CN101515586A - 具有紧密体接触的射频soi ldmos器件 - Google Patents
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Claims (17)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100579216A CN101515586B (zh) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | 具有紧密体接触的射频soi ldmos器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100579216A CN101515586B (zh) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | 具有紧密体接触的射频soi ldmos器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101515586A true CN101515586A (zh) | 2009-08-26 |
CN101515586B CN101515586B (zh) | 2010-11-03 |
Family
ID=41039959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100579216A Expired - Fee Related CN101515586B (zh) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | 具有紧密体接触的射频soi ldmos器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101515586B (zh) |
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CN101515586B (zh) | 2010-11-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
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C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
COR | Change of bibliographic data |
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TR01 | Transfer of patent right |
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