CN101533482B - 利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置 - Google Patents

利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101533482B
CN101533482B CN2008101250418A CN200810125041A CN101533482B CN 101533482 B CN101533482 B CN 101533482B CN 2008101250418 A CN2008101250418 A CN 2008101250418A CN 200810125041 A CN200810125041 A CN 200810125041A CN 101533482 B CN101533482 B CN 101533482B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive film
anisotropic conductive
groove
base material
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101250418A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101533482A (zh
Inventor
郭鲁兴
朴洪辰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LTS Co Ltd
Original Assignee
LTS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LTS Co Ltd filed Critical LTS Co Ltd
Publication of CN101533482A publication Critical patent/CN101533482A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101533482B publication Critical patent/CN101533482B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Abstract

本发明涉及一种利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置,该方法包括步骤:在第一辊和第二辊之间传送由各向异性导电膜和在其一面的离型纸构成的各向异性导电膜纸,所述导电膜朝下;在导电膜纸的传送方向上,利用半厚度切割机构在所述被传送的导电膜表面上以预定节距冲孔形成剪槽;节距输送形成有剪槽的导电膜纸,并对准基材的凹槽与剪槽;通过预接合机构,将所述剪槽中的导电膜剪片预接合到凹槽内;用真空吸附机吸附离型纸,使之从所述导电膜剪片分离。据此,所述各向异性导电膜在半厚度切割后仍然以卷轴形式供应,因此可以连续供应且容易装载到基材上的正确位置上,而且由于直接接合到器件基材上的校准位置,可以提供优异的接合精度。

Description

利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置
技术领域:
本发明涉及一种利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置,其通过可自动预接合各向异性导电膜的预接合机构,将所述各向异性导电膜预接合到基材的校准位置例如电子标签上的凹槽内,然后通过激光接合集成电路芯片。
背景技术:
通常,电子标签(Radio Frequency Identification)由于其具有通过电波以接触或非接触方式与外部仪器进行无线通讯,从而交换验证码相关信息的功能而被广泛应用在物流及进出入管理等场合上。
这种电子标签可具有如光碟、智能卡、塑料外壳或标签纸等多种形态,电子标签的制造通常如下:在绝缘基材上形成天线用的金属图案后,将所述天线用的金属图案与集成电路芯片相结合。
然而,在所述天线用的金属图案表面上接合集成电路芯片时,会导致电子标签的集成电路芯片等对外部冲击或静电很脆弱的问题。
为了解决上述问题,最近正在研发如下的芯片接合(bonding)方法:即在所述电子标签基材上的所述天线用的金属图案中与所述集成电路芯片电连接的端部上形成凹槽,并利用各向异性导电膜,在所述凹槽内接合集成电路芯片。
然而,所述端部凹槽非常小,其深度只有0.2-0.5mm左右,直径仅为2.0-5.0mm左右。因此,配合所述端部凹槽的大小切割所述各向异性导电膜纸以使其大小小于所述凹槽的宽度,并去除其上的离型纸后拾取软乎乎、容易卷曲的各向异性导电膜置放于凹槽的校准位置是非常困难的。
另外,利用常规的热棒(hot bar)或热板(hot plate)进行加压及加热,将所述各向异性导电膜接合到所述凹槽内时,其接合效率下降,且在其周围形成较大的热影响区,因此降低工作效率。
此外,利用热棒或热板接合各向异性导电膜时,不能直接加热接合部分,因此加工时间较长。
技术内容:
有鉴于上述问题,本发明的目的是提供一种利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置,其可用自动化方式在基材的凹槽内预接合各向异性导电膜剪片,并将各向异性导电膜剪片无任何破损地容易装载到所述基材凹槽的校准位置上,且可以提高所述各向异性导电膜剪片与所述基材的凹槽之间的定位接合精度。
本发明的一个技术构思所提供的、一种利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法包括以下步骤:在第一辊和第二辊之间传送由各向异性导电膜和在其一面附着的离型纸构成的各向异性导电膜纸,所述各向异性导电膜朝下;在所述各向异性导电膜的传送方向上,利用半厚度切割机构在所述被传送的各向异性导电膜表面上以预定节距冲孔形成多个剪槽;节距输送所述形成有剪槽的各向异性导电膜纸,并对准所述基材的凹槽与所述剪槽;通过对所述基材的凹槽加压及加热的预接合机构,将所述剪槽中的各向异性导电膜剪片预接合到所述凹槽内;以及用真空吸附机真空吸附离型纸,使之从所述各向异性导电膜剪片分离。
本发明的另一技术构思所提供的、一种利用激光在基材的凹槽中接合芯片的装置,包括:第一辊,用于供应由各向异性导电膜与离型纸构成的各向异性导电膜纸,所述各向异性导电膜朝下;第二辊,重新卷取从所述第一辊解开的所述各向异性导电膜;半厚度切割机构(half-cutting),在从所述第一辊移到所述第二辊的所述各向异性导电膜的一面上形成比所述凹槽的尺寸小的多个剪槽,所述多个剪槽间具有预定节距;预接合机构,在所述导电膜纸的前进方向上设置在所述半厚度切割机构的后方,用于加压所述剪槽内的各向异性导电膜剪片,从而直接在基材的校准位置上预接合所述剪片;节距输送驱动机构,用于驱动所述第一辊及第二辊,从而使所述各向异性导电膜能够节距移动;及节距输送控制机构,用于控制所述节距输送驱动机构,使之能够节距输送所述各向异性导电膜纸。
根据本发明的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置,由于连续传送卷轴状的各向异性导电膜纸,并将其装载到基材的凹槽内,因此可以提高生产效率。
根据本发明的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置,由于各向异性导电膜纸的离型纸面向所述第一辊及第二辊,因此在传送时不必担心其导电面受到损伤,而且所述导电膜纸直接供应到基材上凹槽的校准位置,因此可以提供优异的接合精度。
附图说明:
图1是根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的装置的侧面结构示意图。
图2是根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的装置局部结构的俯视图。
图3是图1中III部分具体结构的侧面剖视图。
图4是图1中IV部分具体结构的侧面剖视图。
图5是根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的装置局部结构的侧面剖视图。
图6a及图6b分别是根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片后的电子标签剖视图及俯视图。
具体实施方式:
下面,参照附图对本发明进行更加详细的描述,其中附图示出了根据本发明的优选实施例,以供本领域的普通技术人员根据以下内容容易实施本发明。
本发明可具有各种不同的实施方式,并不局限于以下实施例。
为了把本发明说明清楚,在附图中省略了与以下说明无关的部分,并对说明书中相同或相似的结构使用了相同的附图标记。
下面,结合附图详细说明本发明的一实施例提供的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的装置。
图1是根据本发明一实施例的、利用激光在基材的凹槽内接合芯片的装置中各向异性导电膜预接合单元的侧面结构示意图,图2是根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片的装置的局部结构俯视图,图3是图1中III部分具体结构的侧面剖视图,图4是图1中IV部分具体结构的侧面剖视图。
首先,如图1所示,各向异性导电膜预接合单元100包括第一辊101、第二辊102、导向辊105、半厚度切割机构110、预接合机构120、节距输送驱动机构130及节距输送控制机构140。
其中所述第一辊101上缠有各向异性导电膜纸10,以形成卷轴状。所述各向异性导电膜纸10由分散有导电球的各向异性导电膜10a及粘附在其至少一面的离型纸10b。所述离型纸10b用于防止所述各向异性导电膜10a由于过于软乎及弹性小而容易卷取的问题,并便于运输及使用。
所述各向异性导电膜纸10缠在所述第一辊101时,其中所述各向异性导电膜10a相对于所述第一辊101的辊轴向里侧缠绕,并且所述导电膜10a位于远离所述导辊105的一侧,因此所述导电膜纸10从所述第一辊101解开及被传送时,所述导辊105只面对所述离型纸10b。
因此,所述各向异性导电膜10a被传送时,其不会受到所述导辊105等构件的损坏而获得保护。
所述各向异性导电膜纸10经由所述导辊105、所述节距输送驱动机构130后缠绕于所述第二辊102。
在所述第一辊101与所述第二辊102之间,沿着所述各向异性导电膜纸10的供应方向,可依次设置所述半厚度切割机构110及所述预接合机构120。
所述半厚度切割机构110用于在从所述第一辊101移到所述第二辊102的所述各向异性导电膜10a上以预定节距形成多个剪槽11。
如图2及图3所示,所述半厚度切割机构110包括:从上方加压所述各向异性导电膜纸10的离型纸10b的板状支持部件111;及在所述各向异性导电膜纸10的各向异性导电膜10a的下方进行上下往返运动,从而对所述各向异性导电膜10a冲孔形成所述剪槽11的冲孔剪切机113。
所述板状支持部件111可包括沿着所述各向异性导电膜纸10的供应方向,设置于所述各向异性导电膜纸10的宽度方向两侧的导向件115。
所述导向件115可包括用于判断所述各向异性导电膜纸10是否位于校准位置,例如判断导电膜纸10是否移动了预定节距的红外线定位传感器115a。
所述红外线定位传感器115a可通过确认所述各向异性导电膜纸10上沿其供应方向所形成的、彼此间具有预定节距的导孔10c,来判断所述导电膜纸10是否位于校准位置后,将有关信号传送到节距输送控制机构140,并使所述节距输送控制机构140控制所述节距输送驱动机构130进行微调,使所述导电膜纸10位于校准位置。
在从所述节距输送控制机构140接收校准位置信号,并且所述各向异性导电膜纸10在校准位置上停止前进时,所述半厚度切割机构110的冲孔剪切机113向上方移动,并且在所述各向异性导电膜10a上形成剪槽11。
此时,所述冲孔剪切机113可以借助与之相连的空压气缸117进行上下往返运动,从而能够把在所述各向异性导电膜10a上冲割形成圆形、四边形或其他各种形状的剪槽11的剪片13以贴附于离型纸10b的状态下供应,因此可以将所述剪片13容易地供给到校准位置上。
所述冲孔剪切机113的下端面被构成为其具有比将在后面描述的电子标签基材20的凹槽21内的金属端部21a大约小0.2-3mm左右的尺寸,而最好比金属端部21a小0.25mm左右。
如此当所述剪片13小于金属端部21a时,其可完好地装载到与所述电子标签基材20的凹槽21的校准位置相应的位置,并通过预接合机构120可以精确地预接合到所述凹槽21的底部。
所述半厚度切割机构110中的冲孔剪切机113可以更换使用,也可以变更其下端部的大小,从而使所述下端部能够配合所述凹槽,以使剪片13具有相应于所述凹槽但尺寸小于所述凹槽的形状。
即,所述凹槽的形状可以是直径为3-5mm的圆形,或者可以是长边尺寸为3-5mm的矩形。此时,所述半厚度切割机构110的冲孔剪切机113可以把剪片13切割成其尺寸小于所述凹槽的、直径或长边范围为2-2.7mm的圆形或矩形形状。
如图4所示,所述预接合机构120包括:工作台121,具有用于设定所述电子标签基材被装载及卸载的基准位置的导销或导孔121a,并以同所述各向异性导电膜纸10的供应方向相垂直的方向配置;第一驱动部122,用于驱动所述工作台121面朝所述各向异性导电膜10a上下移动,且使所述工作台121位于同所述供应方向相垂直的方向,在不干扰所述各向异性导电膜纸10的移动的条件下装载及卸载所述基材20;热源123,用于在所述各向异性导电膜的剪片13上方对其加压及加热,并具有与所述剪片13相对应的下端面;第二驱动部125,用于驱动所述热源123进行上下往返运动。
所述第二驱动部125可进一步驱动真空吸附机构127,使之吸附所述各向异性导电膜剪片13上的离型纸10b。由此,所述真空吸附机构127从所述各向异性导电膜纸10中只分离出离型纸10b,并以卷轴状供应只剩下离型纸的各向异性导电膜纸10。
所述预接合机构120在确认到于所述半厚度切割机构110的作用下,在校准位置上形成剪槽11的所述各向异性导电膜纸10被供应到所述预接合机构120的工作台121上,并且所述各向异性导电膜纸10的相应剪片13对准于所述基材20上的凹槽21时,进行预接合。
在把所述剪片预接合到所述凹槽内时,作为热源123可以使用温度为50-80℃的热棒,而所述第二驱动部125可以使所述热源123进行加压及加热,此时所述加压及加热时间为1-5秒,压力大小为1-3kg/cm2。在如此的热源温度、时间及压力条件下进行加压及加热时,不会导致所述各向异性导电膜剪片13的完全劣化,并可以将其固定到所述凹槽21内。
为此,所述节距输送控制机构140可以从设置在所述工作台121上的导销或导孔121a下方的定位传感器121b接收红外线信号,精细驱动所述节距输送驱动机构130。
所述节距输送驱动机构130是可以精细调整的步进电机,优选采用节距输送后即可停止的电机。
