CN101436694A - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子部件。电子部件具备:包含层叠的多个电介质层的层叠基板;和设置在层叠基板内的三个谐振器。三个谐振器中的一个具有第一种及第二种谐振器用导体层,该第一种及第二种谐振器用导体层分别包含短路端和开放端,并且短路端和开放端的位置关系相互相反。第一种谐振器用导体层和第二种谐振器用导体层以相互邻接的方式排列在多个电介质层的层叠方向上。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及具备了设置在层叠基板内的多个谐振器的电子部件。
背景技术
在蓝牙标准的通信装置和无线LAN(局域网)用的通信装置等的近距离无线通信用通信装置中,由于小型化、薄型化的要求强烈,所以要求其使用的电子部件的小型化、薄型化。作为在上述通信装置中的电子部件的一种,有对接收信号进行滤波的带通滤波器。在该带通滤波器中也要求小型化、薄型化。因此,作为能够对应在上述通信装置中使用的频带、并且能够实现小型化、薄型化的带通滤波器,例如在日本专利申请公开平9-148802号公报、日本专利申请公开2001-119209号公报、日本专利申请公开2005-12258号公报以及日本专利申请公开2005-159512号公报中公开的那样,提出了一种具备使用层叠基板中的导体层而构成的多个谐振器的层叠型滤波器。下面,将构成谐振器的导体层称为谐振器用导体层。
在日本专利申请公开平9-148802号公报中,记述了一种至少具备两个谐振器的层叠型带通滤波器。在该带通滤波器中,各谐振器的短路端和开放端的位置关系相互相反,具有在层叠方向上交替排列的两种内部电极。
在日本专利申请公开2001-119209号公报中,记述了一种层叠型滤波器模块,其具备分别具有多个电感器用导体的多个滤波器。在该模块中,各滤波器具有使用电感器用导体构成的三个谐振器。在该模块中,相邻的滤波器的电感器用导体不具有在整个长度上平行地并列延伸的部分。
在日本专利申请公开2005-12258号公报的图7中,记述了一种具备四个谐振器的带通滤波器。在该带通滤波器中,各谐振器的短路端和开放端的位置关系相互相反,具有在层叠方向上交替排列的两种静电电容形成电极。此外,在日本专利申请公开2005-12258号公报的图1中,记述了一种具备三个谐振器Q1、Q2、Q3的带通滤波器。在该带通滤波器中,谐振器Q1、Q2、Q3分别具有电感器用带状线。谐振器Q1、Q2的电感器用带状线是梳状线耦合(combline-coupled),谐振器Q2、Q3的电感器用带状线是叉指式耦合(interdigital-coupled)。
在日本专利申请公开2005-159512号公报中,记述了一种层叠型带通滤波器,其具备在相同的电介质层上排列配置的三个谐振器电极。在该带通滤波器中,三个谐振器电极配置为梳状线型或叉指型。
一般地,在具备多个谐振器的带通滤波器中,当使谐振器的数量变多时,通带宽度变宽并且衰减极变得陡峭。
可是,在具备多个谐振器的传统的层叠型带通滤波器中,在小型化、薄型化的情况下,不得不使邻接的谐振器间的距离变短。于是,邻接的谐振器间的电感耦合变得太强,发生实现所希望的带通滤波器的特性变得困难的问题。具体地说,当邻接的谐振器间的电感耦合变得太强时,带通滤波器的通带宽度变得太宽。
在层叠型的带通滤波器中,为了不妨碍小型化、薄型化,使邻接的谐振器间的电感耦合变小,可以考虑减小谐振器用导体层的宽度,相应地增大邻接的谐振器间的距离。但是,当这样做时,发生全部的谐振器的Q(品质因数)变小的问题。
对于增大谐振器的Q,增大谐振器用导体层的表面积是有效的。因此,为了不使谐振器的Q下降,而某种程度上增大邻接的谐振器间的距离,可以考虑使用多个谐振器用导体层构成各谐振器。在该情况下,如在日本专利申请公开平9-148802号公报或日本专利申请公开2005-12258号公报中记述的那样,可以考虑使用短路端和开放端的位置关系相互相反、在层叠方向上交替排列的两种谐振器用导体层,构成各谐振器。在该情况下,在层叠方向上交替排列的两种谐振器用导体层是叉指式耦合,构成包含电感器和电容器的谐振器。
但是,如上述那样,当使用叉指式耦合的两种谐振器用导体层构成全部的谐振器时,邻接的谐振器间的电感耦合变得太强,发生难以实现所希望的带通滤波器特性的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种电子部件,该电子部件具备设置在层叠基板内的多个谐振器,能够一边防止全部的谐振器的Q下降,一边伴随着小型化,防止邻接的谐振器间的电感耦合变得太强。
本发明的电子部件具备:层叠基板,包含层叠的多个电介质层;以及多个谐振器,以邻接的两个谐振器彼此电感耦合的方式设置在层叠基板内。在该电子部件中,仅有多个谐振器中的一部分谐振器具有第一种及第二种谐振器,该第一种及第二种谐振器分别包含短路端和开放端,并且短路端和开放端的位置关系相互相反。第一种谐振器用导体层和第二种谐振器用导体层以相互邻接的方式排列在多个电介质层的层叠方向上。
在本发明的电子部件中,并不是多个谐振器的全部,而仅是多个谐振器中的一部分谐振器具有第一种及第二种谐振器用导体层。因此,在本发明的电子部件中,肯定有具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器和除此之外的谐振器邻接的部分存在。
在本发明的电子部件中,多个谐振器包含第一谐振器、第二谐振器和第三谐振器,第二谐振器与第一谐振器邻接并与第一谐振器电感耦合,也可与第三谐振器邻接并与第三谐振器电感耦合。在该情况下,第一到第三谐振器中,仅有第二谐振器具有第一种及第二种谐振器用导体层也可,仅有第一及第三谐振器具有第一种及第二种谐振器用导体层也可。
此外,在本发明的电子部件中,在多个谐振器中除了具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器以外,至少一个谐振器具有利用设置在层叠基板内的通孔而构成的通孔型电感器也可。
此外,在本发明的电子部件中,多个谐振器的任何一个是一端被开放另一端被短路的1/4波长谐振器也可。
此外,本发明的电子部件还具备配置在层叠基板的外周部上的输入端子及输出端子,多个谐振器在电路结构上设置在输入端子和输出端子之间,实现带通滤波器的功能也可。再有,在本申请中,使用“电路结构上”的表达,是为了指出在电路图上的配置,而不是在物理结构中的配置。
在本发明的电子部件中,并不是多个谐振器的全部,而仅是多个谐振器中的一部分谐振器具有第一种及第二种谐振器用导体层。因此,在本发明中,肯定存在具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器和除此之外的谐振器邻接的部分。在该部分中,与具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器彼此相邻的情况相比,能够减弱谐振器间的电感耦合。因此,根据本发明,能够一边防止全部谐振器的Q下降,一边伴随着小型化,防止邻接的谐振器间的电感耦合变得太强。
本发明的其它的目的、特征及优点,通过以下的说明就能十分清楚了。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的电子部件的主要部分的立体图。
图2是表示本发明的第一实施方式的电子部件的外观的立体图。
图3是表示从图1中的A方向看的电子部件的主要部分的说明图。
图4是表示本发明的第一实施方式的电子部件的电路结构的电路图。
图5A到图5C是表示本发明的第一实施方式的层叠基板的第一层到第三层的电介质层的上表面的说明图。
图6A到图6C是表示本发明的第一实施方式的层叠基板的第四层到第六层的电介质层的上表面的说明图。
图7A到图7C是表示本发明的第一实施方式的层叠基板的第七层到第九层的电介质层的上表面的说明图。
图8是表示与本发明的第一实施方式的电子部件与比较例的电子部件的通过/衰减特性的特性图。
图9是扩大表示在图8中的一部分的特性图。
图10是表示本发明的第二实施方式的电子部件的主要部分的立体图。
图11是表示本发明的第二实施方式的电子部件的外观的立体图。
图12是表示从图10中的B方向看的电子部件的主要部分的说明图。
图13A到图13C是表示本发明的第二实施方式的层叠基板的第一层到第三层的电介质层的上表面的说明图。
图14A到图14C是表示本发明的第二实施方式的层叠基板的第四层到第六层的电介质层的上表面的说明图。
图15A到图15C是表示本发明的第二实施方式的层叠基板的第七层到第九层的电介质层的上表面的说明图。
具体实施方式
[第一实施方式]
下面,参照附图对本发明的实施方式进行详细地说明。首先,参照图4,对本发明的第一实施方式的电子部件的电路结构进行说明。本实施方式的电子部件1具有带通滤波器的功能。如图4所示,电子部件1具备:输入端子2;输出端子3;三个谐振器4、5、6;以及电容器17~19。
谐振器4具有:电感器11和电容器14。谐振器5具有:电感器12和电容器15。谐振器6具有:电感器13和电容器16。在电路结构上,谐振器5配置在谐振器4和谐振器6之间。谐振器5,与谐振器4邻接并与谐振器4电感耦合,并且与谐振器6邻接并与谐振器6电感耦合。此外,电感器12与电感器11电感耦合,并与电感器13电感耦合。在图4中,电感器11、12间的电感耦合和电感器12、13间的电感耦合分别以付与记号M的曲线表示。
电感器11的一端和电容器14、17、19的各一端与输入端子2连接。电感器11的另一端与电容器14的另一端接地。电感器12的一端和电容器15、18的各一端与电容器17的另一端连接。电感器12的另一端与电容器15的另一端接地。电感器13的一端、电容器16的一端、电容器19的另一端以及输出端子3与电容器18的另一端连接。电感器13的另一端与电容器16的另一端接地。谐振器5如上所述,与谐振器4电感耦合,并且经由电容器17与谐振器4电容耦合。此外,谐振器5如上所述,与谐振器6电感耦合,并且经由电容器18与谐振器6电容耦合。
谐振器4、5、6在电路结构上,设置在输入端子2和输出端子3之间,实现带通滤波器的功能。谐振器4、5、6的任意一个,是一端被开放另一端被短路的1/4波长谐振器。谐振器4、5、6分别对应于本发明的第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器。
在本实施方式的电子部件1中,当信号输入到输入端子2时,其中规定频带内的频率的信号有选择地通过使用谐振器4、5、6构成的带通滤波器,从输出端子3输出。
接着,参照图1到图3对电子部件1的构造的概略进行说明。图1是表示电子部件1的主要部分的立体图。图2是表示电子部件1的外观的立体图。图3是表示从图1中的A方向看的电子部件1的主要部分的说明图。
电子部件1具备用于使电子部件1的构成要素整体化的层叠基板20。在后面将会详细说明,层叠基板20包含层叠的多个电介质层和多个导体层。电感器11、13分别是使用层叠基板20内的一个以上的通孔(through-hole)构成的通孔型电感器。电感器12使用层叠基板20内的多个导体层构成。电容器14~19使用层叠基板20内的多个导体层和一个以上的电介质层构成。
如图2所示,层叠基板20作为外周部形成为具有上表面20A和底面20B和四个侧面20C~20F的长方体形状。上表面20A和底面20B平行,侧面20C、20D也平行,侧面20E、20F也平行。侧面20C~20F相对于上表面20A和底面20B垂直。在层叠基板20中,从底面20B到侧面20E上设置有输入端子22,从底面20B到侧面20F上设置有输出端子23。此外,在底面20B和上表面20A上,分别设置有接地用端子24、25。输入端子22对应于图4中的输入端子2,输出端子23对应于图4中的输出端子3。接地用端子24、25接地。
在层叠基板20中,垂直于侧面20C、20D的方向是多个电介质层的层叠方向。在图1到图3中,付与记号T的箭头表示多个电介质层的层叠方向。
接着,参照图5A到图7C,对在层叠基板20中的电介质层和导体层进行详细地说明。图5A到图5C分别表示从上起第一层到第三层的电介质层的上表面。图6A到图6C分别表示从上起第四层到第六层的电介质层的上表面。图7A到图7C分别表示从上起第七层到第九层的电介质层的上表面。
在图5A所示的第一层的电介质层31的上表面上形成有接地用导体层311。该导体层311与接地用端子24连接。此外,在电介质层31上形成有与导体层311连接的两个通孔314、316。
在图5B所示的第二层的电介质层32的上表面上形成有接地用导体层321。该导体层321与接地用端子24、25连接。此外,在电介质层32上,分别形成有与通孔314、316连接的通孔324、326。
在图5C所示的第三层的电介质层33的上表面上形成有电容器用导体层331。该导体层331与接地用端子24连接。此外,在电介质层33上,分别形成有与通孔324、326连接的通孔334、336。
在图6A所示的第四层的电介质层34的上表面上形成有电容器用导体层341、342。导体层341与输入端子22连接,导体层342与输出端子23连接。此外,在导体层341上连接有通孔334,在导体层342上连接有通孔336。
在图6B所示的第五层的电介质层35的上表面上形成有电容器用导体层351。
在图6C所示的第六层的电介质层36的上表面上形成有谐振器用导体层361。该导体层361包含:短路端361a和其相反侧的开放端361b。短路端361a与接地用端子25连接。
在图7A所示的第七层的电介质层37的上表面上形成有谐振器用导体层371。该导体层371包含:短路端371a和其相反侧的开放端371b。短路端371a与接地用端子24连接。
在图7B所示的第八层的电介质层38的上表面上形成有谐振器用导体层381。该导体层381包含:短路端381a和其相反侧的开放端381b。短路端381a与接地用端子25连接。
在图7C所示的第九层的电介质层39的上表面上形成有谐振器用导体层391。该导体层391包含:短路端391a和其相反侧的开放端391b。短路端391a与接地用端子24连接。在电介质层39的下表面上没有形成导体层。
通孔314、324、334串联连接,形成图1到图3所示的通孔列110。同样地,通孔316、326、336串联连接,形成图1到图3所示的通孔列130。通孔列110构成谐振器4的电感器11,通孔列130构成谐振器6的电感器13。
导体层361、371、381、391分别包含短路端和开放端,以短路端和开放端的位置关系是交替地相反的方式,排列在多个电介质层的层叠方向上。在导体层361和导体层381中的短路端和开放端的位置关系相同。将该导体层361、381称为第一种谐振器用导体层。此外,在导体层371和导体层391中的短路端和开放端的位置关系相同。将该导体层371、391称为第二种谐振器用导体层。在作为第一种谐振器用导体层的导体层361、381中的短路端和开放端的位置关系,与在作为第二种谐振器用导体层的导体层371、391中的短路端和开放端的位置关系相互相反。因此,短路端和开放端的位置关系是相互相反的第一种谐振器用导体层和第二种谐振器用导体层,以相互邻接的方式在多个电介质层层叠的方向上交替地排列。
作为第一种谐振器用导体层的导体层361、381和作为第二种谐振器用导体层的导体层371、391叉指式耦合,构成谐振器5的电感器12。在本实施方式中,谐振器4、5、6中仅有谐振器5具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层。
导体层331、341和电介质层33构成谐振器4的电容器14。导体层331、342和电介质层33构成谐振器6的电容器16。导体层361、371、381、391和电介质层36、37、38构成谐振器5的电容器15。
导体层341、361和电介质层34、35构成图4中的电容器17。导体层342、361和电介质层34、35构成图4中的电容器18。导体层341、342、351和电介质层34构成图4中的电容器19。
上述第一层到第九层的电介质层31~39和导体层被层叠,形成图1到图3所示的层叠基板20。图2所示的端子22~25形成在该层叠基板20的外周部上。
再有,在本实施方式中,作为层叠基板20,能够使用各种基板,例如使用树脂、陶瓷或复合两者的材料作为电介质层的材料的基板等。但是,作为层叠基板20,特别优选使用高频特性优越的低温同时烧成陶瓷多层基板。
在本实施方式中,谐振器4、5、6中仅有谐振器5具有通过叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层构成的电感器12。在本实施方式中,与谐振器5的电感器是仅通过一个谐振器用导体层构成的情况相比,能够增大电感器12的Q,其结果是,能够增大谐振器5的Q。
但是,一般地,在具备三个谐振器、实现带通滤波器功能的电子部件中,配置在三个谐振器的正中的谐振器与其它的两个谐振器相比,谐振器的Q容易变小。这是因为配置在正中的谐振器与其它的两个谐振器相比,在与接地的导体层之间容易使电场损失发生。在本实施方式中,谐振器4、5、6中,配置在正中的谐振器5,由于具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层,所以能够防止Q特别容易下降的谐振器5的Q的下降。
此外,在本实施方式中,谐振器4、5、6中,具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器5以外的谐振器4、6,分别具有利用设置在层叠基板20内的通孔而构成的通孔型电感器11、13。通孔型电感器与仅由一个谐振器用导体层构成的电感器相比能够增大表面积,能够增大Q。因此,在本实施方式中,与谐振器4、6的各电感器分别仅通过一个谐振器用导体层构成的情况相比,能够增大电感器11、13的Q,其结果是,能够增大谐振器4、6的Q。
但是,在谐振器4、5、6全部具有叉指式耦合的第一种和第二种谐振器用导体层的情况下,谐振器4、5间的电感耦合和谐振器5、6间的电感耦合变得太强。相对于此,在本实施方式中,谐振器4、5、6中,仅有谐振器5具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层,与谐振器5电感耦合的其它的谐振器4、6不具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层。因此,在本实施方式中,与谐振器4、5、6全部具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层的情况相比,能够分别减弱谐振器4、5间的电感耦合和谐振器5、6间的电感耦合。
特别是在本实施方式中,在谐振器4、6的电感器11、13中的电磁波的行进方向和在谐振器5的电感器12中的电磁波的行进方向彼此正交。由此,能够进一步分别减弱谐振器4、5间的电感耦合和谐振器5、6间的电感耦合。
由此,根据本实施方式,能够一边防止全部谐振器4、5、6的Q下降,一边伴随着小型化,防止邻接的谐振器间的电感耦合变得太强。此外,根据本实施方式,即使在伴随着电子部件1的小型化、薄型化、不得不缩短邻接的谐振器间的距离的情况下,也能够减小邻接的谐振器间的电感耦合的大小,所以电子部件1的小型化、薄型化变得容易。
本实施方式的电子部件1例如以作为通频带是大约2.4~2.5GHz的带通滤波器发挥功能的方式进行设计。再有,2.4~2.5GHz的频带对应于在蓝牙标准的通信装置或无线LAN用的通信装置中使用的带通滤波器的通频带。
在这里,参照图8及图9,关于本实施方式的电子部件1的比较例的电子部件,对通过模拟求得的通过/衰减特性的一个例子进行说明。在该模拟中,本实施方式的电子部件1和比较例的电子部件都是以作为通频带是大约2.4~2.5GHz的带通滤波器发挥功能的方式进行设计的。比较例的电子部件的电路结构与本实施方式的电子部件1是相同的。在比较例的电子部件中,各谐振器的电感器具有层叠的三个谐振器用导体层。该三个谐振器用导体层在各自的一个端部的附近的部分相互连接。三个谐振器用导体层的另一个端部接地。
图8表示本实施方式的电子部件1和比较例的电子部件的通过/衰减特性。图9扩大表示图8中的一部分。在图8和图9中,实线的曲线表示本实施方式的电子部件1的特性,虚线的曲线表示比较例的电子部件的特性。从图9可知,与比较例的电子部件相比,在本实施方式的电子部件1中,在通频带(2.4~2.5GHz)的衰减量小。可以认为,这是由于本实施方式的谐振器4、5、6的电感器11、12、13的各自的Q大所导致的。
[第二实施方式]
接着,对本发明的第二实施方式的电子部件进行说明。本实施方式的电子部件1的电路结构与第一实施方式相同,如图4所示。
图10是表示本实施方式的电子部件1的主要部分的立体图。图11是表示本实施方式的电子部件1的外观的立体图。图12是表示从图10的B方向看的电子部件1的主要部分的说明图。
电子部件1具备用于使电子部件1的构成要素整体化的层叠基板20。在后面将会详细说明,层叠基板20包含层叠的多个电介质层和多个导体层。电感器11、13分别使用层叠基板20内的多个导体层构成。电感器12是使用层叠基板20内的一个以上的通孔构成的通孔型电感器。电容器14~19使用层叠基板20内的多个导体层和一个以上的电介质层构成。
如图11所示,层叠基板20作为外周部形成为具有上表面20A和底面20B和四个侧面20C~20F的长方体形状。上表面20A和底面20B平行,侧面20C、20D也平行,侧面20E、20F也平行。侧面20C~20F相对于上表面20A和底面20B垂直。在层叠基板20中,在底面20B上设置有输入端子22、输出端子23和接地用端子26。在底面20B上,输入端子22配置在侧面20E附近的位置上,输出端子23配置在侧面20F附近的位置上,接地用端子26配置在输入端子22和输出端子23之间。此外,在上表面20A上设置有接地用端子27、28。输入端子22对应于图4中的输入端子2,输出端子23对应于图4中的输出端子3。接地用端子26、27、28接地。
在层叠基板20中,垂直于侧面20C、20D的方向是多个电介质层的层叠方向。在图10到图12中,付与记号T的箭头表示多个电介质层的层叠方向。
接着,参照图13A到图15C,对在层叠基板20中的电介质层和导体层进行详细地说明。图13A到图13C分别表示从上起第一层到第三层的电介质层的上表面。图14A到图14C分别表示从上起第四层到第六层的电介质层的上表面。图15A到图15C分别表示从上起第七层到第九层的电介质层的上表面。
在图13A所示的第一层的电介质层41的上表面上形成有接地用导体层411。该导体层411与接地用端子26、27、28连接。
在图13B所示的第二层的电介质层42的上表面上形成有接地用导体层421。该导体层421与接地用端子26连接。此外,在电介质层42上,形成有与导体层421连接的通孔422。
在图13C所示的第三层的电介质层43的上表面上形成有电容器用导体层431。此外,在电介质层43上,形成有与通孔422连接的通孔432。
在图14A所示的第四层的电介质层44的上表面上形成有电容器用导体层441。该导体层441与接地用端子26连接。此外,在电介质层44上,形成有与通孔432连接的通孔442。
在图14B所示的第五层的电介质层45的上表面上形成有电容器用导体层451。在该导体层451上连接有通孔442。
在图14C所示的第六层的电介质层46的上表面上形成有谐振器用导体层461、462。导体层461包含:短路端461a和其相反侧的开放端461b。短路端461a与接地用端子26连接。导体层462包含:短路端462a和其相反侧的开放端462b。短路端462a与接地用端子26连接。
在图15A所示的第七层的电介质层47的上表面上形成有谐振器用导体层471,472。导体层471包含本体部471c和连接部471d。再有,在图15A中,以虚线表示本体部471c和连接部471d的边界。本体部471c包含:短路端471a和其相反侧的开放端471b。短路端471a与接地用端子27连接。连接部471d的一端与本体部471c中的开放端471b的附近的部分连接。连接部471d的另一端与输入端子22连接。
导体层472包含本体部472c和连接部472d。再有,在图15A中,以虚线表示本体部472c和连接部472d的边界。本体部472c包含:短路端472a和其相反侧的开放端472b。短路端472a与接地用端子28连接。连接部472d的一端与本体部472c中的开放端472b的附近的部分连接。连接部472d的另一端与输出端子23连接。
在图15B所示的第八层的电介质层48的上表面上形成有谐振器用导体层481、482。导体层481包含:短路端481a和其相反侧的开放端481b。短路端481a与接地用端子26连接。导体层482包含:短路端482a和其相反侧的开放端482b。短路端482a与接地用端子26连接。
在图15C所示的第九层的电介质层49的上表面上形成有电容器用导体层491。
通孔422、432、442串联连接,形成图10和图12所示的通孔列120。通孔列120构成谐振器5的电感器12。
导体层461、471、481分别包含短路端和开放端,以短路端和开放端的位置关系交替地相反的方式,排列在多个电介质层的层叠方向上。在导体层461和导体层481中的短路端和开放端的位置关系相同。将该导体层461、481称为第一种谐振器用导体层。此外,将该导体层471称为第二种谐振器用导体层。在作为第一种谐振器用导体层的导体层461、481中的短路端和开放端的位置关系,与在作为第二种谐振器用导体层的导体层471中的短路端和开放端的位置关系相互相反。因此,短路端和开放端的位置关系相互相反的第一种谐振器用导体层和第二种谐振器用导体层,以相互邻接的方式在多个电介质层的层叠方向上交替地排列。作为第一种谐振器用导体层的导体层461、481和作为第二种谐振器用导体层的导体层471叉指式耦合,构成谐振器4的电感器11。
导体层462、472、482分别包含短路端和开放端,以短路端和开放端的位置关系成为交替地相反的方式,排列在多个电介质层的层叠方向上。在导体层462和导体层482中的短路端和开放端的位置关系相同。将该导体层462、482称为第一种谐振器用导体层。此外,将导体层472称为第二种谐振器用导体层。在作为第一种谐振器用导体层的导体层462、482中的短路端和开放端的位置关系,与在作为第二种谐振器用导体层的导体层472中的短路端和开放端的位置关系相互相反。因此,短路端和开放端的位置关系是相互相反的第一种谐振器用导体层和第二种谐振器用导体层,以相互邻接的方式在多个电介质层的层叠方向上交替地排列。作为第一种谐振器用导体层的导体层462、482和作为第二种谐振器用导体层的导体层472叉指式耦合,构成谐振器6的电感器13。
在本实施方式中,谐振器4、5、6中仅有谐振器4、6具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层。
导体层461、471、481和电介质层46、47构成谐振器4的电容器14。导体层462、472、482和电介质层46、47构成谐振器6的电容器16。导体层431、441、451和电介质层43、44构成谐振器5的电容器15。
导体层451、461和电介质层46构成图4中的电容器17。导体层451、462和电介质层46构成图4中的电容器18。导体层481、482、491和电介质层48构成图4中的电容器19。
上述第一层到第九层的电介质层41~49和导体层被层叠,形成图1到图12所示的层叠基板20。图11所示的端子22、23、26~28形成在该层叠基板20的外周部上。
与第一实施方式相同,在本实施方式中,作为层叠基板20,能够使用各种基板,例如使用树脂、陶瓷或复合两者的材料作为电介质层的材料的基板等。但是,作为层叠基板20,特别优选使用高频特性优越的低温同时烧成陶瓷多层基板。
在本实施方式中,谐振器4、5、6中仅有谐振器4、6分别具有由叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层构成的电感器11、13。在本实施方式中,与谐振器4、6的电感器分别是仅通过一个谐振器用导体层构成的情况相比,能够增大电感器11、13的Q,其结果是,能够增大谐振器4、6的Q。
此外,在本实施方式中,谐振器4、5、6中,具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器4、6以外的谐振器5,具有利用设置在层叠基板20内的通孔而构成的通孔型电感器12。通孔型电感器与仅由一个谐振器用导体层构成的电感器相比能够增大表面积,能够增大Q。因此,在本实施方式中,与谐振器5的电感器是仅通过一个谐振器用导体层构成的情况相比,能够增大电感器12的Q,其结果是,能够增大谐振器5的Q。
在谐振器4、5、6全部具有叉指式耦合的第一种和第二种谐振器用导体层的情况下,谐振器4、5间的电感耦合和谐振器5、6间的电感耦合变得太强。相对于此,在本实施方式中,谐振器4、5、6中,仅有谐振器4、6具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层,与谐振器4、6电感耦合的其它的谐振器5不具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层。因此,在本实施方式中,与谐振器4、5、6全部具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层的情况相比,能够分别减弱谐振器4、5间的电感耦合和谐振器5、6间的电感耦合。
特别是在本实施方式中,在谐振器4、6的电感器11、13中的电磁波的行进方向和在谐振器5的电感器12中的电磁波的行进方向相互正交。由此,能够进一步分别减弱谐振器4、5间的电感耦合和谐振器5、6间的电感耦合。
由此,根据本实施方式,能够一边防止全部谐振器4、5、6的Q下降,一边伴随着小型化,防止邻接的谐振器间的电感耦合变得太强。此外,根据本实施方式,即使在伴随着电子部件1的小型化、薄型化、不得不缩短邻接的谐振器间的距离的情况下,也能够减小邻接的谐振器间的电感耦合的大小,所以电子部件1的小型化、薄型化变得容易。
与第一实施方式同样,本实施方式的电子部件1,例如以作为通频带是大约2.4~2.5GHz的带通滤波器发挥功能的方式进行设计。本实施方式的其它结构、作用及效果与第一实施方式相同。
再有,本发明并不局限与上述各实施方式,能够有各种变更。例如,在如各实施方式那样电子部件1具备三个谐振器4、5、6的情况下,具有叉指式耦合的第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器,仅是谐振器4或谐振器6也可,仅是谐振器4、5也可,仅是谐振器5、6也可。此外,本发明的电子部件只要至少具备两个谐振器即可,包含在电子部件中的谐振器的数量是两个也可,是四个以上也可。根据本发明,通过不是多个谐振器的全部而仅是多个谐振器中的一部分谐振器具有第一种及第二种谐振器用导体层,由于肯定存在具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器和除此之外的谐振器邻接的部分,所以在该部分中,与具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器彼此邻接的情况相比,能够减弱谐振器间的电感耦合。
此外,在本发明中,第一种谐振器用导体层的数量和第二种谐振器用导体层的数量分别是1也可,是2以上也可。
此外,在本发明中,除了具有第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器之外的至少一个谐振器,并不局限于具有通孔型电感器的谐振器,是具有通过一种谐振器用导体层构成的电感器的谐振器也可。
此外,本发明的电子部件并不局限于带通滤波器,能够应用于具备多个谐振器的全部电子部件。
本发明的电子部件作为在蓝牙标准的通信装置或无线LAN用的通信装置中使用的滤波器、特别是带通滤波器非常有用。
基于以上说明,很明显能够实施本发明的各种方式或实施例。因此,在本发明的请求范围的均等的范围中,在上述最佳实施方式以外的方式也能够实施本发明。

Claims (6)

1.一种电子部件,具备:层叠基板,包含层叠的多个电介质层;以及多个谐振器,以邻接的两个谐振器彼此电感耦合的方式设置在上述层叠基板内,该电子部件其特征在于,
仅有上述多个谐振器中的一部分谐振器具有第一种及第二种谐振器用导体层,该第一种及第二种谐振器用导体层分别包含短路端和开放端,并且上述短路端和开放端的位置关系相互相反,
上述第一种谐振器用导体层和第二种谐振器用导体层以相互邻接的方式排列在上述多个电介质层的层叠方向上。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
上述多个谐振器包含:第一谐振器、第二谐振器及第三谐振器,
上述第二谐振器,与上述第一谐振器邻接并与第一谐振器电感耦合,并且与上述第三谐振器邻接并与第三谐振器电感耦合,
上述第一到第三谐振器中仅有第二谐振器具有上述第一种及第二种谐振器用导体层。
3.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
上述多个谐振器包含:第一谐振器、第二谐振器及第三谐振器,
上述第二谐振器,与上述第一谐振器邻接并与第一谐振器电感耦合,并且与上述第三谐振器邻接并与第三谐振器电感耦合,
上述第一到第三谐振器中仅有第一谐振器和第三谐振器具有上述第一种及第二种谐振器用导体层。
4.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,上述多个谐振器中,除了具有上述第一种及第二种谐振器用导体层的谐振器以外的至少一个谐振器,具有利用设置在上述层叠基板内的通孔而构成的通孔型电感器。
5.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,上述多个谐振器的任何一个均是一端被开放而另一端被短路的1/4波长谐振器。
6.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,还具备配置在上述层叠基板的外周部上的输入端子和输出端子,上述多个谐振器在电路结构上设置在上述输入端子和输出端子之间,实现带通滤波器的功能。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105191123A (zh) * 2013-05-06 2015-12-23 高通股份有限公司 三维(3d)集成电路(ic)(3dic)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
CN109845034A (zh) * 2016-10-19 2019-06-04 株式会社村田制作所 天线元件、天线模块以及通信装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5305809B2 (ja) * 2008-09-26 2013-10-02 京セラ株式会社 分波器ならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器
JP5339092B2 (ja) 2010-07-22 2013-11-13 Tdk株式会社 バンドパスフィルタモジュール及びモジュール基板
JP5601334B2 (ja) * 2012-02-21 2014-10-08 株式会社村田製作所 電子部品
DE102014102521B4 (de) * 2014-02-26 2023-10-19 Snaptrack, Inc. Abstimmbare HF-Filterschaltung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6243901A (ja) * 1985-08-22 1987-02-25 Murata Mfg Co Ltd フイルタ
JP3067612B2 (ja) * 1995-11-20 2000-07-17 株式会社村田製作所 積層型バンドパスフィルタ
US5892415A (en) 1995-11-20 1999-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated resonator and laminated band pass filter using same
JPH10126103A (ja) * 1996-10-16 1998-05-15 Kyocera Corp 積層型誘電体フィルタ
JP2957573B1 (ja) * 1998-09-04 1999-10-04 ティーディーケイ株式会社 積層型フィルタ
JP2000223906A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Kyocera Corp ハイパスフィルタおよびそれを具備する回路基板
JP2000236201A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Fujitsu Ltd スプリアス低減回路
JP3417340B2 (ja) * 1999-05-20 2003-06-16 株式会社村田製作所 バンドパスフィルタ
JP2001119209A (ja) 1999-10-15 2001-04-27 Murata Mfg Co Ltd 積層型フィルタモジュール
US6768399B2 (en) * 2000-07-24 2004-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laminated bandpass filter, high frequency radio device and laminated bandpass filter manufacturing method
JP4487500B2 (ja) 2003-06-16 2010-06-23 株式会社村田製作所 積層型lcフィルタ
JP2005159512A (ja) 2003-11-21 2005-06-16 Koa Corp 積層型バンドパスフィルタ
JP4195036B2 (ja) * 2006-01-26 2008-12-10 Tdk株式会社 積層型共振器
US7671706B2 (en) * 2006-04-14 2010-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd High frequency multilayer bandpass filter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105191123A (zh) * 2013-05-06 2015-12-23 高通股份有限公司 三维(3d)集成电路(ic)(3dic)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
US9813043B2 (en) 2013-05-06 2017-11-07 Qualcomm Incorporated Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods
CN105191123B (zh) * 2013-05-06 2019-03-05 高通股份有限公司 三维(3d)集成电路(ic)(3dic)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
CN109845034A (zh) * 2016-10-19 2019-06-04 株式会社村田制作所 天线元件、天线模块以及通信装置

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Publication number Publication date
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