KR100452022B1 - 다중층금속중합체구조를이용한알에프변압기 - Google Patents
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Abstract
다중층 박막 구조를 가지며 또한 코일들 사이에 유전체 재료가 배치된 고주파 적용을 위한 변압기는 코일들 사이에 유도성 결합을 증대시키면서 동시에 코일들 사이에 용량성 결합을 감소시킨다. 유리기판(201)의 위에는 제 1 금속 나선부(301)가 배치되고, 그 위에는 중합체 인슐레이터(601)가 퇴적되어 제 1 금속 나선부를 감싼다. 중합체 층위에는 제 2 금속 나선부(701)가 퇴적되고 프로세스는 다음의 중합체 재료와 계속된다. 서로 다른층으로 있는 금속 나선부들의 상호접속은 안에 비아(902)들을 가지는 선택적으로 에칭된 홈들의 사용에 의해 실행된다. 본 발명은 발룬 변압기를 특별히 제공한다. 유전체로서 중합체, 가급적이면 BCB의 사용은 마이크로웨이브와 rf주파수의 흡수로 인해 극히 낮은 손실의 기능상 잇점을 가지며, 이 인슐레이터는 기구의 다양한 층들 사이에서 우수한 유도성 결합을 허용하면서도 용량성 결합을 크게 감소시킨다.
Description
본 발명은 표준 에칭 및 디포지션 기술(standard etching and deposition techniques)에 의해 만들어진 고주파 적용 변압기에 관한 것이다.
고주파 및 기능 집접회로의 발달은 시스템 성능의 제한 인자로 되어 있는 상호접속 및 패키지 기술을 유도했다. 따라서, 시스템의 기구들의 상호접속 및 패키지를 개선시킴으로써 시스템 성능을 개선시킬 수 있다는데 초점이 맞추어 졌다.
rf의 분야에 있어, 마이크로웨이브 및 밀리미터 웨이브 기술, 시스템의 성능은 다양한 수단을 통해 개선되어 있다. 변압기에 촛점을 맞춘 본 발명을 종래기술과 비교하여 설명하고자 한다. 이를 위해, 변압기와 인덕터의 최근 기술은 박막 기술을 거쳐왔다. 변압기에 적용된 박막 기술의 기본사항은 다음과 같다. 일반적으로, 유전체기판은 그위에 금속패턴이 퇴적(deposit)되어 변압기에 필요한 인덕터를 실행시킨다. 그런 다음, 유전체층이 퇴적된다. 박막기술을 이용하여서 제조된 변압기는 다중 레벨구성 및 병렬구성으로 된 제 1 및 제 2 코일을 가지는 것으로 알려져 있다. 변압기의 설계상의 구동인자는 시스템의 Q인자이다. 이 Q인자는 에너지 변환 효율의 측정값이며, 이때 Q인자는 아래식으로 주어지며,
Q = ωL/R
이때 ω는 각도주파수이고, L은 총 인덕턴스이고 R은 코일의 저항이다. 잘 알 수 있는 바와 같이, Q 인자는 ω의 주어진 값에 가능한 최대범위로 L을 증대시키고 R을 감소시킴으로써 증대시킬 수 있다.
박막 변압기 및 기타 변압기에 있어. 제 1 전선부 또는 코일의 전류의 시간 종속 변동은 결국 제 2 전선부에 유도전류를 발생시킨다. 이 유도 전류는 제 2 코일의 권선수에 비례한다. 아울러, 제 1 코일의 권선수가 크면 클수록, 제 1 코일에 의해 발생된 자기장 밀도도 커져서 제 2 코일에 더 큰 유도전류를 이끈다. 따라서, 제 1 코일과 제 2 코일 사이의 상호 유도작용에 의해 전류를 유도시키는 변압기는 코일의 권선수가 크면 클수록 각 코일에 의해 발생된 자기장 강도도 커지게 되어서 코일들간의 인덕턴스가 증대되도록 한다. 따라서, 코일들간의 결합과 대응 에너지 변환은 증대된다.
L의 증가는 기타인자들 사이에 제 1 및 제 2 코일의 권선수의 증가를 요구하는 것으로, 이는 종종 변압기 자체의 영역을 증대시키는 기능을 한다. 회로의 각 소자들의 요구된 공간을 감소시키고자는 하는 명백한 요구에도 불구하고, 그와 같은 면적의 증대는 또한 고속 능력을 감소시키는 역할을 한다. 아울러, 인덕턴스와 증대에 대한 권선수의 증대는 저항을 증대시키고 Q값을 낮추어서 컨덕터의 길이를 증대시킨다.
