发明内容
本发明可解决现有技术的一个或多个问题。
本发明的优选实施例可提供一种负载驱动电路和设置负载驱动电路的负载电流的方法,其允许电荷泵电路以最优升压比率工作而不频繁地改变电荷泵电路的升压比率。
根据本发明的第一方面,提供了一种负载驱动电路,该负载驱动电路向由一个或多个发光二极管形成的负载提供电流以驱动该负载,所述负载驱动电路包括:
升压电路,其具有根据输入控制信号可改变的升压比率,并向负载提供电源;
电流设置电路,被配置以根据从外部输入的负载电流设置信号来设置将要提供给负载的电流的值;
恒流电路,被配置以产生和提供具有由所述电流设置电路设置的值的恒定电流;
确定电路,被配置以确定所述恒流电路是否能够提供所述恒定电流;和
控制电路,被配置以根据所述确定电路的确定结果来控制所述升压电路的升压比率,
其中
当输入用于改变电流的设置值的负载电流设置信号时,所述电流设置电路将电流的值设置为最大,并将电流的设置值逐级地向下减小到预定值,以及
每次所述电流设置电路将电流的设置值减小一级时,所述控制电路根据所述确定电路的确定结果来改变所述升压电路的升压比率,直到所述恒流电路提供具有由所述电流设置电路设置的电流值的电流。
优选地,当电流设置电路改变电流的值时,控制电路将升压电路的升压比率设置为最小,且根据确定电路的确定结果逐级地顺序增大升压比率,直到恒流电路提供具有由电流设置电路设置的电流值的电流。
优选地,当电流设置电路改变电流的值时,控制电路根据确定电路的确定结果,将升压电路的升压比率增大一级,或维持升压电路的当前升压比率,在预定的短时间段中将升压电路的升压比率减小一级,并根据确定电路的确定结果将升压电路的升压比率增大一级,以返回到原始值或维持当前升压比率。
优选地,配置确定电路以应用第一条件和第二条件,其中该第一条件用于确定是否需要增大升压电路的升压比率以用于恒流电路执行恒流操作,且该第二条件用于确定即使在升压电路的升压比率减小时恒流电路是否能够执行恒流操作,以及
控制电路控制确定电路来选择第一条件和第二条件之一。
优选地,所述确定电路包括:
选择电路,被配置以在将对应于所述第一条件的第一基准电压和对应于所述第二条件的第二基准电压输入到所述确定电路时,根据来自所述控制电路的控制信号,排他性地选择所述第一基准电压和第二基准电压之一;
电压比较电路,被配置以将由所述选择电路选择的第一基准电压和第二基准电压之一与在所述恒流电路和负载之间的连接部分的电压相比较,并产生和输出比较结果信号;以及
所述控制电路使得在增大升压比率时将所述第一基准电压输出到所述选择电路,并使得在减小升压比率时将所述第二基准电压输出到所述选择电路,并根据从所述电压比较电路输出的比较结果信号来调整升压比率。
优选地,该第一基准电压和第二基准电压是根据由电流设置电路设置的电流的值可改变的。
优选地,恒流电路根据由电流设置电路设置的电流的值产生可改变的第一基准电压,以及
确定电路根据由恒流电路产生的第一基准电压产生第二基准电压。
优选地,在开始时间,控制电路将升压电路的升压比率设置为最小,且根据驱动电流的确定结果逐级地顺序增大升压比率,直到恒流电路提供具有由电流设置电路设置的电流值的电流。
优选地,负载电流设置信号包括多个连续脉冲,所述连续脉冲的数目对应于由电流设置电路设置的电流值。
电流设置电路根据负载电流设置信号的第一脉冲将电流的值设置为最大,将指示正在调整电流的值的电流设置信号输出到控制电路,并在每次输入在负载电流设置信号中在第一脉冲之后的脉冲之一时,逐级地减小电流的值。
优选地,所述升压电路包括:
电荷泵电路,其具有由控制电路控制的升压比率;和
钳位电路,其将电荷泵电路的输出电压的上限电压钳位到预定值,且输出钳位的电压。
根据本发明的第二方面,提供了一种负载驱动电路的负载电流设置方法,用于向由一个或多个发光二极管形成的负载提供电流以驱动所述负载,所述负载驱动电路包括:
升压电路,具有根据输入控制信号可改变的升压比率,并向负载提供电源;和
电流提供电路,根据从外部输入的负载电流设置信号来设置将要提供给负载的电流的值,并产生和提供具有设置值的恒定电流,
所述负载电流设置方法包括步骤:
当输入用于改变电流的值的负载电流设置信号时,将电流的值设置为最大;
