CN101567406A - 硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法，特点是将CdS或CdTe量子点材料掺入到二氧化硅溶胶体制得量子点光波转换层复合材料，然后将复合材料涂装在硅基太阳能电池表面形成量子点光波转换层，其制备包括：二氧化硅溶胶体、量子点纳米材料的制备、复合材料的合成和太阳能电池表面的涂装。本发明具有很高的光透过率，并可将太阳光中400nm以下的紫光和紫外光成分转换到400～700nm内的可见光，大大提高了硅基太阳能电池的光电转换效率，与现有技术相比具有量子点光波转换层的光波转换率高制备方法简单、成本低的优点。

Description

硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法
技术领域
本发明涉及光电复合材料，具体地说是一种硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法。
背景技术
太阳能将会成为21世纪重要的能源来源，目前太阳能电池发展的瓶颈主要有两项因素：成本价格与光电转换效率。要提高太阳能电池的光电转换效率，主要可以通过优化器件设计如并入背表面场、加强陷光技术、表面钝化技术以及制作减反射膜减少表面的非吸收损失等。然而太阳能电池器件结构的优化和减反射膜技术已经发展较成熟，进一步优化它们提高光电转换效率的空间不是太大。太阳光谱是连续光谱，其分布范围从零点几微米的紫外光到数微米的红外光为主。硅的能隙为1.12V，晶体硅太阳能电池主要吸收400nm到900nm左右的光，对400nm以下的光(紫光和紫外光)有很低的量子效率，因此造成400nm以下太阳光能的很大损失。如果想要进一步提高太阳能的利用率，增加太阳能电池的光电转换效率，就必需充分利用这部分的太阳光能。
纳米微粒，特别是量子点材料，由于其特殊的量子尺寸效应，使其成为当前光电材料与器件的研究热点。许多纳米量子点材料在紫光或紫外光(400nm以下)激发下可以发出波长在400nm～700nm范围内的可见光，而且控制量子点的尺寸能得到多种波段的光发射(蓝、绿、红等)，而晶体硅太阳能电池对这部分光有较高的量子效率。如果根据需要将纳米量子点材料应用到太阳能电池中，将太阳光谱中400nm以下的紫光和紫外光成分转换到400～700nm内的可见光，就能使晶体硅更有效地吸收太阳光能从而提高太阳能电池的光电转换效率。
目前常用于宽带减反射膜、防眩光涂层、高效绝热层、声阻抗耦合材料、低介电常数绝缘层、超高速集成电路基片以及分离薄膜、过滤薄膜、催化薄膜等，在光学、热学、声学、电学和化学等领域具有广阔的应用前景。通过溶胶-凝胶法制备二氧化硅薄膜已经被广泛的研究，经文献查阅有以下介绍。
文献1：王娟等：“纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征”功能材料36(2005)第54～56页，以正硅酸乙酯为原料，采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜。并指出适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s，制得的多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整，其薄膜厚度为400～1000nm，折射率为1.09～1.24，薄膜的介电常数为1.5～2.5。该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构，二氧化硅微粒直径为10～20nm。
文献2：林雪晶等：“有序介孔二氧化硅薄膜的制备及性能”过程工程学报7(2007)第164～167页，以十六烷基三甲基溴化铵为模板剂，正硅酸乙酯为无机前驱体，在酸性条件下，采用溶胶-凝胶方法，用蒸发诱导自组装工艺制备了二氧化硅透明介孔薄膜。透射电子显微镜图显示热处理后的薄膜具有高度有序的六方相结构孔道，由椭偏仪测得热处理后薄膜的折射率低至1.18，厚度在180nm左右，阻抗分析仪测得薄膜的介电常数为2.14，薄膜经过六甲基二硅胺烷表面修饰后具有良好的疏水性能和热稳定性，并指出该薄膜可以作为低介电材料。
