CN101515618B - 蓝宝石衬底上的多量子阱紫外led器件的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、p-AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区(A)。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，改变了出射光的路径，大大减少了光在传播过程中的损耗。本发明由于采用干法刻蚀窗口区，使得位于窗口区底部的电子势垒层p-AlGaN的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，本发明可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，特别是一种新型AlGaN基多量子阱的uv-LED器件的实现方法，可用于水处理、医疗与生物医学以及白光照明领域。
背景技术
III-V族化合物半导体材料作为第三代半导体材料的杰出代表，具有很多优良的特性，尤其是在光学应用方面，由Ga、Al、In、N组成的合金{Ga(Al，In)N}可以覆盖整个可见光区和近紫外光区。而且纤锌矿结构的III族氮化物都是直接带隙，非常适合于光电子器件的应用。特别是在紫外光区，AlGaN基多量子阱的uv-LED已显示出巨大的优势，成为目前紫外光电器件研制的热点之一。然而，随着LED发光波长的变短，GaN基LED有源层中Al组分越来越高，高质量AlGaN材料的制备具有很大难度，AlGaN材料造成uv-LED的外量子效率和光功率都很低，成为了uv-LED发展的瓶颈，是当前急需解决的问题。
AlGaN基多量子阱uv-LED器件具有广阔的应用前景。首先，GaN基蓝绿光LED取得了突破性的进展，目前高亮度蓝绿光LED已经商业化，在景观照明、大屏幕背光源、光通讯等领域都显示了强大的潜力。其次，白光LED固态照明更是如火如荼，引发了第三次照明革命。再次，随着可见光领域的日趋成熟，研究人员把研究重点逐渐向短波长的紫外光转移，紫外光在丝网印刷、聚合物固化、环境保护、白光照明以及军事探测等领域都有重大应用价值。
目前，在国内和国际上，主要是采用一些新的材料生长方法，或者是采用新的结构来减少应力对AlGaN材料质量的破坏，来提高AlGaN材料的生长质量，从而提高了uv-LED的发光性能，这些方法包括：
2002年，第一个低于300nm的uv-LED在美国南卡罗莱纳州立大学实现，他们在蓝宝石衬底上制出了波长285nm的LED，200μ×200μ芯片在400mA脉冲电流下功率为0.15mW，改进p型和n型接触电阻后，最大功率达到0.25mW。参见文献V.Adivarahan，J.P.Zhang，A.Chitnis，et al，“sub-Milliwatt Power III-N Light EmittingDiodes at 285nm，”Jpn J Appl Phy，2002，41：L435。随后，他们又取得了一系列突破性进展，依次实现了280nm、269nm、265nm的发光波长，LED最大功率超过1mW。 参见文献W H Sun，J P Zhang，V Adivarahan，et al.“AlGaN-based 280nm light-emittingdiodes with continuous wave powers in excess of 1.5mW”Appl Phys Lett，2004，85(4)：531；V Adivarahan，S Wu，J P Zhang，et al.“High-efficiency 269nm emission deepultraviolet light-emitting diodes”Appl Phys Lett，2004，84(23)：4762；Y Bilenko，A Lunev，X Hu，et al.“10 Milliwatt Pulse Operation of 265nm AlGaN Light Emitting Diodes”Jpn JAppl Phys，2005，44：L98.为了改善电流传输，降低热效应，他们对100μm×100μm的小面积芯片，按照2×2阵列模式连接，并采用flip-chip结构，280nm波长的功率可达到24mW，最大外量子效率0.35％。参见文献W H Sun，J P Zhang，V Adivarahan，et al.“AlGaN-based 280nm light-emitting diodes with continuous wave powers in excess of1.5mW”Appl Phys Lett，2004，85(4)：531。2004年，又做出了250nm的LED，200μ×200μ的芯片最大功率接近0.6mW，但外量子效率仅有0.01％。参见文献VAdivarahan，W H Sun，A Chitnis，et al.“250nm AlGaN light-emitting diodes”Appl PhysLett，2004，85(12)：2175，
2004年，美国西北大学、堪萨斯大学也在深紫外特别是280-290nm波段取得了较大进展。Fischer A J，Allerman A A，et al.Room-temperature direct current operation of290nm Light-emitting diodes with milliwatt power level[J].Appl Phys Lett，2004，84(17)：3394.采用插丝状接触来改善芯片内部的电流扩展，倒装焊结构提高LED的散热能力，制出了1mm×1mm大功率紫外LED，发光波长290nm，300mA直流下的发光功率达1.34mW，外量子效率0.11％。Kim K H，Fan Z Y，Khizar M，et al.AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN epilayers[J].Appl Phys Lett，2004，85(20)：4777.将传统的方形芯片改为圆盘状，降低了开启电压，使功率大幅度提高，210μm直径的芯片，功率超过了1mW。
同年，美国南卡罗莱纳州立大学又研制出250和255nm的深紫外uv-LED，底部缓冲层采用AlGaN/AlN超晶格结构，生长出高质量的AlGaN势垒层，制出了200×200μm的深紫外LED，在300mA和1000mA的脉冲电流下，其发光功率分别达到0.16mW和0.57mW，但是由于采用底部出光的方式，其发光效率还是比较低。参见文献V Adivarahan，W H Sun，A Chitnis，M Shatalov，S Wu，H P Maruska，M Asif Khan.“250nm AlGaN light-emitting diodes”Appl Phys Lett，2004，85(12)：2175.
2007年，日本埼玉大学在231-261nm波段的深紫外LED的研究取得了进一步的进展，由于采用脉冲生长AlN缓冲层，进一步减少了AlN层的位错缺陷密度，从而 生长出高Al组分的AlGaN层，使得261nm的深紫外LED的光功率以及外量子效率分布达到1.65mW和0.23％。参见文献Hirayama Hideki，Yatabe Tohru，NoguchiNorimichi，Ohashi Tomoaki，Kamata Norihiko.“231-261nm AlGaN deep-ultravioletlight-emitting diodes fabricated on AlN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flowmethod on sapphire”Appl Phys Lett，2007，91(7)：071901-1.