将电流的值逐级地向下减小到预定值;
每次将电流的值减小一级时,确定是否能够将恒定电流提供给负载,并根据确定结果改变升压比率,直到将具有设置值的电流提供给负载。
优选地,当改变电流的值时,将升压电路的升压比率设置为最小,且根据确定结果逐级地顺序增大升压比率,直到将具有设置值的电流提供给负载。
优选地,当改变电流的值时,根据确定结果将升压电路的升压比率增大一级或维持升压电路的升压比率,在预定的短时间段中将升压电路的升压比率减小一级,并根据确定结果将升压电路的升压比率增大一级,且所述升压比率返回到原始值或维持当前升压比率。
优选地,应用第一条件和第二条件,其中所述第一条件用于确定是否需要增大升压电路的升压比率以向负载提供恒定电流,且所述第二条件用于确定即使升压电路的升压比率减小时是否能够将恒定电流提供到负载,以及
选择第一条件和第二条件之一以将恒定电流提供到负载。
优选地,排他性地选择对应于第一条件的第一基准电压和对应于第二条件的第二基准电压之一,
将第一基准电压和第二基准电压中所选的一个与在恒定电流提供电路和负载之间的连接部分的电压相比较,
当增大升压比率时,选择第一基准电压,
当减小升压比率时,选择第二基准电压,以及
根据比较的结果调整升压比率。
优选地,所述第一基准电压和第二基准电压是根据电流的设置值可改变的。
优选地,在开始时间,将升压电路的升压比率设置为最小,且根据确定结果逐级地顺序增大升压比率,直到将设置的恒定电流提供给所述负载。
优选地,所述负载电流设置信号包括多个连续脉冲,所述连续脉冲的数目对应于由电流设置电路设置的电流值,
根据负载电流设置信号的第一脉冲将电流的值设置为最大,以及
每次输入负载电流设置信号中第一脉冲之后的脉冲之一时,逐级地减小电流的值。
根据本发明的负载驱动电路和负载电流设置方法,当输入用于改变电流的值的负载电流设置信号时,将电流的值设置为最大,且将电流的值逐级地减小到预定值;每次将电流的值减小一级,确定是否能够将恒定电流提供给负载,且根据确定结果改变升压比率,直到将具有设置值的电流提供给负载。由于上述操作,能够在设置负载电流之后设置适当的电荷泵电路的升压比率,而不频繁地改变升压比率,且这防止了效率的恶化。
通过下面参考附图给出的优选实施例的详细描述,本发明的这些和其它目的、特征和优点将变得更为明显。
具体实施方式
下面,将参考附图说明本发明的优选实施例。
第一实施例
图1是示范根据本发明第一实施例的负载驱动电路的电路图。
如图1所示,负载驱动电路1将从诸如电池的直流电源输入到输入端IN的电源电压Vbat进行增压,产生输出电压Vout,并通过输出端OUT将输出电压Vout提供到发光二极管10a和发光二极管10b,以驱动发光二极管10a和发光二极管10b。
负载驱动电路1包括逻辑电路部分2和模拟电路部分3。逻辑电路部分2包括控制电路11和电流设置电路12。将负载电流设置信号Sa从外部输入到电流设置电路12。
电流设置电路12输出指示正在执行电流设置的信号Sf。例如,当没有在执行电流设置的操作时,信号Sf处于高电平,且当正在执行用于电流设置的操作时,信号Sf处于低电平。在正在执行电流设置的操作的时间段期间,将低电平信号Sf输出到控制电路11,并将从外部输入的负载电流设置信号Sa转换为包括(n+1)个位信号Di0到Din的电流设置位信号Sb。
模拟电路部分3包括电荷泵电路15、钳位电路16、确定电路17和恒流电路18。
电荷泵电路15将电源电压Vbat进行增压。当电荷泵电路15的输出信号过高时,钳位电路16将电荷泵电路的输出电压钳位到预设值,并将钳位的电压输出到输出端OUT。
当恒流电路18和发光二极管10a之间的连接部分的电压Vdin1和恒流电路18和发光二极管10b之间的连接部分的电压Vdin2之一小于基准电压时,确定电路17产生升压比率控制信号Sc,并将升压比率控制信号Sc输出到控制电路11。确定电路17包括OR电路31、比较器32、33、选择器34、35和电源36、37。
应该注意,控制电路11对应于本申请的权利要求中的“控制电路”,电流设置电路12对应于本申请的权利要求中的“电流设置电路”,电荷泵电路15和钳位电路16对应于本申请的权利要求中的“升压电路”,且确定电路17对应于本申请的权利要求中的“确定电路”,恒流电路18对应于本申请的权利要求中的“恒流电路”,电流设置电路12和恒流电路18对应于本申请的权利要求中的“电流提供电路”。此外,选择器34、35对应于本申请的权利要求中的“选择电路”,且OR电路31和比较器32、33对应于本申请的权利要求中的“电压比较电路”。
恒流电路18产生具有对应于电流设置位信号Sb的值的恒定电流,并将所述恒定电流提供给发光二极管10a、10b,其中所述电流设置位信号Sb是由电流设置电路12响应于负载电流设置信号Sa而产生的。恒流电路18包括D/A转换器41、运算放大器42、PMOS晶体管M1到M3以及NMOS晶体管M4到M9和电阻器R1。
将电流设置位信号Sb输入到D/A转换器41,且D/A转换器41的输出端连接到运算放大器42的非反向输入端。
PMOS晶体管M1到M3形成电流镜像电路,PMOS晶体管M1到M3的源极连接到电源电压Vbat,PMOS晶体管M1到M3的栅极彼此连接,且PMOS晶体管M1到M3的栅极的连接部分连接到PMOS晶体管M1的漏极。
NMOS晶体管M4和电阻器R1串联连接在PMOS晶体管M1的漏极和地电位之间,PMOS晶体管M4的栅极连接到运算放大器42的输出端,且NMOS晶体管M4和电阻器R1的连接部分连接到运算放大器42的反向输入端。
NOMS晶体管M5连接在PMOS晶体管M2的漏极和地电位之间。NOMS晶体管M5的栅极连接到NMOS晶体管M6的栅极,且NMOS晶体管M5的栅极和NMOS晶体管M6的栅极的连接部分连接到NMOS晶体管M5的漏极。
NMOS晶体管M6和NMOS晶体管M7串联连接在PMOS晶体管M3的漏极和地电位之间,且PMOS晶体管M3和NMOS晶体管M6的连接部分连接到NMOS晶体管M7到M9的栅极。NMOS晶体管M8连接在连接端Ta和地电位之间,且NMOS晶体管M9连接在连接端Tb和地电位之间。从NMOS晶体管M6和NMOS晶体管M7的连接部分提取第一基准电压Vref。
将第一基准电压Vref输入到每个选择器34、35的输入端之一,将等于第一基准电压Vref加上电源36的电压Vs的电压输入到选择器34的另一输入端,且将等于第一基准电压Vref加上电源37的电压Vs的电压输入到选择器35的另一输入端。将来自控制电路11的条件选择信号Se输入到选择器34、35的控制信号输入端。当将处于低电平的条件选择信号Se输入到选择器34、35时,选择器34、35输出第一基准电压Vref,且当将处于高电平的条件选择信号Se输入到选择器34、35时,选择器34、35输出第二基准电压Vref,该第二基准电压Vref等于第一基准电压Vref加上电压Vs(Vref+Vs)。
选择器34的输出端连接到比较器32的非反向输入端,且比较器32的反向输入端连接到NMOS晶体管M8和连接端Ta的连接部分。
选择器35的输出端连接到比较器33的非反向输入端,且比较器33的反向输入端连接到NMOS晶体管M9和连接端Tb的连接部分。
比较器32、33的输出端连接到OR电路31的相应的输入端,且将升压比率控制信号Sc从OR电路31的输出端输出到控制电路11。
将电源电压Vba输入到电荷泵电路15,由钳位电路16钳位电荷泵电路15的输出电压,且通过输出端OUT输出。发光二极管10a的阳极和发光二极管10b的阳极连接到输出端OUT,发光二极管10a的阴极连接到连接端Ta,且发光二极管10b的阴极连接到连接端Tb。将来自控制电路11的状态变换信号Sd输入到电荷泵电路15,且根据该状态变换信号Sd在1,1.5和2之间切换电荷泵电路15的升压比率。
在如图1所示的电路中,由D/A转换器41的输出电压Vda确定流过发光二极管10a的负载电流io1和流过发光二极管10b的负载电流io2。运算放大器42控制NMOS晶体管M4的栅极电压,使得在NMOS晶体管M4和电阻器R1的连接部分的电压变为D/A转换器41的输出电压Vda。为此原因,假定电阻器R1的电阻值是r1,NMOS晶体管M4的漏极电流id4表示如下,
Id4=Vda/r1
并且漏极电流id4也成为PMOS晶体管M1的漏极电流。
