CN101438411A - 用于制造分离彩色滤光片的侧壁间隔物及对应图像传感器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示一种提供具有彩色滤光片元件阵列的成像器的设备及方法，每一彩色滤光片元件通过间隔物而彼此分离。所述间隔物可在光学上将滤光片元件彼此隔离。
Description
技术领域
本发明涉及用于固态图像传感器的彩色滤光片，且具体来说，涉及一种具有使各个色彩彼此隔离的结构的彩色滤光片阵列及其形成方法。
背景技术
固态图像传感器(也称为成像器)是在二十世纪六十年代晚期及二十世纪七十年代早期开发的，主要用于电视图像获取、传输及显示。成像器吸收特定波长的入射辐射(例如光量子、X射线或类似物)，并产生对应于所吸收的辐射的电信号。存在许多不同类型的基于半导体的成像器，包括电荷耦合装置(CCD)、光电二极管阵列、电荷注入装置(CID)、混合焦平面阵列及CMOS成像器。固态成像器的当前应用包括相机、扫描仪、机器视觉系统、车辆导航系统、天体追踪仪及运动检测器系统等等。
这些成像器通常由含光电传感器的像素阵列组成，其中在将图像聚焦在所述阵列上时，每一像素产生一信号，所述信号对应于撞击其光电传感器的光的强度。接着，例如可存储这些信号，以用于稍后的显示、印刷或分析或以其它方式用于提供关于光学图像的信息。所述光电传感器通常是光电晶体管、光电门或光电二极管。因此，每一像素所产生的信号的量值与撞击在光电传感器上的光的量成比例。
为了允许所述光电传感器俘获彩色图像，所述光电传感器必须能够单独检测(例如)红色(R)光子、绿色(G)光子及蓝色(B)光子。因此，每一像素必须仅对一种色彩或光谱带敏感。为此，彩色滤光片阵列(CFA)一般放置于像素前面，使得每一像素测量其相关联滤光片的色彩的光。因而，彩色成像器的每一像素根据特定图案而覆盖有红色、绿色或蓝色滤光片。
彩色滤光片阵列一般布置成红色、绿色及蓝色滤光片的镶嵌连续图案(称为拜耳滤光片图案)。所述拜耳滤光片图案是以连续行而四重排序，所述行交替着红色及绿色滤光片，然后为绿色及蓝色滤光片。因而，每一红色滤光片由四个绿色及四个蓝色滤光片包围，而每一蓝色滤光片由四个红色及四个绿色滤光片包围。相比之下，每一绿色滤光片由两个红色、四个绿色及两个蓝色滤光片包围。重点强调绿色滤光片是由于人类视觉响应，其在可见光谱的550纳米(绿色)波长区域中到达最大敏感度。授予拜耳的第3,971,065号美国专利描述拜耳图案彩色滤光片阵列。
为形成彩色滤光片阵列，通常使用负光致抗蚀剂，其含有彩色颜料。所述拜耳图案需要在钝化层上印刷并图案化三个负光致抗蚀剂层，每一层具有一相应色彩。各个彩色滤光片在所计算的彩色滤光片阵列中相邻。
然而，所述负光致抗蚀剂具有较差的分辨率，并遭受收缩及较差的平面性，其影响彩色滤光片阵列的光学属性。而且，当图案化光致抗蚀剂层时，必须在衬底上使用透明膜，使得曝光工具可透过所述膜在像素上方对准所述图案，以便分离所述彩色滤光片元件。
此方法的另一缺点在于，通常在形成彩色滤光片层之前会曝光接合垫。因而，用于形成彩色滤光片层的化学物质可变得被截留在接合垫区域中，并引起可靠性问题且腐蚀接合垫金属化。
此外，当印刷光致抗蚀剂时，没有任何层使彩色滤光片元件彼此分离以在像素之间阻挡散射光，从而导致光学串扰。
因此，需要并期望一种用于彩色滤光片阵列的改进结构，其更有效并更准确地界定彩色滤光片阵列色彩并提供改进的光学串扰及改进的色彩分离，且使得添加的制造工艺复杂性及/或制造成本的增加减到最小。还需要一种制造表现出这些改进的彩色滤光片阵列的方法。
发明内容
本发明的示范性实施例提供一种具有彩色滤光片元件阵列的成像器，其中在彩色滤光片元件之间提供间隔物。所述间隔物可使色彩彼此分离(尤其在制造期间)，以更准确地界定彩色滤光片阵列色彩。此外，所述间隔物可由不透明材料组成，以用作包围像素的光阻挡物，从而减小像素之间的光学串扰。所述间隔物材料还可用作覆盖像素阵列外部的外围电路的光阻挡物。
还提供形成彩色滤光片阵列的方法。在一个示范性方法实施例中，通过形成界定每一彩色滤光片元件的区域的间隔物来产生彩色滤光片阵列，以便分离色彩并减小光学串扰。在间隔物所界定的区域中提供所述彩色滤光片元件。
附图说明
根据以下结合附图所提供的详细描述以及所说明的本发明的示范性实施例，将更明白本发明的这些及其它特征及优点，附图中：
图1说明根据本发明而构造的彩色滤光片阵列的示范性实施例的横截面图；
图2A说明用于制造根据本发明的一个示范性实施例的彩色滤光片阵列的第一处理阶段的横截面图；
图2B说明在图2A所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2C说明在图2B所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2D说明在图2C所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2E说明在图2D所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2F说明在图2E所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2G说明图2F所示的处理阶段的俯视图；
图2H说明在图2G所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2I说明在图2H所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图2J说明在图2I所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图3说明根据本发明的另一示范性实施例而构造的示范性彩色滤光片阵列的横截面图；
图4A说明用于制造根据本发明的另一示范性实施例的彩色滤光片阵列的第一处理阶段的横截面图；
图4B说明在图4A所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图4C说明在图4B所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图4D说明在图4C所示的阶段之后的处理阶段的横截面图；
图5是根据本发明而构造的CMOS成像器的方框图；以及
图6是并入根据本发明的实施例而构造的至少一个成像器装置的处理器系统的方框图。
具体实施方式
在以下详细描述中参考附图，附图形成所述详细描述的一部分并说明可实践本发明的特定实施例。在图式中，在若干视图中，相同参考数字始终描述大致类似的组件。充分详细地描述这些实施例是为了使所属领域的技术人员能够实践本发明，且应了解，可利用其它实施例，并可在不脱离本发明的精神及范围的情况下作出结构、逻辑及电气变化。
术语“衬底”应理解为包括硅、绝缘体上硅(SOI)、蓝宝石上硅(SOS)，以及无衬底硅(SON)技术、掺杂及未掺杂的半导体、由基底半导体基座支撑的硅外延层、及其它半导体结构。此外，当在以下描述中涉及“衬底”时，可能已利用先前工艺步骤在基底半导体结构或基座中形成区域或结。此外，半导体无需基于硅，而可以基于硅锗、锗或砷化镓。
术语“像素”或“像素单元”是指含有用于将电磁辐射转换为电信号的光电转换装置和晶体管的图元单位单元。出于说明目的，本文描述代表性的三色R、G、B像素阵列；然而，本发明不限于使用R、G、B阵列，且可与其它彩色阵列一起使用，一个实例是C、M、Y、K(其表示青色、深红色、黄色及黑色彩色滤光片)。同样出于说明目的，在本文的图及描述中说明代表性像素的一部分，且通常成像器中的所有像素的制造均将同时且以类似方式进行。
尽管是关于与CMOS成像器一起使用来描述本发明，但本发明不限于此且适用于任何固态成像器。现在参考图式，其中相同标号指定相同元件，图1说明根据本发明的示范性实施例而形成的彩色滤光片阵列300的示范性实施例。彩色滤光片阵列300形成于衬底304上，在衬底304上已制造了各种像素阵列与钝化层303，彩色滤光片阵列300在所述彩色滤光片元件302之间包括间隔物301，以使各个彩色滤光片元件302彼此分离。每一间隔物301优选由不透明材料建构，所述不透明材料将有效地充当光阻挡物，以减小彩色滤光片阵列300下方的像素之间的光学串扰。
可使用不同的材料来形成间隔物301。举例来说，间隔物301可包含大致操作以吸收或反射入射光的任何材料。举例来说，所述间隔物301可包含金属，例如铝、金属合金或金属硅化物。所述间隔物301还可包含多晶硅材料，其在入射光的较短波长处不透明。间隔物301材料还可与任何其它合适的非金属材料一起使用，以阻挡或反射散射光的强度。因此，所述间隔物301减小像素之间的光学串扰并在像素之间形成光阻挡物，且更准确地界定彩色滤光片阵列边界及色彩。
图2A到2J描绘根据本发明的示范性实施例的彩色滤光片阵列300的形成。本文所述的步骤不需要以任何特定次序来执行，除了逻辑上需要先前动作的结果的步骤。因此，虽然将下面步骤说明为以一般次序来执行，但所述次序仅为示范性的并可在需要时进行更改。
如图2A所示，钝化层303形成于成像器衬底304上，所述衬底已制造成包括像素阵列、外围电路及互连金属化层。出于方便目的，在图中未展示所述像素、外围电路及金属化层。举例来说，钝化层303由(例如)磷硅玻璃(PSG)、氮化硅或氮氧化物形成。尽管仅展示一个钝化层303，但可形成一个以上钝化层。透明碳层305形成于钝化层上。应注意，层305可改为是任何透明材料，例如氧化物、二氧化硅、氮化硅、氮氧化物或正硅酸四乙酯(TEOS)及可容易蚀刻的其它材料。碳层305具有彩色滤光片所要求的厚度，例如大约
到大约碳层305是使用常规方法而沉积的，例如化学气相沉积(CVD)。
在像素上使用透明碳层305因为材料的固有特性的缘故而产生多个优点。具体来说，碳材料准许高温操作并保持热稳定及刚性。此外，可以对钝化层303及接合垫(未图示)的良好选择性来蚀刻碳层305。
图2B描绘形成于碳层305上的经图案化光致抗蚀剂层306，其用作掩模以用于后续蚀刻工艺。使用光刻曝光来图案化光致抗蚀剂层306。用于在光致抗蚀剂层306上实施的光刻工艺的光源具有(例如)大约365纳米的波长，或提供所需光刻分辨率的任何波长。
如图2C所示，光致抗蚀剂层306(图2B)是蚀刻掩模，使得碳层305经蚀刻以形成，延伸穿过其并在钝化层303处停止的开口322。使用选择性的光致抗蚀剂剥离技术来移除光致抗蚀剂层306(图2B)，优选通过湿蚀刻或干蚀刻。所述剥离技术应对碳层305选择性地移除光致抗蚀剂层306。举例来说，可使用湿工艺，例如麦克龙(Micron)的“SC1”工艺，其对碳具有合理的选择性。在施加光致抗蚀剂层306之前，还可在碳层305顶部施加硬掩模层(未图示)，例如氧化物或介电抗反射涂层(ARC)。可能需要硬掩模以对光致抗蚀剂层306选择性地充分蚀刻碳层305。
在大约500
与大约3,000之间厚的第三层307形成于蚀刻的碳层305与钝化层303之间，如图2D所示。第三层307将用于形成图2E中的间隔物301。第三层307可由任何不透明材料形成，例如金属、金属合金、金属硅化物、铝或其它不透明材料。第三层307还可由多晶硅材料形成，其在较短波长的入射光下不透明。第三层307在小于400℃的低温下形成。可通过任何合适的保形技术来施加第三层307，包括一种或一种以上旋涂技术或用于保形材料沉积的任何其它技术，例如CVD或物理气相沉积(PVD)。
图2E说明在碳层侧壁308a上及在钝化层303的一部分上方形成间隔物301。可通过任何已知技术形成间隔物301。举例来说，优选未掩蔽工艺(未图示)来蚀刻第三层307(图2D)以形成延伸穿过其的开口319，其停止在钝化层303上。下伏碳层305的顶部表面321还通过所述蚀刻工艺而露出。如果如上所论述使用硬掩模层(未图示)，则所露出的顶部表面将是硬掩模，而非碳层305。还可使用图案化的光致抗蚀剂层(未图示)来蚀刻第三层307。所述未掩蔽或图案化的光致抗蚀剂工艺在碳层侧壁308a上以及在钝化层303的一部分上留下间隔物301。
可使用标准蚀刻技术来剥离碳层305，在钝化层303的若干部分上仅留下间隔物301并形成开口314，如图2F所示。举例来说，使用或不使用光致抗蚀剂图案化来剥离碳层305。所使用的剥离技术有效地蚀刻碳层305以露出下伏的钝化层303。如上所论述，如果使用硬掩模层(未图示)，则在移除碳层305之前，应使用一工艺来移除所述硬掩模。图2G是像素阵列的角落部分处的间隔物301的俯视图，其展示间隔物301如何界定用于彩色滤光片元件的区域319及314。
接下来形成彩色滤光片阵列。通过使用常规程序，在钝化层303、间隔物301上并在开口314与319中形成红色负光致抗蚀剂层311，如图2H所示。光源309(例如(例如)365纳米的i线光源)在光掩模310上闪烁并曝光红色光致抗蚀剂层311的一部分。进行显影处理步骤以移除未曝光的红色光致抗蚀剂层311，因此产生红色滤光片元件312，如图2I所示。举例来说，标准光刻术可用于移除红色光致抗蚀剂层311，直到红色滤光片元件312的彩色颜料到达间隔物301的顶部318为止。因而，间隔物301使彩色滤光片元件302(图1)彼此分离。将图2H及图2I所示的步骤与绿色及蓝色光致抗蚀剂层一起执行两次以上，以形成绿色滤光片元件与蓝色滤光片元件。在形成所述红色、绿色及蓝色滤光片元件之后，可进行可选的化学机械抛光(CMP)步骤以移除任何未曝光彩色颜料。间隔物301的顶部318在移除多余彩色颜料的CMP步骤期间用作蚀刻停止物。图2J以横截面说明像素阵列的一行，其显示交替的红色及绿色滤光片元件312及313。此留下用于交替的彩色滤光片元件的彩色滤光片阵列300的图案，其中间隔物301形成于所述彩色滤光片元件之间并界定用于彩色滤光片元件的区域。以此方式，间隔物301用以分离彩色滤光片阵列300的色彩，以便更准确地界定阵列边界及色彩。此外，间隔物301充当光阻挡物，因此减小像素之间的光学串扰。
图3描绘根据本发明的另一示范性实施例的成像器的一部分317。在成像器317中，除了在像素阵列区域320中形成间隔物301外，第三层307在邻近于像素阵列彩色滤光片区域320的外围区域315上用作光阻挡物。
现在参考图4A到4D描述图3结构的形成。参考图4A，钝化层303形成于衬底304上，如上文参考图2A所述。碳层305形成于钝化层303上并经蚀刻，以在像素阵列区域320钝化层303上形成图案，且如上文相对于图2A到2C所述，从像素阵列外部的外围区域315移除碳层305。第三层307沉积在像素阵列区域320中的钝化层303及碳层305上以及外围区域315中的钝化层303上。第三层307沉积大约
到大约
的厚度。第三层307可实质上吸收或反射入射光，以在像素阵列区域320中的像素之间及在像素阵列外部的外围区域315上用作有效的光阻挡物。第三层307由如上文参考图2A到2J所述的相同材料形成。
通过蚀刻技术来移除第三层307，并可在彩色滤光片阵列区域320中(但不在外围区域315中)选择性地移除第三层307。第三层307在外围区域315上形成光阻挡物。这可通过使用光致抗蚀剂层321覆盖外围区域315来完成，如图4B所说明。蚀刻掉第三层307的其它部分以形成开口319，同时留下第三层307以沿碳层305的侧壁308a形成间隔物301，如图4C所说明。还可不使用光致抗蚀剂层来完成所述蚀刻步骤。类似于上述及图4D所说明的步骤，蚀刻掉碳层305以形成开口314，并露出钝化层303的若干部分，且留下间隔物301。如上文关于图3所述及所说明，使用上文关于图2H到2J所论述的色彩填充技术而使用彩色滤光片元件302填充图4D中的开口314及319。因而，除了分离彩色滤光片元件302之外，间隔物301还在像素阵列区域320中的像素之间用作光阻挡物。另外，形成于像素阵列外部的外围区域315上的第三层307实质上阻挡所有在外围上透射的光，从而减小光学串扰并减小光对外围区域315中的晶体管的影响。
图5的方框图说明典型的单芯片CMOS成像器600，其可使用本发明的彩色滤光片阵列。成像器600包括具有像素的像素阵列680及如上所述构造的彩色滤光片阵列。阵列680的像素布置成预定数目的列及行。
逐个读出阵列680中的像素行。因此，选择阵列680的一行中的所有像素以用于通过行选择线同时读出，且选定行中的每一像素向读出线提供表示所接收光的信号以用于其列。在阵列680中，每一列还具有一选择线，且响应于所述列选择线，每一列的像素被选择性地读出到输出线上。
响应于行地址解码器681通过行驱动器682来选择性地激活阵列680中的行线。响应于列地址解码器685通过列驱动器684来选择性地激活列选择线。通过时序与控制电路683来操作阵列680，所述时序与控制电路683控制地址解码器681、685以用于选择适当行及列线来用于像素信号读出。
列读出线上的信号通常包括用于每一像素的像素复位信号(Vrst)与像素图像信号(Vphoto)。将所述两个信号读取到取样与保持电路(S/H)686中。针对每一像素通过差动放大器(AMP)687来产生差动信号(Vrst-Vphoto)，且通过模拟到数字转换器(ADC)688来数字化每一像素的差动信号。模拟到数字转换器688向图像处理器689提供经数字化的像素信号，所述图像处理器689在提供界定图像输出的数字信号之前执行适当的图像处理。
图6说明处理器系统700，其包括图5的成像器600。处理器系统700是具有可包括成像器的数字电路的示范性系统。在没有限制的情况下，此类系统可包括计算机系统、相机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动聚焦系统、天体追踪仪系统、运动检测系统及支持图像获取的其它系统。
处理器系统700(例如相机系统)一般包含中央处理单元(CPU)795(例如微处理器)，其经由总线793与输入/输出(I/O)装置791通信。成像器600还经由总线793与CPU 795通信。处理器系统700还包括随机存取存储器(RAM)792，并可包括可移除存储器794(例如快闪存储器)，其也经由总线793与CPU 795通信。成像器600可与处理器(例如CPU、数字信号处理器或微处理器)组合，具有或不具有与处理器在单个集成电路上或在不同芯片上的存储装置。
再次注意，上文的描述内容和图式是示范性的，且说明实现本发明的目标、特征和优点的优选实施例。不希望本发明限于所说明的实施例。属于所附权利要求书的精神和范围内的对本发明的任何修改应视为本发明的一部分。举例来说，尽管参考CMOS成像器来描述示范性实施例，但本发明不限于CMOS成像器且也可与其它成像器技术(例如CCD技术)一起使用。
Claims (73)
1.一种形成彩色滤光片阵列的方法，所述方法包含以下步骤：
在像素阵列上形成钝化层；
在所述钝化层上形成多个间隔物，以界定彩色滤光片元件的区域；以及
在所述间隔物所界定的所述区域内形成多个所述彩色滤光片元件的图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包含磷硅玻璃、氮化硅及氮氧化物中的一者。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述间隔物的步骤进一步包含：
在所述钝化层上形成第二层；
图案化所述第二层以形成暴露所述钝化层的顶部表面的区域；
在所述钝化层及所述经图案化的第二层的顶部上且沿所述经图案化的第二层的侧壁形成第三层；以及
通过移除所述第三层的部分以露出所述钝化层的顶部表面及通过移除所述第二层而从所述第三层形成所述间隔物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二层包含含碳层。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二层包含碳。
6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二层包含氧化物、二氧化硅、氮化硅、氮氧化物及正硅酸四乙酯中的一者。
7.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二层具有大约1,000
到大约20,000的厚度。
8.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三层包含不透明材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三层吸收入射光。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三层反射入射光。
11.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三层包含多晶硅。
12.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三层包含金属。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第三层包含金属硅化物。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第三层包含铝。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第三层包含金属合金。
16.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三层具有大约500到大约3,000的厚度。
17.根据权利要求3所述的方法，其中所述移除所述第三层的所述部分的步骤包含蚀刻。
18.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含以下步骤：在像素阵列外部的外围区域处在所述钝化层上形成所述第三层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第三层在所述外围区域上形成光阻挡物。
20.根据权利要求1所述的方法，其中所述彩色滤光片元件的图案包含红色滤光片元件、蓝色滤光片元件及绿色滤光片元件的图案。
21.一种彩色滤光片阵列，其包含：
彩色滤光片元件阵列，所述彩色滤光片元件通过形成于每一彩色滤光片元件之间的间隔物而彼此分离。
22.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列，其中所述彩色滤光片元件进一步包含红色滤光片元件、蓝色滤光片元件及绿色滤光片元件的图案。
23.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物包含不透明材料。
24.根据权利要求23所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物吸收入射光。
25.根据权利要求23所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物反射入射光。
26.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物包含多晶硅。
27.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物包含金属。
28.根据权利要求27所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物包含金属硅化物。
29.根据权利要求27所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物包含铝。
30.根据权利要求27所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物包含金属合金。
31.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列，其中每一间隔物在光学上隔离所述彩色滤光片元件。
32.一种成像器，其包含：
成像像素阵列；以及
所述像素阵列上的彩色滤光片阵列，其中所述彩色滤光片阵列包含彩色滤光片元件阵列，所述彩色滤光片元件通过形成于每一彩色滤光片元件之间的间隔物而彼此分离。
33.根据权利要求32所述的成像器，其中所述彩色滤光片元件进一步包含红色滤光片元件、蓝色滤光片元件及绿色滤光片元件的图案。
34.根据权利要求32所述的成像器，其中每一间隔物包含不透明材料。
35.根据权利要求34所述的成像器，其中每一间隔物吸收入射光。
36.根据权利要求34所述的成像器，其中每一间隔物反射入射光。
37.根据权利要求32所述的成像器，其中每一间隔物包含多晶硅。
38.根据权利要求32所述的成像器，其中每一间隔物包含金属。
39.根据权利要求38所述的成像器，其中每一间隔物包含金属硅化物。
40.根据权利要求38所述的成像器，其中每一间隔物包含铝。
41.根据权利要求38所述的成像器，其中每一间隔物包含金属合金。
42.根据权利要求32所述的成像器，其中每一间隔物在光学上隔离所述彩色滤光片元件。
43.根据权利要求32所述的成像器，其进一步包含：
包围所述像素阵列的外围区域；以及
设置在所述外围区域上的层。
44.根据权利要求43所述的成像器，其中所述层包含不透明材料。
45.根据权利要求44所述的成像器，其中所述层吸收入射光。
46.根据权利要求44所述的成像器，其中所述层反射入射光。
47.根据权利要求43所述的成像器，其中所述层包含多晶硅。
48.根据权利要求43所述的成像器，其中所述层包含金属。
49.根据权利要求48所述的成像器，其中所述层包含金属硅化物。
50.根据权利要求48所述的成像器，其中所述层包含铝。
51.根据权利要求48所述的成像器，其中所述层包含金属合金。
52.根据权利要求43所述的成像器，其中所述层在所述外围区域上形成光阻挡物。
53.一种系统，其包含：
耦合到成像器的处理器，所述成像器包含成像像素阵列；以及
所述像素阵列上的彩色滤光片阵列，其中所述彩色滤光片阵列包含彩色滤光片元件阵列，所述彩色滤光片元件通过形成于每一彩色滤光片元件之间的间隔物而彼此分离。
54.根据权利要求53所述的系统，其中所述彩色滤光片元件进一步包含红色滤光片元件、蓝色滤光片元件及绿色滤光片元件的图案。
55.根据权利要求53所述的系统，其中每一间隔物包含不透明材料。
56.根据权利要求55所述的系统，其中每一间隔物吸收入射光。
57.根据权利要求55所述的系统，其中每一间隔物反射入射光。
58.根据权利要求53所述的系统，其中每一间隔物包含多晶硅。
59.根据权利要求53所述的系统，其中每一间隔物包含金属。
60.根据权利要求59所述的系统，其中每一间隔物包含金属硅化物。
61.根据权利要求59所述的系统，其中每一间隔物包含铝。
62.根据权利要求59所述的系统，其中每一间隔物包含金属合金。
63.根据权利要求53所述的系统，其中每一间隔物在光学上隔离所述彩色滤光片元件。
64.根据权利要求53所述的系统，其进一步包含：
包围所述像素阵列的外围区域；以及
设置在所述外围区域上的层。
65.根据权利要求64所述的系统，其中所述层包含不透明材料。
66.根据权利要求65所述的系统，其中所述层吸收入射光。
67.根据权利要求65所述的系统，其中所述层反射入射光。
68.根据权利要求64所述的系统，其中所述层包含多晶硅。
69.根据权利要求64所述的系统，其中所述层包含金属。
70.根据权利要求69所述的系统，其中所述层包含金属硅化物。
71.根据权利要求69所述的系统，其中所述层包含铝。
72.根据权利要求69所述的系统，其中所述层包含金属合金。
73.根据权利要求64所述的系统，其中所述层在所述外围区域上形成光阻挡物。
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