纵上所述，当前，国际上AlGaN基deep uv-LED器件的制作都是采用底部出光的方式，对顶部出光的研究较少。随着发光波长的减少，底部缓冲层对紫外光的吸收越来越多，严重影响了出射光功率以及外量子效率。目前主要是改变p型电极的结构，以及器件的结构，现有底部出光的技术目前还存在很大的缺点，一是光的出射路径过长，中途光的损耗过大，往往造成光的外量子效率过低；二是底部AlN缓冲层的结晶质量都较差，造成材料的非辐射复合中心增多，对紫外光的吸收较多；三是底部缓冲层在电应力作用下，俘获光子的缺陷增加，严重影响了器件的可靠性。
发明内容
本发明目的在于克服上述已有技术的缺点，提出一种可靠性高、成本低、工艺简单的蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法，以减少光的出射路径，提高输出光的功率以及外量子效率。
为实现上述目的，本发明提供的蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件：包括AlN成核层、本征AlGaN外延层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层和p型GaN冒层，其中p型GaN冒层的中心刻蚀有柱体状窗口区，用于改变出射光的路径。
所述的窗口区底部位于p型AlGaN势垒层的四分之三处。
所述的窗口区的深度与宽度的比例为1∶1000。
为实现上述目的，本发明提供了如下两种制作蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件的方法。
技术方案1，制作蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件的方法，包括如下步骤：
材料生长步骤：在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长低温AlN成核层、高温AlN成核层、AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层、10％-25％的低Al组分p型AlGaN层和p型GaN层；
器件制作步骤：
1)采用ICP或者RIE工艺从顶部p型GaN冒层刻蚀至n型AlGaN层，形成n型AlGaN台面；
2)先光刻出位于p型GaN冒层的圆形窗口，再采用氯基ICP工艺二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口，其刻蚀工艺参数分别为：240W-600W的上电极功率，0-80V的偏压，1-3Pa的压力、100-180s的刻蚀时间；
3)在n型AlGaN台面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
4)在p型GaN冒层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制作。
技术方案2，制作蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件的方法，包括如下步骤：
材料生长步骤：在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长低温AlN成核层、高温AlN成核层、AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层、10％-25％的低Al组分p型AlGaN层和p型GaN层；
器件制作步骤：
1)在p型GaN冒层中心先光刻出圆形窗口，再采用氯基RIE工艺二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口，其刻蚀工艺参数分别为：150W-400W的电极功率，230-550V的偏压，5-10mT的反应室压力，100-240s的刻蚀时间；
2)采用ICP或者RIE工艺从顶部p型GaN冒层刻蚀至n型AlGaN层，形成n型AlGaN台面；
3)在n型AlGaN台面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
4)在p型GaN冒层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制作。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
(1)本发明由于通过刻蚀p-GaN冒层至p型AlGaN阻挡层，形成出圆柱体状的出光窗口，使得发出的紫外光能从顶部辐射出来，有效的提高了光的输出功率以及器件的外量子效率。
(2)本发明的制作工艺完全能与成熟的蓝光GaN基LED器件制备工艺兼容，特别是p型AlGaN表面经过刻蚀粗化后，有效的提高了光的出射功率。
(3)本发明的器件由于采用了顶部窗口结构，即使电应力使器件的AlN缓冲层中的缺陷增多，也不会影响出射光的功率，这将极大地推进AlGaN基多量子阱紫外LED的实用化进程。
附图说明
图1是本发明器件的剖面结构示意图；
图2是本发明材料生长的工艺流程图；
图3是本发明器件方案1的制作工艺流程图；
图4是本发明器件方案2的制作工艺流程图。
参照图1，本发明器件的最下层为蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上为低温AlN成核层，低温AlN成核层上为高温成核层，高温AlN成核层上为AlGaN外延层，AlGaN外延层上为n型AlGaN势垒层，n型AlGaN势垒层上为有源区，该有源区由多量子阱结构的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN组成，有源区上为高Al组分p型AlGaN势垒层，其上为低Al组分的p型AlGaN层，最上面为p型GaN冒层。p型GaN冒层处设有窗口区A，使产生的光由顶部冒层发出。该窗口区A的形状为圆柱体，其底部位于p型AlGaN势垒层厚度的四分之三处。窗口区A的深度与宽度的比例为1∶1000，n型电极位于n-AlGaN台面上，p型电极位于p型GaN冒层上。
实施例一，本发明器件的制作包括材料生长和器件制作两个步骤。
参照图2，本发明的材料生长步骤如下：
步骤1，在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，生长低温AlN成核层。
将衬底温度降低为600℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为5nm的低温AlN成核层。
步骤2，在低温AlN成核层上，生长高温AlN成核层。
将生长温度升高到1050℃，保持生长压力50Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为28μmol/min的铝源，生长厚度为200nm的高温AlN成核层。
步骤3，在高温AlN成核层上，生长AlGaN外延层。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力为110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量为1500sccm，向反应室通入流量为50μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为1200nm的非掺杂的AlGaN外延层。