文献3：付甜等：“溶胶-凝胶法制备宽带减反膜”功能材料5(2003)第579～584页，为了克服单层减反射膜剩余反射高，色彩还原性能差的缺点，需要制备宽带减反膜，纳米多孔二氧化硅薄膜可以实现很好的宽带减反效果。该文献介绍了用光学薄膜设计程序模拟了光学参数的变化对薄膜光学性能的影响，优化了薄膜的光学参数。实验上通过酸碱两步法和溶胶-凝胶技术制备了折射率梯度的纳米多孔SiO2宽带减反膜。采用椭偏仪、场发射扫描电镜、紫外-可见分光光度计等方法研究薄膜的光学特性和表面形貌，结果表明实验制备的二氧化硅薄膜具有可控的纳米多孔结构，折射率在1.18～1.43之间可连续调节，形成的宽带减反膜在可见光区域的平均反射率仅为0.44％。
文献4：吴广明等：“一种新的溶胶-凝胶方法来合成可控制折射率的纳米多孔硅薄膜-作为宽带的减反射膜”，材料科学和工程-B(Materials Scienceand Engineering B)，78(2～3)2000第135～139页。这篇文章主要使用酸碱两步催化制备出折射率在1.18到1.42连续的可控的二氧化硅薄膜，并发现通过加上这层硅薄膜可以减少太阳光谱在薄膜表面的反射，减少率从1.5％到7％不等。
文献5：C.Ballif，J.Dicker，D.Borchert和T.Hofmann：“在太阳能电池封装玻璃上制备多孔二氧化硅减反射层，从而提高太阳能电池的年产量”，太阳能材料和太阳能电池(Solar Energy Materials&Solar Cells)82(2004)第331～344页。在这篇文章中主要研究了通过溶胶-凝胶法在太阳能封装玻璃表面制备一层多孔二氧化硅减反射层，在太阳能电池标准测试条件下所得的结果和没有二氧化硅减反射层相比，加了二氧化硅减反射层的模型的开路电流增加了2.65％，通过计算，加了二氧化硅减反射层的太阳能电池模型每年可多获得3.4～3.7％的能量。
文献6：Diaw D：“通过离子注入法将稀土铕注入SiO2用来提高硅太阳能电池的效率”，太阳能材料和太阳能电池(Solar Energy Materials&SolarCells)53(3～4)1998第379～383页，通过离子注入法将稀土铕注入到二氧化硅减反射层里，这个减反射层是直接制备在硅太阳能电池的表面。通过控制一定的稀土浓度比，在太阳能电池标准测试条件下和没有加稀土相比较，加入稀土后使电池的相对效率提高了近58％。
文献7：杨平等：“二氧化硅凝胶里硫化锌纳米颗粒的发光情况”材料科学和工程-B(Materials Science and Engineering B)97(2003)第149～153，主要研究了通过溶胶-凝胶法将硫化锌纳米颗粒参杂到二氧化硅凝胶里，并研究了二氧化硅凝胶里掺杂和不掺杂硫化锌的发光情况，发现加入硫化锌的凝胶要比没有加硫化锌的发光强度强好几倍。
文献8：T.S.Vaishnavi等：“氧化锌纳米颗粒在多孔二氧化硅里的光学特性”Materials Letters 62(2008)第1649～1651页，报道了多孔二氧化硅里氧化锌的合成和其发光特征。合成的样品经过荧光光谱仪测量在以320nm波长的激发下，样品的发射光谱在350nm和405nm。
上述文献1～4，主要介绍制备二氧化硅薄膜和宽带减反射膜；文献5介绍了通过溶胶-凝胶法在太阳能电池封装玻璃表面制备一层多孔二氧化硅减反射层，通过计算，加了二氧化硅减反射层的太阳能电池模型每年可多获得3.4～3.7％的能量；文献6介绍了通过改变太阳光谱从而来提高太阳能电池效率，这里所用的材料是稀土元素，稀土元素具有很多的能带系，是很好的发光材料，在很多特殊领域有不可替代的作用，稀土铕在紫外激发下可以发射可见波段的光已有很多的相关报道，所以文献6就是利用了稀土铕的这种独特属性，从而可以用来提高太阳能电池的转换效率；文献7介绍了硫化锌加入到二氧化硅凝胶(没有经过热处理)里的发光情况，研究发现加入硫化锌量子点使整个凝胶的发光增强(以紫光及紫外激发，发射谱在450nm左右)；文献8介绍了氧化锌量子点的合成和发光情况，在320nm的紫外光激发下，它的发射谱在350nm和405nm，而且文献7、文献8所描述的光波转换波长并非适合晶体硅的吸收(＞500nm)。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足而提供的一种硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法，它将加入纳米量子点微粒的二氧化硅溶胶，涂装在太阳能电池或封装玻璃表面制成透明光波转换层薄膜，通过控制二氧化硅溶胶中纳米微粒的成分、尺寸和含量将太阳光中的紫光和紫外光转换成适合于太阳能电池吸收的可见光，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
实现本发明目的的具体技术方案是：一种硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法，特点是将CdS或CdTe量子点材料掺入到二氧化硅溶胶体制得量子点光波转换复合材料，然后涂装在硅基太阳能电池表面形成量子点光波转换层，其制备包括以下步骤：
a、二氧化硅溶胶体的制备
将1.27mol/L的正硅酸乙酯、无水乙醇、去离子水和2mol/L的盐酸按体积比为1∶2.5∶0.8∶0.025混合，然后采用热溶剂法、化学溶胶法、固相/液相沉淀反应法、自组装法或微影刻蚀法制得二氧化硅的溶胶溶液。
b、量子点纳米材料的制备
将氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、硫化钠(Na2S·9H2O)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)按摩尔比为1∶1∶2×10-3混合，在室温下搅拌2小时，得CdS量子点纳米材料；将Te粉、氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、巯基乙酸和硼氢化钠(NaBH4)水溶液按摩尔比为2∶1∶5∶2混合反应，搅拌反应2小时，得CdTe量子点纳米材料。
c、量子点光波转换复合材料的合成
将上述制备的二氧化硅溶胶、量子点纳米材料按重量比为5∶2混合，在室温下搅拌3小时，得量子点光波转换复合材料。
d、太阳能电池表面的涂装
将上述量子点光波转换复合材料均匀地涂覆在硅太阳能电池表面，然后在压力小于100Pa的真空条件下或惰性气体的保护下进行加热处理，在硅太阳能电池表面形成一透明的光波转换膜层，其热处理温度为450℃、时间为1小时。
所述硅基太阳能电池为多晶硅、单晶硅、非晶硅或微晶硅太阳能电池。
所述涂装为丝网印刷、旋涂、喷涂、化学沉积或提拉法。
本发明对400～900nm范围内的光有很高的透过率，并可将太阳光中400nm以下的紫光和紫外光成分转换到400～700nm内的可见光，可提高硅基太阳能电池的光电转换效率，与现有技术相比具有光电转换率高、化学和热稳定性好、制备方法简单、成本低的优点，本发明可使太阳能电池的光电转换率提高2～15％，从而大大降低现有太阳能电池的综合成本，有利于太阳能电池的规模化应用和普及。
附图说明
图1为硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的结构示意图
图2为实施例1的量子点光波转换层发射光谱图
图3为实施例1的量子点光波转换层电流-电压曲线图
图4为实施例2的量子点光波转换层电流-电压曲线图
图5为本发明量子点波转换薄膜层的透射谱图
具体实施方式
参阅附图1，将CdS或CdTe量子点材料掺入到二氧化硅溶胶体制得量子点光波转换复合材料，然后涂装在硅基太阳能电池表面形成量子点光波转换层，下面通过实施例对本发明作进一步的详细说明：
实施例1
将CdS量子点材料掺入到二氧化硅溶胶体制得量子点光波转换复合材料，然后涂装在硅基太阳能电池表面形成量子点光波转换层，制备包括以下步骤：
a、二氧化硅溶胶体的制备
取浓度为1.27mol/L的正硅酸乙酯10mL、无水乙醇25mL、2mol/L的盐酸0.25ml和8mL的去离子水混合，然后采用热溶剂法将混合液在50℃的水浴里磁力搅拌3小时，得二氧化硅的溶胶溶液。
b、CdS量子点纳米材料的制备
取3.2mmol/L的氯化镉(CdCl2·2.5H2O)溶液25ml与质量为5％的聚乙烯吡咯烷酮溶液(PVP)10ml在室温下搅拌2小时，然后将3.2mmol/L的硫化钠(Na2S·9H2O)溶液15ml滴加在上述混合溶液中搅拌反应2小时，得CdS量子点纳米材料。
c、CdS量子点光波转换复合材料的合成
将上述制备的二氧化硅溶胶和CdS量子点纳米材料按重量比为5∶2混合，在室温下搅拌3小时，得CdS量子点光波转换复合材料。
d、太阳能电池表面的涂装
将上述CdS量子点光波转换复合材料均匀地旋涂在硅太阳能电池表面，然后在压力小于100Pa的真空条件下，加热温度为450℃，热处理1小时，形成一层薄的透明光波转换膜。
参阅附图2，对上述制备的硅太阳能电池表面上形成的CdS量子点光波转换层用荧光分光光度计测试其薄膜的发光在360nm紫外光激发下发出波峰为550nm左右的发射光谱图。
参阅附图3，用300W模拟的太阳光对上述制备的硅太阳能电池表面上形成的CdS量子点光波转换层照射，可以看出，在太阳能电池表面形成透明光波转换层后，开路电压为620mV，基本保持不变；短路电流从5A提高到5.3A，增光电转换效率提高7％左右。
实施例2
将CdTe量子点材料掺入到二氧化硅溶胶体制得量子点光波转换复合材料，然后涂装在硅基太阳能电池表面形成量子点光波转换层，制备包括以下步骤：
a、二氧化硅溶胶体的制备
取浓度为1.27mol/L的正硅酸乙酯10mL、无水乙醇25mL、2mol/L的盐酸0.25ml和8mL的去离子水混合，然后采用热溶剂法将混合液在50℃的水浴里磁力搅拌3小时，得二氧化硅的溶胶溶液。
b、CdTe量子点纳米材料的制备
将0.005molTe粉置于烧杯中，加入10ml(2.2×10-1mol/L)硼氢化钠(NaBH4)水溶液，静置数分钟待黑色的Te粉逐渐溶解，形成无色透明的NaHTe水溶液，取1mol/L的氯化镉(CdCl2·2.5H2O)水溶液10ml与0.0015mol的巯基乙酸(TGA)0.1ml混合后，用1mol/L的NaOH溶液滴加在CdCl2·2.5H2O与巯基乙酸的混合液中，使得混合液的pH值为9，然后在搅拌时加入上述制备的NaHTe水溶液，将此溶液加热至沸腾并回流2小时，制得CdTe量子点纳米材料。
c、量子点光波转换复合材料的合成
将上述制备的二氧化硅溶胶、CdTe量子点纳米材料按重量比为5∶2在室温下搅拌3小时，得CdTe量子点光波转换复合材料。
e、太阳能电池表面的涂装
将上述CdTe量子点光波转换复合材料均匀地旋涂在硅太阳能电池表面，然后在氩气或氮气的保护下进行加热处理，加热温度为450℃，热处理1小时，形成一层薄的透明光波转换膜。
参阅附图4，用300W模拟的太阳光对上述制备的硅太阳能电池表面上形成的CdTe量子点光波转换层照射，可以看出，在太阳能电池表面形成透明光波转换层后，开路电压为615mV，基本保持不变；短路电流从5.1A提高到5.5A，增光电转换效率提高9％左右。
参阅附图5，对上述制备的硅太阳能电池表面上形成的CdS量子点光波转换层进行透射测试，在可见光范围内，其薄膜的透过率都大于90％。
以上实施例只是对本发明做进一步说明，并非用以限制本发明专利，凡为本发明等效实施，均应包含于本发明专利的权利要求范围之内。

Claims (3)

1、一种硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法，其特征在于将CdS或CdTe量子点材料掺入到二氧化硅溶胶体制得量子点光波转换复合材料，然后涂装在硅基太阳能电池表面形成量子点光波转换层，制备包括以下步骤：
a、二氧化硅溶胶体的制备
将1.27mol/L的正硅酸乙酯、无水乙醇、去离子水和2mol/L的盐酸按体积比为1∶2.5∶0.8∶0.025混合，然后采用热溶剂法、化学溶胶法、固相/液相沉淀反应法、自组装法或微影刻蚀法制得二氧化硅的溶胶溶液；
b、量子点纳米材料的制备
将氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、硫化钠(Na2S·9H2O)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)按摩尔比为1∶1∶2×10-3混合，在室温下搅拌2小时，得CdS量子点纳米材料；将Te粉、氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、巯基乙酸和硼氢化钠(NaBH4)水溶液按摩尔比为2∶1∶5∶2混合反应，搅拌反应2小时，得CdTe量子点纳米材料；
c、量子点光波转换复合材料的合成
将上述制备的二氧化硅溶胶、量子点纳米材料按重量比为5∶2混合，在室温下搅拌3小时而得量子点光波转换复合材料；
d、太阳能电池表面的涂装
将上述量子点光波转换复合材料均匀地涂覆在硅太阳能电池表面上，然后在压力小于100Pa的真空条件下或惰性气体的保护下进行加热处理，在硅太阳能电池表面形成一透明的光波转换膜层，其热处理温度为4500C、时间为1小时。
2、根据权利要求1所述硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法，其特征在于所述硅基太阳能电池为多晶硅、单晶硅、非晶硅或微晶硅太阳能电池。
