CN101554756A - 一种可提高切割成品率的切割道 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种可提高切割成品率的切割道，其设置在晶圆上且将晶圆区隔为多个晶粒，该切割道上设置有多个测试模块，该测试模块具有多个金属垫以及多条连接在金属垫上的金属导线。现有技术中金属导线排布在金属垫外侧且接近晶粒易在切割时产生损伤晶粒的金属碎屑。本发明的金属垫中具有一沿切割道方向贯通并用于设置金属导线的容置凹槽，该容置凹槽终止于该金属垫的顶层金属上，该金属导线经过该容置凹槽穿过或连接在该金属垫上。采用本发明可避免金属导线距离晶粒太近而在切割时产生可损伤晶粒的金属碎屑，如此将大大提高切割工艺的成品率，同时也有效增大了切割道上的布线空间。

Description

一种可提高切割成品率的切割道
技术领域
本发明涉及晶圆切割工艺，尤其涉及一种可提高切割成品率的切割道。
背景技术
在半导体制造领域，当在晶圆上制成晶粒(die)后，还需要通过切割工艺将晶圆切割为单个的晶粒，之后将该些晶粒封装形成可直接使用的芯片。如图1所示，切割道10(Scribe line)将晶圆1区隔为多个晶粒11，在进行切割工艺时沿着切割道10将晶圆1切割成单个的晶粒11。切割道10的宽度通常为80微米，为尽可能的利用晶圆上的空间，通常会在切割道10上设置用于进行晶圆验收测试(wafer acceptance testing；简称WAT)的测试模块100(test key)。
参见图2，该测试模块100具有多个金属垫100a和多条连接在金属垫100a上的金属导线100b，金属垫100a与晶粒11上的金属互联层同时形成。
参见图3，其为现有技术中的金属垫100a的剖视图，如图所示，现有技术的金属垫100a具有第一层金属M1、第一层金属插塞层V1、第二层金属层M2、...、顶层金属插塞层TV、顶层金属TM，其所包括的每层金属上下对齐，且其均为边长等于70微米的正方形。在现有技术中，图2中所示的金属导线100b在与金属垫100a互连时，从金属垫100a的外侧与金属垫100a实现连接，由于金属垫100a与切割道10的中心重合，于是金属导线100b通常分布在距离晶粒5微米的范围内，当完成WAT测试并沿切割道10将晶圆1切成单个的晶粒11时，由于金属导线100b距离晶粒11的距离非常近，此时金属导线100b产生的金属碎屑易损伤晶粒11，严重时会造成晶粒11的报废，如此会大大降低切割工艺的成品率。
因此，如何提供一种可提高切割成品率的切割道以避免金属导线距离晶粒太近而在切割时形成可损伤晶粒的金属碎屑，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提高切割成品率的切割道，通过所述切割道可避免金属导线与晶粒间的距离过近而使金属导线在切割时形成易损伤晶粒的金属碎屑，从而可大大提高晶圆切割的成品率。
本发明的目的是这样实现的：一种可提高切割成品率的切割道，其设置在晶圆上且将晶圆区隔为多个晶粒，该切割道上设置有多个测试模块，该测试模块具有多个金属垫以及多条连接在金属垫上的金属导线，该金属垫底部具有一沿切割道方向贯通并用于设置金属导线的容置凹槽，该容置凹槽终止于该金属垫的顶层金属上，该金属导线经过该容置凹槽穿过或连接在该金属垫上。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，该金属垫由多层金属组成。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，该金属垫排布在切割道的中心区域。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，该容置凹槽位于金属垫底部的中心区域。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，该容置凹槽的宽度占该金属垫总宽度的10％至80％。
与现有技术中连接在金属垫的金属导线从金属垫外侧连接至金属垫，从而造成切割晶圆时金属导线所产生金属碎屑易损伤晶粒相比，本发明的可提高切割成品率的切割道在金属垫的底部设置一沿切割道方向且贯通的容置凹槽，金属导线途径该容置凹槽穿过或连接在金属垫上，从而避免了在将晶圆切割成单个晶粒时距离晶粒过近的金属导线产生的高能量金属碎屑损伤晶粒，如此可大大提高晶圆切割时的成品率，同时也有效增大了切割道上的布线空间。
附图说明
本发明的可提高切割成品率的切割道由以下的实施例及附图给出。
图1为具有切割道和晶粒的晶圆的主视图；
图2为测试模块的组成结构示意图；
图3为现有技术中金属垫的剖视图；
图4为本发明的可提高切割成品率的切割道上金属垫的剖视图。
具体实施方式
以下将对本发明的可提高切割成品率的切割道作进一步的详细描述。
参见图1，本发明的可提高切割成品率的切割道10设置在晶圆1上，且将晶圆1区隔为多个晶粒11，所述切割道10上设置有多个测试模块100。在本实施例中，切割道10的宽度为80微米。
参见图2，所述测试模块100具有多个金属垫100a以及多条连接在金属垫100a上的金属导线100b，其中，所述金属导线100b可用于进行互连或用于测试。
参见图4，本发明中的金属垫100a具有第一层金属M1、第一层金属插塞层V1、第二层金属层M2、...、顶层金属插塞层TV、顶层金属TM，本发明的金属垫100a底部具有一沿切割道10方向贯通并用于设置金属导线100b的容置凹槽G1，所述容置凹槽G1终止于所述金属垫100a的顶层金属TM上，所述容置凹槽G1的宽度占金属垫100a总宽度的10％至80％。在本实施例中，所述金属垫100a的每一金属层均为边长等于70微米的正方形，所述容置凹槽G1的宽度为15微米。如此金属导线100b可通过一个或多个容置凹槽G1连接至金属垫100a。在进行切割工艺时，与晶粒11最近的区域中没有金属导线100b，如此可避免由金属导线100b在切割时所产生的金属碎屑损伤晶粒11。
综上所述，本发明的可提高切割成品率的切割道在金属垫的中设置一沿切割道方向且贯通的容置凹槽，金属导线途径所述容置凹槽将测试单元与金属垫连接，从而避免了在将晶圆切割成单个晶粒时距离晶粒过近的金属导线产生的高能量金属碎屑损伤晶粒，如此可大大提高晶圆切割时的成品率，同时也有效增大了切割道上的布线空间。

Claims (5)

1、一种可提高切割成品率的切割道，其设置在晶圆上且将晶圆区隔为多个晶粒，该切割道上设置有多个测试模块，该测试模块具有多个金属垫以及多条连接在金属垫上的金属导线，其特征在于，该金属垫底部具有一沿切割道方向贯通并用于设置金属导线的容置凹槽，该容置凹槽终止于该金属垫的顶层金属上，该金属导线经过该容置凹槽穿过或连接在金属垫上。
2、如权利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，该金属垫由多层金属组成。
3、如权利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，该金属垫排布在切割道的中心区域。
4、如权利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，该容置凹槽位于金属垫底部的中心区域。
5、如权利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，该容置凹槽的宽度占该金属垫总宽度的10％至80％。
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