CN101454899B - 光伏模块及其制造方法 - Google Patents
光伏模块及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101454899B CN101454899B CN2007800116415A CN200780011641A CN101454899B CN 101454899 B CN101454899 B CN 101454899B CN 2007800116415 A CN2007800116415 A CN 2007800116415A CN 200780011641 A CN200780011641 A CN 200780011641A CN 101454899 B CN101454899 B CN 101454899B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- moisture barrier
- barrier film
- solar cells
- circuit
- electrical interconnection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 9
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006355 Tefzel Polymers 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical compound C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,4-dimethylbenzene Chemical group CC1=CC=C(C)C(Cl)=C1 KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明在一个方面涉及用于制备具有更好环境稳定性的太阳能或光伏模块的方法。在另一方面，本发明涉及一种具有环境稳定性的太阳能或光伏模块。这些方法和装置采用潮气阻挡膜以在电路上，优选在太阳能电池的光照表面上，或在由多个太阳能电池构成的、包括太阳能电池的光照表面的电路的整侧上形成防潮表面。在特定实施方案中，敷形施加防潮膜，在其它实施方案中，防潮膜是基本上透明的。
Description
优先权要求
本申请要求在2006年3月28日提交的申请号为60/786902、题为“用于制备光伏模块的工艺”的美国临时申请的优先权，并且将其以引用的方式并入本文。
发明领域
本发明涉及用于制造具有更好环境稳定性的太阳能或光伏模块的方法和装置。
背景技术
太阳能电池是将太阳光直接转换为电能的光伏器件。最普通的太阳能电池材料是单晶或多晶晶片形式的硅。但是，采用硅基太阳能电池产生的电能的成本高于由更传统的方法产生电能的成本。因此，自二十世纪七十年代早期以来，为了大众使用而致力于降低太阳能电池的成本。降低太阳能电池的成本的一种方法是发展能够在大面积的衬底上沉积太阳能电池品质的吸收材料的低成本薄膜生长工艺以及采用高产出低成本的方法制备这些器件。
非晶硅Si[a-Si]，碲化镉[CdTe]以及(磺基)硒化-铟-铜[CIGS(S)，或Cu(In，Ga)(S，Se)2或CuIn(1-x)Gax(SySe(1-y))k，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且k约为2]，是三种重要的薄膜太阳能电池材料。图1示出了常规IBIIIAVIA族化合物光伏电池如CIGS(S)薄膜太阳能电池的结构。在如玻璃片、金属片、绝缘箔或网、或者导体箔或网的衬底11上制备器件10。在导电层13或接触层上生长吸收薄膜12(包括Cu(In，Ga，Al)(S，Se，Te)2种类中的材料)，该导电层13或接触层是被预先沉积在衬底11上并作为器件的电学欧姆后触点(electrical ohmic backcontact)。在图1中的太阳能电池结构中的最常用的接触层或导电层13是钼(Mo)。如果衬底本身是适当选择的诸如Mo箔的导电材料，由于衬底11可用于器件的欧姆触点，则可不采用导电层13。在金属箔是活性的情况下，导电层13 也可作为扩散屏障层。例如，可将包含如Al、Ni、Cu的材料的箔用作衬底，该衬底具有沉积在衬底上并且保护衬底以避免Se或S蒸气的屏障层如Mo层、W层、Ru层、Ta层等。通常将该屏障层沉积在箔的两面以对其进行良好保护。在吸收膜12生长后，在吸收膜上形成透明层14如CdS、透明导电氧化物(TCO)例如ZnO、或CdS/TCO叠层。辐射R通过透明层14进入器件。还可以在透明层14上沉积金属栅格(未示出)以降低器件的有效串联电阻。优选的吸收膜12的电类型是p-型，优选的透明层14的电类型是n-型。但是，也可以采用n-型吸收材料和p-型窗口层。图1的优选器件结构称作“衬底-类型”结构。可以这样构成“顶衬(superstrate)-类型”结构：通过在透明覆层如玻璃或透明聚合物箔上沉积透明导电层，然后沉积Cu(In，Ga，Al)(S，Se，Te)2吸收膜，最后通过导电层形成对器件的欧姆触点。在这样的顶衬结构中，光从透明覆层侧进入器件。可以将通过多种方法沉积的多种材料用于提供图1所示的器件的各种层。
太阳能电池具有典型地小于2伏的相对低的电压。为了建立高电压电源或发电机，将太阳能电池互连以形成电路(然后将其封装为模块)。这里存在两种途径将薄膜太阳能电池互连以形成电路，并且然后制备具有较高电压和/或额定电流的模块。如果在绝缘表面上形成薄膜器件，可实现单片集成。在单片集成中，在同一衬底上制备所有太阳能电池，然后通过将一个电池的负端连接至相邻电池的正端(串联)而集成或互连在同一衬底上。在图2A中示出包括串联连接的电池部件(section)18的单片集成Cu(In，Ga，Al)(S，Se，Te)2化合物薄膜电路结构20。在这种情况下，接触层为通过触点隔离区域或触点刻线(contactscribe)15分隔开的接触层垫(contact layer pads)13a的形式。化合物薄膜也为通过化合物层隔离区域或化合物层刻线16分隔开的化合物层带12a的形式。在另一方面，通过透明层隔离区域或透明层刻线17将透明导电层分隔为透明层岛状物14a。如图2A中可见，每个电池部件18的接触层垫13a电连接至相邻电池部件的透明层岛状物14a。以这种方式，将每个电池部件产生的电压叠加在一起以提供来自电路结构20的总电压V。
将薄膜太阳能电池集成为电路的第二种途径是：首先制备单个太阳能电池，然后将其通过外部线路而互连。这种方法不是单片的，即并非所有电池在同一衬底上。图2B示意地示出了将三个CIGS(S)太阳能电池10集成为电路21部件，其中可以在具有与图1所描述的相似结构的导电箔衬底上制备CIGS(S)电池10。
不考虑所采用的集成方法，在将太阳能电池电互连为电路(例如图2B中所示的电路21)后，需要将该电路封装以形成环境上稳定且具有良好物理保护的模块产品。图3示出了图2B的集成电池被密封在保护性封装体中后的封装示例性形式。图3的结构是在柔性和轻质量方面非常吸引人的柔性模块结构。在图3结构中通常采用的一些层是顶部膜30、柔性密封体31和背部材料32。顶部膜30是透明耐久层例如由DuPont制造的TEFZEL 
。最常用的柔性密封体是慢固化或快固化EVA(乙基醋酸乙烯酯)。背部材料32可以是TEFZEL 
膜、TEDLAR 
膜(由DuPont制造)或具有高强度的其它聚合物膜。应该注意，由于光线从顶部进入，背部材料32不必需为透明的并从而可以包含无机材料如金属。
虽然图3的柔性薄膜光伏模块是所期望并有吸引力的，但其具有环境不稳定性的缺点。尤其是，可商购并广泛应用的顶部膜和柔性密封体对于潮气和氧气是半渗透的，因此在野外柔性模块运行几年后可以观察到腐蚀和电池劣化。因此，需要开发替代的模块封装工艺以提供对潮气吸收并扩散入电路的活性区域的耐受性。
发明内容
在一方面，本发明涉及用于制备具有较好环境稳定性的太阳能或光伏模块的方法。
在另一方面，本发明涉及具有环境稳定性的太阳能或光伏模块。
在特定实施例中，描述了通过提供至少两个太阳能电池制备光伏模块的方法，该至少两个太阳能电池的每个都具有顶部光照表面(illuminating surface)和两个端。接下来的步骤为，使用该至少两个太阳能电池中的每个的至少一个端之间的导体电互连该至少两个太阳能电池以形成电路，并采用潮气阻挡膜来至少涂覆电路的对应于并包括至少两个太阳能电池的顶部光照表面的整侧以在电路上形成防潮表面。
在另一实施例中，描述了一种制备光伏模块的方法，该方法包括采用潮气阻挡膜至少涂覆太阳能电池的光照表面以形成具有防潮性的太阳能电池；采用在任何两个太阳能电池中每个的至少一个端之间的导体电互连任何两个太阳能电池以形成电路，并将该电路密封在封装体中。
在另外的实施例中，描述了一种模块，其包括至少两个太阳能电池，该至 少两个太阳能电池中的每个均具有顶部光照表面和两个端；电互连至少两个太阳能电池的导电体，其通过在至少两个太阳能电池中的每个的至少一个端之间的导体完成该电互连，以及潮气阻挡膜，该潮气阻挡膜至少涂覆在该电路对应于并包括至少两个太阳能电池的顶部光照表面的电路的整侧上以在电路上形成防潮表面。
在另外的实施例中，描述了这样的模块：包括至少两个防潮太阳能电池，其中每个均具有涂覆有潮气阻挡膜的光照表面；电互连任何两个防潮太阳能电池的导体，其采用任何两个防潮太阳能电池中的每个的至少一个端之间的导体完成该电连接以形成电路，以及将该电路密封在封装体中的密封材料。
在特定实施例中，将防潮膜敷形(conformlly)施加，而在其它实施例中防潮膜基本上是透明的。
附图的简要说明
通过下面本发明的具体实施方案，并参考附图，本领域普通技术人员将更清楚本发明的这些以及其它方面和特征，其中：
图1是采用IBIIIAVIA族的吸收层的太阳能电池的截面图。
图2A是通过单片集成太阳能电池获得的电路的截面图。
图2B是通过非单片集成太阳能电池获得的电路的截面图。
图3示出了通过将图2B的电路密封在保护性封装体中获得的模块结构。
图4A和图4B示出了根据本发明的两个不同实施方案的首先采用透明潮气阻挡层来涂覆并接着集成为电路的太阳能电池。
图5A和图5B示出了根据本发明的两个不同实施例的首先集成为电路然后采用透明潮气阻挡层来涂覆的太阳能电池。
图6示出了将图5A的电路密封获得的模块结构。
具体说明
在本发明的一个实施方案中，在电池被集成为电路然后封装为模块之前分别由透明的潮气阻挡材料层覆盖电路中的每个太阳能电池。图4A示出了具有图1中描述的所有组件和层的两个示例性CIGS(S)太阳能电池40。例如，可以在柔性箔衬底上(即图1的衬底11可为金属箔)制备太阳能电池40。由透明潮气阻 挡材料层41覆盖太阳能电池40，如图4A所示，覆盖了包括顶部和底部表面的整个电池40，而在图4B中覆盖了电池的顶部光照表面42，光从所述顶部光照表面进入器件。该顶部光照表面42是保护以避免潮气以及有时的氧气的最敏感表面。透明潮气阻挡材料层41可任选地绕在箔衬底的背部表面43上，如图4A中所示。在获得覆盖潮气阻挡层的太阳能电池后，采用金属带或线44进行集成或互连，如图2B所示。为了互连，一个电池的(-)端电连接到另一个的(+)端。这可以通过使用焊接线或带实现，如图4A所示。或者，可以通过搭接它们各自的边缘并电连接一个电池的前电极(在图1中所示的器件结构的情况下为负端)与下一个的后电极直接实现电池互连。应该注意，如果屏障材料层41是厚的且高度绝缘的，则需要至少部分地将其从连接点45去除以获得电池电极和带或线间良好电接触。
在图5(a)和5(b)中示出的另一种方法中，首先用导体电互连太阳能电池，例如通过焊接线或带，以形成如图2B中所示的电路，并且接着用透明潮气阻挡材料层41覆盖全部电路，潮气阻挡材料41要么可以覆盖整个电路，顶部和底部，如图5A所示，要么仅覆盖包括顶部表面的电路的一侧，光从所述顶部表面进入器件，如图5B所示的。这种方法的一些优点在于：i)由于电池已经互连，则避免了从连接点去除阻挡材料层的步骤，ii)由于潮气阻挡材料层在太阳能电池的互连后才沉积，阻挡材料层覆盖了包括连接点和带或线的电路的所有部分。图5A所示的方法通过围绕整个电路的潮气阻挡层提供了全部密封或覆盖，而图5B中的方法在最需要该保护的一侧提供密封和覆盖。任一方法都减少了潮气或氧气通过任何裂缝或开口扩散的可能性。
在电路由至少一个透明潮气阻挡材料层覆盖后，获得的结构为防潮电路(图4A和4B和图5A和5B)。接着通过各种方法例如由顶部膜30、密封体31和背部材料32密封防潮电路来制备模块，如图6所示。通过该方法获得的柔性模块具有模块封装的防潮电路，因此更具有环境稳定性。应该注意，在这种情况下可任选地采用背部材料32。同样，相比图3的结构，在图6的模块结构中的顶部膜和背部材料的潮气阻挡能力并不重要，这是由于密封了整个电路的透明潮气阻挡层41的存在。还应当注意，与图2A所示相似的单片集成电路被封装以形成模块之前，也可使用透明潮气阻挡层来涂覆与图2A所示相似的该单片集成结构。
透明潮气阻挡材料层可以包括无机材料或聚合物材料中的至少一种。一些可以用作潮气或氧气阻挡层的聚合物材料是：聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚(氯-对二甲苯)，BCB或苯并环丁烯，聚三氟氯乙烯。还可以采用各种透明环氧树脂。无机材料包括硅或铝氧化物、硅或铝氮化物、硅或铝氧氮化物、非晶或多晶碳化硅、其它透明陶瓷、以及碳掺杂氧化物如SiOC。这些材料是透明的，因此当在太阳能电池的透明导电触点上沉积时，它们不会造成可测出的光损失。应该注意，聚合物和无机潮气阻挡层可以以多层叠层的形式堆叠在一起以改进阻挡性能。可通过各种工艺如蒸发、溅射、电子束蒸发、化学气相沉积(CVD)，等离子增强CVD(PECVD)、有机金属CVD，以及湿涂工艺诸如浸渍、喷涂、刮涂、旋涂、油墨沉积、丝网印刷、凹版印刷、辊涂等将层沉积在太阳能电池或电路上。还可以在低于200℃，优选低于150℃的温度融化某些聚合物材料，并且在电池和电路上涂覆熔融物。潮气阻挡层的厚度可从50nm到几百微米变化。一种吸引人的工艺为蒸镀，其具有敷形和均匀沉积材料如聚对二甲苯的性能。聚对二甲苯具有各种周知的如聚对二甲苯-N、聚对二甲苯-D和聚对二甲苯-C的形式。特别是聚对二甲苯-C是良好的潮气阻挡材料，其可以在室温附近下以高度敷形方式蒸镀在任何形状的衬底上，有效填充裂缝以及甚至具有高的深宽比(深度和宽度的比)的亚微米大小的空洞。聚对二甲苯层的厚度可以薄至50nm，但为最好性能可以采用大于100nm的厚度。另一吸引人的用于沉积潮气阻挡层的方法是旋涂、喷涂或浸渍涂覆，例如，其可用于沉积低温可固化的有机硅氧烷阻挡层如由Silecs公司提供的P1DX产品。PECVD是另一种可用于沉积层如BCB层的方法。
虽然以特定优选实施方案对本发明进行了描述，但对本领域技术人员来说对其进行的改良是显而易见的。
Claims (17)
1.用于制备光伏模块的方法，包括：
提供至少两个太阳能电池，该至少两个太阳能电池中的每个均具有顶部光照表面和两个端；
在提供步骤之后，采用在该至少两个太阳能电池中的每个的至少一个端之间的导体电互连该至少两个太阳能电池以形成电路，
在电互连步骤之后，采用潮气阻挡膜至少涂覆该电路的对应于并且包括该至少两个太阳能电池的顶部光照表面的整侧以在电路上形成防潮表面，其中，潮气阻挡膜对太阳光是透明的，以及
在涂覆步骤之后，将具有防潮表面的电路埋入包含顶部膜、柔性密封体和背部材料的结构中，其中，潮气阻挡膜和柔性密封体由不同材料制成。
2.根据权利要求1的方法，其中涂覆步骤采用潮气阻挡膜完全且敷形密封电路。
3.根据权利要求2的方法，其中，潮气阻挡膜的厚度不能小于50nm。
4.根据权利要求3的方法，其中潮气阻挡膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯、聚三氟氯乙烯、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氮氧化铝、非晶或多晶碳化硅、透明陶瓷、和碳掺杂氧化物中的至少一种。
5.制备光状模块的方法，包括：
采用潮气阻挡膜至少涂覆太阳能电池的光照表面以形成防潮的太阳能电池，其中，潮气阻挡膜对太阳光是透明的；
采用在任何两个太阳能电池中的每个的至少一个端之间的导体电互连至少两个太阳能电池以形成电路，以及
在涂覆和电互连步骤后，将该电路密封在封装体中，其中，潮气阻挡膜和封装体由不同材料制成。
6.根据权利要求5的方法，其中涂覆步骤采用潮气阻挡膜涂覆包括光照表面和背部表面的太阳能电池的所有表面，以及
其中电互连步骤包括在潮气阻挡膜上形成开口以使得导体能够在至少两个太阳能电池中的每个的至少一个端形成电互连。
7.根据权利要求5的方法，其中潮气阻挡膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯、聚三氟氯乙烯、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氮氧化铝、非晶或多晶碳化硅、透明陶瓷、和碳掺杂氧化物中的至少一种。
8.根据权利要求5的方法，其中密封步骤包括将该电路埋入包括顶部膜、柔性密封体和背部材料的结构中。
9.光伏模块，包括：
至少两个太阳能电池，该至少两个太阳能电池中的每个具有顶部光照表面和两个端；
电互连该至少两个太阳能电池的导电体，其采用在该至少两个太阳能电池中的每个的至少一个端之间的导体完成该电互连以形成电路；及
潮气阻挡膜，其至少涂覆该电路的对应于并且包括至少两个太阳能电池的顶部光照表面的整侧以在电路上形成防潮表面，其中，潮气阻挡膜对太阳光是透明的，且其中将包含顶部光照表面的电路埋入包含顶部膜、柔性密封体和背部材料的封装体中，其中，潮气阻挡膜由与柔性密封体不同的材料制成。
10.根据权利要求9的模块，其中潮气阻挡膜完全且敷形密封电路。
11.根据权利要求9的模块，其中潮气阻挡膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯、聚三氟氯乙烯、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氮氧化铝、非晶或多晶碳化硅、透明陶瓷、和碳渗杂氧化物中的至少一种。
12.光伏模块，包括：
至少两个太阳能电池，所述两个太阳能电池中的每个都具有采用潮气阻挡膜涂覆的光照表面，所述潮气阻挡膜对太阳光是透明的；
电互连任何两个防潮太阳能电池的导体，其采用在任何至少两个太阳能电池中的每个的至少一端之间的导体完成该电互连以形成电路，以及
将电路埋入其中的封装体，其中，所述封装体包含顶部膜、柔性密封体和背部材料，其中，潮气阻挡膜由与柔性密封体不同的材料制成。
13.根据权利要求12的模块，其中采用潮气阻挡膜涂覆太阳能电池的所有的表面。
14.根据权利要求12的模块，其中潮气阻挡膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯、聚三氟氯乙烯、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氮氧化铝、非晶或多晶碳化硅、透明陶瓷、和碳掺杂氧化物中的至少一种。
15.根据权利要求5的方法，其中潮气阻挡膜的厚度不能小于50nm。
16.根据权利要求9的模块，其中潮气阻挡膜的厚度不能小于50nm。
17.根据权利要求12的模块，其中潮气阻挡膜的厚度不能小于50nm。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US78690206P | 2006-03-28 | 2006-03-28 | |
| US60/786,902 | 2006-03-28 | ||
| PCT/US2007/065401 WO2007112452A2 (en) | 2006-03-28 | 2007-03-28 | Technique for manufacturing photovoltaic modules |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101454899A CN101454899A (zh) | 2009-06-10 |
| CN101454899B true CN101454899B (zh) | 2012-05-02 |
Family
ID=38541901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007800116415A Expired - Fee Related CN101454899B (zh) | 2006-03-28 | 2007-03-28 | 光伏模块及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080000518A1 (zh) |
| EP (1) | EP2002472A4 (zh) |
| JP (1) | JP2009531871A (zh) |
| CN (1) | CN101454899B (zh) |
| WO (1) | WO2007112452A2 (zh) |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8076568B2 (en) * | 2006-04-13 | 2011-12-13 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US8138413B2 (en) * | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US7507903B2 (en) * | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US20110067754A1 (en) * | 2000-02-04 | 2011-03-24 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US7898054B2 (en) * | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US7898053B2 (en) * | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| WO2004032189A2 (en) | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Miasolé | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US20080053519A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Miasole | Laminated photovoltaic cell |
| AT504568B1 (de) * | 2006-12-05 | 2010-03-15 | Nanoident Technologies Ag | Schichtaufbau |
| US20090014049A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Miasole | Photovoltaic module with integrated energy storage |
| US20090014057A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Miasole | Photovoltaic modules with integrated devices |
| US20090014058A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Miasole | Rooftop photovoltaic systems |
| WO2009078936A2 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Miasole | Photovoltaic devices protected from environment |
| US8912429B2 (en) * | 2008-03-20 | 2014-12-16 | Hanergy Holding Group Ltd. | Interconnect assembly |
| US20110197947A1 (en) | 2008-03-20 | 2011-08-18 | Miasole | Wire network for interconnecting photovoltaic cells |
| US20100043863A1 (en) * | 2008-03-20 | 2010-02-25 | Miasole | Interconnect assembly |
| US20090283140A1 (en) * | 2008-05-19 | 2009-11-19 | James Freitag | Method of making contact to a solar cell employing a group ibiiiavia compound absorber layer |
| US8207012B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-06-26 | Solopower, Inc. | Method and apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell |
| US20090266398A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Burak Metin | Method and Apparatus to Form Back Contacts to Flexible CIGS Solar Cells |
| US20090266399A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Basol Bulent M | Metallic foil substrate and packaging technique for thin film solar cells and modules |
| JP4835719B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2011-12-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| US20100122730A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Corneille Jason S | Power-loss-inhibiting current-collector |
| WO2010068936A2 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Robert Stancel | Photovoltaic device with metal-to-glass moisture barrier |
| US20100200045A1 (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Mitchell Kim W | Solar power system and method of manufacturing and deployment |
| US8058752B2 (en) * | 2009-02-13 | 2011-11-15 | Miasole | Thin-film photovoltaic power element with integrated low-profile high-efficiency DC-DC converter |
| US8115095B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-02-14 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
| US8110738B2 (en) * | 2009-02-20 | 2012-02-07 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
| US20100228398A1 (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-09 | Riemer Powers Corp. | System and method for remotely monitoring and controlling pump jacks |
| US7897020B2 (en) * | 2009-04-13 | 2011-03-01 | Miasole | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
| US7785921B1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
| US8134069B2 (en) * | 2009-04-13 | 2012-03-13 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
| WO2010126274A2 (ko) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | 주식회사 메카로닉스 | Ｃｉｇｔ 박막 및 그 제조방법 |
| WO2010126699A2 (en) | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Hunter Douglas Industries B.V. | Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same |
| JP2010283339A (ja) * | 2009-05-02 | 2010-12-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその作製方法 |
| US9284639B2 (en) * | 2009-07-30 | 2016-03-15 | Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
| WO2011019613A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | First Solar, Inc. | Lamination process improvement |
| US20110041910A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US20110067998A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Miasole | Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing |
| US8709548B1 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-29 | Hanergy Holding Group Ltd. | Method of making a CIG target by spray forming |
| US8709335B1 (en) | 2009-10-20 | 2014-04-29 | Hanergy Holding Group Ltd. | Method of making a CIG target by cold spraying |
| US20110162696A1 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-07 | Miasole | Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof |
| WO2011099539A1 (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 三菱化学株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| US9061344B1 (en) | 2010-05-26 | 2015-06-23 | Apollo Precision (Fujian) Limited | Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells |
| US10026859B2 (en) | 2010-10-04 | 2018-07-17 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Small gauge wire solar cell interconnect |
| US7935558B1 (en) | 2010-10-19 | 2011-05-03 | Miasole | Sodium salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof |
| JP2012089663A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Fujifilm Corp | 太陽電池モジュール、および、太陽電池モジュールの製造方法 |
| US9169548B1 (en) | 2010-10-19 | 2015-10-27 | Apollo Precision Fujian Limited | Photovoltaic cell with copper poor CIGS absorber layer and method of making thereof |
| US8048707B1 (en) | 2010-10-19 | 2011-11-01 | Miasole | Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof |
| KR20120113018A (ko) * | 2011-04-04 | 2012-10-12 | 삼성전기주식회사 | 태양전지모듈 및 그 제조방법 |
| US8951824B1 (en) | 2011-04-08 | 2015-02-10 | Apollo Precision (Fujian) Limited | Adhesives for attaching wire network to photovoltaic cells |
| JP2013058562A (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US10043921B1 (en) | 2011-12-21 | 2018-08-07 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof |
| CN103998239B (zh) * | 2012-01-06 | 2016-08-24 | Lg化学株式会社 | 封装薄膜 |
| CH707063A2 (fr) * | 2012-10-04 | 2014-04-15 | Daniele Oppizzi | Générateur photovoltaïque modulable et panneau photovoltaïque flexible. |
| JP2015090915A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 東レエンジニアリング株式会社 | 太陽電池モジュール |
| WO2015116770A2 (en) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Bottom-up ultra-thin functional optoelectronic films and devices |
| WO2016196759A1 (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | Tessolar Inc. | Single-cell encapsulation and flexible-format module architecture and mounting assembly for photovoltaic power generation and method for constructing, inspecting and qualifying the same |
| KR102367363B1 (ko) * | 2017-07-07 | 2022-02-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 |
| CN111344870A (zh) | 2017-09-08 | 2020-06-26 | 密歇根大学董事会 | 电磁能量转换器 |
| KR102431078B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2022-08-11 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR20190038969A (ko) * | 2017-10-02 | 2019-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 |
| CN112397600A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 福建金石能源有限公司 | 一种高防水的柔性太阳能电池的封装材料及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1116458A (zh) * | 1993-09-30 | 1996-02-07 | 佳能株式会社 | 具有三层结构表面覆盖材料的太阳能电池组件 |
| CN1675058A (zh) * | 2002-08-07 | 2005-09-28 | 株式会社丰田中央研究所 | 具有粘合层的层压产品和具有保护膜的层压产品 |
| DE20321064U1 (de) * | 2003-02-12 | 2005-11-10 | Solarion Gmbh | Flexible Dünnschichtsolarzelle |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551115A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
| YU121680A (en) * | 1979-05-08 | 1983-04-30 | Saint Gobain Vitrage | Method of manufacturing solar photocell panels |
| JPH04188676A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-07-07 | Canon Inc | ラダーポリシランで構成された保護層又は上部透明部材を備えた太陽電池モジュール |
| JPH06140651A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
| US5419782A (en) * | 1993-05-11 | 1995-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Array of solar cells having an optically self-aligning, output-increasing, ambient-protecting coating |
| US5476553A (en) * | 1994-02-18 | 1995-12-19 | Ase Americas, Inc. | Solar cell modules and method of making same |
| US5607789A (en) * | 1995-01-23 | 1997-03-04 | Duracell Inc. | Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same |
| US6455916B1 (en) * | 1996-04-08 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit devices containing isolated dielectric material |
| JPH10112549A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Canon Inc | 太陽電池モジュール |
| JP3740251B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| US6187448B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-02-13 | Evergreen Solar, Inc. | Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications |
| JPH11186576A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| EP0969521A1 (de) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft | Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2000174299A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Bridgestone Corp | 太陽電池用カバー材、封止膜及び太陽電池 |
| US6274514B1 (en) * | 1999-06-21 | 2001-08-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | HDP-CVD method for forming passivation layers with enhanced adhesion |
| US6580027B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-17 | Trustees Of Princeton University | Solar cells using fullerenes |
| JP2003062921A (ja) * | 2001-06-11 | 2003-03-05 | Bridgestone Corp | 透明複合フィルム |
| US20030000568A1 (en) * | 2001-06-15 | 2003-01-02 | Ase Americas, Inc. | Encapsulated photovoltaic modules and method of manufacturing same |
| US7772484B2 (en) * | 2004-06-01 | 2010-08-10 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic module architecture |
| US20070295388A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-12-27 | Nanosolar, Inc. | Solar assembly with a multi-ply barrier layer and individually encapsulated solar cells or solar cell strings |
-
2007
- 2007-03-28 JP JP2009503255A patent/JP2009531871A/ja active Pending
- 2007-03-28 WO PCT/US2007/065401 patent/WO2007112452A2/en active Application Filing
- 2007-03-28 US US11/692,806 patent/US20080000518A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-28 CN CN2007800116415A patent/CN101454899B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-28 EP EP07759614A patent/EP2002472A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1116458A (zh) * | 1993-09-30 | 1996-02-07 | 佳能株式会社 | 具有三层结构表面覆盖材料的太阳能电池组件 |
| CN1675058A (zh) * | 2002-08-07 | 2005-09-28 | 株式会社丰田中央研究所 | 具有粘合层的层压产品和具有保护膜的层压产品 |
| DE20321064U1 (de) * | 2003-02-12 | 2005-11-10 | Solarion Gmbh | Flexible Dünnschichtsolarzelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2002472A2 (en) | 2008-12-17 |
| EP2002472A4 (en) | 2010-06-09 |
| WO2007112452B1 (en) | 2008-12-11 |
| US20080000518A1 (en) | 2008-01-03 |
| JP2009531871A (ja) | 2009-09-03 |
| WO2007112452A3 (en) | 2008-10-30 |
| WO2007112452A2 (en) | 2007-10-04 |
| CN101454899A (zh) | 2009-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101454899B (zh) | 光伏模块及其制造方法 | |
| US8153889B2 (en) | Roll-to-roll integration of thin film solar modules | |
| US20090159119A1 (en) | Technique and apparatus for manufacturing flexible and moisture resistive photovoltaic modules | |
| EP2609628B1 (en) | Photovoltaic device and module with improved passivation and a method of manufacturing. | |
| US9640706B2 (en) | Hybrid multi-junction photovoltaic cells and associated methods | |
| US7122398B1 (en) | Manufacturing of optoelectronic devices | |
| US8066840B2 (en) | Finger pattern formation for thin film solar cells | |
| US20090199894A1 (en) | Photovoltaic devices protected from environment | |
| US20100175743A1 (en) | Reliable thin film photovoltaic module structures | |
| US20100147364A1 (en) | Thin film photovoltaic module manufacturing methods and structures | |
| US20120325282A1 (en) | Solar cells with grid wire interconnections | |
| US20130233374A1 (en) | Monolithically integrated solar modules and methods of manufacture | |
| JP5901773B2 (ja) | 直列接続部を含む薄膜ソーラーモジュール、及び、複数の薄膜ソーラーセルを直列接続する方法 | |
| US10529882B2 (en) | Method for manufacturing multijunction photoelectric conversion device | |
| US20200006585A1 (en) | Partially Translucent Photovoltaic Modules and Methods for Manufacturing | |
| US11588124B2 (en) | Photovoltaic module | |
| US12046690B2 (en) | Photovoltaic module with integrated printed bypass diode | |
| CN110212060B (zh) | 一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站 | |
| US9570636B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| EP4250376A1 (en) | A solar cell and method of fabrication thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120502 Termination date: 20140328 |