CN101515615B - 基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层(2)、高温AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、n-AlGaN势垒层(5)、有源区(6)、p-AlGaN势垒层(7)、低Al组分p型AlGaN层(8)、p型GaN冒层(9)，以及在p型GaN冒层设有的窗口区(10)。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，二次湿法刻蚀将柱状出射光窗口变为圆锥状窗口，增大了窗口的出射孔径，同时使得出射光的传播距离减少。本发明由于采用刻蚀的方法使得电子势垒层p-AlGaN的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，可用于水质检测，医疗探测、生物制药以及白光照明中。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，特别是一种新型AlGaN基多量子阱的uv-LED器件的实现方法，可用于水处理、医疗与生物医学以及白光照明领域。
背景技术
III-V族化合物半导体材料作为第三代半导体材料的杰出代表，具有很多优良的特性，尤其是在光学应用方面，由Ga、Al、In、N组成的合金{Ga(Al，In)N}可以覆盖整个可见光区和近紫外光区。而且纤锌矿结构的III族氮化物都是直接带隙，非常适合于光电子器件的应用。特别是在紫外光区，AlGaN基多量子阱的uv-LED已显示出巨大的优势，成为目前紫外光电器件研制的热点之一。然而，随着LED发光波长的变短，GaN基LED有源层中Al组分越来越高，高质量AlGaN材料的制备具有很大难度，AlGaN材料造成uv-LED的外量子效率和光功率都很低，成为了uv-LED发展的瓶颈，是当前急需解决的问题。
AlGaN基多量子阱uv-LED器件具有广阔的应用前景。首先，GaN基蓝绿光LED取得了突破性的进展，目前高亮度蓝绿光LED已经商业化，在景观照明、大屏幕背光源、光通讯等领域都显示了强大的潜力。其次，白光LED固态照明更是如火如荼，引发了第三次照明革命。再次，随着可见光领域的日趋成熟，研究人员把研究重点逐渐向短波长的紫外光转移，紫外光在丝网印刷、聚合物固化、环境保护、白光照明以及军事探测等领域都有重大应用价值。
目前，在国内和国际上，主要是采用一些新的材料生长方法，或者是采用新的结构来减少应力对AlGaN材料质量的破坏，来提高AlGaN材料的生长质量，从而提高了uv-LED的发光性能，这些方法包括：
2002年，第一个低于300nm的uv-LED在美国南卡罗莱纳州立大学实现，他们在蓝宝石衬底上制出了波长285nm的LED，200μ×200μ芯片在400mA脉冲电流下功率为0.15mW，改进p型和n型接触电阻后，最大功率达到0.25mW。参见文献V.Adivarahan，J.P.Zhang，A.Chitnis，et al，“sub-Milliwatt Power III-N Light Emitting Diodes at 285nm，”Jpn J Appl Phy，2002，41：L435。随后，他们又取得了一系列突破性进展，依次实现了280nm、269nm、265nm的发光波长，LED最大功率超过1mW。参见文献W H Sun，J PZhang，V Adivarahan，et al.“AlGaN-based 280nm light-emitting diodes with continuouswave powers in excess of 1.5mW”Appl Phys Lett，2004，85(4)：531；V Adivarahan，S Wu，J PZhang，et al.“High-efficiency 269nm emission deep ultraviolet light-emitting diodes”ApplPhys Lett，2004，84(23)：4762；Y Bilenko，A Lunev，X Hu，et al.“10Milliwatt Pulse Operationof 265nm AlGaN Light Emitting Diodes”Jpn J Appl Phys，2005，44：L98.为了改善电流传输，降低热效应，他们对100μm×100μm的小面积芯片，按照2×2阵列模式连接，并采用flip-chip结构，280nm波长的功率可达到24mW，最大外量子效率0.35％。参见文献W H Sun，J P Zhang，V Adivarahan，et al.“AlGaN-based 280nm light-emitting diodes withcontinuous wave powers in excess of 1.5mW”Appl Phys Lett，2004，85(4)：531。2004年，又做出了250nm的LED，200μ×200μ的芯片最大功率接近0.6mW，但外量子效率仅有0.01％。参见文献V Adivarahan，W H Sun，A Chitnis，et al.“250nm AlGaN light-emittingdiodes”Appl Phys Lett，2004，85(12)：2175，
2004年，美国西北大学、堪萨斯大学也在深紫外特别是280-290nm波段取得了较大进展。Fischer A J，Allerman A A，et al.Room-temperature direct current operation of290nm Light-emitting diodes with milliwatt power level[J].Appl Phys Lett，2004，84(17)：3394.采用插丝状接触来改善芯片内部的电流扩展，倒装焊结构提高LED的散热能力，制出了1mm×1mm大功率紫外LED，发光波长290nm，300mA直流下的发光功率达1.34mW，外量子效率0.11％。Kim K H，Fan Z Y，Khizar M，et al.AlGaN-basedultraviolet light-emitting diodes grown on AlN epilayers[J].Appl Phys Lett，2004，85(20)：4777.将传统的方形芯片改为圆盘状，降低了开启电压，使功率大幅度提高，210μm直径的芯片，功率超过了1mW。
同年，美国南卡罗莱纳州立大学又研制出250和255nm的深紫外uv-LED，底部缓冲层采用AlGaN/AlN超晶格结构，生长出高质量的AlGaN势垒层，制出了200×200μm的深紫外LED，在300mA和1000mA的脉冲电流下，其发光功率分别达到0.16mW和0.57mW，但是由于采用底部出光的方式，其发光效率还是比较低。参见文献VAdivarahan，W H Sun，A Chitnis，M Shatalov，S Wu，H P Maruska，M Asif Khan.“250nmAlGaN light-emitting diodes”Appl Phys Lett，2004，85(12)：2175.
2007年，日本埼玉大学在231-261nm波段的深紫外LED的研究取得了进一步的进展，由于采用脉冲生长AlN缓冲层，进一步减少了AlN层的位错缺陷密度，从而生长出高Al组分的AlGaN层，使得261nm的深紫外LED的光功率以及外量子效率分布达到1.65mW和0.23％。参见文献Hirayama Hideki，Yatabe Tohru，Noguchi Norimichi，Ohashi Tomoaki，Kamata Norihiko.“231-261nm AlGaN deep-ultraviolet light-emittingdiodes fabricated on AlN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method onsapphire”Appl Phys Lett，2007，91(7)：071901-1.
纵上所述，当前，国际上AlGaN基deep uv-LED器件的制作都是采用底部出光的方式，对顶部出光的研究较少。随着发光波长的减少，底部缓冲层对紫外光的吸收越来越多，严重影响了出射光功率以及外量子效率。现有底部出光的技术目前还存在很大的缺点，一是光的出射路径过长，中途光的损耗过大，往往造成光的外量子效率过低；二是底部AlN缓冲层的结晶质量都较差，造成材料的非辐射复合中心增多，对紫外光的吸收较多；三是p型电极的形状较为复杂，往往对工艺的要求较高，这就给此种工艺的可重复性带来了问题。四是复杂的电极结构造成开启电压较高。
发明内容
本发明目的在于克服上述已有技术的缺点，提出了一种成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高的SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及其制作方法，以减少光的出射路径，提高了输出光的功率以及外量子效率，获得高亮度以及低开启电压的器件。
