CN101487960A

CN101487960A - 显示基板

Info

Publication number: CN101487960A
Application number: CNA2009100018979A
Authority: CN
Inventors: 宁洪龙; 郑敞午; 李制勋; 裴良浩; 尹弼相; 朴弘植; 尹珠爱; 金炳范; 李炳珍
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2008-01-15
Filing date: 2009-01-14
Publication date: 2009-07-22
Also published as: KR20090078527A; US20090179203A1; US8044398B2

Abstract

一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。

Description

显示基板

技术领域

本发明涉及一种显示基板。更具体地，本发明涉及一种用于平板显示装置的显示基板。

背景技术

为一种显示装置的液晶显示(LCD)装置通常包括显示基板、面对显示基板的彩色滤光片基板以及置于显示基板和彩色滤光片基板之间的液晶层。

显示基板包括信号线、薄膜晶体管(TFT)、像素电极等，这些构件都形成于绝缘基板上以单独驱动多个像素。彩色滤光片基板包括彩色滤光片层、共用电极等。彩色滤光片层包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤光片，而共用电极面对像素电极。

当LCD面板的屏幕尺寸增加时，信号线的长度增加。另外，当LCD面板的解晰度增加时，信号线的宽度减小。因此，信号线的电阻增加，而通过信号线传递的信号的强度减小。另外，信号可能被延迟。为了解决上述问题，信号线包括例如铜的低电阻材料。

包括铜的信号线可以通过镶嵌处理(damascene process)形成。在镶嵌处理中，在底部基板上形成沟槽，而铜被镀在沟槽上。然而，在镀铜期间产生的气体可能会造成信号线从底部基板升起，从而降低了信号线的稳定性。

发明内容

本发明提供一种能够容易地排出气体以防止线图案升起并增加线图案的稳定性的显示基板。

根据本发明的一个方面的显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管(TFT)、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。TFT在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到TFT。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中并包括延伸进绝缘基板中的区域，所述区域由轮廓线限定。

所述区域可以具有狭缝形状或岛状形状。

所述狭缝可以在基本平行于信号线的方向上延伸。

显示基板可以进一步包括形成于外围区域中并电连接到信号线的保护环，并且保护环可以包括露出绝缘基板的区域。

保护环可以由与焊盘部件相同的层形成。

保护环可以相对于信号线设置在与焊盘部件相对的侧面上。

在保护环的外侧面和轮廓线之间的距离可以不大于大约200μm。

根据本发明的另一个方面的显示基板包括底部基板、第一线层、绝缘层、第二层、TFT和像素电极。底部基板包括形成于第一轮廓线与形成于第一轮廓线中的至少一个第二轮廓线之间的沟槽图案。第一线层在底部基板的沟槽图案中。绝缘层在具有第一线层的底部基板上以覆盖第一线层。第二线层在绝缘层上。TFT在底部基板上并电连接到第一线层和第二线层。像素电极在底部基板上并电连接到TFT。

第一线层可以包括铜、银或其合金。

第一线层可以包括在沟槽的内表面上的籽晶层以及在籽晶层上的导电层。

籽晶层可以包括选自由铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、氧化钛(TiO)、钽(Ta)及其氧化物和其氮化物所组成的组中的至少一种。

第一线层可以包括在底部基板的外围区域中的栅极焊盘以及电连接到栅极焊盘的栅极线，而第二线层包括在外围区域中的源极焊盘以及电连接到源极焊盘的源极线。

第一线层可以与栅极焊盘相对，并且可以进一步包括电连接到多个栅极线的保护环。

第一轮廓线和第二轮廓线之间的距离可以不大于大约200μm。

沟槽的深度可以不大于

具有彼此基本平行布置的多个狭缝形状的多个第二轮廓线可以形成于限定栅极焊盘的第一轮廓线中，并且狭缝形状可以露出底部基板。

限定狭缝形状的每个第二轮廓的宽度可以为大约20μm，而相邻的第二轮廓之间的距离可以为大约40μm。

第一线层可以包括在外围区域中的源极焊盘，而第二线层包括在外围区域中的栅极焊盘。

第一轮廓线可以限定源极焊盘的形状，而第二轮廓线可以在与源极线基本平行的方向上延伸并沿源极线在源极焊盘中露出底部基板。

每个第二轮廓线的宽度可以为大约20μm，相邻的第二轮廓之间的距离可以为大约40μm。

根据本发明，可以容易地排出在线图案形成期间产生的气体，以防止线图案从基板上升起，并增加线图案和基板之间的接触面积以提高线图案的稳定性。

在本发明的另一个实施例中，公开了一种用于构造显示基板中的导线的方法，其中所述方法包括步骤：在显示基板上沉积光致抗蚀层；照射具有掩模的所述光致抗蚀层，所述掩模包括沟槽掩模结构以及岛状掩模区域，所述岛状掩膜区域包含在所述沟槽掩模结构内；蚀刻显示基板以在所述显示基板上产生沟槽结构和在所述沟槽结构内的岛状结构；以及在所述沟槽内形成导电层。

在所述沟槽结构内形成导电层的步骤可以进一步包括步骤：在所述沟槽结构内形成籽晶层并在所述籽晶层上形成金属层。

在所述沟槽结构内形成导电层的结构可以进一步包括步骤：沉积导电层，所述沉积步骤包括ELP过程；以及沿所述沟槽结构的侧部排出由所述沉积步骤产生的气体。

在本发明的另一个实施例中，公开的曝光掩模包括：透明基板；以及形成于透明基板上的标线片(reticle)，所述标线片进一步包括第一掩模部分，其中所述第一掩模部分包括：第一轮廓线，当装置基板被通过所述曝光掩模的光线照射时，所述第一轮廓限定所述装置基板上的相应金属区域；以及第二轮廓线，当装置基板被通过所述曝光掩模的光线照射时，所述第二轮廓线在所述装置基板上限定在金属区域内的相应岛状区域。

曝光掩模可以进一步包括限定所述装置基板上的相应金属线的第一轮廓区域以及第二轮廓区域，所述第二轮廓区域限定基本平行于所述相应岛状区域延伸的对应岛状区域。

曝光掩模可以进一步包括第二轮廓区域，第二轮廓区域包括第二宽度，所述第二宽度小于第一轮廓区域和第二轮廓区域之间的距离。

在本发明的另一个实施例中，公开了一种制造电子装置的方法，所述方法包括步骤：在基板上形成膜；在膜上形成光致抗蚀剂；利用曝光掩模进行曝光，所述曝光掩模包括：透明基板；形成于透明基板上的标线片，所述标线片进一步包括第一掩模部分，其中所述第一掩模部分包括：第一轮廓线，当装置基板由通过所述曝光掩模的光线照射时，所述第一轮廓线限定所述装置基板上的相应金属区域；以及第二轮廓线，当装置基板由通过所述曝光掩模的光线照射时，所述第二轮廓线在所述装置基板上限定在金属区域内的相应岛状区域。

此方法可以进一步包括限定所述装置基板上的相应金属线的第一轮廓区域以及第二轮廓区域，所述第二轮廓区域限定基本平行于所述相应岛状区域延伸的相应岛状区域。

此方法可以进一步包括第二轮廓区域，第二轮廓区域包括第二宽度，所述第二宽度小于第一轮廓区域和第二轮廓区域之间的距离。

附图说明

本发明的以上和其它优点将通过参照附图详细地说明本发明的示例实施例而变得更加清楚，其中：

图1是说明根据本发明的一个实施例的液晶显示(LCD)面板的平面视图；

图2是说明根据本发明的一个实施例的掩模的平面视图；

图3是说明利用图2所示的掩模形成于图1的部分‘A’中的保护环的平面视图；

图4是沿图3中所示的线I-I’剖开的横截面视图；

图5是沿图3中所示的线II-II’剖开的横截面视图；

图6是说明形成于图1的部分‘B’中的栅极焊盘的平面视图；

图7是说明根据本发明的另一个实施例的栅极焊盘的平面视图；

图8是说明根据本发明的另外一个实施例的栅极焊盘的平面视图；

图9是说明形成于图1的部分‘C’中的开关元件的横截面视图；

图10是说明根据本发明的另一个实施例的开关元件的横截面视图；以及

图11A到图11F是用于形成显示在图4中的保护环的过程的横截面视图。

具体实施方式

下面将参照显示本发明的实施例的附图更充分地说明本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应理解为限制在此说明的实施例。而提供这些实施例是为了使此公开内容透彻且全面并将本发明的范围充分地转达给本领域的普通技术人员。为清晰起见，在图中，层和区域的尺寸和相对尺寸可以放大。

应该理解，当元件或层称为在另一元件或层“之上”、“连接到另一元件或层”或“连结到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、连接到或连结到另一元件或层，或可以存在中间元件或层。相反，当元件称为“直接在另一元件或层上”，“直接连接到”或“直接连结到”另一元件或层，不存在中间元件或层。相同的附图标记通篇之中表示相同的元件。在此使用的术语“和/或”包括相应所列术语的一个或多个的任何及所有组合。

应该理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在此使用以说明各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该受到这些术语的限制。这些术语只用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分进行区分。因此，在以下说明的第一元件、部件、区域、层或部分也可以称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教示。

空间上相对的术语，例如“下面”、“之下”、“下方”、“之上”、“上方”等可以在此使用以便于说明，用于说明在图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应该理解，除了在图中的方位外，空间上相对的术语意指包含使用或操作中的装置的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为在其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方“可以包括上方和下方两个方位。装置可以被另外定向(旋转90度或在其它方位)，并因此说明在此使用的空间上相对的描述。

在此使用的术语只是为了说明具体的实施例，而不意味限制本发明。在此使用时，除非上下文另外清晰指出，否则单数形式“一”、“所述”也包括复数形式。应该进一步理解，当在此说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表示规定的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或增加。

本发明的实施例在此参照为本发明的理想实施例(以及中间结构)的示意说明的横截面图进行说明。同样地，例如，由于制造技术和/或误差，可以预期到说明的形状会发生变化。因此，本发明的实施例不构成为对在此说明的区域的具体形状的限制，而是包括例如由于制造造成的形状的偏差。例如，作为矩形显示的注入区典型地具有圆形或弯曲的特征和/或其边缘处的注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二进制变化。同样地，通过注入形成的埋入区可能在埋入区和发生注入的表面之间的区域中会造成一些注入。因此，显示在图中的区域实际上是示意性的，而其形状不是为了说明装置的区域的实际形状，也不意味限制本发明的范围。

除非另外限定，否则在此使用的所有术语(包括技术及科学术语)具有与本领域的普通技术人员通常能理解的相同的含义。应该进一步理解，例如在通常使用的字典中定义的术语应该理解为具有与在相关技术的上下文中的其含义一致的含义，且除非清晰地在此限定，否则不应该理解为理想或过于正式的含义。

在下文中，将参照附图详细说明本发明。

图1是根据本发明的一个实施例的液晶显示(LCD)面板的平面视图。

参照图1，在一个示例实施例中，LCD面板100可以具有显示区DA以及环绕显示区DA的外围区域OA。多个像素可以如图1所示以矩阵形状或以本技术领域中公知的任何其它形式布置在显示区DA中。例如，栅极线130和源极线140可以形成于显示区DA中。

每个像素都包括电连接到栅极线和源极线130和140的开关元件TFT、电连接到开关元件TFT的液晶电容器Clc以及并联地电连接到液晶电容器Clc的储存电容器Cst。

开关元件TFT包括栅电极G、源电极S和漏电极D。栅电极G电连接到栅极线130。源电极S电连接到源极线140。漏电极D与源电极S分隔开并电连接到液晶电容器Clc和储存电容器Cst。

连接到外部装置的栅极焊盘110电连接到栅极线130的端部，以从外部装置接收栅极信号。源极焊盘120电连接到源极线140的端部以接收从外部提供的源极信号。栅极焊盘110和源极焊盘120设置在外围区域OA中。

当栅极电压施加到栅极线130时，接通电连接到栅极线130的开关元件TFT，使得从源极线140传递的像素电压施加到液晶电容器Clc。置于液晶电容器Clc的像素电极(未显示)和共用电极(未显示)之间的液晶的布置响应由像素电压形成的电场而改变，液晶层的透光率改变以显示图像。

例如，多个LCD面板100可以形成于单个母基板上，并被切割为使得LCD面板100彼此分离。电连接到栅极线和源极线130和140的保护环150可以形成于LCD面板100上，以使栅极线和源极线130和140接地，从而保护LCD面板100不会受到在制造LCD面板100期间产生的静电荷的影响。在图1中，LCD面板100包括保护环150。保护环150可以通过LCD面板100的切割被从LCD面板100去除。保护环150设置在外围区域OA中。下面将说明LCD面板100的线结构(line strcture)。

图2是说明根据本发明的一个实施例的掩模的平面视图。

参照图2，掩模200包括透明基板201和在透明基板201上的标线片202。标线片202包括对应于LCD面板100的线图案的第一部分210和对应于LCD面板100的其余部分的第二部分220。例如，标线片202的第一部分210对应于LCD面板100的金属图案，而标线片202的第二部分220与金属图案不相对应。

标线片202的第一和第二部分210和220中的一个透射光线，而标线片202的第一和第二部分210和220中的另一个阻挡光线。第一和第二部分210和220之间的透光率由诸如正性光致抗蚀膜或负性光致抗蚀膜的光致抗蚀膜111确定(例如，参见图11A、图11B和图11C)。

在一个实施例中，被第一部分210包围的第二部分220的内部部分的宽度d2为大约20μm。第二部分220的内部部分与形成于第一部分210的外部的第二部分220的外部部分之间的距离d1为大约40μm。

图3是说明利用图2所示的掩模形成于图1的部分‘A’中的保护环的平面视图。

参照图3，保护环150形成于第一轮廓线L1与设置在通过第一轮廓线L1限定的区域中的第二轮廓线L2之间的区域AR中。

应该理解，本发明的轮廓线被称为封闭环或端部连接到基板侧面的开放环。轮廓线限定出区域。

在图3中，保护环150的轮廓线和由第二轮廓L2形成的岛状部(island)Ir的边缘之间的距离da可以不大于大约200μm。例如，保护环150的轮廓和由第二轮廓L2形成的岛状部Ir的边缘之间的距离da可以在大约100μm与大约150μm之间。可供选择地，当保护环不具有岛状部且保护环的宽度和沟槽的深度分别为大约300μm和5,000

时，金属图案从基板101升起。

图4是沿图3所示线I-I’剖开的横截面视图。图5是沿图3所示的线II-II’剖开的横截面视图。

参照图4和图5，保护环150形成于沟槽中，沟槽形成于基板101上。沟槽的深度可以不大于大约5,000

。

保护环150包括籽晶层151和导电层152。籽晶层151用于通过化学镀(ELP)方法对导电层152进行镀层。导电层152可以包括高导电性材料。可以用于导电层152的高导电性材料的实例包括铜、银、其合金等。因此，虽然线的长度通过增加显示装置的屏幕尺寸和解晰度而增加，但可防止RC延迟。

另外，保护环150包括通过第二轮廓线L2限定的岛状部Ir以增加保护环150和底部基板101之间的接触面积。因此，可以改进保护环150和底部基板101之间的接触稳定性。

在图4和图5中，保护环150包括籽晶层151和导电层152。可供选择地，保护环150可以具有多于两层的多层结构。

在图3到图5中，保护环150具有上述的岛状结构。应该理解，上述的岛状结构可以用于其它线。

例如，当开关元件TFT(显示在图1中)具有底部栅极结构时，开关元件TFT的栅电极G形成于底部基板101上，并且电连接到栅电极G的栅极线130可以具有上述的岛状结构。另外，由与栅极线相同的层形成的信号线可以具有上述的岛状结构。可供选择地，当开关元件TFT具有顶部栅极结构时，开关元件TFT的源电极S和漏电极D形成于底部基板101上，并且电连接到源电极S的源极线140可以具有上述的岛状结构。另外，由与源电极S相同的层形成的信号线可以具有上述的岛状结构。

图6是说明形成于图1的部分‘B’中的栅极焊盘的平面视图。

参照图6，栅极焊盘110a被限定在第一轮廓线L1和第二轮廓线L2之间的区域中，所述第二轮廓线在由第一轮廓线L1限定的区域中形成为狭缝。

第二轮廓线L2可以在基本平行于栅极线的方向上延伸。可供选择地，第二轮廓线L2可以在基本垂直于栅极线的方向上延伸。

栅极焊盘110a可以具有与图4所示的形状基本相同的岛状形状。例如，第二轮廓线L2可以对应于图4的岛状部Ir，而籽晶层和导电层可以形成于第二轮廓线L2和第一轮廓线L1之间所限定的区域中。

因此，增加栅极焊盘110a和底部基板101之间的粘接强度，使得可以改进栅极焊盘110a的稳定性。

图6的栅极焊盘110a对应于为底部栅极型的栅极焊盘110。当图1的LCD面板包括为顶部栅极型的开关元件TFT时，图6的栅极焊盘110a可以具有与图1的源极焊盘基本相同的结构。

图7是根据本发明的另一个实施例的栅极焊盘的平面视图。图8是根据本发明的另外一个实施例的栅极焊盘的平面视图。除了由第二轮廓线L2限定的岛状部的形状以及岛状部的布置外，图7和图8的栅极焊盘与图6的栅极焊盘相同。因此，同样的附图标记将用于表示图6中说明的相同或相似的部分，并且将省略关于以上元件的任何重复说明。

参照图7和图8，由第二轮廓线L2限定的岛状部的形状具有矩形形状。在图7中，由第二轮廓线L2限定的岛状部的形状具有均匀的布置。在图8中，由第二轮廓线L2限定的岛状部的形状可以具有不同的布置，例如，不规则或随意布置。

在图7和图8中，由第二轮廓线L2限定的岛状部具有矩形形状。可供选择地，由第二轮廓线L2限定的岛状部可以具有其它形状。

图9是说明形成于图1的部分‘C’中的开关元件的横截面视图。在图9中，开关元件TFT具有底部栅极结构。

参照图9，不包括岛状图案的栅电极G形成于底部基板101的沟槽中。栅电极G可以包括籽晶层151(显示在图4和图5中)。在图9中，岛状图案形成于具有大于大约300μm的宽度的线图案的一部分上。具有岛状图案的线图案的实例可以包括保护环、信号线等。线图案的岛状图案可防止线图案升起。例如，栅极线和栅电极G可以没有岛状图案或狭缝。

绝缘层910形成于具有栅电极G的底部基板101上以覆盖栅电极G。可以用于绝缘层910的绝缘材料的实例可以包括氮化硅、氧化硅等。

半导体层920形成于绝缘层910上。半导体层920包括有源层921和欧姆接触层922。有源层921可以包括非晶硅(a-Si)，欧姆接触层922可以包括注入高浓度的杂质的n+非晶硅(n+a-Si)。

漏电极D和源电极S形成于欧姆接触层922上并与栅电极G部分重叠。

图10是说明根据本发明的另一个实施例的开关元件的横截面视图。在图10中，开关元件TFT具有顶部栅极结构。

参照图10，漏电极D和与漏电极D分隔开的源电极S形成于底部基板101的沟槽中。在图10中，形成于显示区中的源极线、漏电极D和源电极S不具有岛状结构或狭缝。

半导体层1020形成于具有漏电极D和源电极S的底部基板101上。欧姆接触层1022在半导体层1020上包括两个图案。欧姆接触层1022的两个图案彼此分隔开并分别在漏电极D和源电极S上。

有源层1021覆盖底部基板101的暴露在形成于底部基板101上的欧姆接触层1022、漏电极D和源电极S之间的一部分。

栅电极G形成于绝缘层1010上，所述绝缘层与有源层1021重叠且与漏电极D和源电极S部分重叠。

图11A到图11F是说明用于形成显示在图4中的保护环的过程的横截面视图。

参照图11A，阻挡层112形成于底部基板101上，并且光致抗蚀膜111形成于阻挡层112上。阻挡层112可以包括金属。例如，阻挡层112可以包括钼(Mo)。阻挡层112抵抗氟、氟化氢(HF)等。

参照图11B，光致抗蚀膜111利用图2所示的掩模200通过光刻加工过程形成图案，以形成光致抗蚀图案111’。

参照图11C，阻挡层112利用光致抗蚀图案111’作为蚀刻掩模被蚀刻以形成阻挡图案112’。例如，阻挡图案112’可以通过湿蚀刻过程形成。

参照图11D，去除光致抗蚀图案111’，而底部基板101利用阻挡图案112’被蚀刻以形成沟槽Tr。例如，底部基板101可以利用可以蚀刻玻璃或石英的氟化氢被蚀刻。

当光致抗蚀图案111’具有抵抗氟和氟化氢的抵抗性时，可以省略用于形成阻挡图案112’的步骤，并且沟槽可以利用具有抵抗氟和氟化氢的抵抗性的光致抗蚀图案111’直接形成于底部基板101上。

参照图11E，去除阻挡图案112’，而籽晶层151形成于底部基板101的沟槽Tr中。可以用于籽晶层151的籽晶材料的实例包括铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、氧化钛(TiO)、钽(Ta)等。可供选择地，籽晶层151可以包括金属氮化物、金属氧化物等。例如，籽晶层151可以包括氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)等。籽晶层151可以通过化学气相沉积(CVD)方法、真空沉积方法、诸如溅镀沉积方法的物理沉积方法等形成。

参照图11F，导电层152形成于底部基板101的沟槽Tr中以形成保护环150。导电层152可以通过ELP方法形成。在ELP方法中，沉积速度高，金属图案的电特性极佳。例如，ELP方法可以具有大约为1.8μΩcm的低电阻以及大于大约200nm/min的高沉积速度。因此，通过ELP方法形成的线图案具有比通过干沉积方法形成的线图案更好的电特性。在ELP方法中，有机材料可以引入到电解液中，使得沟槽可以通过底部到上部的填充方法被完全填充。

在ELP方法期间产生的气体沿底部基板的沟槽的侧部排出。当沟槽的侧部和中心之间的距离大时，可能不排出气体。然而，在图11F中，形成于沟槽中的岛状部Ir减小了沟槽的侧面和中心之间的距离，使得减小了排出气体的路径长度。因此，可以容易地排出气体。

因此，导电层152不会从沟槽升起。另外，岛状部Ir增加了导电层152和底部基板101之间的接触面积，使得导电层152可以固定地连接到底部基板101。

在图11A到图11F中，岛状部Ir形成于底部基板101上的保护环150中。应该理解，上述的岛状结构可以用于形成于底部基板101上的第一线层。例如，当开关元件具有底部栅极结构时，第一线可以包括信号线、栅电极、栅极线、栅极焊盘等。当开关元件具有顶部栅极结构时，第一线可以包括漏电极、源电极、源极线、源极焊盘等。

虽然只有第一线具有上述的岛状结构，但具有第一轮廓线和第一轮廓线中的第二轮廓线的岛状结构可以用于各种线图案。

实施例公开了LCD面板。可供选择地，本发明的显示基板还可以用于其它平板显示装置，例如，等离子显示面板(PDP)装置、场致发射显示(FED)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置等。

根据本发明，可以容易地排出在线图案形成期间产生的气体，以防止线图案从基板上升起，并增加线图案和基板之间的接触面积以改进线图案的稳定性。

已经参照示例实施例说明了本发明。然而，明显地，本领域的普通技术人员可以根据前述说明进行许多可供选择的改进和变更。因此，本发明包括落入随附权利要求的精神和范围内的所有这种可供选择的改进和变更。

Claims

1.一种显示基板，所述显示基板包括：

具有显示区和包围所述显示区的外围区域的绝缘基板；

在所述绝缘基板的显示区中的薄膜晶体管；

像素电极，所述像素电极在所述绝缘基板的显示区中并电连接到所述薄膜晶体管；

在所述绝缘基板上并从所述外围区域向所述显示区延伸的信号线；以及

电连接到所述信号线的在所述外围区域中的焊盘部件，所述焊盘部件形成于所述绝缘基板的沟槽中并包括露出所述绝缘基板的区域，所述区域由轮廓线限定。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中由所述轮廓线限定的所述区域包括狭缝形状或岛状形状。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中所述狭缝在基本平行于所述信号线的方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的显示基板，进一步包括形成于所述外围区域中并电连接到所述信号线的保护环，所述保护环包括由轮廓线限定以露出所述绝缘基板的区域。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中所述保护环由与所述焊盘部件相同的层形成。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其中所述保护环相对于所述信号线设置在与所述焊盘部件相对的侧面上。

7.根据权利要求4所述的显示基板，其中所述保护环的外侧面和由所述轮廓线限定的区域之间的距离不大于200μm。

8.一种显示基板，包括：

包括沟槽图案的底部基板，所述沟槽图案形成于第一轮廓线与形成于由所述第一轮廓线限定的区域中的至少一个第二轮廓线之间；

在所述底部基板的所述沟槽图案中的第一线层；

绝缘层，所述绝缘层在具有所述第一线层的所述底部基板上以覆盖所述第一线层；

在所述绝缘层上的第二线层；

在所述底部基板上并电连接到所述第一线层和所述第二线层的薄膜晶体管；以及

电连接到所述薄膜晶体管的在所述底部基板上的像素电极。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其中所述第一线层包括铜、银或其合金。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其中所述第一线层包括：