따라서, 증대된 인덕턴스 및 감소된 저항을 가진 변압기를 제공하여 고주파에서 Q인자를 최적화시킬 것이 요구된다.
박막기술을 기초로 한 일예의 변압기가 Ito 등 명의의 미국특허 제5,420,558호에 기술되어 있다. Ito 등의 특허명세서는 박막기술을 기초로 한 다수의 다른 형태의 변압기를 나타내고 있다. 그러나, Ito 등의 명세서에 인용된 변압기들은 코일층들간의 유전체 재료로서 실리콘 디옥사이드(SiO2)의 사용을 나타내고 있다. SiO2는 그의 공정상 두께 제한으로 인해 박막 변압기에서 제한된 적용을 박학 디포지션 기술을 이용할 때, SiO2는 2㎛의 규격의 층두께로 퇴적될 수 있다. 이 양이상의 SiO2의 퇴적은 결국 박막에 과도한 기계적 부하를 주어 구조적 신뢰성에 악 영향을 미치게 된다. 인슐레이터로서 SiO2을 이용하는 단점은 다른 단점중에서도 비교적 높은 유전상수와 상기 언급한 것보다 큰 두께층을 제공하지 못하는 것에 있다. 이를 위해, 수직퇴적형 변압기의 서로 상이한 층들의 변압기 권선수들 간의 캐패시턴스는 유전상수와 정비례하고 권선수들(이로 인해 변압기 코일들 간의 자기 결합의 두께)간의 거리에 반비례하는 한편, 전기결합 내지 용량성 결합은 바람직하지 않다. 이를 위해, 안에 시간변동전류를 가지는 모든 인덕터가 고유 캐패시턴스를 가지기 때문에, 캐패시턴스가 크면 클수록 기능상 사용의 밴드폭은 작아진다. 특히 라디오 주파수와 마이크로웨이브 주파수에 있어, 용량성 결합은 결국 고유 캐패시터와 평행상태로 있는 인덕터. 수동형 전자 리조네이터로 이루어지는 등가회로가 된다. IC 회로의 공명은 방사경향이 있어 최종적으로 손실로 작용하기 때문에 공명을 피하는 것이 바람직하다.
따라서, 인덕터 또는 변압기의 경우, 통상적인 주파수 이상으로 리조네이터의 공명 주파수를 증대시킴으로써 변압기용 밴드를 가능한한 많이 증대시켜 고유케패시턴스를 크게 감소시킬 것이 요구된다. 변압기의 용량성 결합의 영향을 가능한한 많이 감소시키기 위해서는, 다른 레벨로 있는 코일들간의 거리(및 그리고 인슐레이터의 두께)를 증대시키고 그리고 인슐레이터의 유전상수를 감소시킬 것이 요망된다. 따라서, 소정의 소형 치수를 가지며 코일들간의 소정의 유도성 결합을 수행하면서도 코일들간의 용량성 결합에는 민감하지 않는 변압기를 얻는 것이 요망된다.
고주파 적용을 위한 상기한 변압기에 따라서, 변압기는 본 명세서에서는 변압기의 코일들간의 용량성 결합을 최소화하는 코일들간에 저유전상수 재료를 가지는 다중층 박막구조를 가지는 것으로 설명된다.
이를 위해, 유리기판 위에는 제 1 금속 나선부가 퇴적되어 있다. 이 디포지션(퇴적)후, 중합체 인슐레이터, 바람직하기로는 벤조시클로부틴(BCB)의 층이 퇴적되어 제 1 금속 나선부를 싸고 있다. BCB층상에는 제 2 금속 나선부가 퇴적되고, 그리고 BCB에 선택적으로 개방된 비아(Via)의 사용에 의해 필요한 상호접속이 실행된다. BCB에 의해 분리되고 비아에 의해 상호접속된 금속 나선부의 이 프로세스는 제 1 및 제 2 코일의 소정의 권선수가 얻어질때까지 계속된다. 이 때 중요한 것은, 설명된 변압기가 3층의 금속 권선부, 즉, 기판, 제 1 금속코일 권선부, 제 1 중합체층, 제 2 코일 권선부층, 제 2 중합제층, 제 3 코일 권선부층 및 제 3 중합체층을 가진다는 것이다. 소정의 회로에 따라 보다 많거나 적은 층을 가질 수도 있다. 즉 이 제조 프로세스는 기타 회로 및 구조에도 적용 가능하다.