为实现上述目的本发明提供的基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件：包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、Si掺杂的n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层和p型GaN冒层，其中p型GaN冒层处设有窗口区，使产生的光由顶部冒层发出。
所述的窗口区的形状为圆锥体。
所述的窗口区底部位于p型AlGaN势垒层的三分之二处。
为实现上述目的，本发明提供了如下两种制作SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的方法。
技术方案1，一种基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的方法，包括如下步骤：
(1.1)在SiC基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层；
(1.2)在低温AlN成核层上，生长高温AlN成核层；
(1.3)在高温AlN成核层上，生长AlGaN外延层；
(1.4)在AlGaN外延层上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层；
(1.5)在n型AlGaN势垒层上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层(x＜y)；
(1.6)在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层；
(1.7)在p型势垒层上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层；
(1.8)在所述的低Al组分p型AlGaN层上，生长p型GaN层；
(1.9)在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用ICP刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，上电极功率为200W-600W，偏压为0-100V，压力为1-3Pa，刻蚀时间为100-200s；
(1.10)采用100℃-150℃的NaOH溶液湿法刻蚀已形成的刻蚀窗口，刻蚀时间为1-4min，形成圆锥体的出光窗口区；
(1.11)在n型SiC的背面光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
(1.12)在p型GaN冒层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制造。
技术方案2，一种基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的方法，包括如下步骤：
(2.1)在SiC基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层；
(2.2)在低温AlN成核层上，生长高温AlN成核层；
(2.3)在高温AlN成核层上，生长AlGaN外延层；
(2.4)在AlGaN外延层上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层；
(2.5)在n型AlGaN势垒层上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层(x＜y)；
(2.6)在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层；
(2.7)在p型势垒层上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层；
(2.8)在所述的低Al组分p型AlGaN层上，生长p型GaN层；
(2.9)在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用RIE刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，电极功率为50W-500W，偏压为100-600V，压力为5-10mT，刻蚀时间为100-200s；
(2.10)采用100℃-150℃的NaOH溶液湿法刻蚀已形成的刻蚀窗口，刻蚀时间为1-4min，形成圆锥体的出光窗口区；
(2.11)在n型SiC的背面光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
(2.12)在p型GaN冒层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制造。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
(1)本发明由于先通过刻蚀p-GaN冒层至p型AlGaN势垒层，形成出光窗口，使得发出的紫外光能从顶部辐射出来，再通过湿法刻蚀形成的锥形出射窗口，使得光的出射窗口孔径进一步加大，有效的提高了光的输出功率以及器件的外量子效率。
(2)本发明的制作工艺完全能与成熟的蓝光GaN基LED器件制备工艺兼容，特别是p型AlGaN表面经过刻蚀粗化后，有效的提高了光的出射功率。
(3)本发明的器件采用了顶部窗口结构，这种窗口结构特别适合于大功率紫外LED器件，这将极大地推进AlGaN基多量子阱uv-LED的实用化进程。
附图说明
图1是本发明器件的剖面结构示意图；
图2是本发明器件的制作工艺流程图。
参照图1，本发明器件的最下层为SiC衬底1，SiC衬底上为低温AlN成核层2，低温AlN成核层上为高温成核层3，高温AlN成核层上为AlGaN外延层4，AlGaN外延层上为n型AlGaN势垒层5，n型AlGaN势垒层上为有源区6，该有源区由多量子阱结构的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN组成，有源区上为高Al组分p型AlGaN势垒层7，其上为低Al组分的p型AlGaN层8，最上面为p型GaN冒层9。p型GaN冒层处设有窗口区10，使产生的光由顶部冒层发出，以提高出射光的发射效率。该窗口区10的形状为圆锥体，该窗口区10的底部位于p型AlGaN势垒层7厚度的三分之二处。n型电极位于n-AlGaN上，p型电极位于p型GaN冒层上。
参照图2，制作本发明器件的工艺按照不同的设备、不同的实现步骤分别描述如下：
实施例一，在SiC衬底上，采用ICP干法与湿法刻蚀制作出于圆锥体的出光窗口，步骤如下：
步骤1，在SiC基片1上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层2。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为10nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层2上，生长高温AlN成核层3。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为280nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层3上，生长AlGaN外延层4。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1500nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层4上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层5。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为800nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层5上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力130Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，60μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层7。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型AlGaN势垒层7上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层8。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为90μmol/min的铝源、130μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层8上，生长p型GaN冒层9。
生长温度保持在950℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
步骤9，在p型GaN冒层9上光刻出一圆形窗口，采用ICP刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层7。
(9a)光刻出光窗口：对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
(9b)ICP刻蚀出光窗口：采用ICP干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为140nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的上电极功率为200W，偏压为100V，压力为1Pa，刻蚀时间为200s，形成圆柱体的出光窗口。
步骤10，采用NaOH溶液湿法刻蚀已形成的圆柱体窗口，形成圆锥体的出光窗口区10。
将经过二次刻蚀的样片放入到100℃的NaOH溶液中进行湿法刻蚀，时间为4min，出光窗口由圆柱体变为类圆锥体，增大了整个器件的出光窗口。
步骤11，在n型SiC衬底1的背面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
(11a)光刻出n型电极图形：为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
(11b)打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率；
(11c)蒸发n型电极金属：采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ni/Au两层金属；
(11d)剥离n型金属及退火：在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干；将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为950℃条件下进行70s的高温退火，形成n型电极。
步骤12，在p型GaN冒层9上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
(12a)光刻出p型电极图形：首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
(12b)在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
(12c)将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例二，在SiC衬底上，采用ICP干法与湿法刻蚀制作出圆锥体的出光窗口，步骤如下：
步骤1，在SiC基片1上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层2。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为10nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层2上，生长高温AlN成核层3。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为280nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层3上，生长AlGaN外延层4。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1500nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层4上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层5。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为800nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层5上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力130Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，60μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层7。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型AlGaN势垒层7上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层8。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为90μmol/min的铝源、130μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层8上，生长p型GaN冒层9。
生长温度保持在950℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
步骤9，在p型GaN冒层9上光刻出一圆形窗口，采用ICP刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层7。
(9a)光刻出光窗口：对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
(9b)ICP刻蚀出光窗口：采用ICP干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为140nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的上电极功率为400W，偏压为50V，压力为2Pa，刻蚀时间为150s，形成圆柱体的出光窗口。
步骤10，采用NaOH溶液湿法刻蚀已形成的圆柱体窗口，形成圆锥体的出光窗口区10。
将经过二次刻蚀的样片放入到130℃的NaOH溶液中进行湿法刻蚀，时间为2min，出光窗口由圆柱体变为类圆锥体，增大了整个器件的出光窗口。
步骤11，在n型SiC衬底1的背面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
(11a)光刻出n型电极图形：为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
(11b)打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率；
(11c)蒸发n型电极金属：采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ni/Au两层金属；
(11d)剥离n型金属及退火：在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干；将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为950℃条件下进行70s的高温退火，形成n型电极。
步骤12，在p型GaN冒层9上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
(12a)光刻出p型电极图形：首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
(12b)在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
(12c)将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例三，在SiC衬底上，采用ICP干法与湿法刻蚀制作出圆锥体的出光窗口，步骤如下：
步骤1，在SiC基片1上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层2。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为10nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层2上，生长高温AlN成核层3。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为280nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层3上，生长AlGaN外延层4。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1500nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层4上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层5。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为800nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层5上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力130Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，60μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层7。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型AlGaN势垒层7上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层8。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为90μmol/min的铝源、130μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层8上，生长p型GaN冒层9。
生长温度保持在950℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
步骤9，在p型GaN冒层9上光刻出一圆形窗口，采用ICP刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层7。
(9a)光刻出光窗口：对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
(9b)ICP刻蚀出光窗口：采用ICP干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为140nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的上电极功率为600W，偏压为0V，压力为3Pa，刻蚀时间为100s，形成圆柱体的出光窗口。
步骤10，采用NaOH溶液湿法刻蚀已形成的圆柱体窗口，形成圆锥体的出光窗口区10。
将经过二次刻蚀的样片放入到150℃的NaOH溶液中进行湿法刻蚀，时间为1min，出光窗口由圆柱体变为类圆锥体，增大了整个器件的出光窗口。
步骤11，在n型SiC衬底1的背面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
(11a)光刻出n型电极图形：为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
(11b)打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率；
(11c)蒸发n型电极金属：采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ni/Au两层金属；
(11d)剥离n型金属及退火：在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干；将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为950℃条件下进行70s的高温退火，形成n型电极。
步骤12，在p型GaN冒层9上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
(12a)光刻出p型电极图形：首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
(12b)在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
(12c)将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例四，在SiC衬底上，采用KIE干法与湿法刻蚀制作出圆锥体的出光窗口，步骤如下：
步骤1，在SiC基片1上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层2。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力为50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为10nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层2上，生长高温AlN成核层3。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力为50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为280nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层3上，生长AlGaN外延层4。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1500nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层4上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层5。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为800nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层5上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为130Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，60μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层7。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力为100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型AlGaN势垒层7上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层8。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力为100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为90μmol/min的铝源、130μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层8上，生长p型GaN冒层9。
生长温度保持在950℃，保持生长压力为70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
步骤9，在p型GaN冒层9上光刻出圆形窗口，采用RIE刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层7。
(9a)在样片表面涂上光刻胶，在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶，然后在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
(9b)采用RIE干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为140nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为50W，偏压为100V，压力为10mT，刻蚀时间为200s，形成底部在p型AlGaN势垒层圆柱体的出光窗口。
步骤10，采用NaOH溶液湿法刻蚀已形成的圆柱体窗口，形成圆锥体的出光窗口区10。
将经过二次刻蚀的样片放入到100℃的NaOH溶液中进行湿法刻蚀，时间为4min，出光窗口由圆柱体变为类圆锥体，增大了整个器件的出光窗口。
步骤11，在n型SiC衬底1的背面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
(11a)光刻出n型电极图形：为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
(11b)打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率；
(11c)蒸发n型电极金属：采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ni/Au两层金属；
(11d)剥离n型金属及退火：在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干；将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为950℃条件下进行70s的高温退火，形成n型电极。
步骤12，在p型GaN冒层9上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
(12a)光刻出p型电极图形：首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
(12b)在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
(12c)将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例五，在SiC衬底上，采用RIE干法与湿法刻蚀制作出圆锥体的出光窗口，步骤如下：
步骤1，在SiC基片1上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层2。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力为50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为10nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层2上，生长高温AlN成核层3。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力为50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为280nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层3上，生长AlGaN外延层4。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1500nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层4上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层5。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为800nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层5上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为130Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，60μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层7。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力为100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型AlGaN势垒层7上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层8。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力为100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为90μmol/min的铝源、130μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层8上，生长p型GaN冒层9。
生长温度保持在950℃，保持生长压力为70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
步骤9，在p型GaN冒层9上光刻出圆形窗口，采用RIE刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层7。
(9a)在样片表面涂上光刻胶，在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶，然后在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
(9b)采用RIE干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为140nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为300W，偏压为400V，压力为7mT，刻蚀时间为150s，形成圆柱体的出光窗口。
步骤10，采用NaOH溶液湿法刻蚀已形成的圆柱体窗口，形成圆锥体的出光窗口区10。
将经过二次刻蚀的样片放入到120℃的NaOH溶液中进行湿法刻蚀，时间为2min，出光窗口由圆柱体变为类圆锥体，增大了整个器件的出光窗口。
步骤11，在n型SiC衬底1的背面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
(11a)光刻出n型电极图形：为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
(11b)打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率；
(11c)蒸发n型电极金属：采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ni/Au两层金属；
(11d)剥离n型金属及退火：在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干；将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为950℃条件下进行70s的高温退火，形成n型电极。
步骤12，在p型GaN冒层9上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
(12a)光刻出p型电极图形：首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
(12b)在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
(12c)将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例六，在SiC衬底上，采用RIE干法与湿法刻蚀制作出圆锥体的出光窗口，步骤如下：
步骤1，在SiC基片1上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层2。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力为50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为10nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层2上，生长高温AlN成核层3。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力为50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为280nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层3上，生长AlGaN外延层4。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1500nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层4上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层5。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为800nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层5上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为130Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，60μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层6上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层7。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力为100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型AlGaN势垒层7上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层8。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力为100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为90μmol/min的铝源、130μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层8上，生长p型GaN冒层9。