如此,当所述电子标签基材位于在所述工作台121上的导销121a作用下所对准的位置上,且所述剪片13对应所述基材的凹槽21时,所述预接合机构120的热源123,比如下端面比所述凹槽21内的金属端部小0.2-0.5mm左右的热棒在所述第二驱动部125的驱动作用下对所述剪片13施加压力。而在此时,所述剪片13可以直接贴附于所述凹槽21并紧密接合,所述离型纸10b就可被所述真空吸附机127吸附而脱离导电膜10a。
所述基材20是FR4条(FR4 Stick Type)型坚固的基材,其上面可以印有天线用的金属图案,也可以让所述各向异性导电膜剪片13被加压到所述金属端部21a时可以很容易地预接合到其上。
然后把装有如此在所述凹槽21内预接合所述各向异性导电膜剪片13的基材20的工作台121,向与所述各向异性导电膜纸10的传送方向(X轴方向)相垂直的方向(Y轴方向)移动,并把下一个基材20′供应到工作台121的另一个导销121a上,同时通过芯片卸载单元200卸载所述基材20。
另外,通过分选单元300将所述被卸载的预接合基材20检查后,分选出合格品。
此外,通过芯片装载单元400把经过圆片图形布置技术分选出的合格的集成电路芯片30以其凸点(bump)朝天的方式翻转及装载到所述合格的预接合基材20的凹槽21内。
如果通过观察确认到所述集成电路芯片30装载到被安置于所述凹槽21内的各向异性导电膜剪片13上并已完成对准时,就可通过激光接合单元500进行自动接合。
如图5所示,所述激光接合单元500可以包括照射部510、加压玻璃板520及第三驱动部530。其中所述照射部510在所述被装载的芯片30上方照射激光束;所述加压玻璃板520可透射激光束,并具有高度为所述凹槽21深度的约二倍的透明突起525,以便在所述被装载的芯片30上方向所述凹槽21往下压时,所述芯片30能够插进预定深度;所述第三驱动部530用于以空压方式加压所述玻璃板520。
所述照射部510则使用寿命为五年以上的半永久性的激光器,其能射出波长为800-1100nm的点波束(spot beam),因此优选使用光均匀性为95%以上、具有980nm波长的激光。
如此在所述板状玻璃板520上形成具有能够插进所述凹槽21的断面面积,即具有比所述凹槽21内的金属端部小0.2-0.3mm左右的下端面的透明加压突起525,即使对具有凹槽21的基材20也能提高所述芯片30的接合精度。
另外,为了把所述剪片13连续贴附于所述基材20上的预定位置,即以预定节距隔开形成的凹槽21内,最好把所述基材20以与所述各向异性导电膜纸10的传送方向相垂直的方向连续供应所述工作台121上。
在所述预接合机构120进行加压及加热时,虽然所述剪片13从所述各向异性导电膜纸10分离,但所述各向异性导电膜纸10依然保持卷轴状,因此可以进行自动化操作,且可以通过预定节距移动来将所述剪片13贴附到校准位置上。
而且在本实施例中,当所述凹槽21的横向及纵向尺寸分别为2-5mm时,进入所述凹槽21的所述冲孔剪切机113及剪片13、加压玻璃板的透明加压突起525的下端面设成其尺寸比所述凹槽21的尺寸约小0.25mm左右,从而在把所述剪片13加压时,所述剪片113能够有充分的余地深入贴附到所述凹槽21内,而且不会导致其在传送方向上破损。
图6a及图6c分别表示根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片后的条型电子标签剖视图及俯视图。
如图6a所示,根据本发明一实施例的利用激光在基材的凹槽内接合芯片后的条型电子标签可以具有如下结构:各向异性导电膜剪片13设置在与电子标签基材20上的凹槽21相连的金属端部21a上,并在其上设置电子标签芯片30,而在所述电子标签芯片30上覆盖用于保护所述芯片的帽40。
此外,在所述条型电子标签中,当所述基材20上面中除矩形或圆形凹槽外的其他部分由合成树脂等层压(Laminating)形成膜层时,所述矩形或圆形凹槽21则在接合剪片13以使之与所述芯片30接合后,用环氧树脂42进行覆盖。
以上,参照当前认为是较佳的实施例说明了本发明,但这并不意味本发明局限于上述实施例。
相反,本发明应能覆盖本领域普通技术人员基于上述实施例能够容易变更及修饰的均等的技术方案。

Claims (22)

1.一种利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法,其特征在于,包括步骤:
在第一辊和第二辊之间传送由各向异性导电膜和在其一面附着的离型纸构成的各向异性导电膜纸,所述各向异性导电膜朝下;
在所述各向异性导电膜纸的传送方向上,利用半厚度切割机构在被传送的所述各向异性导电膜的表面上以预定节距冲孔形成多个剪槽,所述多个剪槽的大小小于所述凹槽;
节距输送形成有剪槽的所述各向异性导电膜纸,并对准所述基材的凹槽与所述剪槽;
通过对所述基材的凹槽加压及加热的预接合机构,将所述剪槽中的各向异性导电膜剪片预接合到所述凹槽内;以及
用真空吸附机真空吸附离型纸,使之从所述各向异性导电膜剪片分离。
2.根据权利要求1所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,包括步骤:
以与所述各向异性导电膜纸的传送方向垂直的方向,卸载所述凹槽内预接合有所述各向异性导电膜剪片的基材;
检查所述预接合基材,分选合格品;
在合格的预接合基材的凹槽内翻转及装载经过圆片图形布置技术分选的合格的集成电路芯片;及
利用激光将所述集成电路芯片接合到所述凹槽内。
3.根据权利要求2所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,通过节距输送控制机构控制所述各向异性导电膜纸在所述第一辊与所述第二辊之间节距移动。
4.根据权利要求3所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述节距输送控制机构接收由设置在所述预接合机构及所述半厚度切割机构上的定位传感器所传送的红外线信号,控制所述第一辊与所述第二辊顺时针或逆时针方向旋转,从而使所述各向异性导电膜纸的剪槽定位于所述预接合机构与所述半厚度切割机构上的校准位置上。
5.根据权利要求3所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述半厚度切割机构具有一支撑部件,所述支撑部件具有沿所述各向异性导电膜纸的传送方向设置的导向件,用于导向所述各向异性导电膜纸的移动,所述半厚度切割机构利用所述支撑部件由上方加压所述各向异性导电膜纸的离型纸一侧,同时利用配置在所述各向异性导电膜一侧下方的冲孔剪切机的上下往返运动,冲孔形成所述剪槽。
6.根据权利要求5所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述冲孔剪切机在所述各向异性导电膜上形成比所述凹槽内的金属端部小0.2-3mm的所述各向异性导电膜剪片。
7.根据权利要求6所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述半厚度切割机构可更换所述冲孔剪切机,以使其下端面配合于所述凹槽内的金属端部形状。
8.根据权利要求5所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,将所述剪片预接合到所述凹槽的步骤包括由所述预接合机构对剪片进行加压及加热的步骤,所述加热温度为50-80℃,时间为1-5秒,压力为1-10kg/cm2,其中所述预接合机构是热棒,其下端面具有与所述冲孔剪切机相应的形状。
9.根据权利要求8所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,利用激光将所述集成电路芯片接合到所述凹槽的步骤为,照射激光束,并利用具有透明加压突起的玻璃板均匀加压所述集成电路芯片,所述透明加压突起具有与所述凹槽相对应的下端面。
10.根据权利要求9所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述透明加压突起被加压到所述凹槽内的预定深度,所述透明加压突起的高度为所述凹槽深度的2倍。
11.根据权利要求10所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述凹槽的断面形状为圆形或矩形,所述透明加压突起具有与所述凹槽相应的断面形状,但其断面大小小于所述凹槽。
12.根据权利要求2所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,对所述凹槽照射的所述激光是光均匀性为95%以上的、具980nm波长的点波束。
13.根据权利要求12所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述基材是印有电子标签天线的FR4条型基材,利用激光在所述凹槽内接合所述芯片后,在所述基材的上部覆盖一帽。
14.根据权利要求12所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的方法,其特征在于,所述基材是印有电子标签天线的FR4条型基材,所述基材中除所述凹槽外的其他部分由层压法被层压,而所述凹槽则用激光接合芯片后用环氧树脂进行覆盖。
15.一种利用激光在基材的凹槽中接合芯片的装置,其特征在于,包括:
第一辊,用于供应由各向异性导电膜与离型纸构成的各向异性导电膜纸,所述各向异性导电膜朝下;
第二辊,重新卷取从所述第一辊解开的所述各向异性导电膜;
半厚度切割机构,在从所述第一辊移到所述第二辊的所述各向异性导电膜的一面上以预定节距形成多个剪槽,所述多个剪槽的尺寸小于所述凹槽;
预接合机构,在所述各向异性导电膜纸的前进方向上设置在所述半厚度切割机构的后方,用于加压所述剪槽内的各向异性导电膜剪片,从而直接在基材的校准位置上预接合所述剪片;
节距输送驱动机构,用于驱动所述第一辊及第二辊,从而使所述各向异性导电膜节距移动;及
节距输送控制机构,用于控制所述节距输送驱动机构,使之能够节距输送所述各向异性导电膜纸。
16.根据权利要求15所述的利用激光在基材的凹槽中接合芯片的装置,其特征在于,所述半厚度切割机构包括:
支撑部件,紧贴在所述各向异性导电膜纸的离型纸上;
导向件,在所述各向异性导电膜纸的供应方向上设置在所述支撑部件上,并位于所述各向异性导电膜纸两侧,用于导向所述各向异性导电膜纸沿所述供应方向移动;及
冲孔剪切机,位于所述各向异性导电膜纸的各向异性导电膜下方,通过上下往返运动,在所述各向异性导电膜上形成所述剪槽。
17.根据权利要求16所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的装置,其特征在于,所述冲孔剪切机具有比所述凹槽内的金属端部小0.2-3mm的下端面。
18.根据权利要求17所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的装置,其特征在于,所述预接合机构包括:
工作台,具有用于设定器件基材被装载及卸载的基准的导向件,并向所述各向异性导电膜一侧上下驱动,且移动到所述装载及卸载位置;
热源,具有与所述剪片相对应的下端面,用于在所述各向异性导电膜的剪片上方加压及加热;及
真空吸附机,用于从所述各向异性导电膜剪片分离所述离型纸。
19.根据权利要求15所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的装置,其特征在于,所述预接合机构与所述半厚度切割机构具有红外线定位传感器,所述定位传感器对应于在所述各向异性导电膜纸的供应方向上所设置的导孔。
20.根据权利要求15所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的装置,其特征在于,包括:
芯片卸载单元,用于卸载在所述预接合机构上预接合好所述各向异性导电膜剪片的器件基材;
分选单元,检查所述预接合有所述各向异性导电膜剪片的器件基材,以分选合格品;
芯片装载单元,在所述预接合有所述各向异性导电膜剪片的器件基材中选取合格品,并把利用圆片图形布置方法分选的合格的集成电路芯片翻转并装载到所述合格的器件基材的凹槽内;以及
激光接合单元,包括照射部及加压玻璃板,其中所述照射部在所述被装载的芯片上方照射激光束;所述加压玻璃板可透射激光束,并具有高度为所述凹槽深度的二倍的透明突起,以便在所述被装载的芯片上方向所述凹槽往下压时,所述芯片能够插进预定深度。
21.根据权利要求20所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的装置,其特征在于,所述激光接合单元的所述照射部用于发射980nm波长的激光束。
22.根据权利要求15所述的利用激光在基材的凹槽接合芯片的装置,其特征在于,所述凹槽的断面形状为圆形或矩形,所述基材是具有天线的FR4条型基材。
CN2008101250418A 2008-03-14 2008-06-27 利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置 Expired - Fee Related CN101533482B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0023779 2008-03-14
KR20080023779 2008-03-14
KR1020080023779 2008-03-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101533482A CN101533482A (zh) 2009-09-16
CN101533482B true CN101533482B (zh) 2011-09-14

Family

ID=41104064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101250418A Expired - Fee Related CN101533482B (zh) 2008-03-14 2008-06-27 利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101154012B1 (zh)
CN (1) CN101533482B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102717191B (zh) * 2012-06-07 2015-06-10 江阴德力激光设备有限公司 一种脉冲激光刻蚀卷对卷柔性导电膜的装置和方法
KR101456138B1 (ko) * 2013-11-14 2014-11-03 (주)정원기술 레이저 칩 본딩기의 칩 공급장치
CN104096978B (zh) * 2014-06-26 2015-11-25 长春光华微电子设备工程中心有限公司 不锈钢芯片激光切割加工与贴膜装置
KR101908915B1 (ko) 2016-06-10 2018-10-18 크루셜머신즈 주식회사 릴-투-릴 레이저 리플로우 방법
CN110515167B (zh) * 2017-10-11 2020-09-25 杭州富通通信技术股份有限公司 用于光缆制造的铝带接合设备
KR20190041306A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 주식회사 엘지화학 이종 소재 접합체의 제조방법
CN114800659A (zh) * 2022-04-21 2022-07-29 环盛智能(深圳)有限公司 一种切膜机的卷材连续切割方法、装置、系统及介质
CN115402011B (zh) * 2022-09-15 2024-01-30 嘉兴倍创网络科技有限公司 一种石墨烯rfid天线印刷装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1508850A (zh) * 2002-11-05 2004-06-30 新浪潮研究公司 用于自衬底切割器件的方法和设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000020437U (ko) * 1999-05-06 2000-12-05 김영환 이방성 도전 필름 클램프 장치
JP2000357859A (ja) 1999-06-14 2000-12-26 Seiko Epson Corp 導電膜貼着装置及び導電膜貼着方法
KR100591074B1 (ko) * 2004-12-13 2006-06-19 (주) 선양디엔티 칩 온 필름용 이방성 도전물 부착 시스템
KR100643428B1 (ko) * 2005-03-15 2006-11-10 엘에스전선 주식회사 전자 패키징 필름의 본딩장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1508850A (zh) * 2002-11-05 2004-06-30 新浪潮研究公司 用于自衬底切割器件的方法和设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090098635A (ko) 2009-09-17
KR101154012B1 (ko) 2012-06-15
CN101533482A (zh) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101533482B (zh) 利用激光在基材的凹槽内接合芯片的方法及装置
JP3803097B2 (ja) 無線通信媒体の製造方法
US9281552B2 (en) Method for producing an antenna element of an RFID transponder
EP2638510A1 (en) A method for producing an rfid transponder
US20080150725A1 (en) Rfid label tag and method of manufacturing the same
US20100328914A1 (en) Placement Method of an Electronic Module on a Substrate and Device Produced by Said Method
JP5496093B2 (ja) Rfidタグを製造するための方法及び装置
KR101151025B1 (ko) 접촉 및 비접촉 겸용 카드의 제조방법
JP2005115916A (ja) 無線通信媒体およびその製造方法
JP4809648B2 (ja) 電子装置の製造方法
EP3269558B1 (en) A manufacturing process for a laminated paper product
KR20200144058A (ko) 전자부품이 내장된 재료 스트립의 제조방법 및 장치
JP4378164B2 (ja) 非接触式icカード用インレットの製造方法、製造装置及び非接触式icカード用インレット
US8119458B2 (en) Placement method of an electronic module on a substrate
KR101552815B1 (ko) 양면 타입의 무선 통신용 태그 제조 장치
JP2003069294A (ja) Icチップの実装装置
JP5293394B2 (ja) 非接触icカードの製造装置
KR20110024503A (ko) Rfid 카드 태그 및 그 제조 방법
JP2008077198A (ja) 電子装置の製造方法
US20130153667A1 (en) Method for making a device comprising a transponder antenna on a thin web and resulting device
KR20090105468A (ko) 듀얼헤드 레이저를 이용한 rfid 태그용 스트랩본딩장치
JP2005182390A (ja) 非接触式icカード用インレットの製造方法及び製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110914

Termination date: 20170627

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee