发明内容
本发明目的在于克服上述已有技术的缺点,提出一种可靠性高、成本低、工艺简单的AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件,改变了光的出射路径,使出射光在半球形的窗口区发生干涉,以减少光的出射路径,提高输出光的功率以及外量子效率。
为实现上述目的,本发明提供的蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件:包括AlN成核层、本征AlGaN外延层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层和p型GaN帽层,其中p型GaN帽层的中心开有半球体状窗口区,用于改变出射光的路径,提高出射光的功率。
所述的窗口区底部位于p型AlGaN势垒层的五分之四处。
所述的窗口区顶部宽度与底部宽度的比例为2∶1。
为实现上述目的,本发明提供了如下两种制作AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的方法。
技术方案1,制作AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的方法,包括如下步骤:
A.材料生长步骤:在蓝宝石基片上,利用MOCVD工艺,依次生长低温AlN 成核层、高温AlN成核层、AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、40%-60%的高Al组分p型AlGaN势垒层、10%-25%的低Al组分p型AlGaN层和p型GaN帽层;
B.窗口区制作步骤:
(B1)采用ICP或者RIE工艺从顶部p型GaN帽层刻蚀至n型AlGaN层,形成n型AlGaN台面;
(B2)先光刻出位于p型GaN帽层的圆形窗口,再采用氯基ICP工艺二次刻蚀窗口区至低Al组分的p型AlGaN层,形成圆柱体的出光窗口,其刻蚀工艺参数分别为:180W-600W的上电极功率,0-150V的偏压,1-3Pa的压力、100-230s的刻蚀时间;
(B3)在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到70℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理;
(B4)采用KOH电解液对预处理后的样片进行光辅助湿法刻蚀,形成类似于半球体的出光窗口,其湿法刻蚀工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-2V--4V的偏压,10-15min的刻蚀时间;之后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti;
C.电极制作步骤:
(C1)在n型AlGaN台面上光刻出n型电极的图形,采用电子束蒸发工艺,在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属,形成n型电极;
(C2)在p型GaN帽层光刻出p型电极的图形,采用电子束蒸发工艺,在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属,形成p型电极,完成器件制作。
技术方案2,制作AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的方法,包括如下步骤:
1.材料生长步骤:在蓝宝石基片上,利用MOCVD工艺,依次生长低温AlN成核层、高温AlN成核层、AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、40%-60%的高Al组分p型AlGaN势垒层、10%-25%的低Al组分p型AlGaN层和p型GaN帽层;
2.窗口区制作步骤:
(2.1)采用ICP或者RIE工艺从顶部p型GaN帽层刻蚀至n型AlGaN层,形成n型AlGaN台面;
(2.2)在p型GaN帽层中心先光刻出圆形窗口,再采用氯基RIE工艺二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层,形成圆柱体的出光窗口,其刻蚀工艺参数分别为:80W-400W的电极功率,210-620V的偏压,5-10mT的反应室压力,80-210s的刻蚀时间;
(2.3)在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到80℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理;
(2.4)采用KOH电解液对预处理后的样片进行光辅助湿法刻蚀,形成类似于半球体的出光窗口,其湿法刻蚀工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-4V--6V的偏压,8-13min的刻蚀时间;之后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti;
3.电极制作步骤:
(3.1)在n型AlGaN台面上光刻出n型电极的图形,采用电子束蒸发工艺,在窗口区蒸发n型欧姆接触金属,形成n型电极;
(3.2)在p型GaN帽层光刻出p型电极的图形,采用电子束蒸发工艺,在窗口区蒸发p型欧姆接触金属,形成p型电极,完成器件制作。
本发明与现有技术相比具有如下优点:
(1)本发明的器件由于采用了顶部窗口结构,不仅提高出射光的出射孔径,而且使出射光在窗口区得到增强,即使电应力使器件的AlN缓冲层中的缺陷增多,也不会影响出射光的功率,这将极大地推进AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的实用化进程。
(2)本发明顶部窗口结构的制作是通过光辅助湿法刻蚀p-GaN冒层至p型AlGaN势垒层,形成出半球体状的出光窗口,使得发出的紫外光能从顶部辐射出来,有效的提高了光的输出功率以及器件的外量子效率。
(3)本发明器件的制作工艺完全能与成熟的蓝光GaN基LED器件制备工艺兼容,因而成本低、工艺简单。
具体实施方式
实施例一,本发明器件的制作包括材料生长、窗口区制作和电极制作三个部分。
1.参照图2,材料生长步骤如下:
步骤1,在蓝宝石基片上,利用MOCVD工艺,生长低温AlN成核层。
将衬底温度降低为600℃,保持生长压力50Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量为1500sccm,向反应室通入流量为23μmol/min的铝源,生长厚度为7nm的低温AlN成核层。
步骤2,在低温AlN成核层上,生长高温AlN成核层。
将生长温度升高到1050℃,保持生长压力50Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量为1500sccm,向反应室通入流量为26μmol/min的铝源,生长厚度为180nm的高温AlN成核层。
步骤3,在高温AlN成核层上,生长AlGaN外延层。
生长温度保持在1050℃,生长压力保持为110Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量为1500sccm,向反应室通入流量为42μmol/min的铝源和75μmol/min的镓源,生长厚度为1300nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4,在AlGaN外延层上,生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层。
生长温度保持在1050℃,生长压力保持为110Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量1500sccm,向反应室同时通入流量为55μmol/min的铝源、60μmol/min的镓源以及2-4μmol/min的Si源,生长厚度为600nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5,在n型AlGaN势垒层上,生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层,(x<y)。
生长温度保持在1050℃,生长压力保持为120Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量1500sccm,向反应室同时通入流量为65μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源,生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层;生长温度保持在1050℃,保持生长压力70Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量1500sccm,向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源,65μmol/min的镓源,生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层,量子阱的周期为3-5个。
步骤6,在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层上,生长40%-60%的高Al组分p型AlGaN势垒层。
生长温度保持在1000℃,生长压力保持为100Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量1500sccm,向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、80μmol/min的镓源,以及3-5μmol/min的Mg源,生长厚度为50nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7,在p型势垒层上,生长10%-25%的低Al组分p型AlGaN层。
生长温度保持在1000℃,生长压力保持为100Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量1500sccm,向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源、120μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源,生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8,在所述的低Al组分p型AlGaN层上,生长p型GaN帽层。
生长温度保持在950℃,保持生长压力70Torr,氢气流量为1500sccm,氨气流量1500sccm,向反应室同时通入流量为65μmol/min的镓源,以及3-5μmol/min的Mg源,生长厚度为60nm的p型GaN帽层。
2.参照图3,本发明的器件窗口区制作步骤如下:
第一步,在p型GaN帽层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于AlGaN材料的刻蚀速率较慢,增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形,更有利于保护未刻蚀区域表面;
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形;
采用ICP干法刻蚀,形成台面,刻蚀时采用的电极功率为550W,偏压为110V,压力为1.5Pa,刻蚀时间为400s;
采用丙酮去除刻蚀后的正胶,然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜,最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干,除去刻蚀后的掩膜层。
第二步,在p型GaN帽层上光刻出一圆形窗口,采用ICP二次刻蚀窗口区至低Al组分的p型AlGaN势垒层的一半处,形成圆柱体的出光窗口。
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口;
采用ICP干法刻蚀p型GaN帽层至低Al组分的p型AlGaN层,刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3,刻蚀深度为90nm,刻蚀采用的电极功率为180W,偏压为150V,压力为1Pa,刻蚀时间为230s,形成圆柱体的出光窗口。
第三步,采用紫外光辅助湿法刻蚀工艺,形成类似于半球体的出光窗口W。
首先,在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti;之后将其放入到70℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理,然后对其进行紫外光辅助湿法刻蚀,采用KOH电解液,其湿法刻蚀的工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-2V的偏压,15min的刻蚀时间,形成类似于半球体的出光窗口,最后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti;
3.参照图4,本发明的电极制作步骤如下:
1)在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形,采用电子束蒸发工艺,在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属,形成n型电极。
为了更好地剥离金属,首先在样片上甩黏附剂,转速为8000转/min,时间为30s,在温度为160℃的高温烘箱中烘20min,然后在该样片上甩正胶,转速为5000转/min,最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min,光刻获得n型电极图形;
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层,该步骤大大提高了剥离的成品率,而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属;
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理,然后用氮气吹干。将样片放入到快速退火炉中,首先向退火炉内通入氮气10min左右,然后在氮气气氛下,温度为870℃条件下进行40s的高温退火,形成n型电极。
2)在p型GaN帽层上光刻出p型电极的图形,采用电子束蒸发工艺,在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属,形成p型电极。
首先,在样片上甩黏附剂,甩胶台的转速为8000转/min,时间为30s,将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min,之后在该样片上甩正胶,甩胶台的转速为5000转/min,放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min,光刻获得p型电极图形;
其次,采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层,在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极;
最后,将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理,并用氮气吹干,之后再将该样片放入到快速退火炉中,在空气气氛下,温度为560℃条件下进行10min的高温退火,形成p型电极,完成器件制作。
实施例二,本发明器件的制作包括材料生长、窗口区制作和电极制作三个部分。
1.材料生长步骤:
该材料生长步骤与实施例一相同。
2.器件窗口区制作如图3所示,具体步骤如下:
第一步,在p型GaN帽层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢,增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形,更有利于保护未刻蚀区域表面;
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形;
采用ICP干法刻蚀,形成台面,刻蚀时采用的电极功率为550W,偏压为110V,压力为1.5Pa,刻蚀时间为400s;
采用丙酮去除刻蚀后的正胶,然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜,最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干,除去刻蚀后的掩膜层。
第二步,在p型GaN帽层上光刻出一圆形窗口,采用ICP二次刻蚀窗口区至低Al组分的p型AlGaN势垒层的一半处,形成圆柱体的出光窗口。
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口;
采用ICP干法刻蚀p型GaN帽层至低Al组分的p型AlGaN层,刻蚀深度为90nm,刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3,刻蚀采用的电极功率为400W,偏压为90V,压力为2Pa,刻蚀时间为160s,形成圆柱体的出光窗口。
第三步,采用紫外光辅助湿法刻蚀工艺,形成类似于半球体的出光窗口W。
首先,在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到70℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理,然后对其进行紫外光辅助湿法刻蚀,采用KOH电解液,其湿法刻蚀的工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-3V的偏压,12min的刻蚀时间,形成类似于半球体的出光窗口,最后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti;
3.电极制作步骤:
该电极制作步骤与实施例一相同。
实施例三,本发明器件的制作包括材料生长、窗口区制作和电极制作三个部分。
1.材料生长步骤:
该材料生长步骤与实施例一相同。
2.器件窗口区制作如图3所示,具体步骤如下:
第一步,在p型GaN帽层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢,增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形,更有利于保护未刻蚀区域表面;
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形;
采用ICP干法刻蚀,形成台面,刻蚀时采用的电极功率为550W,偏压为110V,压力为1.5Pa,刻蚀时间为400s;
采用丙酮去除刻蚀后的正胶,然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜,最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干,除去刻蚀后的掩膜层。
第二步,在p型GaN帽层上光刻出一圆形窗口,采用ICP二次刻蚀窗口区至p型低Al组分的p型AlGaN势垒层的一半处,形成圆柱体的出光窗口。
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口;
采用ICP干法刻蚀p型GaN帽层至低Al组分的p型AlGaN势垒层,刻蚀深度为90nm,刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3,刻蚀采用的电极功率为600W,偏压为0V,压力为3Pa,刻蚀时间为100s,形成圆柱体的出光窗口。
第三步,采用紫外光辅助湿法刻蚀工艺,形成类似于半球体的出光窗口W。
首先,在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到70℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理,然后对其进行紫外光辅助湿法刻蚀,采用KOH电解液,其湿法刻蚀的工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-4V的偏压,10min的刻蚀时间,形成类似于半球体的出光窗口,最后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti。
3.电极制作步骤:
该电极制作步骤与实施例一相同。
实施例四,本发明器件的制作包括材料生长、器件制作和电极制作三个部分。
1.材料生长步骤:
该材料生长步骤与实施例一相同。
2.器件窗口区制作如图3所示,具体步骤如下:
第一步,在p型GaN帽层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢,增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形,更有利于保护未刻蚀区域表面;
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形;
采用ICP干法刻蚀,形成台面,刻蚀时采用的电极功率为550W,偏压为110V,压力为1.5Pa,刻蚀时间为400s;
采用丙酮去除刻蚀后的正胶,然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜,最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干,除去刻蚀后的掩膜层。
第二步,在p型GaN帽层上光刻出一圆形窗口,采用RIE二次刻蚀窗口区至低Al组分的p型AlGaN势垒层的一半处,形成圆柱体的出光窗口。
在样片表面涂上光刻胶,在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶,然后在90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口;
采用RIE干法刻蚀p型GaN帽层至低Al组分的p型AlGaN层,刻蚀深度为90nm,刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3,刻蚀采用的电极功率为80W,偏压为210V,压力为10mT,刻蚀时间为210s,形成圆柱状的出光窗口。
第三步,采用紫外光辅助湿法刻蚀工艺,形成类似于半球体的出光窗口W。
首先,在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到80℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理,然后对其进行紫外光辅助湿法刻蚀,采用KOH电解液,其湿法刻蚀的工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-4V的偏压,13min的刻蚀时间,形成类似于半球体的出光窗口,最后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti。
3.电极制作步骤:
该电极制作步骤与实施例一相同。
实施例五,本发明器件的制作包括材料生长、器件制作和电极制作三个部分。
1.材料生长步骤:
该材料生长步骤与实施例一相同。
2.器件窗口区制作如图3所示,具体步骤如下:
第一步,在p型GaN帽层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢,增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形,更有利于保护未刻蚀区域表面;
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形;
采用ICP干法刻蚀,形成台面,刻蚀时采用的电极功率为550W,偏压为110V,压力为1.5Pa,刻蚀时间为400s;
采用丙酮去除刻蚀后的正胶,然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜,最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干,除去刻蚀后的掩膜层。
第二步,在p型GaN帽层上光刻出一圆形窗口,采用RIE二次刻蚀窗口区至低Al组分的p型AlGaN势垒层的一半处,形成圆柱体的出光窗口。
在样片表面涂上光刻胶,在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶,然后在90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口;
采用RIE干法刻蚀p型GaN帽层至低Al组分的p型AlGaN势垒层,刻蚀深度为90nm,刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3,刻蚀采用的电极功率为350W,偏压为485V,压力为7mT,刻蚀时间为155s,形成圆柱状的出光窗口。
第三步,采用紫外光辅助湿法刻蚀工艺,形成类似于半球体的出光窗口W。
首先,在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到80℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理,然后对其进行紫外光辅助湿法刻蚀,采用KOH电解液,其湿法刻蚀的工艺参数分别为:325m的He-Cd激光照射,-5V的偏压,10min的刻蚀时间,形成类似于半球体的出光窗口,最后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti。
3.电极制作步骤:
该电极制作步骤与实施例一相同。
实施例六,本发明器件的制作包括材料生长、器件制作和电极制作三个部分。
1.材料生长步骤:
该材料生长步骤与实施例一相同。
2.器件窗口区制作如图3所示,具体步骤如下:
第一步,在p型GaN帽层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300m的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢,增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形,更有利于保护未刻蚀区域表面;
对样片甩正胶,转速为5000转/min,然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形;
采用ICP干法刻蚀,形成台面,刻蚀时采用的电极功率为550W,偏压为110V,压力为1.5Pa,刻蚀时间为400s;
采用丙酮去除刻蚀后的正胶,然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜,最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干,除去刻蚀后的掩膜层。
第二步,在p型GaN帽层上光刻出一圆形窗口,采用RIE二次刻蚀窗口区至低Al组分的p型AlGaN势垒层的一半处,形成圆柱状的出光窗口。
在样片表面涂上光刻胶,在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶,然后在90℃的烘箱中烘15min,通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口;
采用RIE干法刻蚀p型GaN帽层至低Al组分的p型AlGaN势垒层,刻蚀深度为90nm,刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3,刻蚀采用的电极功率为400W,偏压为620V,压力为5mT,刻蚀时间为80s,形成形成圆柱状的出光窗口。
第三步,采用紫外光辅助湿法刻蚀工艺,形成类似于半球体的出光窗口W。
首先,在n型AlGaN台面和p型GaN帽层上光刻出湿法刻蚀的掩膜图形,采用电子束蒸发工艺,在掩膜图形区蒸发湿法掩膜金属层Ti,之后将其放入到80℃的KOH溶液中3min,进行湿法刻蚀前的预处理,然后对其进行紫外光辅助湿法刻蚀,采用KOH电解液,其湿法刻蚀的工艺参数分别为:325nm的He-Cd激光照射,-6V的偏压,8min的刻蚀时间,形成类似于半球体的出光窗口,最后将其放入到1∶10的HF溶液中漂洗掉金属掩膜层Ti;
3.电极制作步骤:
该电极制作步骤与实施例一相同。