3、根据权利要求1所述硅基太阳能电池表面量子点光波转换层的制备方法，其特征在于所述涂装为丝网印刷、旋涂、喷涂、化学沉积或提拉法。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101894678A (zh) * 2010-06-07 2010-11-24 天津大学 海绵状量子点太阳能电池及其制备方法
CN101905953A (zh) * 2010-07-14 2010-12-08 和合科技集团有限公司 一种镀有可钢化减反射膜层的光伏玻璃及其制作方法
CN101938229A (zh) * 2010-09-07 2011-01-05 西安信唯信息科技有限公司 一种利用太阳热能控制太阳能光电转换效率的方法
CN101950768A (zh) * 2010-09-07 2011-01-19 西安信唯信息科技有限公司 一种提高太阳能光电转换效率的方法
CN102544180A (zh) * 2012-02-08 2012-07-04 南京大学 一种硫系太阳能电池及其制作方法
CN103025682A (zh) * 2010-08-06 2013-04-03 金泰雄 具有非晶陶瓷覆层的板件及其用途和制造方法
CN103094365A (zh) * 2013-01-16 2013-05-08 华东理工大学 一种具有发光功能的晶硅太阳能电池减反射膜及其制备工艺
CN103412435A (zh) * 2013-07-24 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及显示装置
CN104332514A (zh) * 2014-07-18 2015-02-04 河南科技大学 一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN104737303A (zh) * 2012-05-21 2015-06-24 第一太阳能有限公司 对光伏装置提供氯化物处理的方法和氯化物处理过的光伏装置
CN106558627A (zh) * 2016-12-06 2017-04-05 大连海事大学 基于PbS量子点匹配减反射膜的太阳能荧光聚集器及其制备方法
CN109950330A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 扬州大学 一种CsPbBr3量子点-硅基复合结构太阳能电池
CN109988370A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 比亚迪股份有限公司 光波转换材料及其制备方法和太阳能电池
CN110137294A (zh) * 2019-05-20 2019-08-16 深圳市科创数字显示技术有限公司 一种氮化物多结太阳能电池及其制备方法
CN110246908A (zh) * 2019-07-18 2019-09-17 深圳黑晶光电科技有限公司 一种光谱下转换减反膜、制作方法及叠层太阳能电池
CN112694835A (zh) * 2020-12-08 2021-04-23 江苏安纳泰环保科技有限公司 一种用于太阳能电板表面减反膜的量子点复合涂布液及其制备方法和应用
CN112768533A (zh) * 2020-10-30 2021-05-07 上海西源新能源技术有限公司 一种ZnO量子点掺杂的SiO2下转换减反射膜及其制备方法
CN113130692A (zh) * 2021-06-03 2021-07-16 苏州大学 一种硅异质结太阳能电池

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102592840B (zh) * 2012-03-19 2013-11-20 天津师范大学 量子点敏化氧化物/碳纳米管复合纤维太阳电池光阳极

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1263677C (zh) * 2004-04-22 2006-07-12 华中师范大学 纳米金属或金属氧化物均布于碳纳米管表面的复合材料制备

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101894678A (zh) * 2010-06-07 2010-11-24 天津大学 海绵状量子点太阳能电池及其制备方法
CN101905953A (zh) * 2010-07-14 2010-12-08 和合科技集团有限公司 一种镀有可钢化减反射膜层的光伏玻璃及其制作方法