生长温度保持在950℃，保持生长压力为70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为70μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
步骤9，在p型GaN冒层9上光刻出圆形窗口，采用RIE刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层7。
(9a)在样片表面涂上光刻胶，在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶，然后在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
(9b)采用RIE干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为140nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为500W，偏压为600V，压力为5mT，刻蚀时间为100s，形成圆柱体的出光窗口。
步骤10，采用NaOH溶液湿法刻蚀已形成的圆柱体窗口，形成圆锥体的出光窗口区10。
将经过二次刻蚀的样片放入到150℃的NaOH溶液中进行湿法刻蚀，时间为1min，出光窗口由圆柱体变为类圆锥体，增大了整个器件的出光窗口。
步骤11，在n型SiC衬底1的背面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
(11a)光刻出n型电极图形：为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
(11b)打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率；
(11c)蒸发n型电极金属：采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ni/Au两层金属；
(11d)剥离n型金属及退火：在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干；将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为950℃条件下进行70s的高温退火，形成n型电极。
步骤12，在p型GaN冒层9上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
(12a)光刻出p型电极图形：首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
(12b)在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
(12c)将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
Claims (5)
1.一种基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件，包括低温AlN成核层(2)、高温AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、Si掺杂的n型AlGaN势垒层(5)、有源区(6)、p型AlGaN势垒层(7)、低Al组分p型AlGaN层(8)和p型GaN冒层(9)，其特征在于p型GaN冒层处设有窗口区(10)，使产生的光由顶部冒层发出。
2.根据权利要求1所述的AlGaN基多量子阱uv-LED器件，其特征在于窗口区(10)的形状为圆锥体。
3.根据权利要求1所述的AlGaN基多量子阱uv-LED器件，其特征在于窗口区(10)的底部位于p型AlGaN势垒层(7)厚度的三分之二处。
4.一种基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法，包括如下步骤：
1)在SiC基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层；
2)在低温AlN成核层上，生长高温AlN成核层；
3)在高温AlN成核层上，生长AlGaN外延层；
4)在AlGaN外延层上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层；
5)在n型AlGaN势垒层上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层(x＜y)；
6)在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层；
7)在p型势垒层上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层；
8)在所述的低Al组分p型AlGaN层上，生长p型GaN层；
9)在p型GaN冒层上先光刻出圆形窗口，再采用ICP刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，上电极功率为200W-600W，偏压为0-100V，压力为1-3Pa，刻蚀时间为100-200s；
10)采用100℃-150℃的NaOH溶液湿法刻蚀已形成的刻蚀窗口，刻蚀时间为1-4min，形成圆锥体的出光窗口区；
11)在n型SiC衬底的背面光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
12)在p型GaN冒层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制作。
5.一种基于SiC衬底上的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法，包括如下步骤：
1)在SiC基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层；
2)在低温AlN成核层上，生长高温AlN成核层；
3)在高温AlN成核层上，生长AlGaN外延层；
4)在AlGaN外延层上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层；
5)在n型AlGaN势垒层上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层(x＜y)；
6)在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层；
7)在p型势垒层上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层；
8)在所述的低Al组分p型AlGaN层上，生长p型GaN层；
9)在p型GaN冒层上先光刻出圆形窗口，再采用RIE刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，电极功率为50W-500W，偏压为100-600V，压力为5-10mT，刻蚀时间为100-200s；
10)采用100℃-150℃的NaOH溶液湿法刻蚀已形成的刻蚀窗口，刻蚀时间为1-4min，形成圆锥体的出光窗口区；
11)在n型SiC衬底的背面光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
12)在p型GaN冒层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制作。
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