如上所述,PMOS晶体管M1到M3形成电流镜像电路,且当至少PMOS晶体管M2、M3具有相同晶体管特性时,PMOS晶体管M2的漏极电流变得等于PMOS晶体管M3的漏极电流,且进一步,PMOS晶体管M2的漏极电流和PMOS晶体管M3的漏极电流变得与NMOS晶体管M4的漏极电流id4成比例。此外,PMOS晶体管M3的漏极电流变为NMOS晶体管M6的漏极电流和NMOS晶体管M7的漏极电流。因为NMOS晶体管M7到M9的栅极-源极电压相等,因此用作驱动晶体管的NMOS晶体管M8的漏极电流和NMOS晶体管M9的漏极电流也变得与NMOS晶体管M4的漏极电流id4成比例;因此恒流电路18能够以恒定电流驱动发光二极管10a和发光二极管10b中的每个。
为了以恒定电流驱动NMOS晶体管M8和NMOS晶体管M9,NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2应该大于或等于第一基准电压Vref,该第一基准电压Vref是NMOS晶体管M7的漏极电压。这是因为当NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2小于第一基准电压Vref时,NMOS晶体管M8和NMOS晶体管M9处于饱和模式,且不能实现恒流操作。
由于此原因,在比较器32中比较NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1与第一基准电压Vref,在比较器33中比较NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2与第一基准电压Vref,且当NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref时,将从OR电路31输出的升压比率控制信号Sc设置为高电平。之后该控制电路11使用状态变换信号Sd以将电荷泵电路15的升压比率增大一级,由此增大输出电压Vout。
接下来,将对控制电路11用于确定是否应该减小电荷泵电路15的升压比率的确定操作进行描述。
在该情况下,控制电路11将电荷泵电路15的当前升压比率减小一级,并将第二基准电压Vref输出到选择器34、35,其中该第二基准电压Vref等于第一基准电压Vref加上电压Vs(Vref+Vs)。在该情况下,当比较器32、33的输出信号处于低电平,且OR电路31输出低电平升压比率控制信号Sc时,控制电路11确定,即使当电荷泵电路15的升压比率减小一级时,仍然能够以恒定电流驱动发光二极管10a和发光二极管10b,并维持电荷泵电路15的当前升压比率减小一级的状态。例如,电压Vs是大约0.3伏。
相反,当比较器32、33的输出信号处于高电平时,控制电路11输出指示电荷泵电路15的升压比率应该返回到原始值的状态变换信号Sd。因为该确定操作仅使用非常短的时间段,因此人眼不能察觉到发光二极管10a和发光二极管10b的光量的闪动。由于此原因,当用作驱动晶体管的NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref时,控制电路11增大电荷泵电路15的升压比率。当用作驱动晶体管的NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2大于或等于第二基准电压(Vref+Vs)时,控制电路11减小电荷泵电路15的升压比率。
接下来,描述如图1所示的负载驱动电路1的操作。
图2是示出了根据本发明的负载驱动电路1的操作的时序图。
具体地,图2示出了根据负载电流设置信号Sa设置负载电流io1和负载电流io2的方法,该负载电流io1和负载电流io2分别是发光二极管10a和发光二极管10b的驱动电流。
注意,在图2中,假定负载电流io1和负载电流io2分别从电流值i3改变到电流值i5。
在图2中,负载电流设置信号Sa在时间t1处于低电平,且当该状态持续大约1ms或更长时,电流设置电路12将信号Sf设置为低电平,通知控制电路11正在执行设置负载电流,并产生和输出电流设置位信号Sb,使得负载电流io1和负载电流io2变为最大电流值i1。
当接收处于低电平的信号Sf时,控制电路11临时停止电荷泵电路15的操作,增大电荷泵电路15的升压比率到最大,例如2,且之后恢复电荷泵电路15的操作。电荷泵电路15具有软启动电路(没有示出),且在该时刻,电荷泵电路15的输出电流以一定斜率增大,且随着该输出电流的增大,负载电流io1和负载电流io2也以一定斜率增大。
在时间t2,负载电流设置信号Sa上升到高电平,且保持高电平直到负载电流io1和负载电流io2变为最大电流值i1。电流设置电路12将根据负载电流设置信号Sa获得的电流的设置值转换为电流设置位信号Sb,并将这样获得的电流设置位信号Sb输出到D/A转换器41。通过D/A转换器41的输出电压Vda确定发光二极管10a和发光二极管10b的驱动电流。
以此方式,因为在负载电流设置信号Sa下降到低电平之后,来自电流设置电路12的设置值立即是最大电流值i1,因此当电荷泵电路15开始操作时,将最大电流值i1提供给发光二极管10a和发光二极管10b。
当负载电流设置信号Sa在短于1ms的时间段内处于低电平之后,在时间t3时再次上升到高电平时,电流设置电路12将电流设置值设置为i2,该i2是仅次于最大电流值i1的第二大的电流值,且提供给发光二极管10a和发光二极管10b的电流的值改变为i2。
当在负载电流设置信号Sa在短于1ms的时间段内处于低电平之后,在时间t4时再次上升到高电平时,电流设置电路12将电流设置值设置为i3,该i3次于电流值i2,且提供给发光二极管10a和发光二极管10b的电流的值改变为i3。
类似地,当负载电流设置信号Sa在短于1ms的时间段内处于低电平之后,在时间t5时再次上升到高电平时,电流设置电路12将电流设置值设置为i4,该i4次于电流值i3,且提供给发光二极管10a和发光二极管10b的电流的值改变为i4。
进一步,当负载电流设置信号Sa在短于1ms的时间段内处于低电平之后,在时间t6时再次上升到高电平时,电流设置电路12将电流设置值设置为i5,该i5次于电流值i4,且提供给发光二极管10a和发光二极管10b的电流的值改变为i5。
之后,当负载电流设置信号Sa保持在高电平大约5ms时,电流设置电路12确定完成了设置负载电流的操作,并设置信号Sf为高电平。
以此方式,当设置提供给发光二极管10a和发光二极管10b的电流时,将提供给发光二极管10a和发光二极管10b的电流的值从最大的一个值逐级地减小。由于该原因,当负载电流io1和负载电流io2下降时,电源电压Vbat上升。结果,当电荷泵电路15的升压比率小就足够时,控制电路11如上所述地减小电荷泵电路15的升压比率。
图3是示出了根据本实施例的负载驱动电路1在开始时间的操作的流程图。
具体地,图3示出了将电源电压Vbat输入到图1所示的电路以将电路上电的操作和设置负载电流io1和负载电流io2的值的操作。
这里,假定在电流设置电路12中设置电流值i3。
在图3中,当将电源电压Vbat输入到输入端IN时,执行如图3所示的开始例程。
在步骤S1,电流设置电路12产生指示设置电流值i3的电流设置位信号Sb,并将电流设置位信号Sb输出到D/A转换器41。
在步骤S2,控制电路11将电荷泵电路15的升压比率设置为最小值(即1)。
在步骤S3,控制电路11将条件选择信号Se设置在低电平,并引导选择器34、35输出第一基准电压Vref。
因为在电流设置电路12中设置电流值i3,因此在恒流电路18中,控制NMOS晶体管M8和M9的栅极电压,使得将具有电流值i3的负载电流io1和负载电流io2提供到发光二极管10a和发光二极管10b。
在步骤S4,根据比较器32和比较器33的输出信号,当确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref时(是),例程继续到步骤S5。
否则,当确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2都大于第一基准电压Vref时(否),例程结束。
注意,在图3的步骤S4中,“Vdin<Vref”意味着NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref。
在步骤S5,OR电路31将升压比率控制信号Sc设置为高电平。
在步骤S6,控制电路11确定电荷泵电路15的升压比率是否不是最大值,就是说,是否能够进一步增大电荷泵电路15的升压比率。
当电荷泵电路15的升压比率不等于最大值时(是),就是说,能够进一步增大电荷泵电路15的升压比率时,例程继续到步骤S7。
否则,当电荷泵电路15的升压比率等于最大值(否)时,就是说,不能够进一步增大电荷泵电路15的升压比率时,例程结束。
在步骤S7中,控制电路11输出状态变换信号Sd,该状态变换信号Sd引导将电荷泵电路15的升压比率增大一级。之后,例程回到步骤S4。
下面,将具体描述在负载驱动电路1中设置负载电流的方法。
图4是示出了根据本实施例在负载驱动电路1中设置负载电流的方法的流程图。
如图4所示,在步骤S11中,电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa是否从高电平下降到低电平。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa没有下降到低电平时(否),电流设置电路12重复步骤S11中的操作。低电平负载电流设置信号Sa对应于图2中时间t1时的状态。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa从高电平下降到低电平时(是),例程继续到步骤S12。
在步骤S12,电流设置电路12进一步确定负载电流设置信号Sa是否处于低电平达1ms或更长时间。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa已经处于低电平达1ms或更长时间时(是),设置负载电流的例程开始。
否则,当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa没有处于低电平达1ms或更长时间时(否),例程返回到步骤S11。
在步骤S13,当开始设置负载电流的例程时,电流设置电路12将信号Sf设置为低电平,并通知控制电路11正在进行设置负载电流。
在步骤S14,电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa是否从低电平上升到高电平。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa没有从低电平上升到高电平时(否),电流设置电路12重复步骤S14中的操作。
否则,当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa从低电平上升到高电平时(是),例程继续到步骤S15。
在步骤S15,电流设置电路12将电流设置值设置为最大电流值i1。
在步骤S16,执行如图3所示的开始例程中的步骤S2到步骤S7。
在步骤S17,当开始例程结束时,电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa是否处于高电平。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa没有处于高电平时(否),例程继续到步骤S18。
否则,当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa处于低电平时(是),例程继续到步骤S21。
在步骤S18,电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa是否从低电平上升到高电平。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa没有从低电平上升到高电平时(否),电流设置电路12重复步骤S18的操作。
否则,当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa从低电平上升到高电平时(是),例程继续到步骤S19。
在步骤S19,电流设置电路12确定是否能够进一步减小电流设置值。
当电流设置电路12确定能够进一步减小电流设置值时(是),例程继续到步骤S20。
否则,当电流设置电路12确定不能够进一步减小电流设置值时(否),例程继续到步骤S22。
在步骤S20,电流设置电路12将电流设置值减小一级,且例程返回到步骤S16。
在步骤S21,因为电流设置电路12在步骤S17确定负载电流设置信号Sa处于低电平,因此电流设置电路12进一步确定负载电流设置信号Sa是否处于高电平达5ms。
当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa没有在高电平达5ms时(否),例程返回到步骤S17。
否则,当电流设置电路12确定负载电流设置信号Sa处于高电平达5ms时(是),例程继续到步骤S22。
在步骤S22,电流设置电路12将信号Sf设置为高电平,并通知控制电路11完成了负载电流的设置,之后结束该例程。
如上所述,根据本实施例中的负载驱动电路1,当通过使用多个连续脉冲设置负载电流时,每次执行负载电流设置的操作时,执行与开始操作相同的操作;因此可以在负载电流设置的操作之后设置适当的升压比率,且这防止了效率的劣化。
第二实施例
在第一实施例中,每次执行负载电流设置的操作时,执行与开始操作相同的操作。在本实施例中,在短时间段中减小升压比率,且确定是否能够进一步减小升压比率。该确定的条件与在增大升压比率时用于设置负载电流的条件相同。
注意,本实施例的负载驱动电路与第一实施例中的负载驱动电路1相同,因此省略本实施例的电路配置和负载驱动电路的操作的描述。此外,本实施例的开始操作与图3所示的相同,因此省略了详细描述。
图5是示出了根据本实施例在负载驱动电路1中设置负载电流的方法的流程图。
在图5中,将相同的参考数字分配给与如图4所示的相同的步骤,且省略重复的描述。下面,仅描述图5和图4之间的不同。
如图5所示的操作不同于图4的操作在于,图4中步骤S16中执行的开始例程由图5中步骤S25中执行的升压比率设置例程代替。
图6是示范在图5的步骤S25中执行的升压比率设置例程的流程图。
图6所示的升压比率设置例程包括用于确定是否应该增大升压比率的升压比率增大确定例程、以及用于确定是否应该减小升压比率的升压比率减小确定例程。
在升压比率设置例程中,首先,执行升压比率增大确定例程。
当开始升压比率增大确定例程时,在步骤S31,控制电路11将条件选择信号Se设置在低电平,且引导选择器34、35输出第一基准电压Vref。比较器32和比较器33分别比较NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2与第一基准电压Vref。
在步骤S32,确定电路17确定是否NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref。
当确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref时(是),例程继续到步骤S33。
否则,当确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2都大于第一基准电压Vref时(否),结束增压比率增大确定例程,且开始升压比率减小确定例程。
在步骤S33,确定电路17将升压比率控制信号Sc设置为高电平。
在步骤S34,控制电路11确定电荷泵电路15的当前升压比率是否小于最大值,即2。
当控制电路11确定电荷泵电路15的当前升压比率小于最大值2时(是),例程继续到步骤S35。
当控制电路11确定电荷泵电路15的当前升压比率等于最大值2时(否),也就是,不能进一步增加升压比率时,结束升压比率增大确定例程,并开始升压比率减小确定例程。
在步骤S35,控制电路11将电荷泵电路15的升压比率增大一级,之后开始升压比率减小确定例程。
当开始升压比率减小确定例程时,在步骤S36,控制电路11确定电荷泵电路15的当前升压比率是否大于最小值,即1。
当控制电路11确定电荷泵电路15的当前升压比率大于最小值,即1时(是),例程继续到步骤S37。
当控制电路11确定电荷泵电路15的当前升压比率等于最小值1时(否),就是说,不能进一步减小升压比率时,例程继续到步骤S39。
在步骤S37,控制电路11将电荷泵电路15的升压比率减小一级。
在步骤S38,控制电路11等待0.1ms,使得电荷泵电路15的输出信号变得稳定。
在步骤S39,控制电路11确定指示正在执行负载电流的设置的信号Sf是否处于高电平。
当控制电路11确定信号Sf处于高电平时,例程继续到步骤S40。
否则,当控制电路11确定信号Sf处于低电平时,例程继续到步骤S44。
在步骤S40,控制电路11将条件选择信号Se设置在高电平,并引导选择器34、35输出第二基准电压Vref,该第二基准电压Vref等于第一基准电压Vref加上电压Vs(Vref+Vs)。比较器32和比较器33分别将NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2与第二基准电压(Vref+Vs)进行比较。
在步骤S41,确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个是否小于第二基准电压(Vref+Vs)。
当确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2都大于第二基准电压(Vref+Vs)时(否),例程继续到步骤S42。
否则,当确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第二基准电压(Vref+Vs)时(是),例程继续到步骤S46。
在步骤S42,确定电路17将升压比率控制信号Sc设置为低电平,且控制电路11维持电荷泵电路15的减小的升压比率。
在步骤S43,控制电路11等待1秒,以继续升压比率增大确定例程,以重复升压比率增大确定例程和升压比率减小确定例程。
在步骤S44,因为信号Sf处于低电平,因此控制电路11将条件选择信号Se设置在低电平,并引导选择器34、35输出第一基准电压Vref。比较器32和比较器33分别将NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2与第一基准电压Vref相比较。
在步骤S45,确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个是否小于第一基准电压Vref。
当确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2中的至少一个小于第一基准电压Vref时(是),例程继续到步骤S46。
否则,当确定电路17确定NMOS晶体管M8的漏极电压Vdin1和NMOS晶体管M9的漏极电压Vdin2都大于第一基准电压Vref时(否),例程继续到步骤S43。
在步骤S46,确定电路17将升压比率控制信号Sc设置为高电平。
在步骤S47,控制电路11将电荷泵电路15的升压比率增大一级,以返回到初始升压比率。
如上所述,在如图6所示的升压比率设置例程中,每一秒确定是否应该增大或减小电荷泵电路15的升压比率,且如步骤S45所示的用于升压比率减小确定例程中的负载电流设置的确定条件与如步骤S52所示的升压比率增大确定例程中的确定条件相同。由于此原因,即使当电荷泵电路15的升压比率低时,也可以驱动发光二极管10a和发光二极管10b,且这防止总是以高的升压比率驱动发光二极管10a和发光二极管10b。
在本实施例的负载驱动电路中,在短时间段内减小升压比率,且确定是否能够进一步减小升压比率。该确定的条件与在增大升压比率时用于设置负载电流的条件相同。因此,可以在负载电流设置的操作之后设置适当的升压比率,且这防止了效率的劣化。
虽然参考为了说明的目的而选择的特定实施例描述了本发明,但是很明显,本发明不限于这些实施例,而是在不脱离本发明的基本概念和范围的情况下,可以由本领域技术人员做出多个修改。
例如,在上述实施例中,假定驱动两个发光二极管10a和10b而做出描述,但是本发明不限于此。本发明还可应用于驱动一个或多个负载的情况,且负载的数目确定了图1中比较器、选择器、电源、确定电路17的OR电路的输入端的数目,以及在图1中恒流电路18中的驱动晶体管的数目。但是,当仅存在一个负载时,比较器的输出信号变为升压比率控制信号Sc。
本专利申请基于2007年6月18日提交的日本优先权专利申请No.2007-159879,将其全部内容完全包括在此并作为参考。