CN106229390B - 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次层叠生长缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层和p型接触层；多量子阱层包括两层第一多量子阱层、以及设置在两层第一多量子阱层之间的第二多量子阱层，第一多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，第二多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层，复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层，第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长。本发明提高空穴注入效率和发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种GaN基发光二极管芯片的生长方法。
背景技术
当今GaN基发光二极管的应用已经遍布于显示屏、背光源、交通信号灯、景观灯、照明等各个领域。GaN基发光二极管芯片是GaN基发光二极管的核心组成部分。
现有的GaN基发光二极管芯片一般采用异质外延生长方法，由于材料间的晶格常数和热膨胀系数失配，会产生大量的位错和缺陷，又因多量子阱层一般在较低温度生长，其较低的生长温度也会产生大量的位错和缺陷，这些位错和缺陷会延伸至p型层，影响p型层的晶体质量，为了提高p型层的晶体质量，一般会在N2和H2混合气氛下生长p型层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
现有技术中在N2和H2混合气氛下生长p型层，其提升p型层质量的效果有限，其生长的发光二极管芯片的空穴注入效率不高，发光效率不高。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次层叠生长缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层和p型接触层；
所述多量子阱层包括两层第一多量子阱层、以及设置在所述两层第一多量子阱层之间的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述第二多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层，所述第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，所述第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长。
可选地，所述第一量子垒子层为AlxGa1-xN层，0≤x＜1。
可选地，所述第二量子垒子层为InyGa1-yN层，0≤y＜1。
可选地，所述第三量子垒子层为AlzGa1-zN层，0≤z＜1。
可选地，所述第一量子垒子层的厚度为2～6nm。
可选地，所述第二量子垒子层的厚度为2～6nm。
可选地，所述第三量子垒子层的厚度为2～6nm。
可选地，所述第二多量子阱层的层数为一层或多层。
可选地，多层所述第二多量子阱层中，相邻两层所述第二多量子阱层之间设有所述第一多量子阱层。
可选地，所述复合量子垒层的厚度等于所述第一量子垒子层的厚度、所述第二量子垒子层的厚度、所述第三量子垒子层的厚度之和。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在第二量子垒子层中掺Mg，有利于空穴注入量子阱层，同时第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长，有利于提高第二量子垒层中掺杂的Mg的活化，Mg的活化可以有效提高空穴浓度，从而进一步增加空穴注入到量子阱层的效率；第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长，由于氢气的强还原性，可以减少晶体中的杂质，提高了晶体的质量；依次层叠第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层，层与层的交界处有利于释放生长过程中产生的应力，应力的释放有利于减小晶体的缺陷密度，提高了晶体质量。综上所述，复合量子垒层的结构可以增加空穴的注入效率，提高晶体的质量，进而提高芯片的抗静电能力和发光效率，与传统的GaN基发光二极管相比，抗静电能力可以提高15％，发光效率可以提高10％～15％。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种GaN基发光二极管芯片的生长方法的流程图；
图2是本发明实施例一提供的多量子阱层的结构示意图；
图3是本发明实施例二提供的一种GaN基发光二极管芯片的生长方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，参见图1，该生长方法包括：
步骤101：提供一衬底。
在本实施例中，衬底可以为蓝宝石衬底。
步骤102：在衬底上生长缓冲层。
在本实施例中，缓冲层可以为GaN层。
步骤103：在缓冲层上生长不掺杂的GaN层。
步骤104：在不掺杂的GaN层上生长n型层。
在本实施例中，n型层可以为掺杂Si的GaN层。
步骤105：在n型层上生长多量子阱层。
在本实施例中，参见图2，多量子阱层包括两层第一多量子阱层10、以及设置在两层第一多量子阱层10之间的第二多量子阱层20，第一多量子阱层10包括依次层叠的InGaN量子阱层11和GaN量子垒层12，第二多量子阱层20包括依次层叠的InGaN量子阱层21和复合量子垒层22，复合量子垒层22包括依次层叠的第一量子垒子层22a、第二量子垒子层22b和第三量子垒子层22c，第二量子垒子层22b在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，第三量子垒子层22c在纯氢气气氛下生长。
具体地，第一量子垒子层可以为AlxGa1-xN层，0≤x＜1。
具体地，第二量子垒子层可以为InyGa1-yN层，0≤y＜1。
具体地，第三量子垒子层可以为AlzGa1-zN层，0≤z＜1。
在本实施例中，复合量子垒层的厚度等于第一量子垒子层的厚度、第二量子垒子层的厚度、第三量子垒子层的厚度之和。
可选地，第一量子垒子层的厚度可以为2～6nm。
可选地，第二量子垒子层的厚度可以为2～6nm。
可选地，第三量子垒子层的厚度可以为2～6nm。
步骤106：在多量子阱层上生长p型电子阻挡层。
在本实施例中，p型电子阻挡层可以为Mg掺杂的AlGaN层。
步骤107：在p型电子阻挡层上生长p型层。
在本实施例中，p型层可以为Mg掺杂的GaN层。
步骤108：在p型层上生长p型接触层。
在本实施例中，p型接触层可以为Mg掺杂的GaN层。
本发明实施例通过在第二量子垒子层中掺Mg，有利于空穴注入量子阱层，同时第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长，有利于提高第二量子垒层中掺杂的Mg的活化，Mg的活化可以有效提高空穴浓度，从而进一步增加空穴注入到量子阱层的效率；第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长，由于氢气的强还原性，可以减少晶体中的杂质，提高了晶体的质量；依次层叠第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层，层与层的交界处有利于释放生长过程中产生的应力，应力的释放有利于减小晶体的缺陷密度，提高了晶体质量。综上所述，复合量子垒层的结构可以增加空穴的注入效率，提高晶体的质量，进而提高芯片的抗静电能力和发光效率，与传统的GaN基发光二极管相比，抗静电能力可以提高15％，发光效率可以提高10％～15％。
实施例二
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，本实施例提供的生长方法是实施例一提供的生长方法的具体实现。本实施例在生长GaN基发光二极管芯片时，以高纯氢(H2)或氮气(N2)作为载气，以三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨气(NH3)分别作为Ga、Al、In和N源，用硅烷(SiH4)、二茂镁(Cp2Mg)分别作为n、p型掺杂剂。
具体地，参见图3，该生长方法包括：
步骤201：将衬底先升温到500℃，再升温到800℃并稳定30s，再升温到1000℃并稳定30s，再升温到1230℃并稳定10min，在纯氢气气氛下进行热处理。
需要说明的是，热处理的目的是清洁衬底表面。
步骤202：降低温度至540℃，沉积一层厚度为30nm的GaN层，形成缓冲层。
步骤203：进行多个阶段的升温直到1255℃，生长2.5μm的不掺杂的GaN层。
在本实施例中，同一阶段的温度恒定，且不同阶段的温度随时间的增长而升高。例如，先升温到800℃并稳定30s，再升温到1000℃并稳定30s，再升温到1255℃并稳定300s。
步骤204：生长厚度为2μm的掺杂Si的GaN层，形成N型层。
步骤205：生长多量子阱层。
在本实施例中，多量子阱层包括两层第一多量子阱层、以及设置在两层第一多量子阱层之间的第二多量子阱层，第一多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，第二多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层，复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层，第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长。
具体地，第一多量子阱层和第二多量子阱层的层数之和为8层。第一多量子阱层中的InGaN量子阱层的厚度为3.0nm，生长温度为880℃；第一多量子阱层中的GaN量子垒层的厚度为12nm，生长温度为960℃；第二多量子阱层中的InGaN量子阱层的厚度为3.0nm，生长温度为880℃；第一量子垒子层的厚度为3.0nm，生长温度为960℃；第二量子垒子层的厚度为5.0nm，生长温度为960℃；第三量子垒子层的厚度为4.0nm，生长温度为960℃。
步骤206：在970℃的温度下，生长50nm的掺杂Mg的AlGaN层，形成P型电子阻挡层。
步骤207：在1090℃的温度下，生长200nm的生长掺杂Mg的GaN层，形成P型层。
步骤208：在1120℃的温度下，生长10nm的生长掺杂Mg的GaN层，形成P型接触层。
在本实施例中，P型接触层的厚度小于P型层的厚度。
本发明实施例通过在第二量子垒子层中掺Mg，有利于空穴注入量子阱层，同时第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长，有利于提高第二量子垒层中掺杂的Mg的活化，Mg的活化可以有效提高空穴浓度，从而进一步增加空穴注入到量子阱层的效率；第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长，由于氢气的强还原性，可以减少晶体中的杂质，提高了晶体的质量；依次层叠第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层，层与层的交界处有利于释放生长过程中产生的应力，应力的释放有利于减小晶体的缺陷密度，提高了晶体质量。综上所述，复合量子垒层的结构可以增加空穴的注入效率，提高晶体的质量，进而提高芯片的抗静电能力和发光效率，与传统的GaN基发光二极管相比，抗静电能力可以提高15％，发光效率可以提高10％～15％。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次层叠生长缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层和p型接触层；
其特征在于，所述多量子阱层包括两层第一多量子阱层、以及设置在所述两层第一多量子阱层之间的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述第二多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层，所述第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，所述第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长；
所述第一量子垒子层为AlxGa1-xN层，0≤x＜1；所述第二量子垒子层为InyGa1-yN层，0≤y＜1；所述第三量子垒子层为AlzGa1-zN层，0≤z＜1。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一量子垒子层的厚度为2～6nm。
3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二量子垒子层的厚度为2～6nm。
4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第三量子垒子层的厚度为2～6nm。
5.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二多量子阱层的层数为一层或多层。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，多层所述第二多量子阱层中，相邻两层所述第二多量子阱层之间设有所述第一多量子阱层。
7.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述复合量子垒层的厚度等于所述第一量子垒子层的厚度、所述第二量子垒子层的厚度、所述第三量子垒子层的厚度之和。
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Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
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| CN114038955B (zh) * | 2021-02-25 | 2022-12-16 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光芯片的外延结构、发光芯片及显示背板 |
| CN115799423B (zh) * | 2023-02-08 | 2023-04-28 | 江西兆驰半导体有限公司 | 用于Mini-LED的外延片及其制备方法、Mini-LED |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102760808A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-10-31 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 |
| EP2562827A2 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
-
2016
- 2016-08-08 CN CN201610644183.XA patent/CN106229390B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2562827A2 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN102760808A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-10-31 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 |
Also Published As
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|---|---|
| CN106229390A (zh) | 2016-12-14 |
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