CN101434373A

CN101434373A - 微器件和制造该器件的方法

Info

Publication number: CN101434373A
Application number: CNA2008101727376A
Authority: CN
Inventors: 菊地直树; 伊藤荣一; 水野纯
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2007-11-12
Filing date: 2008-11-11
Publication date: 2009-05-20
Also published as: TW200930653A; KR20090049026A; JP2009122155A; US20090122432A1

Abstract

一种包括用于形成环绕的腔体的框架的微器件，框架具有第一开口和正对着第一开口的第二开口、腔体中提供的可动部分、腔体中用于支撑可动部分的支撑部分，用于结合框架和密封框架的第一开口的第一密封元件，和用于结合与框架和密封框架的第二开口的第二密封元件。框架包括相对于框架用于装调第一密封元件和第二密封元件中的至少一个的装调结构。

Description

微器件和制造该器件的方法

技术领域

以下描述涉及一个或多个配有侧壁环绕的腔体支撑的可动部分的微器件。

背景技术

最近，随着微机电系统(MEMS)技术的进步，微器件例如微镜器件已经发展和投入实际使用。微镜器件被应用到各种装置例如条形码阅读器和激光打印机以及作为采用扫描光扫描物体的光学扫描器。日本专利临时公开2003-57575公开了一个利用镜子和电极间产生的静电吸引力转动镜子的静电驱动微镜器件。

微镜器件具有显微结构，因此微小的异物例如粘附在镜子或电极上的灰尘将恶化其性能。例如，当镜子表面上粘附有异物时，从光源发出入射到镜子表面的光被异物散射使得扫描光变成散射光。它将导致不愿看到的情况例如扫描光的大量能量损失，大的扫描光斑直径，和扫描光不能扫描想要扫描的位置的情况。此外，异物可能粘附到可动部分并影响镜子的运转。另外，当电极表面粘附有异物时，镜子和电极间的静电吸引力发生改变并导致不愿看到的情况，镜子产生与预期的转动角不同的转动。特别地，静电驱动微镜器件有一个缺点，空气中的微粒可能被静电吸引力收集到电极上。而且，镜子器件可能因为存在于电极间的异物产生短路。此外，当镜子粘附有异物时，镜子将变得更重导致镜子的共振频率变低(也就是说，扫描速度变低)，或镜子的移动范围变窄。因此，为了解决上述问题，通常采用将镜子和电极固定并全密封在腔体中的结构来提高抵抗灰尘的能力。

发明内容

当全密封固定有镜子的腔体时，例如通过密封元件，环绕腔体的框架与密封元件装调并连接在一起。然而，既然框架和密封元件是显微结构，因此它们之间要求高精度的装调。此外，它们之间可能引起装调误差而导致微镜器件制造中的低产量。

本发明在提供一个或多个微器件和制造微器件的方法方面是有优势的，可以实现对密封可动部分的密封元件的容易装调和微器件制造中的高产量。

根据本发明的一些方面，提供一个微器件，包括用于形成环绕的腔体的框架，该框架具有第一开口和正对着第一开口的第二开口，腔体中提供的可动部分，腔体中用于支撑可动部分的支撑部分，用于结合框架和密封框架第一开口的第一密封元件，以及用于结合框架和密封框架第二开口的第二密封元件。框架包括一个装调结构，用于相对于框架装调第一密封元件和第二密封元件中的至少一个。

可选择地，可以形成外部尺寸等于或小于腔体外部尺寸的第一密封元件，并且可以形成外部尺寸等于或小于腔体外部尺寸的第二密封元件。

可选择地，在其中安装第一密封元件和第二密封元件中的至少一个来形成装调结构。

还可选择地，装调结构可以以台阶形式形成，以便在其中安装第一密封元件和第二密封元件中的至少一个。

可选择地，可以整体地形成框架，可动部分，和支撑部分。

还可选择地，可以完全密封腔体。

根据本发明的一些方面，进一步提供了制造配有一个或多个侧壁环绕的腔体支撑的可动部分的微器件的方法。该方法包括在包含在晶圆中的每个芯片的第一表面上形成第一掩膜图形的第一掩膜图形步骤，以在第一表面上定义不被第一掩膜覆盖的第一曝光区域，以预定的深度刻蚀第一曝光区域的第一刻蚀步骤，以形成在第一曝光区域外的区域突出于第一曝光区域的第一台阶结构，形成第二掩膜图形的第二掩膜图形步骤，以在第一曝光区域中定义不被第二掩膜覆盖的第二曝光区域，以预定的深度刻蚀第二曝光区域的第二刻蚀步骤，以形成部分的一个或多个侧壁，形成第三掩膜图形的第三掩膜图形步骤，以在第二曝光区域中定义不被第三掩模覆盖的第三曝光区域，刻蚀第三曝光区域和形成余下的一个或多个环绕腔体的侧壁和腔体支撑的可动部分的第三刻蚀步骤，相对于第一台阶结构装调第一密封元件的第一装调步骤，使得第一密封元件安装到第一台阶结构中，和结合第一密封元件和第一台阶结构的第一结合步骤。

可选择地，该方法可以进一步包括在包含在晶圆中相对每个芯片的第一表面的第二表面上形成第四掩膜图形的第四掩膜图形步骤，以在第二表面上定义不被第四掩膜覆盖的第四曝光区域，以预定深度刻蚀第四曝光区域的第四刻蚀步骤，以形成在第四曝光区域外的区域突出于第四曝光区域的第二台阶结构，形成第五掩膜图形的第五掩膜图形步骤，以在第四曝光区域中定义不被第五掩膜覆盖的第五曝光区域，以预定深度刻蚀第五曝光区域的第五刻蚀步骤，以形成部分一个或多个侧壁，和形成第六掩膜图形的第六掩膜图形步骤，以在第五曝光区域中定义不被第六掩膜覆盖的第六曝光区域。在第三刻蚀步骤中，刻蚀第六曝光区域以及第三曝光区域以形成余下的一个或多个环绕腔体的侧壁和腔体支撑的可动部分。在这种情况下，该方法可以进一步包括相对于第二台阶结构装调第二密封元件的第二装调步骤，以使得第二密封元件安装到第二台阶结构中，和结合第二密封元件和第二台阶结构的第一结合步骤。

可选择地，在第一结合步骤，腔体可以被完全密封。

附图说明

图1是表示根据本发明的一个或多个方面的实施例中的微镜器件的透视分解图。

图2是表示根据本发明的一个或多个方面的实施例中的微镜器件的剖视图。

图3A至图3F是表示根据本发明一个或多个方面的实施例中微镜芯片的制造工艺示意图。

具体实施方式

在下文中，参考附图，将描述根据本发明多个方面的实施例中的微镜器件的结构和运转。

图1是表示实施例中的微镜器件1结构的透视分解图。另外，图2是表示微镜器件1结构的剖视图。注意到在图1和图2中为了描述方便，X，Y和Z轴互相垂直。更具体地说，图2是包括如图1所示的包括Ax轴在内的沿Y-Z平面的微镜器件1的剖视图。

微镜器件1被运用到各种装置例如条形码阅读器和激光打印机，并被支撑在各种装置里面的板上(未示出)。微镜器件1具有微镜芯片100，盖200，和衬底300。如图1所示，盖200形状为长度为L1，宽度为W1，和厚度为t1的矩形平行六面体。另外，衬底300是一个长度为L2，宽度为W2，厚度为t2的矩形平行六面体。

微镜芯片100包括一个沿着Z轴方向伸展的矩形框架110，如图1所示，该矩形框架110在X轴方向上的长度为H(H>W1并且H>W2)，在Y轴方向上的长度为V(V>L1并且V>L2)。在框架110环绕的空间中，形成微镜芯片100的可动部分。可动部分包括镜子部分120和一对以Ax轴为作为中心轴的扭杆130。每个杆的一端连接到框架110，另外一端连接到镜子部分120以支撑镜子部分120围绕轴Ax旋转。

参考图3A至3F，描述了制造微镜芯片100的工艺。微镜芯片100在随后的制造工艺中通过一个五层晶圆来形成。

如图3A所示，晶圆具有五层结构，其中先后堆积单晶硅层10，SiO₂层20，单晶硅层30，SiO₂层40，单晶硅层50。注意到图3A到3F为了描述的方便未示出整个晶圆仅显示了晶圆中的单个芯片。图3A，3B，3D和3F是晶圆(芯片)的剖视图。图3C和3E是晶圆(芯片)的透视图。如图3A所示，晶圆在没有加工状态下沿Z轴方向厚度为t0。