步骤4，在AlGaN外延层上，生长Si掺杂的n型AlGaN势垒层。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力110Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为60μmol/min的铝源、70μmol/min的镓源以及1-3μmol/min的Si源，生长厚度为700nm的Si掺杂的AlGaN势垒层。
步骤5，在n型AlGaN势垒层上，生长多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层，(x＜y)。
生长温度保持在1050℃，保持生长压力120Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为65μmol/min的铝源和80μmol/min的镓源，生长厚度为2-7nm的AlxGa1-xN势阱层；生长温度保持在1050℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源，65μmol/min的镓源，生长厚度为2-10nm的AlyGa1-yN势垒层，量子阱的周期为3-5个。
步骤6，在多量子阱AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层上，生长40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为110μmol/min的铝源、80μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为65nm的高Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤7，在p型势垒层上，生长10％-25％的低Al组分p型AlGaN层。
生长温度保持在1000℃，保持生长压力100Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为80μmol/min的铝源、120μmol/min的镓源以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的低Al组分的p型AlGaN势垒层。
步骤8，在所述的低Al组分p型AlGaN层上，生长p型GaN冒层。
生长温度保持在950℃，保持生长压力70Torr，氢气流量为1500sccm，氨气流量1500sccm，向反应室同时通入流量为65μmol/min的镓源，以及3-5μmol/min的Mg源，生长厚度为60nm的p型GaN冒层。
参照图3，本发明的器件制作步骤如下：
第一步，在p型GaN冒层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢，增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形，更有利于保护未刻蚀区域表面；
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min， 通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形；
采用ICP干法刻蚀，形成台面，刻蚀时采用的电极功率为550W，偏压为110V，压力为1.5Pa，刻蚀时间为400s；
采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜，最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干，除去刻蚀后的掩膜层。
第二步，在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用ICP二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口A。
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
采用ICP干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀深度为135nm，刻蚀采用的电极功率为240W，偏压为80V，压力为1Pa，刻蚀时间为180s，形成圆柱体的出光窗口。
第三步，在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率，而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属；
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干。将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为870℃条件下进行40s的高温退火，形成n型电极。
第四步，在p型GaN冒层上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮 气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例二，本发明器件的制作包括材料生长和器件制作两个步骤。
其中材料生长步骤与实施例一相同，如图2所示。
器件制作如图3所示，具体步骤如下：
第一步，在p型GaN冒层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢，增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形，更有利于保护未刻蚀区域表面；
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形；
采用ICP干法刻蚀，形成台面，刻蚀时采用的电极功率为550W，偏压为110V，压力为1.5Pa，刻蚀时间为400s；
采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜，最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干，除去刻蚀后的掩膜层。
第二步，在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用ICP二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口A。
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
采用ICP干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为135nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为450W，偏压为60V，压力为2Pa，刻蚀时间为140s，形成圆柱体的出光窗口。
第三步，在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率，而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属；
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干。将样片放入到快速 退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为870℃条件下进行40s的高温退火，形成n型电极。
第四步，在p型GaN冒层上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例三，本发明器件的制作包括材料生长和器件制作两个步骤。
其中材料生长步骤与实施例一相同，如图2所示。
器件制作如图3所示，具体步骤如下：
第一步，在p型GaN冒层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢，增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形，更有利于保护未刻蚀区域表面；
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形；
采用ICP干法刻蚀，形成台面，刻蚀时采用的电极功率为550W，偏压为110V，压力为1.5Pa，刻蚀时间为400s；
采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜，最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干，除去刻蚀后的掩膜层。
第二步，在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用ICP二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口A。
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
采用ICP干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为135nm，刻蚀 采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为600W，偏压为0V，压力为3Pa，刻蚀时间为100s，形成圆柱体的出光窗口。
第三步，在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率，而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属；
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干。将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为870℃条件下进行40s的高温退火，形成n型电极。
第四步，在p型GaN冒层上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例四，本发明器件的制作包括材料生长和器件制作两个步骤。
其中材料生长步骤与实施例一相同，如图2所示。
器件制作如图4所示，具体步骤如下：
第一步，在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用RIE二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口A。
在样片表面涂上光刻胶，在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶，然后在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
采用RIE干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为135nm，刻蚀 采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为150W，偏压为230V，压力为10mT，刻蚀时间为240s，形成底部在p型AlGaN势垒层的圆柱体出光窗口。
第二步，在p型GaN冒层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢，增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形，更有利于保护未刻蚀区域表面；
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形；
采用ICP干法刻蚀，形成台面，刻蚀时采用的电极功率为550W，偏压为110V，压力为1.5Pa，刻蚀时间为400s；
采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜，最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干，除去刻蚀后的掩膜层。
第三步，在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率，而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属；
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干。将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为870℃条件下进行40s的高温退火，形成n型电极。
第四步，在p型GaN冒层上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮 气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例五，本发明器件的制作包括材料生长和器件制作两个步骤。
其中材料生长步骤与实施例一相同，如图2所示。
器件制作如图4所示，具体步骤如下：
第一步，在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用RIE二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口A。
在样片表面涂上光刻胶，在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶，然后在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
采用RIE干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为135nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为320W，偏压为410V，压力为8mT，刻蚀时间为180s，形成底部在p型AlGaN势垒层的圆柱体出光窗口。
第二步，在p型GaN冒层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢，增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形，更有利于保护未刻蚀区域表面；
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形；
采用ICP干法刻蚀，形成台面，刻蚀时采用的电极功率为550W，偏压为110V，压力为1.5Pa，刻蚀时间为400s；
采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜，最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干，除去刻蚀后的掩膜层。
第三步，在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率，而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属；
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干。将样片放入到快速 退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为870℃条件下进行40s的高温退火，形成n型电极。
第四步，在p型GaN冒层上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
实施例六，本发明器件的制作包括材料生长和器件制作两个步骤。
其中材料生长步骤与实施例一相同，如图2所示。
器件制作如图4所示，具体步骤如下：
第一步，在p型GaN冒层上光刻出一圆形窗口，采用RIE二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口A。
在样片表面涂上光刻胶，在转速为5000转/min的甩胶台上进行甩胶，然后在90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的出光窗口；
采用RIE干法刻蚀p型GaN层至p型AlGaN势垒层，刻蚀深度为135nm，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3，刻蚀采用的电极功率为400W，偏压为550V，压力为5mT，刻蚀时间为100s，形成底部在p型AlGaN势垒层的圆柱体出光窗口。
第二步，在p型GaN冒层上采用ICP或者RIE工艺刻蚀台面至n型AlGaN层。
采用电子束蒸发设备淀积厚度约为300nm的SiO2层来作为刻蚀掩模层。由于对于AlGaN材料的刻蚀速率较慢，增加该步骤是为了在样片上形成SiO2和光刻胶共同起作用的双层掩膜图形，更有利于保护未刻蚀区域表面；
对样片甩正胶，转速为5000转/min，然后再在温度为90℃的烘箱中烘15min，通过光刻以及显影形成刻蚀所需的图形；
采用ICP干法刻蚀，形成台面，刻蚀时采用的电极功率为550W，偏压为110V，压力为1.5Pa，刻蚀时间为400s；
采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后在BOE中浸泡1min去除SiO2掩膜，最后用去离子水清洗干净并用氮气吹干，除去刻蚀后的掩膜层。
第三步，在n型AlGaN层上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极。
为了更好地剥离金属，首先在样片上甩黏附剂，转速为8000转/min，时间为30s，在温度为160℃的高温烘箱中烘20min；然后再在该样片上甩正胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得n型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率，而后采用VPC-1000电子束蒸发设备淀积Ti/Al/Ti/Au四层金属；
在丙酮中浸泡40min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干。将样片放入到快速退火炉中，首先向退火炉内通入氮气10min左右，然后在氮气气氛下，温度为870℃条件下进行40s的高温退火，形成n型电极。
第四步，在p型GaN冒层上光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极。
首先在样片上甩黏附剂，甩胶台的转速为8000转/min，时间为30s，将其放入温度为160℃的高温烘箱中烘20min；之后再在该样片上甩正胶，甩胶台的转速为5000转/min，放入温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得p型电极图形；
采用DQ-500等离子体去胶机去除图形区未显影干净的光刻胶薄层，在p型电极图形上采用VPC-1100电子束蒸发设备蒸发Ni/Au两层金属来作为p型电极；
将进行完上述处理的样片放入丙酮中浸泡20min以上后进行超声处理，然后用氮气吹干，之后再将该样片放入到快速退火炉中，在空气气氛下，温度为560℃条件下进行10min的高温退火，形成p型电极，完成器件制作。
Claims (2)
1.一种蓝宝石衬底上多量子阱紫外LED器件的制作方法，包括：
I.材料生长步骤：在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长600℃的低温AlN成核层、1050℃的高温AlN成核层、AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层、10％-25％的低Al组分p型AlGaN层和p型GaN帽层；
II.器件制作步骤：
1)采用ICP或者RIE工艺从顶部p型GaN帽层刻蚀至n型AlGaN层，形成n型AlGaN台面；
2)先光刻出位于p型GaN帽层的圆形窗口，再采用氯基ICP工艺二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口，其刻蚀工艺参数分别为：240W-600W的上电极功率，0-80V的偏压，1-3Pa的压力、100-180s的刻蚀时间；
3)在n型AlGaN台面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
4)在p型GaN帽层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在电极图形区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制作。
2.一种蓝宝石衬底上多量子阱紫外LED器件的制作方法，包括：
I.材料生长步骤：在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，依次生长600℃的低温AlN成核层、1050℃的高温AlN成核层、AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、40％-60％的高Al组分p型AlGaN势垒层、10％-25％的低Al组分p型AlGaN层和p型GaN帽层；
II.器件制作步骤：
1)在p型GaN帽层中心先光刻出圆形窗口，再采用氯基RIE工艺二次刻蚀窗口区至p型AlGaN势垒层，形成圆柱体的出光窗口，其刻蚀工艺参数分别为：150W-400W的电极功率，230-550V的偏压，5-10mT的反应室压力，100-240s的刻蚀时间；
2)采用ICP或者RIE工艺从顶部p型GaN帽层刻蚀至n型AlGaN层，形成n型AlGaN台面；
3)在n型AlGaN台面上光刻出n型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发n型欧姆接触金属，形成n型电极；
4)在p型GaN帽层光刻出p型电极的图形，采用电子束蒸发工艺，在窗口区蒸发p型欧姆接触金属，形成p型电极，完成器件制作。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100217794A CN101515618B (zh) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 蓝宝石衬底上的多量子阱紫外led器件的制作方法 |
| US13/262,049 US8525198B2 (en) | 2009-03-31 | 2009-08-26 | Ultraviolet light emitting diode devices and methods for fabricating the same |
| JP2012502421A JP2012522388A (ja) | 2009-03-31 | 2009-08-26 | 紫外光発光ダイオード装置及びその製造方法 |
| PCT/CN2009/073519 WO2010111854A1 (zh) | 2009-03-31 | 2009-08-26 | 紫外发光二极管器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100217794A CN101515618B (zh) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 蓝宝石衬底上的多量子阱紫外led器件的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101515618A CN101515618A (zh) | 2009-08-26 |
| CN101515618B true CN101515618B (zh) | 2010-12-01 |
Family
ID=41039980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100217794A Active CN101515618B (zh) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 蓝宝石衬底上的多量子阱紫外led器件的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101515618B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2719339C1 (ru) * | 2017-02-15 | 2020-04-17 | Соко Кагаку Ко., Лтд. | Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента и нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовое излучение элемент |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102148300A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-08-10 | 中国科学院半导体研究所 | 一种紫外led的制作方法 |
| CN102544271A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-04 | 中国科学院半导体研究所 | 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 |
| CN103165434A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-06-19 | 华中科技大学 | 一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法 |
| CN104283048A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 朱睿 | 多用插座安全套 |
| CN103887378B (zh) * | 2014-03-28 | 2017-05-24 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种高光效紫外led的外延生长方法 |
| CN103887392B (zh) * | 2014-03-28 | 2017-04-05 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种提高led发光效率的外延生长方法 |
| JP2017050439A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 豊田合成株式会社 | 紫外発光素子およびその製造方法 |
| CN105762240B (zh) * | 2016-04-18 | 2018-10-16 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法 |
| CN106025020B (zh) * | 2016-06-24 | 2019-01-11 | 闽南师范大学 | 具有高反射欧姆接触电极的短波紫外led芯片制造方法 |
| CN111785797B (zh) * | 2020-08-11 | 2021-05-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法 |
| CN112186080B (zh) * | 2020-09-30 | 2021-10-08 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片的生长方法 |
| CN113782651B (zh) * | 2021-09-02 | 2024-04-26 | 宁波安芯美半导体有限公司 | 一种图形化深紫外led外延结构及其制备方法 |
-
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- 2009-03-31 CN CN2009100217794A patent/CN101515618B/zh active Active
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| RU2719339C1 (ru) * | 2017-02-15 | 2020-04-17 | Соко Кагаку Ко., Лтд. | Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента и нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовое излучение элемент |
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|---|---|
| CN101515618A (zh) | 2009-08-26 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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