코일들간의 유전체로서 중합체, 바람직하기로는 BCB의 사용은 기능적인 rf 및 마이크로웨이브 주파수를 가지며. 이 인슐레이터는 용량성 결합을 크게 감소시키면서 우수한 유도성 결합을 허용한다. 부가적으로, 중합체는 변압기의 제조에 있어 공정단계에서 이용할 수 있게 하여 제조의 용이성 및 신뢰성을 부여한다. 이를 위해, 중합체는 표준형 대형의 IC처리기술을 이용하여서 비교적 원활한 금속 디포지션 및 용이한 처리를 가능하게 한다.
대표적인 재료 및 처리 단계를 통해 최종적으로 얻어지는 변압기는 아주 소형 치수를 가지며 그리고 대규모 제조가 가능하다. rf 및 마이크로웨이브 스펙트라에서 동작형 변압기 주파수를 가지는 캐패시턴스와 같은 와류 소자들의 악영향은 쉽게 감소된다.
본 발명의 목적은 대량으로 제조 가능한 고주파 저가 소형의 변압기를 제공하는 데 있다.
본 발명의 특징은 비아에 의해 선택적으로 상호접속된 다중층 수직구조의 변압기를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 특징은 저용량성 결합, 그리고 변압기 권선부들간의 높은 유도성 결합, 변압기의 고주파에서 저손실 인슐레이터를 가지는 변압기를 제공하는 데 있다.
본 발명의 잇점은 종래의 처리 기술에 쉽게 적용될 수 있는 재료로 제조된 변압기에 있다.
그럼 본 발명을 첨부 도면을 참고로 차여 설명하기로 한다.
도 1은 발룬 변압기(balun transformer)의 사시도.
도 2는 본 발명에 의해 제조된 발룬 변압기의 평면도.
도 3-10은 본 발명에 의해 선택된 연속 단계절차로서 제조되는 것을 예시하는 단면도.
도 11은 발룬 변압기를 이용하는 믹서의 개략적인 회로도.
앞서 언급한 바와 같이, 본 발명은 중합체 유전체재료로 다중층 처리기술을 이용하여 제조된 변압기에 관한 것으로, 치수, 비용 및 기구의 신뢰성 및 대규모로 제조가 용이한 잇점을 갖는 변압기에 관한 것이다. 본 발명에 언급되는 모든 변압기는 본 발명의 범위가 발룬 변압기. 방향성 커플러, 구형 하이브리드, 및 파워 디바이더인 다중층 기구에 이용되는 것을 의미한다. 본 발명의 특징은 본 발명의 기본적인 프로세스의 적용에 의해 다양한 회로를 실현시키는 능력에 있다. 즉, 금속라인, 비아. 본드 패드 및 기타 필요한 소자들의 선택적인 배치에 의해, 처리 절차가 높은 유도성 결합 및 낮은 용량성 결합의 잇점을 가지는 고주파를 이용하는 기구의 제조를 수행할 수 있게 한다.
본 발명의 구현예를 발룬 변압기로써 설명하기로 한다. 이미 언급한 바와 같이, 본 발명은 기타 적용도 가능한 것으로, 발룬 변압기는 단지 예시목적으로 설명한 것이다. 이를 위해, 소정의 변압기의 회로는 본 발명의 프로세스에 의해 나선 부, 비아, 본딩 및 캐패시터와 같은 회로소자에 의해 실행된다. 명백히, 소정의 상호접속은 당업자가 쉽게 제조할수 있는 범위에서 소자 및 비아 및 회로의 선택적인 배치에 의해 실행된다. 전형적인 발룬 변압기의 개략도가 도 l에 도시되어 있다. 발룬 변압기의 단일 단부의 입력부는 동일한 진폭 및 반대 위상을 가지는 1쌍의 출력부에 접속된다. 이를 위해, 전압(V)이 단일 단부를 가진 입력터미널(101)에 적용되었을 때, 전압은 제 1 출력터미널(102)에 있는 출력값이고, 반대극성의 동일 전압은 제 2 출력터미널(103) 위치의 출력값이다. 시간 변동 입력값을 위해, 터미널(102 및 103)의 출력값은 서로 반대된 위상값을 갖는다. 접지면(접지면에 대해 제로 포텐샬로 있는 기준 터미널)에 불평형된 입력신호를 위해, 순간적인 출력 평균 전압은 따라서 제로이다. 반대로, 2개의 출력 터미널을 가로질러 가해진 평형을 이룬 신호는 입력 터미널을 가로질러 불평형된 신호로서 나타나고, 따라서 이는 "발룬(balun)"으로 지칭된다. 발룬 변압기는 단일 및 이중 평형의 믹서 적용에는 물론 기타 헤테로다인 트랜스시버 시스템(heterodyne transceiver system)의 적용에도 가능하다.
도 2 에 대해, 이 도면은 본 발명의 프로세스에 의해 제조된 발룬 변압기의 평면도를 보여준다. 입력 본드 패드(201), 입력 그라운드 패드(202), 출력 그라운드 패드(203) 및 출력 본드 패드(204 및 205)가 기판의 표면상에 놓여있다. 도 2의 변압기 권선부는 변압기의 상부층의 것들로서. 이것은 변압기의 하부 2층의 권선부의 바로 위에 위치하고 있다(도시되지 않았음). 이 구조는 높은 유도값을 고양시키는 소정의 권선수를 이루고, 전류 크라우딩(crowding)으로 인해 Q값을 희생시키지 않는다. 즉, 나선부의 평면을 통과하는 개방부가 너무 많이 감소되어 있다면, Q값의 대응 감소도 있다. 따라서, 감소된 치수의 잇점은 상기한 이유로 Q 인자의 감소에 대하여 불리하게 작용한다. 마지막으로, 권선수는 사실 유도성을 증대시키며, 또는 변압기의 자동 동조 주파수에 따라 감소되는 2층사이에 용량성 결합을 증대시킨다. 따라서, 권선수는 증대된 용량성 결합의 손상에 대하여 증대된 인덕턴스의 잇점을 균형을 고려하며 결정되어져야 한다.
상기 설명한 것에 대한 상세한 것은 1995. 4월 멀티-칩 모듈의 국제회의 발표논문 Processing and Electrical Characterigation of multilayer Metalligation for Microwave Applications에 실려 있다.
도 10은 도 2 의 X-X'선을 따라 취한 단면의 변압기를 보여 준다. 이를 위해, 변압기 권선부는 1001 내지 1011로 표기된 3개의 층으로 도시되고, 비아(1012)는 변압기의 층들 사이에 상호접속부를 제공한다.
다시 도 3 내지 9 에 대해 설명한다면, 본 발명의 발룬 변압기의 대표적인 구현예의 제조 절차가 기술되어 있다. 앞서 언급한 바와 같이, 기타 변압기도 가능하고 여기서 발룬 변압기는 단지 예시적인 목적으로 거론한 것이다. 유리기판은 가급적 보로실리케이트(borosilicate)로써 약 4.1의 유전상수. 및 마이크로웨이브 주파수에서 0.002의 크기의 손실 탄젠트를 갖는다. 제 1 금속층을 위한 미세한 선분의 디포지션을 부가하기 위해 비결정 유리기판이 발룬 변압기의 본드 패드(301)용 및 캐패시터용 금속 디포지션 플레이트(3O2)를 보여준다. 본 발명의 모든 금속층은 에칭을 통해 일어나는 언더컷팅의 결점 및 금속에칭의 필요성을 배제하면서, 표준형 리프트-오프 기술(standard lift-off technique)에 의해 제조된다. 이 리프트-오프 기술은 음각 프로필을 가지는 적절한 포토레지스트의 이용을 요구하고, 금속을 퇴적시키는데 표준형 증착 기술이 이용된다. 포토레지스트의 음각 프로필은 포스트-엑스포셔 베이크(post-xposure bake)와 레지스트의 극성을 거꾸로 하면서 얻어진다. 증착된 금속이 기판면에 직각인 방향으로 퇴적되기 때문에, 레지스트의 음각 프로필은 레지스트의 상부의 금속과 기판상의 금속간의 파괴를 막아준다. 래지스트의 금속은 물제트로 제거되며, 그리고 레지스트는 기판상에 위에 깨끗한 금속 패턴을 남기면서 깎여진다. 본 발명의 변압기의 금속선은 25미크론 폭의 규격으로 있고 두께는 2-5 미크론이다. 제 1 층의 금속층은 가급적 Ti-Pt-Au-Ti으로서 와이어 본드 패드(301), 하부 캐패시터 플레이트(302) 및 인더패스 컨덕터들에 사용된다. Ti는 접착성을 고양시키는데 이용되고, Pt는 확산 경계층으로서 사용되고 Au는 표준형 와이어-본드 프로세스와의 적합성을 위해 사용된다. 코일 권선부 및 캐패시터 상부 플레이트를 위해, 바람직한 금속은 Ti-Pt-Ag-Dt-Ti이다. 크게 바람직하지는 않지만 금도 은 대신에 사용될 수 있으나 제조 가격에 영향을 미친다. 아울러, 기타 금속도 이들 금속선으로써 사용될 수 있다.
도 3 에 도시한 제 l 금속층의 디포지션과 함께, 적절한 유전체(401), 가급적이면 질화규소(SiN)가 행해진다. 도 4 에 도시한 바와 같이. SiN막이 캐패시터 플레이트(302)의 인슐레이터로써, 그리고 크로스 오버(cross-over)를 위해 작용한다. SiN 막은 300。C에서 PECVD(Plasma Enhanced CVD)에 의해 퇴적된다. 그런 다음 표준형 사진평판기술 및 플라즈마 에칭기술이 전기 접촉이 요구되는 곳에 따라 SiN막(401)을 에칭시키는데 이용된다. 제 1 금속층이 완료된후, 변압기의 제 1 층의 금속 변압기 권선부(501)가 상기한 기술에 의해 실행된다.
SiN막 디포지션의 완료후, 중합체 인슐레이터(601)의 제 l층이 퇴적된다. 이 층은 감광성 또는 비감광성 폴리이미드와 같은 재료도 가능하나, 가급적 BCB이 좋다. BCB층이 퇴적된후, 중간 접측 및 본드패드 접속을 위한 비아가 실행된다. BCB 및 비아 에칭의 디포지션은 1993. 11. 7일 발행 제 7 호 vol. 16의 IEEETransactions on Conponents, Hybrids and Manufacturing Technology의 P. Chinoy and Janes Tajadod에 의한 "Processing and Microwave Characteriqation of Multilevel Interconnects Using Benzocyclobutene Dielectric" 논문 및 l995. 4월 Multi-Chip Modules에 관한 국제회의에서의 논문, " Processing and Electrical Characteriqation of Multilayer Metalliqation For Microwave Applications"에 기재된 기술에 의해 실행된다. 앞서 언급한 바와 같이, BCB층은 비교적 낮은 값과 2.65크기의 유전상수를 가지며 변압기에 대한 잇점은 앞서 언급한 바와 같다. BCB 층은 20미크론의 두께로도 될 수 있지만 바람직하기로는 3미크론의 두께로 퇴적된다. 아울러, BCB는 Chinoy등의 논문에 언급한 잇점에 더하여 낮은 습도 계수(0.1%의 크기)를 가지며, 전기 특성이 수분에 매우 반응하는 Ag금속화를 적절하게 하면서 환경변화가 일어나지 않는 전기 성질을 보장하는 잇점을 가진다. 마지막으로, 이 2 형식의 BCB는 본 명세서에 기재된 바와 같이 관심있는 것이다. 제 1 발명은 비아(602)가 빛에 대해 노출되어 바로 페턴화될 수 경우로서 감광성을 가지며, 그리고 제 2 의 비감광성인 경우로서 비아(602)가 포토레지스트 또는 금속 마스크를 통해 플라스마 에칭되는 경우이다. 전자는 처리과정이 쉽고 후자는 양호한 평탄화 및 두꺼운 코팅이 주어진다. 양호한 평탄화는 보다 미세한 금속선을 허용하고, 두꺼운 층은 용량성 결합을 감소시킨다. 본 발명에 있어, 대표적인 기술은 처리상 용이한 감광적인 예컨대 BCB 중합체의 하부 2층 및 변압기의 전체구조를 평탄화시키기 위해 비감광성 중합체, 가급적이면 BCB로 된 상부층을 퇴적시키는 것이다.
