CN101477997A - 有机发光显示器 - Google Patents

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CN101477997A CNA2008101823392A CN200810182339A CN101477997A CN 101477997 A CN101477997 A CN 101477997A CN A2008101823392 A CNA2008101823392 A CN A2008101823392A CN 200810182339 A CN200810182339 A CN 200810182339A CN 101477997 A CN101477997 A CN 101477997A
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金京满
金英美
金豪镇
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Abstract

有机发光显示器,其包括第一基板、与所述第一基板隔开且相对布置的第二基板、位于第一和第二基板之间的显示单元、第一和第二基板的外围区域之间的多层结构以及位于所述多层结构的形成区域中且被配置为密封所述第一和第二基板的粘合部件。

Description

有机发光显示器
技术领域
本发明涉及有机发光显示器。
背景技术
本申请要求2007年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2007-141353的优先权,此处以引证的方式并入其全部内容,就像在此进行了完整阐述。
用在有机发光显示器中的有机发光元件是在基板上的两个电极之间具有发光层的自发光元件。根据发光的方向,把有机发光元件分成顶发光型有机发光元件或底发光型有机发光元件。根据显示器的驱动方式,也把有机发光元件分成无源矩阵型有机发光元件或有源矩阵型有机发光元件。
另外,因为诸如湿气、氧气和紫外线之类的外部因素以及有机发光元件的制造条件,有机发光显示器易于劣化。特别是,湿气和氧气从外部侵入显示器而缩短有机发光元件的寿命。因此,有机发光显示器是密封的。
在相关技术中,使用密封基板和粘合部件来密封有机发光显示器。然而,有机发光元件的可靠性仍由于侵入的湿气和氧气而降低。
发明内容
因此,本发明的一个目的是解决上述和其他缺点。
如此处实施和广泛描述的,为实现这些和其他优点且根据本发明的目的,在一个方面中,本发明提供了一种有机发光显示器,该有机发光显示器包括第一基板、与所述第一基板隔开且相对的第二基板、布置在所述第一和第二基板之间的显示单元、所述第一和第二基板的外围区域之间的多层结构以及位于所述多层结构的形成区域中且被配置为密封所述第一和第二基板的粘合部件。
在另一方面中,本发明提供了一种制造有机发光显示器的方法,该方法包括:将第一基板与第二基板隔开且相对布置、在所述第一和第二基板之间提供显示单元、在所述第一和第二基板的外围区域之间形成多层结构、以及在所述多层结构的形成区域中形成粘合部件以密封所述第一和第二基板。
从此后给出的详细描述可以显见本发明的其他应用范围。然而,应当理解尽管详细描述和特定示例示出了本发明的优选实施例,它们仅以说明的方式给出,因为对于本领域技术人员而言,从这些详细描述可以显见本发明的精神和范围内的各种变化和修改。
附图说明
附图帮助更好地理解本发明,并结合到本申请中且构成本申请的一部分,附图显示了本发明的实施方式,并与说明书一起解释本发明的原理。附图中:
图1和2是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器的剖面图;
图3是示出有机发光二极管的结构的概览;
图4是根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器的剖面图;
图5是根据本发明的第三实施方式的有机发光显示器的剖面图;
图6是根据本发明的第四实施方式的有机发光显示器的剖面图;
图7是根据本发明的第五示例性实施方式的有机发光显示器的剖面图;
图8是根据本发明的第六实施方式的有机发光显示器的剖面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的详细实施方式,附图中示出了其示例。
<第一实施方式>
图1和2是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示器的剖面图。如图1所示,有机发光显示器包括第一基板110,该第一基板110由玻璃、金属、陶瓷或塑料(如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂以及氟树脂)形成。然而,第一基板110不限于这些材料。
有机发光显示器还包括与第一基板110隔开且相对布置的第二基板190。而且,根据有机发光显示器的光发射方向,第二基板190可以由第一基板110的任意一种材料形成。而且,有机发光显示器包括第一和第二基板110和190之间的显示单元。显示单元包括子像素,子像素包括晶体管T以及与该晶体管T的源极或漏极相连的有机发光二极管D。
另外,且如图1和2所示,有机发光显示器包括结构180,该结构180具有第一和第二基板110和190的外围区域之间的两层结构。结构180不限于图1和2所示的形状,且可以位于第一基板110和第二基板190其中任意一个上。
在本实施方式中,该两层结构包括由有机材料形成的第一层180a和由无机材料或金属形成的第二层180b。然而,第一层180a可以由无机材料或金属形成,且第二层180b可以由有机材料形成。因此,从外部侵入的湿气和氧气被组成该二层截面的有机材料、无机材料和金属阻止。
另外,形成第一层180a的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂,但不限于这些材料。形成第二层180b的无机材料可以包括玻璃、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx),但不限于这些材料。而且,形成第二层180b的金属可以包括铝(Al)、钼(Mo)、或铝钕合金(AlNd),但不限于这些材料。
而且,在图1和2中,有机发光显示器还包括位于结构180的形成区域中且用于密封第一基板110和第二基板190的粘合部件170。粘合部件170可以位于结构180外侧和/或内侧,且可以由边部密封剂(edgesealant)、正面密封剂(front sealant)和熔接密封剂(frit)中的任意一种形成。
如上所述,因为形成结构180且使用粘合部件170密封第一基板110和第二基板190,湿气侵入路径变窄,且有机发光显示器具有封闭性能优异的密封结构。更具体而言,从外部侵入的湿气和氧气首先被无机材料或金属阻挡,且渗透了无机材料或金属的湿气和氧气被有机材料再次阻挡。有机材料也阻挡和吸收从外部侵入的湿气和氧气。
另外,可以利用诸如溅射或蒸镀之类的各种沉积方法形成结构180。当形成结构180的金属是Al或AlNd时,结构180的水蒸汽透过率如下。
当形成结构180的Al层的厚度为4,000
Figure A200810182339D0008141925QIETU
时,结构180对于每100μm长度的Al层具有约2.88×10-3g/m2/天至5.88×10-3g/m2/天的水蒸汽透过率。当形成结构180的AlNd层的厚度为4,000
Figure A200810182339D0008141925QIETU
时,结构180对于每100μm长度的AlNd层具有约1.58×10-4g/m2/天至4.58×10-3g/m2/天的水蒸汽透过率。
另外,水蒸汽透过率表示结构180在预定条件下的水蒸汽透过率。通过本发明的实施方式获得了改善的水蒸汽透过率。
另外,子像素一般包括两个或更多的晶体管、一个或更多个电容器以及一个或更多个有机发光二极管。例如,图1以剖面图的形式示出了晶体管T和有机发光二极管D。如图所示,子像素包括第一基板110上的半导体层111、该半导体层111上的第一绝缘层112、该第一绝缘层112上对应于半导体层111的位置上的栅极113、该栅极113和第一绝缘层112上的第二绝缘层114、源极115a以及漏极115b。
如图所示,源极115a和漏极115b位于第二绝缘层114上与半导体层111对应的位置。而且,源极115a和漏极115b通过接触孔与半导体层111相连,该接触孔穿过第一和第二绝缘层112和114。另外,子像素包括在源极115a、漏极115b以及第二绝缘层114上的保护层116a、该保护层116上的平面化层116b以及该平面化层160上对应于源极115a或漏极115b的位置上的第一电极117。
第一电极117还通过接触孔连接到源极115a或漏极115b,该接触孔穿过保护层116a和平面化层116b。另外,子像素包括位于第一电极117上且露出第一电极117的一部分的堤层(bank layer)118。子像素还包括第一电极117上的有机发光层119和有机发光层119上的第二电极120。上述子像素具有包括第一基板110上的晶体管T和有机发光二极管的总体结构。第一实施方式还描述了栅极113位于半导体层111上的顶栅型晶体管。不过,栅极113位于半导体层111下的底栅型晶体管也是可行的。
而且,子像素可以具有如图2所示的结构。如图2所示,子像素包括第一基板110上的栅极111、栅极111上的第一绝缘层112、第一绝缘层112上与栅极111对应的位置上的半导体层113、接触半导体层113的源极114a和漏极114b以及源极114a和漏极114b上的保护层或平面化层115。
子像素还包括位于保护层或平面化层115上且通过穿过保护层或平面化层115的接触孔连接到源极114a或漏极114b的金属电极115a。而且,子像素包括第二基板190上的第一电极116、露出第一电极116的堤层117以及堤层117上的间隔体118a阴极间隔体118b。另外,阴极间隔体118b可以被省略。
子像素还包括第一电极116上的有机发光层119和有机发光层119上的第二电极120。位于间隔体118a上的第二电极120可以是连接到第一基板110上的金属电极115a的连接电极S。因而,使用图2所示的像素结构,结构180的最底层可以通过与间隔体118a相同的工序由与间隔体118a相同的材料形成。
该子像素具有包括第一基板110上的晶体管T和第二基板190上的有机发光二极管D的结构。而且,晶体管T可以是栅极113位于半导体层111上的顶栅型晶体管,但是也可以是栅极113位于半导体层111下的底栅型晶体管。
接下来,图3是示出图2中所示的有机发光二极管的结构的概览。图1中示出的有机发光二极管D也可以具有图3中所示的结构。
如图3所示,有机发光二极管D包括第一电极116、空穴注入层119a、空穴输运层119b、发光层119c、电子输运层119d、电子注入层119e以及第二电极120。而且,在本实施方式中,空穴注入层119a位于第一电极116上,且促进空穴从第一电极116向发光层119c的注入。
另外,空穴注入层119a可以由酞菁铜(CuPc)、PEDOT(聚(3,4)-亚乙基二氧噻吩)、聚苯胺(PANI)和NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺)等其中一种或多种形成,但不限于这些材料。空穴注入层119a还可以使用蒸镀法或旋涂法形成。
另外,如上所述,空穴输运层119b促进空穴的输运。空穴输运层119b也可以由NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺)、TPD(N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)联苯胺)、s-TAD以及MTDATA(4,4′,4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)其中一种或多种形成,但不限于这些材料。空穴输运层119b也可以使用蒸镀法或旋涂法形成。
另外,发光层119c可以由能够发出红光、绿光、蓝光和白光的材料形成,例如,由磷光材料或荧光材料形成。当发光层119c发出红光时,发光层119c包括宿主材料,该宿主材料例如包括咔唑联苯(CBP)或N,N-二咔唑基-3,5-苯(mCP)。而且,发光层119c可以由磷光材料或荧光材料形成,该磷光材料包括掺杂材料,该掺杂材料包括PIQIr(acac)(二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)以及PtOEP(八乙基卟啉铂)其中任意一种或多种,该荧光材料包括PDB:铕(二苯甲酰甲烷)3(邻菲罗啉)或二萘嵌苯,但发光层119c不限于这些材料。
另外,当发光层119c发出绿光时,发光层119c包含含有CBP或mCP的宿主材料。而且,发光层119c可以由包含含有(fac三(2-苯基吡啶)铱)(Ir(ppy)3)的掺杂材料的磷光材料或包含Alq3(三(8-羟基喹啉并)铝)的荧光材料形成,但不限于这些材料。
另外,当发光层119c发出蓝光时,发光层119c包含含有CBP或mCP的宿主材料。而且,发光层119c可以由包含含有(4,6-F2ppy)2Irpic的掺杂材料的磷光材料或包含螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯联苯(DSB)、苯乙烯(DSA)、PFO基聚合物和PPV基聚合物中任意一种的荧光材料形成,但不限于这些材料。
而且,电子输运层119d促进电子的输运,且可以由Alq3(三(8-羟基喹啉并)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq中任意一种或多种形成,但不限于此。电子输运层119d可以使用蒸镀法或旋涂法形成。电子输运层119d还可以防止从第一电极116注入且经过发光层119c的空穴移动到第二电极120。换句话说,电子输运层119d用作空穴停止层以促进发光层119c中的空穴和电子的结合。
另外,电子注入层119e促进电子的注入且可以由Alq3(三(8-羟基喹啉并)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq或SAlq形成,但不限于这些材料。电子注入层119e还可以通过真空蒸镀法由形成电子注入层119e的有机材料或无机材料形成。
而且,空穴注入层119a或电子注入层119e可以包括无机材料,且该无机材料还可以包括金属化合物。金属化合物可以包括碱金属或碱土金属。包括碱金属或碱土金属的金属化合物可以包括LiQ、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2和RaF2其中任意一种或多种,但不限于这些材料。
因而,电子注入层119e内的无机金属促进从第二电极120注入的电子跳跃到发光层119c,使得注入到发光层119c中的空穴和电子平衡。因此,提高发光效率。
另外,空穴注入层119a内的无机材料降低从第一电极116注入的空穴向发光层119d的迁移率,使得注入到发光层119c中的空穴和电子平衡。因此,提高发光效率。
而且,本发明的第一实施方式不限于图3中示出的有机发光二极管D的结构。例如,空穴注入层119a、空穴输运层119b、电子输运层119d和电子注入层119e其中至少一个可以省略。
在下面的实施方式中,不重复子像素结构的详细描述。
<第二实施方式>
接下来,图4是根据本发明的第二实施方式的有机发光显示器的剖面图。如图4所示,该有机发光显示器包括第一基板310,该第一基板310由玻璃、金属、陶瓷或塑料(如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂以及氟树脂)形成,但不限于这些材料。
有机发光显示器还包括与第一基板310隔开且相对布置的第二基板390。而且,根据有机发光显示器的光发出方向,第二基板390可以由第一基板310的形成材料中的任意一种形成。
另外,如上所述,该有机发光显示器包括第一和第二基板310和390之间的显示单元。在本发明的第一实施方式中描述了显示单元中的子像素的结构。
在本发明的第二实施方式中,在第一和第二基板310和390的外围区域之间形成彼此相邻的具有两层结构的两个结构380。结构380不限于图4中示出的形状。另外,两个结构380都位于第一基板310或位于第二基板390上。或者,两个结构380中的一个位于第一基板310上,另一个位于第二基板390上。
而且,如图4所示,两个结构380中一个的形状与另一结构380的形状相反。
如图所示,结构380包括由有机材料形成的第一层380a和由无机材料或金属形成的第二层380b。然而,第一层380a可以由无机材料或金属形成,且第二层380b可以由有机材料形成。
另外,形成第一层380a的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂,形成第二层380b的无机材料可以包括玻璃、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。然而,层380a和380b可以使用其他材料形成。形成第二层380b的金属还可以包括铝(Al)、钼(Mo)、或铝钕合金(AlNd),但不限于这些材料。
而且,该有机发光显示器还包括位于结构380的形成区域中且用于密封第一基板310和第二基板390的粘合部件370。粘合部件170还可以位于结构380外侧和/或内侧,且可以由边部密封剂、正面密封剂和熔接密封剂中的任意一种形成。
如上所述,因为形成多个结构380且使用粘合部件370密封第一基板310和第二基板390,湿气侵入路径变窄,有机发光显示器具有封闭性能优异的密封结构。
<第三实施方式>
图5是根据本发明的第三实施方式的有机发光显示器的剖面图。如图5所示,该有机发光显示器包括第一基板410,该第一基板410由玻璃、金属、陶瓷或塑料(如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂以及氟树脂)形成,但可以由其他材料形成。
而且,该有机发光显示器还包括与第一基板410隔开且相对布置的第二基板490。根据有机发光显示器的光发出方向,第二基板490可以由第一基板410的形成材料中的任意一种形成。
另外,类似于上述其他实施方式,该有机发光显示器包括第一和第二基板410和490之间的显示单元。在第一实施方式中描述了显示单元中包括的子像素的结构。
在本发明的第三实施方式中,在第一和第二基板410和490的外围区域之间形成彼此相邻的具有两层结构的两个结构480。结构480不限于图5中示出的形状。另外,两个结构480可以都位于第一基板410或位于第二基板490上。或者,两个结构480其中之一可以位于第一基板410上,而另一个位于第二基板490上。
而且,如图5所示,两个结构480其中之一的形状可以与另一结构480的形状相同。
另外,形成第一层480a的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂,且形成第二层480b的无机材料可以包括玻璃、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx),但不限于此。而且形成第二层480b的金属可以包括铝(Al)、钼(Mo)、或铝钕合金(AlNd)。不过可以使用其他材料。
有机发光显示器还包括位于结构480的形成区域中且用于密封第一基板410和第二基板490的粘合部件470。粘合部件470可以位于结构480外侧和/或内侧,且可以由边部密封剂、正面密封剂和熔接密封剂中的任意一种形成。
如上所述,因为形成多个结构480且使用粘合部件470密封第一基板410和第二基板490,湿气侵入路径变窄,有机发光显示器具有封闭性能优异的密封结构。
<第四实施方式>
图6是根据本发明的第四实施方式的有机发光显示器的剖面图。
如图6所示,该有机发光显示器包括第一基板510,该第一基板510由玻璃、金属、陶瓷或塑料(如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂以及氟树脂)形成。也可以使用其他材料。
该有机发光显示器还包括与第一基板510隔开且相对布置的第二基板590。而且,根据有机发光显示器的光发出方向,第二基板590可以由第一基板510的形成材料中的任意一种形成。
该有机发光显示器还包括第一和第二基板510和590之间的显示单元。在第一实施方式中讨论了包括在显示单元中的子像素的结构。
如图6所示,该有机发光显示器包括位于第一和第二基板510和590的外围区域之间的具有三层结构的结构580。而且,结构580不限于图6中示出的形状,且可以位于第一基板510和第二基板590中的任意一个上。
另外,结构580具有由有机材料、无机材料、吸收剂或金属中的至少之一堆叠而成的三层截面。因此,构成多层截面的有机材料、无机材料和金属阻止了从外部侵入的湿气和氧气。而且,侵入有机材料、无机材料和金属的湿气和氧气被吸收剂吸收。
在本发明的第四实施方式中,如图6所示,结构580形成在第一基板510上且具有三层结构。具体而言,结构580包括由有机材料形成的第一层580a、由无机材料或金属形成的第二层580b和第三层580c。然而,然而,第一层580a可以由无机材料或金属形成,且第二层580b和第三层580c可以由有机材料形成。
另外,形成第一层580a的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂,形成第二层580b和第三层580c的无机材料可以包括玻璃、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx),并且形成第二层580b和第三层580c的金属可以包括铝(Al)、钼(Mo)、或铝钕合金(AlNd)。但不限于此。也可以使用其他材料。
而且,如图6所示,该有机发光显示器包括位于结构580的形成区域中且用于密封第一基板510和第二基板590的粘合部件570。粘合部件570可以位于结构580外侧和/或内侧,且可以由边部密封剂、正面密封剂和熔接密封剂中的任意一种形成。
如上所述,因为形成结构580且使用粘合部件570密封第一基板510和第二基板590,湿气侵入路径变窄,有机发光显示器具有封闭性能优异的的密封结构。
<第五实施方式>
图7是根据本发明的第五实施方式的有机发光显示器的剖面图。
如图7所示,该有机发光显示器包括第一基板610,该第一基板610由玻璃、金属、陶瓷或塑料(如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂以及氟树脂)形成。也可以使用其他材料。
还包括第二基板690,该第二基板690与第一基板610隔开且相对布置。而且,根据有机发光显示器的光发出方向,第二基板690可以由第一基板610的形成材料中的任意一种形成。
该有机发光显示器还包括位于第一和第二基板610和690之间且在第一实施方式中讨论的显示单元。该有机发光显示器还包括位于第一和第二基板610和690的外围区域之间的具有四层结构的结构680。而且,结构680不限于图7中示出的形状,且可以位于第一基板610和第二基板690其中至少之一上。
另外,如图所示,结构680具有由有机材料、无机材料、吸收剂或金属中至少之一堆叠而成的四层截面。因此,构成多层截面的有机材料、无机材料和金属阻止从外部侵入的湿气和氧气。而且,侵入有机材料、无机材料和金属的湿气和氧气被吸收剂吸收。
在本发明的第五实施方式中,结构680形成在第一基板610上且具有包括由有机材料形成的第一层680a、由无机材料或金属形成的第二层680b和第四层680d以及由吸收剂材料形成的第三层680c的四层结构。或者,第一层680a可以由无机材料或金属形成,且第二层680b和第四层680d可以由有机材料形成。而且,第三层680c可以由有机材料、无机材料以及金属之一形成,且第四层680d可以由吸收剂材料形成。
形成第一层680a的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂,形成第二层680b和第四层680d的无机材料可以包括玻璃、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx),且形成第二层680b和第四层680d的金属可以包括铝(Al)、钼(Mo)、或铝钕合金(AlNd)。可以使用其他材料。
而且,该有机发光显示器还包括位于结构680的形成区域中且用于密封第一基板610和第二基板690的粘合部件670。粘合部件670可以位于结构580外侧和/或内侧,且可以由边部密封剂、正面密封剂和熔接密封剂中的任意一种形成。
如上所述,因为形成结构680且使用粘合部件670密封第一基板610和第二基板690,湿气侵入路径变窄,有机发光显示器具有封闭性能优异的密封结构。
<第六实施方式>
图8是根据本发明的第六实施方式的有机发光显示器的剖面图。如图8所示,该有机发光显示器包括第一基板710,该第一基板710由玻璃、金属、陶瓷或塑料(如聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、氯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、硅树脂以及氟树脂)形成,但不限于这些材料。
该有机发光显示器还包括与第一基板710隔开且相对布置的第二基板790。而且,根据有机发光显示器的光发出方向,第二基板790可以由第一基板710的形成材料中的任意一种形成。
类似于其他实施方式,该有机发光显示器包括第一和第二基板710和790之间的显示单元。另外,该有机发光显示器包括位于第一和第二基板710和790的外围区域之间的具有两层结构的结构780。而且,结构780不限于图8中示出的形状,且可以位于第一基板710和第二基板790其中任意一个上。
另外,结构780具有由有机材料、无机材料、吸收剂或金属其中至少之一堆叠而成的两层截面。因此,构成多层截面的有机材料、无机材料和金属阻止从外部侵入的湿气和氧气。而且,侵入有机材料、无机材料和金属的湿气和氧气被吸收剂吸收。
在本发明的第六实施方式中,结构780形成在第一基板710上且具有包括由有机材料形成的第一层780a和由无机材料或金属形成的第二层780b的两层结构。但是,第一层780a可以由无机材料或金属形成,且第二层780b可以由有机材料形成。
另外,形成第一层780a的有机材料可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂,形成第二层780b的无机材料可以包括玻璃、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx),且形成第二层780b的金属可以包括铝(Al)、钼(Mo)、或铝钕合金(AlNd)。也可以使用其他材料。
该有机发光显示器还包括位于结构780的形成区域中且用于密封第一基板710和第二基板790的第一粘合部件770和第二粘合部件771。第一粘合部件770可以位于结构780外侧和/或内侧且形成在结构780上。第一粘合部件770可以由边部密封剂或正面密封剂形成,且第二粘合部件771可以由熔接密封剂形成。
如上所述,因为形成结构780且使用第一和第二粘合部件770和771密封第一基板710和第二基板790,湿气侵入路径变窄,有机发光显示器具有封闭性能优异的密封结构。
如有必要,本发明的第一至第六实施方式可以适当地组合,且因而可以提供具有其他结构的有机发光显示器。本发明的示例性实施方式可以提供能够防止受到湿气和氧气破坏的有机发光显示器,且因而可以改善有机发光显示器的寿命和可靠性。
对于本领域技术人员来说,很明显,可以不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和变化。因而,本发明涵盖在所附权利要求及其等同范围内对本发明作出的各种修改和变化。

Claims (20)

1.一种有机发光显示器,其包括:
第一基板;
与所述第一基板隔开且相对布置的第二基板;
布置在所述第一和第二基板之间的显示单元;
所述第一和第二基板的外围区域之间的多层结构;以及
位于所述多层结构的形成区域中且被配置为密封所述第一和第二基板的粘合部件。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述多层结构具有由有机材料、无机材料、湿气吸收剂或金属其中至少之一层叠而成的多层截面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示器,其中所述多层结构包括两层结构,该两层结构包括具有有机材料的第一层和具有无机材料或金属的第二层。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示器,其中所述多层结构包括三层结构,该三层结构包括具有有机材料的第一层以及具有无机材料或金属的第二层和第三层。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示器,其中所述多层结构包括四层结构,该四层结构包括具有有机材料的第一层、具有无机材料或金属的第二层和第四层以及具有吸收剂材料的第三层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述多层结构包括彼此相邻布置的多个多层结构。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示器,其中所述多个多层结构中至少一个的形状与所述多个多层结构中其它的形状相反。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述多层结构位于所述第一基板和所述第二基板中的至少一个上。
9.根据权利要求6所述的有机发光显示器,其中所述多个多层结构中的至少一个位于所述第一基板上,且所述多个多层结构中其余的多层结构位于所述第二基板上。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述粘合部件位于所述多层结构的外侧和内侧中的至少一方。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述粘合部件包括位于所述多层结构的外侧和内侧中至少一方的第一粘合部件以及位于所述多层结构上的第二粘合部件。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示器,其中所述第一粘合部件包括边部密封剂或正面密封剂,且所述第二粘合部件包括熔接密封剂。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述显示单元包括子像素,该子像素包括所述第一基板上的晶体管、所述第二基板上的有机发光二极管、以及位于间隔体上并将所述有机发光二极管电连接到所述晶体管的源极或漏极的连接电极;并且
所述多层结构的最底层通过与所述间隔体相同的工艺而包括与所述间隔体相同的材料。
14.一种制造有机发光显示器的方法,该方法包括:
将第一基板与第二基板隔开且相对布置;
在所述第一和第二基板之间提供显示单元;
在所述第一和第二基板的外围区域之间形成多层结构;以及
在所述多层结构的形成区域中形成粘合部件以密封所述第一和第二基板。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述形成多层结构的步骤包括形成具有有机材料的第一层和具有无机材料或金属的第二层。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述形成多层结构的步骤包括形成具有有机材料的第一层以及具有无机材料或金属的第二层和第三层。
17.根据权利要求14所述的方法,其中所述形成多层结构的步骤包括形成具有有机材料的第一层、具有无机材料或金属的第二层和第四层以及具有吸收剂材料的第三层。
18.根据权利要求14所述的方法,其中所述形成多层结构的步骤包括形成彼此相邻布置的多个多层结构。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述形成多层结构的步骤包括在所述第一基板上形成所述多个多层结构中的至少一个,且在所述第二基板上形成所述多个多层结构中其它的多层结构。
20.根据权利要求19所述的方法,其中所述形成多层结构的步骤包括将所述多个多层结构中的至少一个的形状形成为与所述多个多层结构中其它的多层结构的形状相反。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103855105A (zh) * 2012-12-06 2014-06-11 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
CN104167426A (zh) * 2014-06-03 2014-11-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置
CN104517999A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 三星显示有限公司 显示装置和制造显示装置的方法
WO2015180343A1 (zh) * 2014-05-29 2015-12-03 京东方科技集团股份有限公司 发光显示面板及其制作方法
CN107104201A (zh) * 2017-05-25 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板封装结构及其制作方法、显示装置
CN111162100A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI466243B (zh) * 2010-09-10 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法
US9935289B2 (en) 2010-09-10 2018-04-03 Industrial Technology Research Institute Institute Environmental sensitive element package and encapsulation method thereof
KR101722626B1 (ko) * 2010-12-22 2017-04-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN103794733A (zh) 2012-10-31 2014-05-14 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体
US9450202B2 (en) 2012-10-31 2016-09-20 Industrial Technology Research Institute Environmental sensitive electronic device package having side wall barrier structure
US9007538B2 (en) * 2012-10-31 2015-04-14 Industrial Technology Research Institute Barrier functional film and manufacturing thereof, environmental sensitive electronic device, and display apparatus
US9565793B2 (en) 2012-10-31 2017-02-07 Industrial Technology Research Institute Environmental sensitive electronic device package
CN103855186A (zh) 2012-12-06 2014-06-11 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
TWI497655B (zh) * 2012-12-14 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法
TWI552331B (zh) * 2013-01-11 2016-10-01 財團法人工業技術研究院 電子元件之封裝結構
CN104051357B (zh) * 2013-03-15 2017-04-12 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子装置以及其封装方法
CN104637886B (zh) 2013-11-12 2017-09-22 财团法人工业技术研究院 折叠式封装结构
CN104157799A (zh) * 2014-08-29 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 Oled的封装方法及oled封装结构
CN104465704B (zh) * 2014-12-03 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其封装方法、显示装置
KR102304722B1 (ko) 2014-12-05 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104600204B (zh) * 2014-12-26 2017-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装结构及封装方法
US9847509B2 (en) 2015-01-22 2017-12-19 Industrial Technology Research Institute Package of flexible environmental sensitive electronic device and sealing member
KR102561880B1 (ko) * 2015-06-03 2023-08-02 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 중립면 조정을 위한 스티프 층을 갖는 가요성 디스플레이
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
JP6563796B2 (ja) * 2015-12-03 2019-08-21 双葉電子工業株式会社 封止構造、有機el表示装置、及びセンサ
KR102316563B1 (ko) * 2017-05-22 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 금속으로 형성된 상부 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102545065B1 (ko) * 2017-12-29 2023-06-16 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874804A (en) * 1997-03-03 1999-02-23 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication
US6081071A (en) * 1998-05-18 2000-06-27 Motorola, Inc. Electroluminescent apparatus and methods of manufacturing and encapsulating
US6589675B2 (en) * 2001-11-13 2003-07-08 Kuan-Chang Peng Organic electro-luminescence device
TW515062B (en) * 2001-12-28 2002-12-21 Delta Optoelectronics Inc Package structure with multiple glue layers
KR100581099B1 (ko) * 2003-12-30 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2005340020A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
KR100635573B1 (ko) * 2004-11-10 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100647339B1 (ko) * 2006-01-11 2006-11-23 삼성전자주식회사 평판표시장치
US20070172971A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Eastman Kodak Company Desiccant sealing arrangement for OLED devices
KR100914784B1 (ko) 2006-05-17 2009-08-31 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100688972B1 (ko) 2006-06-01 2007-03-08 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
JP4810318B2 (ja) * 2006-06-06 2011-11-09 キヤノン株式会社 ポートモニタプログラム、データ処理方法、情報処理装置、及び記憶媒体

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9510459B2 (en) 2012-12-06 2016-11-29 Industrial Technology Research Institute Environmental sensitive electronic device package and manufacturing method thereof
CN103855105B (zh) * 2012-12-06 2017-04-26 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
CN103855105A (zh) * 2012-12-06 2014-06-11 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
CN110350017A (zh) * 2013-09-30 2019-10-18 三星显示有限公司 显示装置和制造显示装置的方法
CN104517999A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 三星显示有限公司 显示装置和制造显示装置的方法
US11289553B2 (en) 2013-09-30 2022-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Display devices and methods of manufacturing display devices
WO2015180343A1 (zh) * 2014-05-29 2015-12-03 京东方科技集团股份有限公司 发光显示面板及其制作方法
US9502678B2 (en) 2014-05-29 2016-11-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting display panel and manufacturing method thereof
US9985244B2 (en) 2014-05-29 2018-05-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting display panel and manufacturing method thereof
CN104167426A (zh) * 2014-06-03 2014-11-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置
CN104167426B (zh) * 2014-06-03 2017-08-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置
CN107104201A (zh) * 2017-05-25 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板封装结构及其制作方法、显示装置
US10923676B2 (en) 2017-05-25 2021-02-16 Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Encapsulating structure of organic light emitting diode display panel having concave-convex structure in encapsulating portion
WO2018214962A1 (zh) * 2017-05-25 2018-11-29 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板封装结构及其制作方法、显示装置
CN111162100A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法
CN111162100B (zh) * 2018-11-08 2023-11-14 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法

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KR20090073418A (ko) 2009-07-03
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