在图3A至3F所示的制造工艺中，首先，图3A中所示的晶圆被热氧化以在上面形成一个SiO₂层。第二，在单晶硅层10的上面通过形成的SiO₂薄膜的图形形成掩膜图形。掩膜图形形成在图1和2中所示的框架110的顶部表面112a的一个区域中。随后，以预定的深度t1刻蚀单晶硅层10不被掩膜覆盖的曝光区域(下文中参考为第一曝光区域)，例如，通过采用KOH湿法刻蚀或深反应离子刻蚀(D-RIE)。

当刻蚀第一曝光区域时，在刻蚀区域和顶部表面112a间形成四个上部台阶表面112b作为台阶的侧表面。在这四个上部台阶表面112b中，两个上部台阶表面112b，平行Ax轴，沿着X轴方向间距为W1互相面对。同时，另外两个上部台阶表面112b，垂直于轴Ax，沿着Y轴方向间距为L1互相面对。

另外，在晶圆的背面，也就是，单晶硅层50，执行上述的连续工艺。具体地说，在单晶硅层50上，在图2所示的框架110的底部表面114a上面的相应区域形成图形掩膜。以图单晶硅层10的第一曝光区域同样的方式，以预定的深度t2刻蚀单晶硅层50不被掩膜覆盖的区域(下文中参考为第二曝光区域)。

接着，以上部台阶表面112b同样的方式，通过刻蚀第二曝光区域，在刻蚀区域和底部表面114a间形成四个下部台阶表面114b作为台阶的侧表面。在这四个下部台阶表面114b中，两个下部台阶表面114b，平行Ax轴，沿着X轴方向间距为W2互相面对。同时，另外两个下部台阶表面114b，垂直于轴Ax，沿着Y轴方向间距为L2互相面对。

通过对单晶硅层10和单晶硅层50执行上述连续工艺(形成图形和刻蚀SiO₂层)，晶圆的状态如图3B和3C所示，在第一和第二曝光区域分别以厚度t1和t2刻蚀后沿着Z轴方向形成厚度为t3的部分。因为刻蚀的厚度t1和t2很浅，使得SiO₂层20和40各自没有曝光。刻蚀工艺中的刻蚀深度通过控制各自的刻蚀时间可调。注意到为了简单和容易理解附图，掩膜图形在图3A至3F中未示出。

随后，在单晶硅层10上，在框架110的上部结合表面112c以及上部结合表面112c的外部区域的相应区域形成掩膜图形。接着，刻蚀在第一曝光区域中单晶硅层10不被掩膜图形(下文中参考为第三曝光区域)覆盖的区域，接着，在单晶硅层50上，框架110的下部结合表面114c以及下部结合表面114c的外部区域的相应区域形成掩膜图形，然后，刻蚀在第二曝光区域中单晶硅层50不被掩膜图形(下文中参考为第四曝光区域)覆盖的区域。

在这里，SiO₂层20和40分别作为刻蚀停止层。也就是说，如图3D和图3E所示，当单晶硅层10的第三曝光区域完全刻蚀后，在SiO₂层20的上部表面处(即，SiO₂层20和单晶硅层10的边界面)刻蚀停止。以同样的方式，当单晶硅层50的第四曝光区域完全刻蚀后，在SiO₂层40的下部表面处(即，SiO₂层40和单晶硅层50的边界面)刻蚀停止。

此外，在SiO₂层20上第三曝光区域以及第三曝光区域外的区域中对应镜子部分120和一对扭杆130(下文中参考为第一可动部分区域)区域形成掩膜图形。以同样的方式，在SiO₂层40上第四曝光区域以及第四曝光区域外的区域中对应镜子部分120和一对扭杆130(下文中参考为第二可动部分区域)区域形成掩膜图形。

接着，刻蚀SiO₂层20中不被掩膜覆盖的区域(下文中参考为第五曝光区域)，例如，通过反应离子刻蚀(RIE)。以同样的方式，刻蚀第四曝光区域中SiO₂层40不被掩膜覆盖的区域(下文中参考为第六曝光区域)，例如，通过反应离子刻蚀(RIE)。此后，刻蚀单晶硅层30的第五和第六曝光区域，例如，利用KOH以湿法的方式。

随后，分别除去SiO₂层20和40的第一和第二可动部分区域和上面的掩膜图形，以形成可动部分。此后，分别在单晶硅层30对应着镜子部分120的上部和下部表面区域形成金属薄膜。注意到为了简单和容易理解附图，在每个附图中未示出金属薄膜。在下文中，在SiO₂层20边的镜子部分的金属化上部表面被认为是上部镜子表面122。同时，在SiO₂层40边的镜子部分的金属化下部表面被认为是下部镜子表面124。当残留的掩膜图形被清洗干净和图3A至3F中所示的连续工艺完成后，从晶圆中取出的每个芯片的状态如图1和3F所示。更具体地说，每个芯片形成有框架110和在框架110环绕的空间中通过一对扭杆130悬挂的镜子120。

在本实施例中，既然SiO₂层20和40分别作为刻蚀单晶层10和50的刻蚀停止层，上部镜子表面122和下部镜子表面124间的厚度可以由单晶硅层30的厚度和单晶硅层30的两个表面上金属薄膜的厚度来精确定义。此外，既然上部镜子表面122和下部镜子表面124间的距离(厚度)主要通过夹在作为刻蚀停止层的SiO₂层20和40间的单晶硅层30的厚度来定义，在上部镜子表面122和下部镜子表面124间可以提供一个非常均匀的厚度。因此，即使上部镜子表面122和下部镜子表面124间的层是稀疏地形成，在芯片制造中可以提供一个相对稳定的产量。

接着，回过去参考图1和2，通过进一步解释微镜器件1的结构来描述可动部分的运转。

如图2所示，盖200连接到框架110的上部面上，具体地说，盖200安装到框架110的上部台阶上，其中一边平行于Ax轴长度为L1和一边垂直于Ax轴宽度为W1。既然四个上部台阶表面112b位置相对于Ax轴如上所述，盖200安装到上部台阶，在盖200的侧面202和上部台阶表面112b间没有空隙。另外，当盖200处于压缩状态时，其中侧面202紧邻上部台阶表面112b，盖200的下部面与框架110的上部结合表面112c紧密接触。接着，盖200连接到框架110，盖200的侧面202与框架110的上部台阶表面112b紧密接触，盖200的下部面紧密接触上部结合表面112c，例如，通过阳极键合。

此外，衬底300连接到框架110的下部面上。结合框架110和衬底300的方法与结合框架110和盖200一样。具体地说，衬底300安装到框架110的下部，其中一边平行于Ax轴长度为L2和一边垂直于Ax轴宽度为W2。既然四个下部台阶表面114b位置相对于Ax轴如上所述，衬底300安装到下部台阶，在衬底300的侧面302和下部台阶表面114b间没有空隙。此外，当衬底300处于压缩状态时，其中侧面302紧邻下部台阶表面114b，衬底300的上部面与框架110的下部结合表面114c紧密接触。接着，衬底300结合到框架110，衬底300的侧面302与框架110的下部台阶表面114b紧密接触和衬底300的上部面紧密接触下部结合表面114c，例如，通过阳极键合。

因此，如上所述，本实施例的微镜器件1配置成盖200和衬底300可以分别安装到框架110的上部和下部台阶。因此，通常要求非常高的框架(本实施例中，框架110)和密封元件(本实施例中，盖200，衬底300)的精密装调在本实施例中将不再被要求。因此，可以避免装调误差和提高微镜器件1的产量。

随后，描述经过如上所述的结合工艺后的微镜器件1。如图3A至图3F的制造工艺所示，框架110在晶圆上沿着垂直方向部分刻蚀(沿着Z轴方向)。上部结合表面112c和下部结合表面114c间的厚度t3比镜子部分120和扭杆130任何一个都要厚。另外，框架110形成矩形以通过四个内部侧面来环绕镜子部分120和扭杆130。因此，当盖120和衬底300分别与上部和下部结合表面112c和114c上结合时，在前面所述的结合工艺中，如图2所示，镜子部分120和扭杆130(和下面提到的电极322和324)全密封在框架110，盖200，衬底300定义的腔体中。

此外，厚度t3被确定为使得镜子部分120的可动部分全部固定在腔体里面。因此，根据本发明实施例，可以定义腔体而不需要放置隔离元件，例如在微镜芯片100和盖200间和微镜芯片100和衬底300间的垫片。它具有省略装调和结合隔离元件和微镜芯片100的工艺的优势。

注意到腔体的内部可以被抽空，当腔体的内部被抽空时，可以对微镜器件1的性能提供一个稳定效果。具体地说，例如，可以忽略镜子部分120遇到的空气的粘滞阻力，以及稳定镜子部分120的Q值。

盖200用光学透明材料来形成，并作为激光入射到镜子部分120和从镜子部分120反射出来的窗口。用来扫描一个扫描物体的激光从一个光源发射(未示出)。透过盖200的激光入射到上部镜子表面122并在取决于上部镜子表面122的倾斜角的方向上反射。反射光再次透过盖200，并在微镜器件1发射扫描光时扫描要扫描的物体。

注意到已知下列结构不需要任何隔离元件例如垫片来限定腔体。在已知的结构中，沿着作为类似盖200的透明窗口的封装元件周围形成墙壁来代替垫片。然而，在这样的框架中，例如，当封装元件是工艺成型的制品，封装元件因为表面下沉或在上面产生的拱形具有均匀的厚度，并导致一个不愿看到的光学性能。相反，在本实施例中，如上所述，既然微镜器件1配置有均匀厚度的盖，不会产生这样不愿看到的问题。

在衬底300的上部面310上，电极322和324处理成相对包含轴Ax在内的Y-Z平面互相面对。电极322和324分别由衬底300的背表面侧通过提供给衬底300的通孔332和334(见图2)的导线(未示出)来电连接。此外，微镜芯片100的镜子部分120(单晶硅层30)提供有导线，导线与驱动控制电路连接(未示出)。注意到夹在SiO₂层20和40间的单晶硅层30与其它层电绝缘。

当对镜子部分120与电极322间和镜子部分120与电极324间分别应用不同的电势差时，镜子部分120绕轴Ax倾斜。例如，当驱动控制电路控制镜子部分120和电极324间没有电势差时(镜子部分120和电极324都设置成地电平)和在镜子部分120和电极322间的电势差为V时，因为下部镜子表面124和电极322间产生的静电吸引力，镜子部分120受到沿Ax轴的力矩。接着，镜子部分120绕Ax轴沿着箭头R表示的方向旋转。同时，当驱动控制电路控制镜子部分120和电极322间没有电势差时(镜子部分120和电极322都设置成地电平)和在镜子部分120和电极324间的电势差为V时，镜子部分120以同样的方式绕Ax轴沿着如上所述的箭头R相反的方向旋转。

在上文中，描述了根据本发明的一些方面的实施例。本发明可以应用传统的材料，方法和设备实施。相应地，这里没有具体地列举这些材料，设备和方法的具体细节。在前面的描述中，列举了大量的具体的细节，例如具体的材料，结构，成分，工艺等等，皆为提供对本发明的全面了解。然而，应认识到可以不用重新评估列举的具体细节而实施本发明，在其它实施例中，为了不必要地模糊本发明，没有具体地描述已知的处理结构。

本公开中只展示和描述了一个本发明的示意性实施例和一些通用实施例。应了解到本发明能够在各种其它组合和环境下实施，并能够在这里描述的发明范畴范围内进行变更和修改。

例如，尽管L1，L2，W1和W2是不同的参考属性，至少两个参考属性可以取相同值。例如，当L1和W1取相同值时，盖200可以安装到框架110的上部台阶，而不需要关心盖200相对于框架110的方向。因此，结合工艺可以简单一些。

在前面提到的实施例中，遍及框架110的整个内壁形成顶部表面112a和上部结合表面112c间的台阶和底部表面114a和下部结合表面114c间的台阶。然而，这种台阶可以部分地提供给框架110。在这种情况下，通过阳极键合盖200连接到框架110，其中盖200的侧面202紧密接触框架110的上部台阶表面112b(和/或衬底300的侧面302紧密接触框架110的下部台阶表面114b)。在这种情况下，框架110和盖200间(和/或框架110和衬底300间)不需要精密的装调，以及这对微镜器件1的产量有改善作用。

此外，在前面提到的实施例中，镜子部分120(上部镜子表面122)是矩形。然而，镜子部分120(上部镜子表面122)可以是任意其它的形状例如圆形和椭圆形，以及镜子表面122作为光学镜时其有效区的表面具有很高的精度。

在前面提到的实施例中，微镜器件1配置成单轴，然而，微镜器件1可以配置成绕两个或者多个轴倾斜。

此外，晶圆可以配置成没有任何SiO₂层的单晶硅的单层，或SiO₂层夹在两个单晶硅层间(以后参考为SOI晶圆)。通过精确地控制刻蚀单晶层的刻蚀时间，可以精确地确定镜子部分120的厚度，并且也可以提高上部镜子表面122和下部镜子表面124的表面精度。因此，尽管晶圆配置为单晶硅的单层或SOI晶圆，可以制作前面实施例中的微镜器件1相同结构。

Claims

1、一种微器件，包括：

用于形成环绕的腔体的框架，该框架具有第一开口和正对着第一开口的第二开口；

腔体中提供的可动部分；

腔体中用于支撑可动部分的支撑部分；

用于与框架结合和密封框架的第一开口的第一密封元件；以及

用于与框架结合和密封框架的第二开口的第二密封元件，

其中框架包括相对于该框架用于装调第一密封元件和第二密封元件中的至少一个的装调结构。

2、根据权利要求1所述的微器件，

其中形成装调结构，以安装第一密封元件和第二密封元件中的至少一个到装调结构中。

3、根据权利要求2所述的微器件，

其中装调结构形成为台阶形式，以便在其中安装第一密封元件和第二密封元件中的至少一个。

4、根据权利要求1所述的微器件，

其中框架、可动部分和支撑部分整体形成。

5、根据权利要求1所述的微器件，

其中腔体被完全密封。

6、根据权利要求1所述的微器件，

其中，形成外部尺寸等于或小于腔体外部尺寸的第一密封元件；以及

其中，形成外部尺寸等于或小于腔体外部尺寸的第二密封元件。

7、一种制造配有被一个或多个侧壁环绕的腔体支撑的可动部分的微器件的方法，该方法包括：

在包含在晶圆中的每个芯片的第一表面上形成第一掩膜图形的第一掩膜图形步骤，以在第一表面上定义不被第一掩膜覆盖的第一曝光区域；

以预定的深度刻蚀第一曝光区域的第一刻蚀步骤，以形成在第一曝光区域外的区域突出于第一曝光区域的第一台阶结构；

形成第二掩膜图形的第二掩膜图形步骤，以在第一曝光区域中定义不被第二掩膜覆盖的第二曝光区域；

以预定的深度刻蚀第二曝光区域的第二刻蚀步骤，以形成部分的一个或多个侧壁

形成第三掩膜图形的第三掩膜图形步骤，以在第二曝光区域中定义不被第三掩膜覆盖的第三曝光区域；

刻蚀第三曝光区域和形成余下的一个或多个环绕腔体的侧壁和腔体支撑的可动部分的第三刻蚀步骤

相对第一台阶结构装调第一密封元件的第一装调步骤，使得第一密封元件安装到第一台阶结构中；和

结合第一密封元件和第一台阶结构的第一结合步骤。

8、根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在包含在晶圆中相对于每个芯片的第一表面的第二表面上形成第四掩膜图形的第四掩膜图形步骤，以在第二表面上定义不被第四掩膜覆盖的第四曝光区域；

以预定深度刻蚀第四曝光区域的第四刻蚀步骤，以形成在第四曝光区域外的区域突出于第四曝光区域的第二台阶结构；

形成第五掩膜图形的第五掩膜图形步骤，以在第四曝光区域中定义不被第五掩膜覆盖的第五曝光区域；

以预定的深度刻蚀第五曝光区域的第五刻蚀步骤，以形成部分的一个或多个侧壁；和

形成第六掩膜图形的第六掩膜图形步骤，以在第五曝光区域中定义不被第六掩膜覆盖的第六曝光区域，

其中，在第三刻蚀步骤，刻蚀第六曝光区域以及第三曝光区域以形成余下的一个或多个环绕腔体的侧壁和腔体支撑的可动部分。

其中该方法进一步包括：

相对于第二台阶结构装调第二密封元件的第二装调步骤，使得第二密封元件安装到第二台阶结构中；和

结合第二密封元件和第二台阶结构的第一结合步骤。

9、根据权利要求7所述的方法，

其中，在第一结合步骤中，腔体被完全密封。