변압기의 나머지 층들은 상기 기술을 반복함으로써 실행된다. 이를 위해, 도7은 제 2층의 완성된 금속조직화를 보여준다. 도 8에 도시한 바와 같이, BCB(801)의 다음층이 퇴적되어 에칭된 비아(802)가 실행된다. 마지막으로, 권선부의 제 3층이 도 9에 도시한 바와 같이 퇴적되고, 비아(9O2)가 같이 금속화되고 그리고 BCB(1013)의 마지막 층이 도 10에 도시된 바와 같이 비아가 1014에서와 같이 에칭되어 퇴적된다. 층(601 및 801)으로 에칭된 금속화된 비아(303 및 902)는 각기 변압기의 회로로서 요구하는 바와 같이 코일 권선부(501, 701 및 901)들 사이에 전기 접속을 제공한다. 비아(1014)는 와이어 본드 패드를 개방시키고 그리고 와퍼(wafer)의 디싱(dicing) 또는 소잉(sawing)을 각각의 다이 또는 회로에 용이하게 실행시키는 길을 보여준다. 마지막으로. 변압기의 접지면(1015)은 유리기판의 하부면상의 금속의 디포지션에 의해 실행된다.
대표적인 구현예의 발룬 변압기는 다음과 같이 제조된다. 캐패시터의 하부 플레이트(3O2)와 본드 패드(301)에는 SiN의 층이 퇴적된다. 그런 다음 코일 권선부(501)와 캐패시터의 상부 플레이트(502) 고리고 크로스 오버(503)가 퇴적된다. 이는 변압기의 V-출력부(103)를 형성한다. 공명형 캐패시터들은 코일 권선부(501) 및 크로스-오버(503)가 본드 패드(301)와 캐패시터의 하부 플레이트(302) 위에 놓여있는 곳에 형성된다. 그 다음 금속코일(701)이 퇴적되어 비아(303)에 의해 입력 권선부를 실행시킨다.
마지막으로, 비아(902)는 V+ 출력 권선부(102)를 실행시킨다. 도 11은 트랜시스버 회로(transceiver circuit)중에 발룬 변압기의 전형적인 사용을 보여 준다. 이를 위해, 발룬(1104)은 실리콘 쇼트키 링 쿼드(silicon schottky ring quad)에연결된다. 동작중, rf입력부(1102)로부터 고주파 신호는 국부 전동기(1105)로부터의 약간 낮은 주파수와 혼합되고 IF 출력(1106)에 있는 다중 주파수 영역은 소정의 신호 출력를 뽑아내기 위해 추출·여과된다. 실제, 포장된 발룬은 BCB와 같은 공동기판상에 설치되고 그리고 공동기판상의 활동적이고 수동형인 기타 부품의 펼요한 곳에 접속된다.
Claims (7)
- 압력전압을 가지는 단일 단부형 입력터미널, 및 동일진폭과 반대위상의 출력 전압을 가지는 제 1 및 제 2 출력 터미널을 포함하고, 또한 상부면과 하부면 그리고 이들 사이에 선택된 두께를 가지는 유리기판, 상기 유리기판의 상부면에 퇴적된 제 1 금속나선부, 상부면과 하부면을 가지며 상기 기판의 상부면에 퇴적되어 상기 제 1 금속나선부를 싸고 있는 벤조시클로부틴층, 상기 벤조시클로부틴층의 상부년에 퇴적되어 상기층에 퇴적된 선택적으로 개방된 비아들을 통해 상기 제 1 금속나선부와 선택적인 전기접속을 실행되는 제 2 금속나선부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬 변압기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 벤조시클로부틴층이 0.002의 손실 탄젠트 및 2.65의 유전상수를 가지는 것을 특징으로 하는 발룬 변압기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 약 4.1의 유전상수 및 마이크로웨이브 주파수에서 0.002의 손실탄젠트를 가지는 브로실리케이트 유리인 것을 특징으로 하는 벌룬 변압기.
- 제 1 항에 있어서, 캐패시터가 상기 기판의 상부면에 형성되어서 상기 제 1 및 제 2 나선부에 선택적으로 접속되어져 있는 것을 특징으로 하는 발룬 변압기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 벤조시클로부틴층이 감광성인 것을 특징으로 하는 발룬 변압기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 벤조시클로부틴층이 비감광성인 것을 특징으로 하는 발룬 변압기.
- 제 4항에 있어서, 캐퍼시터는 하부금속 플레이트, 상기 하부금속 플레이트에 배치된 SiN재질의 유전체층, 및 상기 유전체층상에 배치된 상부 플레이트를 포함하며, 벤조시클로부틴층에 싸여져 있는 것을 특징으로 하는 발룬 변압기.
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