在所述沟槽的内表面上的籽晶层；以及

在所述籽晶层上的导电层。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其中所述籽晶层包括选自由铜、钼、钛、氧化钛、钽、及其氧化物和其氮化物所组成的组中的至少一种。

12.根据权利要求8所述的显示基板，其中：

所述第一线层包括在所述底部基板的外围区域中的栅极焊盘以及电连接到所述栅极焊盘的栅极线；以及

所述第二线层包括在所述外围区域中的源极焊盘以及电连接到所述源极焊盘的源极线。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其中所述第一线层与所述栅极焊盘相对，并且所述第一线层进一步包括电连接到多个栅极线的保护环。

14.根据权利要求8所述的显示基板，其中所述第一轮廓线和所述第二轮廓线之间的距离不大于200μm。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其中所述沟槽的深度不大于5,000

。

16.根据权利要求14所述的显示基板，其中具有彼此基本平行布置的多个狭缝形状的多个第二轮廓线形成于限定所述栅极焊盘的所述第一轮廓线中，并且所述狭缝形状露出所述底部基板。

17.根据权利要求16所述的显示基板，其中限定所述狭缝形状的每个所述第二轮廓线的宽度为20μm，相邻的所述第二轮廓线之间的距离为40μm。

18.根据权利要求8所述的显示基板，其中：

所述第一线层包括在所述外围区域中的源极焊盘；以及

所述第二线层包括在所述外围区域中的栅极焊盘。

19.根据权利要求18所述的显示基板，其中：

所述第一轮廓线限定所述源极焊盘的形状；以及

所述第二轮廓线在与所述源极线基本平行的方向上延伸，并沿着所述源极线在所述源极焊盘中露出所述底部基板。

20.根据权利要求19所述的显示基板，其中每个所述第二轮廓线的宽度为20μm，相邻的所述第二轮廓线之间的距离为40μm。

21.一种用于在显示基板中构造导线的方法，所述方法包括步骤：

在显示基板上沉积光致抗蚀层；

照射具有掩模的所述光致抗蚀层，所述掩模包括沟槽掩模结构以及岛状掩模区域，所述岛状掩模区域包含在所述沟槽掩模结构内；

蚀刻显示基板，以在所述显示基板上产生沟槽结构和在所述沟槽结构内的岛状结构；以及

在所述沟槽结构内形成导电层。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述在所述沟槽结构内形成导电层的步骤进一步包括步骤：

在所述沟槽结构内形成籽晶层；以及

在所述籽晶层上形成金属层。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述在所述沟槽结构内形成导电层的步骤进一步包括步骤：

沉积导电层，所述沉积步骤包括化学镀过程；以及

沿着所述沟槽结构的侧部排出由所述沉积步骤产生的气体。

24.一种曝光掩模，包括：

透明基板；

形成于所述透明基板上的标线片，所述标线片进一步包括第一掩模部分，其中所述第一掩模部分包括：

第一轮廓线，当装置基板被通过所述曝光掩模的光线照射时，所述第一轮廓线限定所述装置基板上的相应金属区域；以及

第二轮廓线，当所述装置基板被通过所述曝光掩模的光线照射时，所述第二轮廓线在所述装置基板上限定在金属区域内的相应岛状区域。

25.根据权利要求24所述的曝光掩模，进一步包括第一轮廓区域和第二轮廓区域，所述第一轮廓区域限定所述装置基板上的相应金属线，而所述第二轮廓区域限定基本平行于所述相应岛状区域延伸的对应岛状区域。

26.根据权利要求25所述的曝光掩模，其中所述第二轮廓区域包括第二宽度，所述第二宽度小于所述第一轮廓区域和所述第二轮廓区域之间的距离。

27.一种制造电子装置的方法，所述方法包括步骤：

在基板上形成膜；

在所述膜上形成光致抗蚀剂；

通过利用曝光掩模进行曝光，所述曝光掩模包括：

透明基板；

28.根据权利要求27所述的方法，其中所述曝光掩模进一步包括第一轮廓区域和第二轮廓区域，所述第一轮廓区域限定所述装置基板上的相应金属线，而所述第二轮廓区域限定基本平行于所述相应岛状区域延伸的对应岛状区域。

29.根据权利要求28所述的方法，其中所述第二轮廓区域包括第二宽度，所述第二宽度小于所述第一轮廓区域和所述第二轮廓区域之间的距离。