CN103025682A (zh) * 2010-08-06 2013-04-03 金泰雄 具有非晶陶瓷覆层的板件及其用途和制造方法
CN101938229A (zh) * 2010-09-07 2011-01-05 西安信唯信息科技有限公司 一种利用太阳热能控制太阳能光电转换效率的方法
CN101950768A (zh) * 2010-09-07 2011-01-19 西安信唯信息科技有限公司 一种提高太阳能光电转换效率的方法
CN101950768B (zh) * 2010-09-07 2015-11-25 西安信唯信息科技有限公司 一种提高太阳能光电转换效率的方法
CN102544180A (zh) * 2012-02-08 2012-07-04 南京大学 一种硫系太阳能电池及其制作方法
CN104737303A (zh) * 2012-05-21 2015-06-24 第一太阳能有限公司 对光伏装置提供氯化物处理的方法和氯化物处理过的光伏装置
CN103094365A (zh) * 2013-01-16 2013-05-08 华东理工大学 一种具有发光功能的晶硅太阳能电池减反射膜及其制备工艺
WO2015010370A1 (zh) * 2013-07-24 2015-01-29 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示屏及显示装置
CN103412435B (zh) * 2013-07-24 2015-11-25 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及显示装置
CN103412435A (zh) * 2013-07-24 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及显示装置
US9547195B2 (en) 2013-07-24 2017-01-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Liquid crystal display and display device
CN104332514A (zh) * 2014-07-18 2015-02-04 河南科技大学 一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN106558627A (zh) * 2016-12-06 2017-04-05 大连海事大学 基于PbS量子点匹配减反射膜的太阳能荧光聚集器及其制备方法
CN109988370B (zh) * 2017-12-29 2021-01-01 比亚迪股份有限公司 光波转换材料及其制备方法和太阳能电池
CN109988370A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 比亚迪股份有限公司 光波转换材料及其制备方法和太阳能电池
CN109950330A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 扬州大学 一种CsPbBr3量子点-硅基复合结构太阳能电池
CN110137294A (zh) * 2019-05-20 2019-08-16 深圳市科创数字显示技术有限公司 一种氮化物多结太阳能电池及其制备方法
CN110246908A (zh) * 2019-07-18 2019-09-17 深圳黑晶光电科技有限公司 一种光谱下转换减反膜、制作方法及叠层太阳能电池
CN112768533A (zh) * 2020-10-30 2021-05-07 上海西源新能源技术有限公司 一种ZnO量子点掺杂的SiO2下转换减反射膜及其制备方法
CN112694835A (zh) * 2020-12-08 2021-04-23 江苏安纳泰环保科技有限公司 一种用于太阳能电板表面减反膜的量子点复合涂布液及其制备方法和应用
CN112694835B (zh) * 2020-12-08 2022-04-29 江苏安纳泰环保科技有限公司 一种用于太阳能电板表面减反膜的量子点复合涂布液及其制备方法和应用
CN113130692A (zh) * 2021-06-03 2021-07-16 苏州大学 一种硅异质结太阳能电池

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