CN101794849B - 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 - Google Patents
一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101794849B CN101794849B CN2010101119378A CN201010111937A CN101794849B CN 101794849 B CN101794849 B CN 101794849B CN 2010101119378 A CN2010101119378 A CN 2010101119378A CN 201010111937 A CN201010111937 A CN 201010111937A CN 101794849 B CN101794849 B CN 101794849B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- sic substrate
- sio
- epitaxial wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910017214 AsGa Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000035618 desquamation Effects 0.000 description 1
- 238000012053 enzymatic serum creatinine assay Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
本发明提供了一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离制作方法，包括以下步骤：(1)制作原始SiC衬底图形；在原始SiC衬底上蒸镀SiO2掩膜，再涂上光刻胶，在SiO2上利用光刻机刻出所设计的图形，显影后通过HF酸和丙酮腐蚀形成纵横交错的SiO2掩膜渠道；(2)在刻好图形后的原始SiC衬底上按常规方法生长常规结构的外延片；(3)制作倒装外延片；在外延片表面镀上一层反光金属，将反光金属层键合在新SiC或者Si衬底上，通过腐蚀使原始SiC衬底脱落，得到了倒装腐蚀剥离的SiC基LED。本发明成功地将原始SiC衬底剥离下来，使GaN基LED起到了一个表面粗化的效果，功率提高了80-120％，可以制作大功率器件和LED照明。
Description
技术领域
本发明涉及一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离的剥离方法，属于光电子技术领域。
背景技术
1998年Lumileds公司封装出世界上第一个大功率LED(1W LUXOEN器件)，使LED器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新型固体光源，引发了人类历史上继白炽灯发明以来的又一场照明革命。1WLUXOEN器件使LED的功率从几十毫瓦一跃超过1000毫瓦，单个器件的光通量也从不到1个lm飞跃达到十几个lm。
大功率LED由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一类是美国CREE公司为代表的SiC衬底。传统的蓝宝石衬底GaN芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-GaN层和″发光″层被刻蚀，以便与下面的n-GaN层形成电接触。光从最上面的p-GaN层取出。p-GaN层有限的电导率要求在p-GaN层表面再沉淀一层电流扩散的金属层。这个电流扩散层由Ni和Au组成，会吸收部分光，从而降低芯片的出光效率。为了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在p-GaN层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种p型接触结构制约了LED芯片的工作功率。同时这种结构pn结的热量通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长，由于蓝宝石的热导系数较金属低(为35W/mK)，因此，这种结构的LED芯片热阻会较大。此外，这种结构的p电极和引线也会挡住部分光线，所以，这种正装LED芯片的器件功率、出光效率和热性能均不可能是最优的。
为了克服正装芯片的这些不足，Lumileds公司发明了倒装芯片(Flipchip)结构。在这种结构中，光从蓝宝石衬底取出，不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，增加Flipchip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145W/mK)，散热效果更优；而且在pn结与p电极之间增加了一个反光层，又消除了电极和引线的挡光，因此这种结构具有电、光、热等方面较优的特性。
以GaN为代表的三族氮化物(AlN、GaN、InN、AlGaInN)由于具有优良的光电特性，因而在蓝光、绿光、紫外发光二极管(LED)及高频、高温大功率电子器件中得到广泛应用。由于缺乏晶格匹配的衬底，三族氮化物都是异质外延在其他材料上，常用的衬底有蓝宝石、SiC(碳化硅)、Si(硅)、砷化镓、氧化锌等，常用的外延方法有金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)等。
而SiC(碳化硅)是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件的最高工作温度局限在175℃。SiC器件的高温工作能力降低了对系统热预算的要求。此外，SiC器件还具有较高的热导率、高击穿电场强度、高饱和漂移速率、高热稳定性和化学惰性，其击穿电场强度比同类Si器件要高。
SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石，目前还没有第三种衬底用于GaN基LED的商业化生产。SiC衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，由于SiC衬底优异的导电性能和导热性能，可以较好地解决功率型GaN LED器件的散热问题，故在半导体照明技术领域占重要地位。但不足方面也很突出，如价格太高，晶体质量难以达到蓝宝石和Si那么好、机械加工性能比较差，另外，SiC衬底吸收380纳米以下的紫外光，不适合用来研发380纳米以下的紫外LED。并且SiC衬底LED的正面出光效率非常低。
在基于SiC或Si为衬底生产LED的过程中，由于SiC本身与GaN之间的晶格适配相对较大，化学性质相差太大，导致他们之间不浸润，没法直接生长，目前比较流行的就是在SiC和GaN之间插入一层晶格常数在他们之间的AlN作为缓冲层，再在上面生长GaN，会有效的减小晶格适配带来的应力，以防外延片生长过程中出现裂纹。基于SiC或Si衬底的LED结构自下至上包括SiC或Si衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW(多量子阱)和P型GaN层。目前以SiC衬底生长GaN基的LED，都遇到了各种各样的问题，如：可靠性不高、功率偏低等。
中国专利文献CN2845167Y公开了《倒装片封装结构》，包括一芯片以及一封装基板，该芯片表面设有多个金属垫，并覆盖一表面钝化保护层(passivation layer)，该表面钝化保护层具有多个开口以裸露出这些金属垫，并具有多个表面接点结构，分别连接这些金属垫，其中每一接点结构包括一凸块与一缓冲层，该凸块形成于所述金属垫上，该缓冲层形成于该表面钝化保护层上，并包围该凸块与该金属垫接触端的周围；该封装基板表面设有多个凸块垫(bump pad)，这些凸块垫分别与所述凸块电连接。上述《倒装片封装结构》工艺实现相对复杂，首先有好多个表面接点结构，并且连接金属垫。其次还用到了封装基板，封装基板表面设有多个凸块垫，这些实现的过程中，又因为设计的步骤较多，可能会出现工艺破坏，可行性不高。
目前，AsGa衬底和Al2O3(蓝宝石)衬底生长的LED使用倒装结构已经属于常规操作，剥离原衬底有很成熟的技术，AsGa衬底倒装后，原衬底只用最简单的腐蚀就可以去掉，Al2O3(蓝宝石)衬底可以使用激光剥离；但是SiC衬底却没有任何办法剥离下来，SiC衬底的LED没法采用倒装结构。
发明内容
本发明针对现有基于SiC或Si为衬底生产LED存在的可靠性不高、功率偏低等问题，提供一种能够提高发光强度SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离制作方法。
本发明的SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离制作方法，包括以下步骤：
(1)制作原始SiC衬底图形
通过PECVD(等离子增强化学气相沉淀)工艺在原始SiC衬底上蒸镀一层厚度为1000
-3000
的SiO2掩膜，在SiO2掩膜上涂上光刻胶，在光刻胶上通过预先刻制的图形掩膜版利用光刻机刻出所需要的纵横交错的SiO2掩膜渠道的图形，然后显影，显影后利用HF酸腐蚀掉没有光刻胶部分的SiO2掩膜，使这些部分露出原始SiC衬底表面，最后用丙酮腐蚀掉有光刻胶部分的光刻胶，使这些部分露出SiO2掩膜，形成纵横交错的SiO2掩膜渠道，这样就完成了原始SiC衬底图形的制作；
(2)在做好衬底图形的原始SiC衬底上按常规方法生长常规结构的外延片；常规结构的外延片自下至上包括衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW(多量子阱)层和P型GaN层；
(3)制作倒装外延片
取出生长结束后的外延片，在其上表面P型GaN层上镀一层反光金属Al或Au或Ag；然后利用衬底键合机将Al、Au或Ag反光金属层键合在一个新的SiC或者Si衬底上；将键合好的外延片先放入HF酸中1分钟-3分钟，腐蚀掉原始SiC衬底上纵横交错的SiO2掩膜，使得原始SiC衬底与其上的AlN缓冲层之间有了纵横交错的空隙，然后再把外延片放入到质量浓度为30％-50％的KOH溶液中2分钟-4分钟，KOH溶液进入这些纵横交错的空隙腐蚀AlN缓冲层，使原始SiC衬底脱落，这样就得到了腐蚀剥离的倒装结构的SiC基LED。
本发明先在原始SiC衬底上蒸镀上SiO2掩膜，再通过光刻制作所需图形，使原始SiC衬底表面形成纵横交错的SiO2掩膜渠道，然后在生长外延片和键合新衬底后，再利用化学试剂腐蚀掉SiO2掩膜渠道中的SiO2，进而通过腐蚀使原始衬底脱落，通过这样的方法成功地将原始SiC衬底剥离下来。由于外延片表面镀上了反光的金属(Al、Au、Ag)，进行倒装后，原SiC衬底吸收的50％的光，全部被反光的金属(Al、Au、Ag)反回，提高了出光效率，亮度提高了一倍。并且由于腐蚀原始衬底后，与其接触过的表面是刻蚀过的空隙，起到了一个表面粗化的效果，倒装后，功率提高了80-120％，效果非常显著。由于键合时选用的是SiC或Si衬底，这两种衬底均是散热性要强于蓝宝石的衬底，所以通过本发明得到的LED可以制作大功率器件和LED照明，解决了目前约束制作大功率器件和LED照明的重要瓶颈。
附图说明
图1是原始SiC衬底蒸镀上一层SiO2后，经过光刻显影后的正面示意图。
图2是在原始SiC衬底上生长的外延片示意图。
图3是在原始SiC衬底上生长完GaN后的截面示意图。
图4是在生长LED后镀(Al、Au、Ag)，并且与新的SiC或Si衬底键合后的示意图。
图5是倒装后的外延片示意图。
具体实施方式
本发明的SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离制作方法，包括以下三部分的制作过程：
1.制作原始SiC衬底图形
(1)将原始SiC衬底(区别于普通的蓝宝石衬底)放入PECVD(等离子增强化学气象沉淀)设备，蒸镀一层厚度为1000-3000
的SiO2掩膜；
(2)取出蒸镀SiO2掩膜后的原始SiC衬底，先在SiO2掩膜上涂上光刻胶，利用事先刻好的图形掩膜版在SiO2掩膜上利用光刻机刻出所设计的能够形成纵横交错的SiO2掩膜渠道的图形；
(3)显影；
(4)显影结束后利用HF酸腐蚀掉没有光刻胶部分的SiO2掩膜，使这些部分露出原始SiC衬底表面，得到图1所示的一个个方形凹槽，每个方形凹槽的尺寸为200um*200um；
(5)最后用丙酮去掉表面带有光刻胶部分的光刻胶，使这些部分露出SiO2掩膜，形成图1所示的纵横交错的SiO2掩膜渠道，SiO2掩膜渠道分为宽度为300um-600um的大渠道和宽度为50um-100um的小渠道。这样就完成了原始SiC衬底图形的制作。
2.在刻好图形后的SiC衬底上，利用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)设备，按常规方法生长如图2所示的正常结构外延片，自下至上包括原始SiC衬底、AlN缓冲层、不掺杂的GaN层、掺杂的GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层。具体生长过程如下：
(1)首先在900℃-1100℃下在第1步骤下完成的原始SiC衬底上沉积一层厚度为50nm-150nm的高温AlN缓冲层；AlN缓冲层生长在原始SiC衬底的方形凹槽中，如图3所示。
(2)保持900℃-1100℃，在高温AlN缓冲层上生长1um厚的UGaN层；
(3)继续在900℃-1100℃下在UGaN层上生长3um厚的掺杂Si的N型GaN层，掺Si量为5E17个原子/cm3-5E19个原子/cm3；
(4)600℃-900℃下在N型GaN层生长厚100nm的InGaN层与GaN层交替生长的MQW(多量子阱)，每层InGaN的厚度为2nm-5nm，每层GaN的厚度为12nm-15nm；
(5)800℃-1000℃下在MQW上面生长一层10nm-40nm厚的电子阻挡层，即掺杂Mg的P型AlGaN，掺Mg量为5E19个原子/cm3-5E21个原子/cm3；
(6)800℃-1000℃下在P-AlGaN上面生长厚100nm-300nm的掺杂Mg的P-GaN层，掺Mg量5E19个原子/cm3-5E21个原子/cm3。
在原始SiC衬底上生长完GaN后的截面如图3所示。
3.倒装外延片的制作
(1)取出生长结束后的外延片，在其上表面(P型GaN层)镀上一层反光金属Al或Au或Ag；
(2)然后利用衬底键合机将Al、Au或Ag反光金属层键合在一个导热性佳的新SiC或者Si衬底上；如图4所示。
(3)将键合好的外延片先放入HF酸中1分钟-3分钟，纵横交错的SiO2掩膜渠道上的SiO2掩膜脱落，在大渠道和小渠道上形成大沟槽和小沟槽，这样使得原始SiC衬底与其上的AlN缓冲层之间有了纵横交错的空隙。
(4)然后再把外延片放入到质量浓度为30％-50％的KOH溶液中，使KOH溶液由大沟槽流经小沟槽，腐蚀AlN缓冲层，2分钟-4分钟后，将外延片拿出溶液时原始SiC衬底已经脱落，这样就得到了如图5所示的倒装腐蚀剥离的SiC基LED外延片。
本发明使用湿法腐蚀，光刻显影出所需的图形，长完外延片后，再采用倒装技术。这种结构直接从缓冲层中取出，由于不从电流扩散层出光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，增加倒装芯片的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145W/mK)，散热效果更优；而且利用Al来作为反光层，效果显著，消除了电极和引线的挡光，在缓冲层中取出后，由于在生长前，这里已经刻好图形，倒装后正好形成了表面粗化的作用，因此这种结构具有电、光、热等方面较优的特性。
Claims (1)
1.一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离制作方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)制作原始SiC衬底图形
通过等离子增强化学气相沉淀工艺在原始SiC衬底上蒸镀一层厚度为
的SiO2掩膜，在SiO2掩膜上涂上光刻胶，在光刻胶上通过预先刻制的图形掩膜版利用光刻机刻出所需要的纵横交错的SiO2掩膜渠道的图形，然后显影，显影后利用HF酸腐蚀掉没有光刻胶部分的SiO2掩膜，使这些部分露出原始SiC衬底表面，最后用丙酮腐蚀掉有光刻胶部分的光刻胶，使这些部分露出SiO2掩膜，形成纵横交错的SiO2掩膜渠道，这样就完成了原始SiC衬底图形的制作；
(2)在做好衬底图形的原始SiC衬底上按常规方法生长常规结构的外延片；常规结构的外延片自下至上包括衬底、纵横交错的SiO2掩膜渠道、AlN缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；
(3)制作倒装外延片
取出生长结束后的外延片，在其上表面P型GaN层上镀一层反光金属Al或Au或Ag；然后利用衬底键合机将Al、Au或Ag反光金属层键合在一个新的SiC或者Si衬底上；将键合好的外延片先放入HF酸中1分钟-3分钟，腐蚀掉原始SiC衬底上纵横交错的SiO2掩膜，使得原始SiC衬底与其上的AlN缓冲层之间有了纵横交错的空隙，然后再把外延片放入到质量浓度为30％-50％的KOH溶液中2分钟-4分钟，KOH溶液进入这些纵横交错的空隙腐蚀AlN缓冲层，使原始SiC衬底脱落，这样就得到了腐蚀剥离的倒装结构的SiC基LED。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101119378A CN101794849B (zh) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101119378A CN101794849B (zh) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101794849A CN101794849A (zh) | 2010-08-04 |
| CN101794849B true CN101794849B (zh) | 2011-06-22 |
Family
ID=42587363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101119378A Active CN101794849B (zh) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101794849B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102299214A (zh) * | 2011-06-13 | 2011-12-28 | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 | 快速分离衬底与外延层的方法 |
| CN102255013B (zh) * | 2011-08-01 | 2013-09-04 | 华灿光电股份有限公司 | 一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法 |
| CN102723416A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-10 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led外延片及其制作方法 |
| CN103606603A (zh) * | 2013-10-29 | 2014-02-26 | 路旺培 | 一种SiC衬底GaN基LED的制备方法 |
| CN104993023B (zh) * | 2015-05-29 | 2018-06-05 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种利用化学腐蚀的方法剥离生长衬底的方法 |
| CN105551951A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-04 | 北京代尔夫特电子科技有限公司 | 一种湿法腐蚀三族氮化物的方法 |
| CN105895761B (zh) * | 2016-06-07 | 2018-02-23 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管 |
| CN105895755B (zh) * | 2016-06-07 | 2018-01-26 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管制作方法 |
| CN106784182A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-31 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管的衬底剥离结构、制作方法及剥离方法 |
| CN111628055B (zh) * | 2020-04-20 | 2021-08-17 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 | AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1950957A (zh) * | 2004-05-06 | 2007-04-18 | 美商克立股份有限公司 | 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置 |
| CN101026204A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法 |
| CN101640241A (zh) * | 2009-09-08 | 2010-02-03 | 山东华光光电子有限公司 | 一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7932111B2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-04-26 | Cree, Inc. | Substrate removal process for high light extraction LEDs |
| TWI334164B (en) * | 2006-06-07 | 2010-12-01 | Ind Tech Res Inst | Method of manufacturing nitride semiconductor substrate and composite material substrate |
-
2010
- 2010-02-23 CN CN2010101119378A patent/CN101794849B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1950957A (zh) * | 2004-05-06 | 2007-04-18 | 美商克立股份有限公司 | 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置 |
| CN101026204A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法 |
| CN101640241A (zh) * | 2009-09-08 | 2010-02-03 | 山东华光光电子有限公司 | 一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101794849A (zh) | 2010-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101794849B (zh) | 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 | |
| KR101978968B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 발광장치 | |
| US9142718B2 (en) | Light emitting device | |
| JP4177097B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ窒化物半導体ベースの放射線を発する半導体チップを製造する方法および放射線を発する半導体チップ | |
| KR100735496B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 | |
| KR101007130B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN101908587B (zh) | 一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法 | |
| KR101064006B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101077078B1 (ko) | 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자 | |
| KR101134731B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101646664B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| KR20080015192A (ko) | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 | |
| CN100386890C (zh) | 一种GaN基发光二极管的制作方法 | |
| JP2006332383A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| KR20120013758A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP4148846B2 (ja) | 発光ダイオード素子の製造方法および発光ダイオード素子 | |
| CN102067345A (zh) | 用于制备具有双面钝化的半导体发光器件的方法 | |
| CN104285307B (zh) | 高效发光二极管及其制造方法 | |
| KR101114047B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101072200B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN100463241C (zh) | 准垂直混合式N型高掺杂GaN LED倒装芯片的制备方法 | |
| CN102244173B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| KR100670929B1 (ko) | 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR101742617B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20080076344A (ko) | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SHANDONG HUAGUANG PHOTOELECTRONIC CO., LTD. Effective date: 20111212 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 250101 JINAN, SHANDONG PROVINCE TO: 261061 WEIFANG, SHANDONG PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20111212 Address after: 261061 Weifang high tech Zone, Jin Road, No. 9, No. Patentee after: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: Tianchen Avenue high tech Zone of Ji'nan City, Shandong Province, No. 1835 250101 Patentee before: Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 261061 No. 9, Golden Road, hi tech Zone, Shandong, Weifang Patentee after: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 261061 No. 9, Golden Road, hi tech Zone, Shandong, Weifang Patentee before: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201102 Address after: 277000 No.19 Guangming West Road, high tech Zone, Zaozhuang, Shandong Province Patentee after: ZAOZHUANG KESHUN DIGITAL Co.,Ltd. Address before: 261061 No. 9, Golden Road, hi tech Zone, Shandong, Weifang Patentee before: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |