CN101449185A - 反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质 - Google Patents

反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质 Download PDF

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Abstract

本发明是在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。

Description

反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质
技术领域
本发明涉及可用作光记录介质、显示器等中所使用的反射膜或半透反射膜的薄膜，特别涉及即使长期使用反射率的下降也得到抑制的薄膜以及具备该薄膜作为反射膜或半透反射膜的光记录介质。
背景技术
在CD-R/RW、DVD-R/RW/RAM、蓝光光盘等光记录介质和液晶显示器、有机发光显示器等显示装置中，至少形成有1层反射膜。例如，图1是作为光记录介质的例子表示近年来正在进行开发的HD-DVD(可擦写型单面2层)的结构的图。如该例子所示，光记录介质具有除了作为其功能的中心的记录层之外，还具备保护层、热扩散层以及反射膜的多层结构。
以往的反射膜大多由银形成。这是因为银的反射率高，比同样具有高反射率的金便宜。此外，银由于通过适当地调整其膜厚可具有良好的透光性，所以可以用作半透反射膜，因此在今后所开发的光记录介质中会被广泛使用(参照图1)。
另一方面，银缺乏耐蚀性，存在因腐蚀变成黑色而使反射率下降的问题。作为反射膜腐蚀的主要原因，根据所采用的介质、装置而不同，例如被光记录介质的记录层中所采用的有机染料材料腐蚀，由于长期使用而出现反射率的下降。此外，显示器装置的反射膜可能会因大气中的湿度等而发生反射膜的腐蚀。于是，为了解决银的耐蚀性的问题，开发了由在银中添加各种元素而得的银合金形成的薄膜。
例如，专利文献1中揭示了在银中添加0.5～10原子％的钌和0.1～10原子％的铝的银合金，专利文献2中揭示了在银中添加有0.5～4.9原子％的钯的银合金等。此外，专利文献3、专利文献4中揭示了在Ag中添加有Ca、V、Nb的银合金等。
专利文献1：日本专利特开平11-134715号公报
专利文献2：日本专利特开2000-109943号公报
专利文献3：日本专利特开平6-243509号公报
专利文献4：日本专利特开2003-6926号公报
发明的揭示
将以上的银合金作为构成材料的薄膜在耐蚀性的改善方面有一定的效果。然而，虽然腐蚀的问题应该得到了解决，但即使是采用银合金薄膜的光记录介质，也无法完全抑制反射膜的劣化引起的记录错误。此外，伴随今后对于记录速度和记录密度的进一步提高的要求，需要反射率维持特性比以往更好的材料。
于是，本发明的目的在于提供用于构成光记录介质、显示器等的反射膜、半透反射膜的薄膜及其制造方法，该薄膜即使长期使用反射率也不会下降，能够很好地发挥其功能。
为了解决所述课题，本发明人进行了认真研究，对银薄膜的反射特性的劣化机理进行了研究，认为其主要原因不仅在于单纯的腐蚀(发黑)，还在于加热时的银原子的迁移现象。该银原子的迁移现象是指刚成膜后的平坦的薄膜根据所附加的环境条件，构成薄膜的银原子为了达到能量上非常稳定的状态而迁移的现象。并且，这时的银原子的迁移不限于平面的迁移，大多为三维的行为，因而以接近于球体的多边形凝集。如果薄膜上形成所述的三维凝集体，则入射到薄膜的激光的反射光向其入射轴方向漫反射，被反射向多个方向。因此，将这样的薄膜作为反射膜的光记录介质中，向光记录装置的传感器轴方向的反射率下降，使记录介质发生错误。
如上所述，银原子的迁移现象和凝集是与腐蚀不同的现象，仅通过作为现有对策的合金化不一定足以应对，可以说较好是阻止构成薄膜的银原子的迁移。
于是，本发明人研究了抑制薄膜中的银原子的迁移的方法，发现使非银(纯银)本身的银化合物相分散于银中的方法是理想的，藉此可以抑制银原子的迁移现象，制成反射率维持特性良好的银薄膜，从而完成了本发明。
即，本发明是在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成的反射膜或半透反射膜用的薄膜。
本发明中，构成银化合物相的银化合物是氮化物、氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、磷化物、硒化物、碲化物。通过使由这些银化合物形成的相分散于银基质中，构成基质的银原子的迁移受到阻碍，可以维持薄膜的平面性。藉此，即使薄膜受热，反射率的下降也得到抑制。
银化合物相的具体例子示于表1。如表1所示，这些银化合物除了稳定存在的化学计量学上为平衡状态的化合物组成的化合物之外，还包括化学计量学上为非平衡状态的化合物，例如对于AgN(氮化银)，包括AgxN1-x(0<x<1)。
[表1]
 
氮化物 AgN(Ag1-xNx)
氧化物 Ag2O，AgO(Ag1-xOx)
碳化物 AgC(Ag1-xCx)
硫化物 Ag2S(Ag2-xSx)
氟化物 AgF(Ag1-xFx)
硼化物 AgB(Ag1-xBx)
硅化物 AgSi(Ag1-xSix)
氯化物 AgCl(Ag1-xClx)
磷化物 AgP(Ag1-xPx)
硒化物 Ag2Se(Ag2-xSex)
碲化物 Ag2Te(Ag2-xTex)
复合氧化物 Ag2MO4Ag2WO4AgVO3Ag2CrO4Ag4P2O7Ag3PO4
并且，银化合物相的含量较好是0.001～2.5重量％。为了充分地阻止银原子迁移，需要0.001重量％以上的银化合物。此外，将2.5重量％作为上限是因为如果超过该值，则薄膜的初始的反射率不足。并且，银化合物相的含量更好是0.001～1.0重量％，特别好是0.001～0.5重量％。如果银化合物的含量增加，则反射率下降的抑制效果提高，但反射率存在下降的倾向。银化合物的含量较好是根据其用途在上述范围内进行调整。还有，以上的银化合物相的含量以薄膜整体的重量(基质和银化合物相的总重量)为基准。
此外，银化合物相较好是由多种化合物分子构成的粒子状态的相，但并不局限于该形态。即，银化合物相由至少1种化合物的分子形成即可。对于银化合物相的尺寸，较好是薄膜的厚度的1/10以下。例如，薄膜的厚度为
Figure A200680054804D00061
的情况下，较好是
Figure A200680054804D00062
以下的银化合物相，膜厚
Figure A200680054804D00063
的薄膜中较好是分散
Figure A200680054804D00064
以下的银化合物相。
下面，对本发明的薄膜的制造方法进行说明。本发明的反射膜在用于光记录介质、显示器等时，较好是厚度为
Figure A200680054804D00065
的膜。作为这样的薄膜的制造方法，较好是采用溅射法。并且，包含银化合物相的薄膜的制造采用溅射法的情况下，其方法可以例举以下的2个方面。
第1个方面是使用与需制造的薄膜的结构、构成近似的靶材的方法，即使用在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而成的靶材。如果采用该方法，可以通过1块靶材来制造薄膜，所以可以采用反射膜制造中通常所进行的使靶材和基板对向的形式下的溅射，生产性良好。在这里，作为本发明的薄膜制造用的溅射靶材，具体有以下的3种形态。
首先是内部化合型靶材。内部化合型靶材是指将由银(纯银)形成的原料素材在高压的氧气、氮气等的气氛中进行加热处理，使其内部部分地化合成氧化物、氮化物等而得的靶材。该形态的靶材可用于制造银化合物相为氧化物、氮化物的薄膜。还有，这时的原料素材可以是接近靶材的形状的板状的材料，也可以将粒状的材料作为素材使其内部化合后，再将其压缩成形。
此外，可以使用烧结靶材。烧结靶材是指将银(纯银)的粉末和银化合物的粉末根据目标组成混合，压缩·成形后，烧结而得的靶材。该烧结靶材可以用于通过上述的内部化合型难以制造的情况，例如适合于作为银化合物分散有碳化银、硼化银、硅化银的薄膜的制造。
另外，还有埋入型靶材。埋入型靶材是指在由纯银形成的靶材的基于溅射的消耗区域埋入有成为分散粒子的银化合物的小片(圆柱形、球形等，对形状没有限定)的靶材。上述的内部化合型靶材、烧结靶材如图2(a)所示微观上具有与需制造的薄膜接近的组成、结构，而该靶材如图2(b)所示宏观上与需制造的薄膜接近。该靶材可以通过埋入的银化合物小片的直径、配置位置、个数、溅射率来控制所制造的薄膜的组成。
以上的3种靶材中，银化合物相的含量理想的是采用与要制造的薄膜相同的组成。因此，银化合物的含量较好是0.001～2.5重量％，更好是0.001～1.0重量％，特别好是0.001～0.5重量％。这些靶材的银化合物相的尺寸没有特别限定，可以与需制造的薄膜同样是分子水平，也可以像埋入型的靶材那样为毫米级。这是因为不论银化合物相的尺寸如何，在溅射时，化合物都以分子单位被溅射而形成目标组成的薄膜。
另一方面，即使不采用如上所述的一体化的一块靶材，也可以制造本发明的薄膜。所述第2个方面是改良溅射的条件。该方法中，可以使用容易获得的纯银靶材，不需要特殊的一体化的靶材。该方法是可用于难以制造如上所述的内部化合型靶材等特殊靶材的情况的方法。并且，在该第2个方面，具体可以采用以下的2种方法。
首先，是使用多种靶材的同时溅射。它是使用由与构成薄膜的相同样组成的化合物、金属形成的多种靶材，将它们同时进行溅射的方法。例如，使用纯银靶材和氧化银(AgO)靶材这2种靶材，将它们一起配置于处理室内，同时进行溅射，从而可以制造在银中分散有氧化银的薄膜。
此外，在改良溅射条件的第2个方面，特别有用的是反应性溅射的采用。反应性溅射是指在溅射的气氛中加入氧、氮等反应性气体进行溅射，使来自靶材的溅射粒子的一部分氧化、氮化的同时，形成薄膜。反应性溅射是可以用于分散于薄膜中的银化合物的价格高、难以获得、化学上难以制造的情况。
对于该反应性溅射，可以单独采用，也可以与其它方法组合。例如，使用上述的特殊的一体型靶材，即，使用内部化合靶材、烧结靶材、埋入型靶材的情况下，预测单独使用这些靶材时银化合物的分散量不足的时候，可以通过在气氛中导入反应性气体，使银化合物的含量增加。此外，采用同时溅射的薄膜制造中，也可以通过组合反应性溅射来调整银化合物量。
附图的简单说明
图1是表示HD-DVD的结构例的图。
图2是表示用于制造本发明的反射膜、半透反射膜的溅射靶材的具体例子的图。
实施发明的最佳方式
本实施方式中，首先制造内部化合型、烧结型、埋入型这3种靶材。并且，除了使用这些靶材的薄膜的制造之外，还进行基于同时溅射法、反应性溅射法的薄膜制造。
A：溅射靶材的制造
(a)内部化合型靶材
准备2.5kg粒径0.5～1.0mm的粒状的纯银原料，将其加入高压反应釜，将釜的内部用氮气充分置换后，加压、升温至氮气压1.0MPa、温度850℃，在该状态下保持6小时，对纯银进行内部氮化。接着，退火后取出，装填于模具，在750℃高压挤出来进行一体成形。成形后，进行锻造、压延而加工成板材(尺寸：160mm×160mm×6mm)。接着，对其进行切削加工，制成标准尺寸(直径152mm(6英寸)，厚5mm)的溅射靶材。该靶材的组成为氮化银作为化合物相分散在银基质中的Ag/0.001wt％AgN，对应于后述的1号试样。
作为内部化合型靶材，除了上述之外，还制造了Ag/0.01wt％AgN(2号试样)、Ag/0.001wt％Ag2O(6号试样)的靶材。这些靶材中，对于2号试样的靶材，将内部氮化时的保持时间改为15小时。此外，对于6号试样的靶材，将高压反应釜内用氧(气压：0.4MPa)置换，在850℃使其反应10小时。
(b)烧结型靶材
准备粒径都为75～100μm的纯银粉末和氮化银粉末，将其按目标组成进行称量，充分混合后填充于碳制的模具，进行压缩·成形后，在真空烧结炉中于600℃烧结24小时而一体化。烧结后，为了进一步使致密度提高而进行锻造、压延，再进行切削加工，制成与上述相同的标准尺寸的溅射靶材。该靶材的组成为Ag/0.5wt％AgN，对应于后述的3号试样。
(c)埋入型靶材
准备标准尺寸(直径152mm(6英寸)，厚5mm)的由纯银形成的圆板，在其直径80mm的圆周上等间隔地于3处进行穿孔而形成直径1.05mm的圆孔，在该圆孔中插入直径1.0mm、长5mm的由氧化银形成的圆棒。接着，从周边进行敛缝加工而固定圆棒，使圆棒不会脱落，制成埋入型靶材。该靶材的组成相当于Ag/1.0wt％Ag2O，对应于后述的10号试样。
对于埋入型靶材，除了上述之外，还制造了相当于Ag/0.1wt％AgC的对应于12号试样的靶材。该情况下，圆孔的直径设为0.55mm，插入并固定6根直径0.50mm的由碳化银形成的圆棒。
B.薄膜的制造
使用上述的各种靶材，并且采用同时溅射法、反应性溅射法来制造薄膜。在这里，在DVD用的聚碳酸酯基板上制造薄膜。该基板是通过具备形成有预格式化图案的母盘的注塑成形机制成的基板(直径120mm，板厚0.6mm)。接着，在该基板的上表面通过各方法以
Figure A200680054804D00091
的膜厚形成了反射膜。
(i)使用上述(a)～(c)中制成的3种靶材，在聚碳酸酯基板上形成薄膜。将各靶材设置于溅射室内并抽真空后，导入氩气至5.0×10-1Pa。接着，使基板位置在靶材正下方呈静止状态，以直流0.4kW进行8秒的溅射。还有，膜厚分布在±10％以内。
(ii)同时溅射
将纯银靶材和2块上述的对应于12号试样的Ag-0.1wt％AgC的靶材设置于自溅射装置的中心轴半径160mm的同心圆上的分割成的3份中的2处。接着，将装置内抽真空后，导入氩气至5.0×10-1Pa。然后，将基板承载于转台中央部并使其以10rpm旋转的同时，对纯银靶材施加直流0.99kW的溅射电力，对Ag-0.1wt％AgC靶材施加直流0.01kW的溅射电力，进行8秒的溅射。这里所制成的薄膜的组成为Ag/0.001wt％AgC，对应于后述的11号试样。还有，膜厚分布在±10％以内。该同时溅射中，可以通过改变与纯银靶材组合的靶材的组成来调整薄膜的组成，本实施方式中9、13～31号试样的薄膜也通过该方法制成。
(iii)反应性溅射
将纯银靶材设置于溅射装置中并抽真空后，导入氩气至5.0×10-1Pa。然后，导入作为反应性气体的氮气。氮气的分压为5.0×10-2Pa。接着，使基板位置在靶材正下方呈静止状态，以直流0.4kW进行8秒的溅射。这里所制成的薄膜的组成为Ag/1.0wt％AgN，对应于后述的4号试样。反应性溅射中，可以通过增减反应气体的分压来调整薄膜的组成，本实施方式中5、7、8号试样的薄膜也通过该方法制成。
C.薄膜的评价
将如上所述在聚碳酸酯基板上形成了薄膜的材料作为DVD介质，通过评价其特性来进行薄膜的评价。评价中，采用光盘评价装置(帕尔斯太克工业株式会社(パルステツク工業)制光盘评价装置ODU-1000)，测定了制造后的初始状态下的抖动值、PI错误、PO失败、反射率，确认它们在DVD标准的范围内。
接着，进行将DVD介质暴露于温度80℃、相对湿度85％的环境中500小时的加速环境试验，对于加速环境试验后的DVD介质用评价装置测定各值。其结果示于表2。表中也一并表示了对将纯银作为反射膜的DVD介质进行同样的试验时的结果。
[表2]
Figure A200680054804D00111
*1薄膜制造方法如下
a：使用内部化合型靶材
b：使用烧结型靶材
c：使用埋入型靶材
d：同时溅射
e：反应性溅射
由表2可知，确认本发明的具备分散有银化合物相的反射膜的记录介质与以纯银为反射膜的DVD介质相比，PI错误、PO失败的发生数少，而且反射率的下降率也低。还有，具备纯银反射膜的DVD介质在加湿试验后无法被记录装置识别，无法使用。
产业上利用的可能性
如上所述，本发明的薄膜即使长期使用反射率的下降也少，可以延长光记录介质、显示器等采用反射膜的各种装置的寿命。此外，本发明的反射膜的反射率维持特性受入射光波长的影响也少。在这方面，光记录介质的领域中，如使用蓝色激光的HD-DVD的开发等，记录用光源不断短波长化。本发明也可以应对这样的技术。例如，用于光记录介质的情况下，具有减少错误数、延长寿命的优点。
还有，本发明中，反射膜只要是具有反射光的功能即可，也包括具备透光性的薄膜。因此，也可以用于光记录介质中所采用的半反半透膜。

Claims (9)

1.反射膜或半透反射膜用的薄膜，其特征在于，在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成。
2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，银化合物相的含量为0.001～2.5重量％。
3.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，银化合物相的含量为0.001～1.0重量％。
4.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，银化合物相的含量为0.001～0.5重量％。
5.溅射靶材，其特征在于，在由银形成的基质中分散银的氮化物、氧化物、复合氧化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、氯化物、硅化物、氟化物、硼化物、氢化物、磷化物、硒化物、碲化物中的至少一种银化合物相而形成。
6.如权利要求5所述的溅射靶材，其特征在于，银化合物相的含量为0.001～2.5重量％。
7.如权利要求5所述的溅射靶材，其特征在于，银化合物相的含量为0.001～1.0重量％。
8.如权利要求5所述的溅射靶材，其特征在于，银化合物相的含量为0.001～0.5重量％。
9.光记录介质，其特征在于，具备权利要求1～4中的任一项所述的薄膜作为反射膜或半透反射膜。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113280841A (zh) * 2020-02-20 2021-08-20 株式会社三丰 标尺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5264233B2 (ja) * 2008-03-24 2013-08-14 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置
JP5975186B1 (ja) 2015-02-27 2016-08-23 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06243509A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Ricoh Co Ltd 光反射膜及び該膜を用いた光記録情報媒体
JPH073440A (ja) * 1993-06-16 1995-01-06 Asahi Glass Co Ltd 電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造方法並びに薄膜付き基体
JPH11134715A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Kao Corp 光記録媒体
JP4007702B2 (ja) 1998-10-05 2007-11-14 株式会社フルヤ金属 薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体
JP3904136B2 (ja) * 2000-04-12 2007-04-11 日立金属株式会社 複合蒸着材
JP4047561B2 (ja) * 2000-08-02 2008-02-13 三菱化学メディア株式会社 光学的情報記録用媒体及び光学的情報記録用媒体の製造方法
DE60119846T2 (de) * 2000-08-02 2007-01-04 Mitsubishi Kagaku Media Co. Ltd. Optisches Aufzeichungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2003006926A (ja) 2001-06-19 2003-01-10 Mitsubishi Materials Corp 光記録媒体用反射膜
JP2005243165A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113280841A (zh) * 2020-02-20 2021-08-20 株式会社三丰 标尺

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