CN104934507A - Led外延结构及其制备方法 - Google Patents
Led外延结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104934507A CN104934507A CN201510354265.6A CN201510354265A CN104934507A CN 104934507 A CN104934507 A CN 104934507A CN 201510354265 A CN201510354265 A CN 201510354265A CN 104934507 A CN104934507 A CN 104934507A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- barrier layer
- layer
- epitaxial structure
- mqw active
- led epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 132
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 8
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，电子阻挡层，P型GaN层；所述MQW有源层和所述电子阻挡层之间还生长有极化掺杂垒层，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减。本发明采用新的极化掺杂垒层取代传统的低温u-AlGaN层，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减，减少吸光，有利出光，同时减少单炉时间，提升产能；进一步的，极化掺杂垒层形成逐渐降低的能级，有利于空穴的注入，提高复合效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种LED外延结构及其制备方法。
背景技术
发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）作为一种高效、环保和绿色新型固态照明光源，具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高及使用功耗低等优点，使其得以广泛应用。特别地，随着LED 行业的迅猛发展，LED在照明领域的应用所占比例越来越高。随着大功率LED芯片在照明领域广泛应用，对大功率LED芯片发光效率要求与日俱增；相应的，提高大功率LED芯片发光效率，一方面要提高大功率芯片的亮度，另外一方面要降低大功率芯片在高电流密度下的工作电压。
LED结构中的高温电子阻挡层对MQW有源层具有破坏作用，通常采取在两者之间生长一层较厚的且低温的uAlGaN来对MQW有源层进行保护，然而，如此设计后，会增加LED芯片的单炉时间，同时增加吸光，影响其发光亮度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED外延结构及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明一实施方式提供一种LED外延结构，所述LED外延结构包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，电子阻挡层，P型GaN层；所述MQW有源层和所述电子阻挡层之间还生长有极化掺杂垒层，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为8~30nm。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为8~20nm。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为12nm。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值范围为10%~20%；
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值范围为0%~4%。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值范围为10%~15%；
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值范围为0%~4%。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值为12%，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值为2%。
作为本实施方式的进一步改进，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面线性递减。
为了实现上述发明目的之一，本实施方式的一种LED外延结构的制备方法包括：提供一衬底；
在所述衬底上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长MQW有源层；
在所述MQW有源层上生长极化掺杂垒层；
在所述极化掺杂垒层上生长电子阻挡层；
在所述电子阻挡层上生长P型GaN层；
其中，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减。
作为本实施方式的进一步改进，所述极化掺杂垒层的生长温度的取值范围为840℃~880℃，其生长压力为200torr。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的LED外延结构及其制备方法，采用新的极化掺杂垒层取代传统的低温u-AlGaN层，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减，减少吸光，有利出光，同时减少单炉时间，提升产能；进一步的，极化掺杂垒层形成逐渐降低的能级，有利于空穴的注入，提高复合效率。
附图说明
图1是本发明一实施方式中LED外延结构的结构示意图；
图2是本发明一实施方式中LED外延结构的制备方法的流程示意图；
图3是本发明一实施方式中LED外延结构中极化掺杂垒层中Al的摩尔含量的变化曲线示意图；
图4为本发明一实施方式的LED外延结构与现有技术的LED外延结构的亮度对比芯片测试数据。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
如图1所示，本发明提供的LED外延结构，LED外延结构从下向上依次包括：衬底10，N型GaN层20，MQW有源层30，掺杂垒层40，电子阻挡层50，P型GaN层60。
本发明一实施方式中，衬底10的材料为蓝宝石衬底，当然，在本发明的其他实施方式中，衬底10也可以为其他衬底材料，如Si、SiC等。
本发明一实施方式中，N型GaN层20优选高温N型GaN层。
本发明一实施方式中，MQW有源层30包括：从下向上依次生成的6-8个多量子阱层、以及生长在6-8个多量子阱层之上的InGaN的阱层。
本发明一实施方式中，掺杂垒层40为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与MQW有源层30接触的下表面到与所述电子阻挡层50接触的上表面递减。
本发明一实施方式中，所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为8~30nm。
进一步的，所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为8~20nm。
本发明一实施方式中，所述AlxGa(1-x)N垒层与MQW有源层30接触的下表面中，所述x的取值范围为10%~20%；
所述AlxGa(1-x)N垒层与电子阻挡层接触50的上表面中，所述x的取值范围为0%~4%。
进一步的，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层30接触的下表面中，所述x的取值范围为10%~15%；
所述AlxGa(1-x)N垒层与电子阻挡层50接触的上表面中，所述x的取值范围为0%~4%。
进一步的，所述AlxGa(1-x)N垒层与MQW有源层30接触的下表面中，所述x的取值为12%，所述AlxGa(1-x)N垒层与电子阻挡层50接触的上表面中，所述x的取值为2%。
本发明一实施方式中，结合图3所示，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与MQW有源层30接触的下表面到与电子阻挡层50接触的上表面线性递减。当然，在本发明的其他实施方式中，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与MQW有源层30接触的下表面到与电子阻挡层50接触的上表面间断递减，或非线性递减。如此，采用新的极化掺杂垒层40取代传统的低温u-AlGaN层，减少吸光，有利出光，同时减少单炉时间，提升产能；进一步的，使极化掺杂垒层40形成逐渐降低的能级，有利于空穴的注入，提高复合效率。
本发明一实施方式中，电子阻挡层50优选P型AlGaN电子阻挡层。
本发明一实施方式中，P型GaN层60优选高温P型GaN。
在上述图1所示LED外延结构的基础上，本发明一实施方式中，所述LED外延结构还包括：生长于衬底10和N型GaN层20之间的成核层701。
其中，成核层701优选低温GaN成核层，并将TMGa作为Ga源。
在上述图1所示LED外延结构的基础上，本发明一实施方式中，所述LED外延结构还包括：生长于衬底10和N型GaN层20之间的氮化物缓冲层703。
氮化物缓冲层703可为GaN缓冲层或AlN 缓冲层；本发明优选实施方式中，氮化物缓冲层703为厚度为0.5-1um间的高温GaN 缓冲层；当然，在本发明的其他实施方式中，GaN缓冲层还可以包括高温条件下生长的高温GaN缓冲层和低温条件下生长的低温GaN缓冲层，在此不做详细赘述。
在上述图1所示LED外延结构的基础上，本发明一实施方式中，所述LED外延结构还包括：生长于衬底10和N型GaN层20之间的非掺杂GaN层705；本发明优选实施方式中，非掺杂GaN层705为非掺杂高温u-GaN层。
当然，在上述图1所示LED外延结构的基础上，在本发明的其他实施方式中，上述成核层701、氮化物缓冲层703、非掺杂GaN层705还可以任意组合加入到LED外延结构中，例如：LED外延结构从下向上依次包括：衬底10、成核层701、氮化物缓冲层703、非掺杂GaN层705、N型GaN层20、MQW有源层30、掺杂垒层40、电子阻挡层50、P型GaN60层，在此不做详细赘述。
在上述图1所示LED外延结构的基础上，本发明一实施方式中，所述LED外延结构还包括：生长于P型GaN层60上的欧姆接触层80，本发明优选实施方式中，欧姆接触层80为P型GaN接触层，进一步的，欧姆接触层80为高压p型InGaN层，在此不做详细赘述。
结合图2所示，本发明一实施方式中，公开一种LED外延结构的制备方法，所述方法包括：
S1、提供一衬底，
S2、在所述衬底上生长N型GaN层，
S3、在所述N型GaN层上生长MQW有源层，
S4、在所述MQW有源层上生长极化掺杂垒层，
S5、在所述极化掺杂垒层上生长电子阻挡层，
S6、在所述电子阻挡层上生长P型GaN层；
其中，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减。
在本发明一实施方式中，所述步骤S1后，所述方法还包括:S71、在所述N型GaN层上生长成核层；
S72、在所述成核层上生长氮化物缓冲层；
S73、在所述氮化物缓冲层上生长非掺杂GaN层；
当然，本发明一实施方式中，所述步骤S71、S72、S73还可以任意组合：
例如：所述步骤S1后，所述方法还包括：S71、在所述N型GaN层上生长成核层；
或S72、在所述N型GaN层上生长氮化物缓冲层；
或S73、在所述氮化物缓冲层上生长非掺杂GaN层；在此不做详细赘述。
在本发明一实施方式中，所述步骤S6后，所述方法还包括:
S8、在所述P型GaN层上生长欧姆接触层。
需要说明的是，通过上述方法制备出的衬底、成核层、氮化物缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、MQW有源层、掺杂垒层、电子阻挡层、P型GaN层的具体组分可以参考前述LED外延结构，在此不做详细赘述。
以下结合具体实施方式对本发明作进一步说明。
在本实施方式中，LED外延结构的制备方法具体包括：
M1、提供一衬底；
所述衬底为蓝宝石衬底，在氢气气氛里进行退火，清洁蓝宝石衬底表面，温度控制在1050-1100℃之间，然后进行氮化处理1-3min。
M2、在所述N型GaN层上生长成核层；
将温度下降到500-550℃之间，在所述N型GaN层上生长15-25nm厚的低温GaN成核层，生长压力控制在500Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在80-120之间，石墨盘转速稳定在600转/分钟，并将TMGa作为Ga源。
M3、在所述成核层上生长成氮化物缓冲层；
进行原位退火处理，在所述成核层上生长厚度为0.5-1um间的高温GaN 缓冲层。
M4、在所述氮化物缓冲层上生长非掺杂GaN层；
在所述氮化物缓冲层上生长一层非掺杂高温u-GaN层。
M5、在所述氮化物缓冲层上生长N型GaN层；
在所述氮化物缓冲层上生长一层高温N型GaN层。
M6、在所述N型GaN层上生长MQW有源层；
在所述高温N型GaN层生长结束后，生长6~8个多量子阱层，之后在所述6~8个多量子阱层上再生长最后一个InGaN的阱层。
M7、在所述MQW有源层上生长极化掺杂垒层；
生长温度控制在840~880℃，生长压力控制在200torr，在所述MQW有源层上生长一个线性渐变逐渐递减的AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值为12%，所述AlxGa(1-x)N垒层的上表面中，所述x的取值为2%，所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为12nm。
M8、在所述极化掺杂垒层上生长电子阻挡层；
在所述极化掺杂垒层上生长P型AlGaN电子阻挡层。
M9、在所述电子阻挡层上生长P型GaN层；
在所述电子阻挡层上生长高温P型GaN。
M10、在所述P型GaN层上生长欧姆接触层；
在所述P型GaN层上生长高压P型GaN接触层。
上述实施方式仅仅为一优选实施方式，在本发明的其他实施方式中，所述掺杂垒层的厚度， 所述掺杂垒层的Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面变化的范围，以及x的取值范围等均可以根据需求设置为其他数值或种类，在此不再进一步赘述。
结合图4所示，本发明实施方式和现有技术中两种结构采用相同芯片制程，在相同的测试条件下（驱动电流150mA）进行测试，其中，样品A为现有技术的LED外延结构，样品B为本发明实施方式的LED外延结构。
由图4可知，本实施方式中LED外延结构的发光亮度(LOP)较现有技术中LED外延结构的发光亮度(LOP)提升3.3mW（1.5%）。
综上所述，本发明的LED外延结构及其制备方法，采用新的极化掺杂垒层取代传统的低温u-AlGaN层，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减，减少吸光，有利出光，同时减少单炉时间，提升产能；进一步的，极化掺杂垒层形成逐渐降低的能级，有利于空穴的注入，提高复合效率。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：
衬底，N型GaN层，MQW有源层，电子阻挡层，P型GaN层；所述MQW有源层和所述电子阻挡层之间还生长有极化掺杂垒层，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为8~30nm。
3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为8~20nm。
4.根据权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层的厚度为12nm。
5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值范围为10%~20%；
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值范围为0%~4%。
6.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值范围为10%~15%；
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值范围为0%~4%。
7.根据权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层与所述MQW有源层接触的下表面中，所述x的取值为12%，所述AlxGa(1-x)N垒层与所述电子阻挡层接触的上表面中，所述x的取值为2%。
8.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，
所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面线性递减。
9.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，
提供一衬底；
在所述衬底上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长MQW有源层；
在所述MQW有源层上生长极化掺杂垒层；
在所述极化掺杂垒层上生长电子阻挡层；
在所述电子阻挡层上生长P型GaN层；
其中，所述极化掺杂垒层为AlxGa(1-x)N垒层，所述AlxGa(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述MQW有源层接触的下表面到与所述电子阻挡层接触的上表面递减。
10.根据权利要求9所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，
所述极化掺杂垒层的生长温度的取值范围为840℃~880℃，其生长压力为200torr。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510354265.6A CN104934507A (zh) | 2015-06-25 | 2015-06-25 | Led外延结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510354265.6A CN104934507A (zh) | 2015-06-25 | 2015-06-25 | Led外延结构及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104934507A true CN104934507A (zh) | 2015-09-23 |
Family
ID=54121583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510354265.6A Pending CN104934507A (zh) | 2015-06-25 | 2015-06-25 | Led外延结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104934507A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106992233A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-07-28 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 反极性紫外led外延结构及其制备方法 |
| CN107180899A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-09-19 | 广东工业大学 | 一种深紫外led |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102299482A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-28 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 |
| CN102623599A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
| KR20130008141A (ko) * | 2011-07-12 | 2013-01-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| CN103887385A (zh) * | 2014-03-13 | 2014-06-25 | 中国科学院半导体研究所 | 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 |
| CN204668346U (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-23 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led外延结构 |
-
2015
- 2015-06-25 CN CN201510354265.6A patent/CN104934507A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130008141A (ko) * | 2011-07-12 | 2013-01-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| CN102299482A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-28 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 |
| CN102623599A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
| CN103887385A (zh) * | 2014-03-13 | 2014-06-25 | 中国科学院半导体研究所 | 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 |
| CN204668346U (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-23 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led外延结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106992233A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-07-28 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 反极性紫外led外延结构及其制备方法 |
| CN107180899A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-09-19 | 广东工业大学 | 一种深紫外led |
| CN107180899B (zh) * | 2017-07-21 | 2023-11-14 | 广东工业大学 | 一种深紫外led |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100568551C (zh) | 氮化物半导体发光器件及其制备方法 | |
| CN102185056B (zh) | 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 | |
| CN105633235B (zh) | 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法 | |
| CN104409587B (zh) | 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 | |
| CN102576782B (zh) | 具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法 | |
| CN105702817B (zh) | 一种发光二极管及其制备方法 | |
| CN105374912A (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN106229390B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | |
| CN103730557A (zh) | 一种具有新型的p型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法 | |
| CN104037288B (zh) | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | |
| CN101834248A (zh) | 氮化镓系发光二极管 | |
| CN101728472A (zh) | 一种多层led芯片结构及其制备方法 | |
| CN106328788B (zh) | GaN基LED外延结构及其制造方法 | |
| CN104576852A (zh) | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 | |
| CN108831974A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN104916745A (zh) | GaN基LED外延结构及其制备方法 | |
| CN205092260U (zh) | GaN基LED外延结构 | |
| CN105304778A (zh) | 提高GaN基LED抗静电性能的外延结构及其制备方法 | |
| CN102623597B (zh) | 一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构 | |
| CN101740360B (zh) | 一种提高镁在ⅲ-ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 | |
| CN204668346U (zh) | Led外延结构 | |
| CN104934507A (zh) | Led外延结构及其制备方法 | |
| CN110416374A (zh) | 发光二极管外延片及其生长方法、发光二极管、显示装置 | |
| CN104167476A (zh) | 一种降低蓝光led缺陷密度的发光二极管结构 | |
| CN102931302A (zh) | 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150923 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |