平衡/不 面積。m而,少味夕友、及之+衡/不平衡變壓器之 用-裝置美板n况下’自成本或效能觀點來看,使 土板之兩個側係不可能或無效的。 圖4表示一根據本發 迴路堆疊於基板之一個側上= 迫路及次級 裝置(IPD)基板之一部分 被動 如電感器、電容器、tja5| ^ Τ支撐大量裝置,例 基板材料。其可包:二基板可係選自各種基板及 等等。 、 夕日日矽、陶瓷、FR4環氧樹脂板 屉。〃 T塗覆有一例如二氧化矽或聚醯亞胺之介電 層。圖4中所示之一個金屬 生屬層級包括次級迴路滑道43及 者^處此金屬層級將被稱為金屬1。然而,熟悉此項技 =應理解,該IPD可包括數個層級且可以第一或任一後 :,屬層級開始建立一平衡/不平衡變遷器。該等迴路滑 道可係藉助習用方沐_ 。該裝置中所使用之金屬可係任 -適合導電金屬,例如,CHuUn pd 或其合金,但較佳係A1。層45係一層級間電介質且可包括 任-適合絕緣材料,例如二氧化石夕、氮化石夕等等。較佳 地層45係例如聚醢亞胺之聚合物。可使用例如碳氮聚 口物PVC %氧樹脂、環氧丙烯酸酯、光蝕劑材料等等 其他絕緣聚合物。為最小化線圈之間的電容性耦合,層45 138737.doc 200952001 較佳相對頗厚,例如,大於2微米。因此,將聚合物材料 用於此層頗有效,此乃因其可由易於且快速形成實質等形 厚層之旋塗或類似沈積技術施加。 第二層級金屬(金屬2)較佳係與層級1相同的金屬,且在 所不貫施例中包括初級迴路滑道47及48。在替代實施例 中,層級1可包括若干初級迴路滑道且層級2包括若干次級 迴路滑道。 本發明之一特性特徵係該等初級迴路滑道及次級迴路滑 道係沿垂直方向(z方向)實質上對準。「實質上對準」意欲 意指:在平面圖中,該等迴路滑道至少部分地重疊,雖然 無須精確垂直對準。此配置最小化平衡/不平衡變壓器在χ_ y平面中之面積。此與其中該等迴路滑道係並行形成之先 前技術設計或與其中位於不同層級處之迴路滑道沿方 向偏移之堆疊設計相反。 取決於所需要之裝置特性,該等迴路滑道之具體尺寸可 顯著變化。在較早參考之申請案即2〇〇〇年8月i曰發佈之美 國專利第6097273號中給出對尺寸之指導,該案以弓丨用方 式併入本文中。通常,該等迴路滑道將具有一小於1微米 厚度 小於5微米之間隔及一小於20微米之寬度。在 此連接中’提出圖式未按比例。 圖5根據本發明之一較佳實施例示意性地顯示一初級迴 路滑道51及-次級迴路滑道…。該等迴路滑道包括ι/〇端 子53及53&。如圖所示,該等迴路滑道具有一内部迴路滑 迢及一外部迴路滑道。該等迴路滑道在54及54a處交越, I38737.doc 200952001 其中如下文更詳細解釋提供—交越結構。使巢套型迴路滑 道互連之该交越配置形成本發明之另一態樣。當裝配於平 衡/不平衡變壓器裝置中時,兩個迴路導體將如由箭頭所 建議疊加。圖5顯示該平衡/不平衡變壓器之初級及次級線 圈中之每—者之兩個迴路滑道。可使用—單個迴路滑道或 兩個以上迴路滑道或甚至迴路滑道之若干部分。
圖6係顯示具有一有分接頭的次級繞組(亦即,且有一 η 變壓器比率)之一平衡,不平衡變壓器之一電路示意圖。此 貫例將用於圖7_9中所示之說明性實施例。其他變壓器比 率可藉由沿迴路滑道簡單選擇接地分接頭之位置來實現。 圖7A係圖6之電路之—平衡平衡變壓m繞组之— :意性表示。所示圖案係一較大IPD中之金屬層級^之一部 ^7。^級迴路之1/0端子顯示於71及77處。迴路滑道開始 、處’追蹤-外部迴路路徑72到達一將 至一内部迴路74之棬71南* 路72運接 .橋73。内部迴路滑道在導通體75處終 、包括連接内部及外部迴路之—交越互連的—部分。、 下文將解釋,在此實例中,該交越係使用另一層 級2)予以建構。外部迴路及橋73之外側上之交 通體顯示於76虚6播、s咖 又趣的另一導 ⑽端體76,迴路滑道追蹤外部迴路到 建構,-包括:接頭的次級繞組係使用分接頭79予以 子。顯放置於ί/〇端子部分71與77之間的滑道/端 等的部二二Si該次級繞組實f上分成兩個大致相 分㈣迴路滑道74之任―位置處卜 用叫才所述種類之-交料以建構。遵猶另— I38737.doc 200952001 替代方案,外部迴路72上任—位置之一分接頭可在不使用 —交越之情況下予以製成。 應'主意’橋連接73與導通體75與76之間的交越可互換。 如圖所不,圖7A中所示之迴路滑道組態係圓形。然而, 可替代其他形狀以形成該迴路之一個或多個轉角。出於界 疋本發月之目的,將—迴路界定為一延伸通過至少300度 15刀開放曲線。圖7A顯示一延伸通過幾乎720度之雙迴 路。若依一正方形如能π . >、、且匕、予以建構,則一單個迴路將延伸通 Θ 過四個隅角或360度。 —1 — 6α» "ΤΓ 土— 、S,圖7Α之迴路囷案可闡述為具有兩個迴路即一 路及外部迴路。圖7b中圖解說明此處所使用之命 名法。母-個迴路包括兩個片段,總共四個片段:一第一 之&(圖7B中之,一第二外部迴路片段(圖7B中 片二中—迴r;⑽7B—^ 於上)該四個迴路片段中之每一者在;^錳卜 係半圓形,且久έ目士 者在祕稱上 ❹ 段可係半圓,但如下文將輸出端。该等迴路片 半圓之形狀。繼碎㈣科τ-有接近或等效於 次級繞組包括、千衡/不平衡變壓器之 g仿四個如下配置 月段,其輪入係平衡/不伞,又.該第一外部迴路 第一内部迴路片俨, ° 、·為、,且之輸入,·該 輸出;該第二内部迴路片段,”亥第―外部迴路片段之 路片段之輪出;該第“入連接至該第-内部迴 。弟—外部迴路片, 二内部迴路片段之& /、輪入連接至該第 乃奴之輸出且其輸出係 十衡/不平衡變壓 138737.doc -8 - 200952001 級繞組之輪出。 圖 7 Α Ψ _ 連接…平衡/不平衡變壓器之次級繞組另外具有 連接之部迴路片段與該第二内部迴路片段之間的 導電輸出滑道。其亦具有連接至該第二内部迴路 輸出之一導通體,及連接至該第二外部迴路片段之 輸入之—導通體。如上所述,該等導通體可連接於該第一 R路片段之輸出及該第三内部迴路片段之輸入處。 圖8顯7F圖6之平衡/不平衡變壓器之初級繞組之包括金 屬層級2之圖帛。此外,所示圖案係-較大金屬圖案之一 /成IPD之第二(或另一)金屬層級之部分。將認識到, 金屬層級2之此部分之圖案類似於圖7A之圖案但圍繞一水 平軸旋轉。彼旋轉使1/〇端子82及93位於該圖頂部處且使 ❿ 父越位於該圖底部處。圖7A之連接導通體75及%之交越 顯7F於圖8中之81處。圖8中之迴路滑道自外部迴路83周圍 之I/O端子82追蹤至交越導通體84,接著到達另一層級, 且接著然後後退到導通體85處之層級自彼處該迴路滑 道追蹤内部迴路86到達交越導通體87。此交越容納為交越 81所取得之空間。該交越完成於導通體88處。自彼處該迴 路α道、’塵續/α内部迴路86到達橋89 ’在此處其交越至外部 坦路90’且連接至另一交越導通體μ。交越導通體%連接 至I/O端子滑道93。導通體91與92之間的交越完成於另一 層級上,此將結合圖9加以闡述。 使用一稍微不同佈局,可消除連接導通體87與88及91與 92之父越。舉例而言’藉由進一步間隔開該等迴路,可消 138737.doc 200952001 除導通體87與88之間的交越。如虛線路徑_所建議,亦 可經由截去内部迴路之一部分來消除此交越。然而,由於 在此實施例中需要另一互連層級用於連接内部及外部迴路 之交越(亦即,在導通體84與85之間),因此形成若干額外 交越來建構圖7-9中所示之配置頗不便利。 應注意,橋89及導通體84與85之間的交越可互換。 …使用上文針對平衡/不平衡變壓器之次級繞組闡明之闡 述性模式,圖8之初級繞組可闡述為亦包括四個迴路片段 (如圖7B中所不)。該初級繞組之四個迴路片段如下配置: 会第一外部迴路片段,其輸入係平衡/不平衡變壓器初級繞 •。之輸入,第—内部迴路片段,其輸入連接至該第一外部 迴路片段之輸出;第二内部迴路片段,其輸入連接至該第 一内部迴路片段之輸出;第二外部迴路片段,其輸入連接 至該第二内部迴路片段之輸出且其輸出係該平衡/不平衡 初級繞組之輸出。圖8中之初級繞組另外具有連接至該第 、。外部迴路片段之輸出之一導通體,及連接至該第一内部 迴路片段之輪入之一導通體。如上所述,該等導通體係可 互換且另一選擇係可連接至該第二内部迴路片段之輸出及 該第二外部迴路片段之輸入。 圖9中顯示—用於完成圖8之初級迴路滑道之交越之互連 圖案。圖7Α及8中所示之金屬層級通常將係連續層級,雖 然無肩層級1及2。圖9所示之層級可係下一毗鄰層級(在此 中層級3)或可係另一較高(或較低)層級。圖$之圖案具 有滑道95、連接導通體84及85及(若需要)、分別連接導通 138737.doc 200952001 體87、88及91、92之滑道%及97。 案干替代迴路導電導體圖 免且有=滑道之隅角處形成之不期望場圖案’而通常避 =正方形或銳利隅角之圖案(如圖ι〇Α中所示之一個圖 佳圖10R由對於某些應用而S ’圖1〇Β之迴路組態可係較 角^ 中之迴路之標稱形狀刊料具有若干圓形隅 L 其中圖案具有至少兩個迴路之通常迴路圖案 ❹ =-個巢套於另一迴路内之迴路。在圖Μ中所示之組 =中’該等迴路係圓形,且迴路圖案具有一個共心地形成 於另—迴路内之迴路’亦即,該等圓形迴路共享一共同中 :。此等迴路稱為巢套型迴路。然而,在_。中所示之 一替代構造中’該等迴路可具有一螺旋形組態。該螺旋形 組態之—優點係、在迴路之間不需要—交越互連。 在上文及在隨附申請專利範圍中參照「第一」、「第 一 J等等結合金屬化層級或層級間介電層旨在傳達一次 序因此第金屬化層或層級指代所陳述次序中之第一 個’且可係或可非係該裝置中之第—個層或層級。 參照-絕緣基板旨在意指該基板之表面包括絕緣材料。 λ表面可係塊絕緣基板之表面,或可係一層覆蓋該塊基 板之絕緣材料。所陳述之基板亦可係一包括一層級間電介 質之絕緣層。在高效能IpD中’該塊材料以及任何表面層 絕緣通常頗重要。 該等金屬化層可係由減性或加性處理形成。術語選擇性 沈積(SeleCtive deP〇siti〇n)或選擇性地沈積(seiectively 138737.doc • 11 - 200952001 depositing)旨在指代兩者。 熟悉此項技術者將想起本發明之各種額外修改。與此說 明書之基本上依賴於已透過其使此技術進步之原理及其等 效内容之具體教示之所有偏離被適當地視為在如所闡述及 所主張之本發明範疇内。 【圖式簡單說明】 在結合圖式考量時可更好地理解本發明,其中: 圖1圖解說明一使用交錯初級迴路及次級迴路之共同先 前技術平衡/不平衡變壓器組態; 圖2係透過圖1之2-2之一截面圖; 圖3顯示一其中初級迴路及次級迴路位於一基板之不同 側上之替代配置; 圖4圖解說明一其中該等迴路係根據本發明之一個態樣 沿一垂直方向對準之堆疊迴路組態; 圖5係圖4中所示之兩個層級之一示意性平面圖表示; 圖6係一顯示一具有一有分接頭的次級繞組之平衡/不平 衡變壓器實施例之電路圖,其係圖7_9中所示之實施例之 一電表示; 圖7A及7B係本發明之一多層平衡/不平衡變壓器裝置之 金屬1層級之示意性平面圖,其顯示該平衡/不平衡變壓器 之次級迴路; ° 圖8係本發明之一多層平衡/不平衡變壓器裝置之金屬2 層級之-示意性平面圖,其顯示該平衡/不平衡變麼器之 初級迴路; 138737.doc -12· 200952001 圖9係本發明之一多層平衡/不平衡變壓器裝置之一額外 金屬層級之一示意性平面圖,其顯示初級迴路之互連;及 圖10A-10C圖解說明替代迴路形狀。 【主要元件符號說明】
11 基板 12 初級迴路滑道 14 次級迴路滑道 31 基板 32 外部迴路滑道 33 内部迴路滑道 35 外部迴路滑道 36 内部迴路滑道 41 基板 43 次級迴路滑道 44 次級迴路滑道 45 層 47 次級迴路滑道 48 次級迴路滑道 51 初級迴路滑道 51a 次級迴路滑道 53 端子 53a 端子 54 迴路滑道 54a 迴路滑道 138737.doc -13- 200952001 71 端子部分 72 外部迴路 73 橋 74 内部迴路/迴路滑道 75 導通體 76 導通體 77 I/O端子 79 分接頭 81 交越 82 端子 83 外部迴路 84 導通體 85 導通體 86 内部迴路 87 導通體 88 導通體 89 橋 90 外部迴路 91 導通體 92 導通體 93 端子滑道 95 滑道 96 滑道 97 滑道 138737.doc -14- 200952001
a 第 一外部迴路片段 b 第 二外部迴路片段 c 第 一内部迴路片段 d 第 二内部迴路片段 -15- 138737.doc

Claims (1)

  1. 200952001 七、申請專利範圍: 1. 一種平衡/不平衡變壓器裝置,其帶有一具有至少兩個層 級(即層級1及層級2)之多層結構,其中該多層結構係位 於一實質水平平面中且包括: (a) —絕緣基板; (b) —層級1導電滑道,其形成於該基板上且具有 一迴路圖案; ❿ 參 (c) 一層級間介電層,其覆蓋該第一導電滑道; (d) —層級2導電滑道,其形成於該層級間電介質 上且具有一對應於該第一導電滑道之該迴路圖案之 迴路圖案, 其中該層級1導電滑道及該層級2導電滑道之該等迴路 圖案實質上係呈垂直對準。 2. 如請求項1之平衡/不平衡變壓器裝置,其中該絕緣基板 係一積體被動裴置之部分。 3. 如請求項!之平衡/不平衡變壓器裝置,其中該層級間電 介質具有一至少2微米之厚度。 4. 如請求⑴之平衡/不平衡變塵器裝置’其中該第一 滑道及該第二導電滑道之該等迴路圖案包括至少兩個迴 路,其中一個迴路巢套於另一個迴路内部。 5. =請求項4之平衡/不平衡變壓器裝置,其中該等迫路係 形:路,即一較大迴路及一較小迴路,且 路具有一共同中心。 6·如請求項4之平衡/不平衡變壓器裝置,其中該等迴路係 138737.doc 200952001 具有若干圓形隅角之正方形。 7. 如請求項4之平衡/不平衡變壓器裝置,其中該等迴路且 有一螺旋形組態。 ^ 8. 如請求項4之平衡/不平衡變壓器裝置,其中位於該第— 層級上之該等迴路係用位於該第二層級上的—交 予以連接。 9. 如請求項8之平衡/不平衡變壓器裝置,其中位於該第二 層級上之該等迴路係用位於—第三層級上的—交越連接 予以連接。 1〇_如請求項1之平衡/不平衡變壓器裝置,其中該等層級丄及 層級2¾路各自具有一輸入端及一輸出端,其中該第— 坦路之該輪出端連接至該第二迴路之該輸入端 該平衡/ 層級2及 ~實質水 11. -種包括—平衡/不平衡變壓器之積體被動裝置 不平衡變壓器帶有具有至少三個層級(即層級1、 層級3)之—多層結構,其中該多層結構係位於 平平面中且包括: (a) —絕緣基板, 該層級 (b) —層級1導電滑道,其形成於該基板上,; 導電滑道具有—包括至少兩個迴路之迴路圖案, (C)—第一層級間介電層,其覆蓋該層級丨導電滑道 ⑷-層級2導電滑道,其形成於該第一層級間介電 上,該層級2導電滑道具有一對應於該層級丨導電滑 之該迴路圖案之迴路圖案, ⑷—層級2交越連接,其形成於該第一層級間介釔 138737.doc 200952001 上以連接該層級1導電滑道之兩個迴路, ⑴-第二層級間介電層,其覆蓋該層 ⑴-層級3交越連接’其形成料t層級間=雇 ^連接該層級2導電滑道之兩個迴路。 , 該居:體破動裝置,其中該層級1導電滑道及 準2導電滑道之該等迴路圖案實質上係呈垂直對 13. 一種平衡’不平衡變壓器裝置,其包括: -第-金屬層級,其包括—初級 路導濟且古SI 等體該初級迴 路導體具有至少兩個迴路 路,益Μ、 Μ °丨圮路及一外部迴 外邻:、—迴路包括兩個片段,且該内部迴路及該 卜部迴路包括四個片段,即一:及 部片段、一蝥 A , , /»干又 第一外 ,段中之: — 第二内部“ ’…該 Αώ 者在標稱上係半圓形,且各自具有一 輸入端及一輪出迪 J出知,該四個片段如下配置: 該第一外部迴路片 月奴,八輸入係平衡/不平衡變壓器 -人級繞組之輪入, 路:二MM路片段’其輸入連接至該第一外部迴 路片段之該輪出, 路^二内部迴略片段’其輸入連接至該第一内部迴 路片段之該輸出, ^二外部迴路片段’其輸入連接至該第二内部迴 路片丰又之該輸出且 繞组之輸出。、輸出係該平衡/不平衡變壓器次級 138737.doc 200952001 14. 15. 16. 17. 18. 月求項13之平衡/不平衡變壓器裝置,其另外包含連接 乂第一内邛迴路片段之該輸出之—導通體,及連接至 該第二外部迴路片段之該輸入之一導通體。 如二求項13之平衡/不平衡變壓器裝置,其另外包含連接 /第外邛迴路片段之該輸出之_導通體,及一連接 至該第二内部迴路片段之該輸入之—導通體。 、'項13之平衡/不平衡變壓器裝置,其另外包含一 接該等導通體之交越。 如請求項14之平衡/不平衡 接該等導通體之交越。 如明求項13之平衡’不平衡變壓器裝置其另外包含_ 括—次級迴路導體笛_ 、 有兩個迴路即…該次級迴路導毙 内邛迴路及一外部迴路,其中每— 路包括兩個 段即1 & 迴路及該外部迴路包括四他 第-外部片段、一第二外 段及一筮-w 乐内杳 一内部片段,且其中該四個片段中之 標稱上係半圓带, 4 ^,且各自具有一輪入端及一輸出 四個片段如下配置: 别出 燹麼裝置,其另
    該第一外部迴路片段, 級繞組之輪入, 其輸入係平衡/不平衡變壓器初 該第—内部迴路片段 片段之該輪出, 該第二内部迴路片段 片段之該輪出, 其輸入連接至該第— 其輸入連接至該第— 外部迴路 内部趣路 138737.doc ~ 4 - 200952001 該第二外部迴路片段 片段之該輸出且其輪出 之該輪出。 ’其輸入連接至 係該平衡/不平衡 該第二内部迴路 變壓器次級繞組 19.如凊求項18之平衡/不平衡變壓器裝置其 電輸出滑道,該導電輸出滑道連接至該第—匕3導 段與該第二内部迴路片段之間的連接。 P圪路片 20·如請求項19之平衡/不平衡變壓器裝 /、T该初級導體 之一内部迴路片段及一外部迴路片段係以—
    父越予以連 接且該交越互連形成於該第二層級金屬上。
    138737.doc
TW098106749A 2008-03-21 2009-03-02 Compact balun transformers TW200952001A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/077,811 US7692511B2 (en) 2008-03-21 2008-03-21 Compact balun transformers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200952001A true TW200952001A (en) 2009-12-16

Family

ID=40673518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098106749A TW200952001A (en) 2008-03-21 2009-03-02 Compact balun transformers

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7692511B2 (zh)
EP (1) EP2104227A2 (zh)
CN (1) CN101572156B (zh)
SG (1) SG155842A1 (zh)
TW (1) TW200952001A (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5142089B2 (ja) * 2008-12-26 2013-02-13 Tdk株式会社 薄膜バラン
JP5142088B2 (ja) * 2008-12-26 2013-02-13 Tdk株式会社 薄膜バラン
US8648667B2 (en) 2009-06-30 2014-02-11 Tdk Corporation Thin film balun
CN102087909A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 内外径电流补偿的多路径叠层电感
CN102087911A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感
CN102087908A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 堆叠式差分电感
US20120092119A1 (en) 2010-10-15 2012-04-19 Xilinx, Inc. Multiple-loop symmetrical inductor
US20130106552A1 (en) * 2011-11-02 2013-05-02 International Business Machines Corporation Inductor with multiple polymeric layers
US9064628B2 (en) 2012-05-22 2015-06-23 International Business Machines Corporation Inductor with stacked conductors
EP2669906B1 (en) * 2012-06-01 2018-08-29 Nxp B.V. An integrated circuit based transformer
US9312815B2 (en) * 2014-05-23 2016-04-12 Linear Technology Corporation Broadband integrated RF/microwave/millimeter mixer with integrated balun(s)
WO2017111910A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Intel Corporation High performance integrated rf passives using dual lithography process
CN108022913B (zh) * 2016-11-01 2019-11-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变压器
CN108933030A (zh) * 2017-05-26 2018-12-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变压器
CN107946714B (zh) * 2017-12-19 2023-07-04 成都芯通软件有限公司 一种平面巴伦
WO2020047556A1 (en) 2018-08-31 2020-03-05 Sehat Sutardja Transformer
RU2717386C1 (ru) * 2019-05-27 2020-03-23 Акционерное общество "Микроволновые системы" Спиральный сверхширокополосный микрополосковый квадратурный направленный ответвитель
TWI726789B (zh) * 2020-08-11 2021-05-01 財團法人國家同步輻射研究中心 平衡不平衡轉換器
CN114079135B (zh) * 2020-08-11 2023-03-21 尤宗旗 平衡不平衡转换器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6097273A (en) * 1999-08-04 2000-08-01 Lucent Technologies Inc. Thin-film monolithic coupled spiral balun transformer
US6801114B2 (en) * 2002-01-23 2004-10-05 Broadcom Corp. Integrated radio having on-chip transformer balun
KR101005264B1 (ko) * 2003-07-26 2011-01-04 삼성전자주식회사 대칭형 인덕터 소자
TWI238515B (en) * 2004-10-08 2005-08-21 Winbond Electronics Corp Integrated transformer with stack structure

Also Published As

Publication number Publication date
EP2104227A2 (en) 2009-09-23
SG155842A1 (en) 2009-10-29
US20090237175A1 (en) 2009-09-24
CN101572156B (zh) 2012-06-20
CN101572156A (zh) 2009-11-04
US7692511B2 (en) 2010-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200952001A (en) Compact balun transformers
US6683510B1 (en) Ultra-wideband planar coupled spiral balun
US6717502B2 (en) Integrated balun and transformer structures
US8054155B2 (en) Two layer transformer
US6097273A (en) Thin-film monolithic coupled spiral balun transformer
TWI408796B (zh) 交插式三維晶片上差動電感器及變壓器
US6188306B1 (en) On-chip transformers
CN103985503B (zh) 用于射频、微波、以及毫米波集成电路的具有增强共模抑制的集成变压器巴伦
CN107452710B (zh) 交错式变压器及其制造方法
JP3120985B2 (ja) 線路変成器
US7623006B2 (en) Power combiner/splitter
JP6774740B2 (ja) 広帯域高周波、マイクロ波、またはミリ波ミキサシステム
US6806558B2 (en) Integrated segmented and interdigitated broadside- and edge-coupled transmission lines
US20080284552A1 (en) Integrated transformer and method of fabrication thereof
JP2004531089A (ja) 複数のインターリーブ集積回路トランス
JP2015536572A (ja) 半導体デバイス上のハイブリッド変圧器構造
Feng et al. High-performance solenoidal RF transformers on high-resistivity silicon substrates for 3D integrated circuits
TWI803528B (zh) 平衡到不平衡轉換器
Wang et al. A physics-based equivalent-circuit model for on-chip symmetric transformers with accurate substrate modeling
Moghaddam et al. 180 hybrid using a novel planar balun on suspended substrate for beam forming network applications
Yang et al. A CMOS balun with common ground and artificial dielectric compensation achieving 79.5% fractional bandwidth and< 2° phase imbalance
TW200917290A (en) Symmetrical inductor device
US8680935B2 (en) High frequency coaxial balun and transformer
Dianat et al. A Non-Magnetic RF Balun Designed at 128 MHz Centre frequency for 3 T MRI Scanners
CN114024119B (zh) 一种全差分叠层变压器结构耦合器