CN101428398A - 磨削装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种不在被加工物的被磨削面上留下损伤就能够计测卡盘工作台上所保持的被加工物的厚度的磨削装置。该磨削装置具备：卡盘工作台，具备吸附台，该吸附台具有保持被加工物的保持面；以及磨削机构，磨削卡盘工作台上所保持的被加工物上表面，其中，具备：非接触式的厚度计测器，埋设于卡盘工作台的吸附台进行配设，计测吸附台的保持面上所吸引保持的被加工物的厚度。

Description

磨削装置

技术领域

本发明涉及一种装备计测器的磨削装置，该计测器对卡盘工作台(chucktable)上所保持的半导体晶片等被加工物的厚度进行计测。

背景技术

例如，在半导体器件制造过程中，通过在按下述界道(分割预定线)所划分的多个区域上形成IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等器件，沿着分割预定线来分割形成了该器件的各区域，从而制造出各个器件，上述分割道(street)在作为大致圆板形状的晶片表面上形成为格子状。还有，晶片一般在分割为各个芯片之前通过磨削装置磨削其背面，形成为规定的厚度。

作为检测晶片厚度的方法，使检测表面高度的计测用接触针与保持晶片的卡盘工作台的保持面进行接触，求取卡盘工作台的保持面的高度位置HI，接着使接触针与卡盘工作台的保持面上所保持的晶片的磨削面(上表面)进行接触，检测晶片的上表面的高度位置H2，并且运算H2-HI来求取晶片的厚度T。(例如，参见专利文献1)。

专利文献1日本特许第2993821号公报

这样，在上述检测晶片厚度的方法中，因为使计测用的接触针与晶片的被磨削面进行接触，所以存在在被磨削面上留下环状的损伤使晶片的品质下降这样的问题。特别是，在对从形成晶片的晶锭(ingot)所切下的基晶片表面及里面进行磨削，来磨削在表面上形成器件的基晶片时，成为妨碍此后实施的镜面加工的原因。

发明内容

本发明是鉴于上述实际情况而做出的，其主要的技术课题在于，提供一种不在被加工物的被磨削面上留下损伤就能够计测卡盘工作台上所保持的被加工物厚度的磨削装置。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供一种磨削装置，包括：卡盘工作台，具备吸附台，该吸附台具有保持被加工物的保持面；以及磨削机构，磨削该卡盘工作台上所保持的被加工物上表面，其特征在于，

具备非接触式的厚度计测器，埋设于该卡盘工作台的该吸附台进行配设，计测该吸附台的保持面上所吸引保持的被加工物厚度。

上述非接触式的厚度计测器具备：发光机构，对卡盘工作台的吸附台上所保持的被加工物照射具有透射性的波长的激光光线；以及受光机构，接受从该发光机构所照射的激光光线由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。

另外，上述非接触式的厚度计测器具备：发光机构，对卡盘工作台的吸附台上所保持的被加工物照射具有透射性的波长的激光光线；以及干涉计数器，接受从该发光机构所照射的激光光线由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。

进而，上述非接触式的厚度计测器具备：超声波激发机构，对卡盘工作台的吸附台上所保持的被加工物激发超声波；以及反射波接收机构，接收从该超声波激发机构激发并且由被加工物的下表面及上表面所反射的超声波。

另外，优选的是，上述非接触式的厚度计测器在卡盘工作台的吸附台上按径向配设多个。

根据本发明的磨削装置由于具备非接触式的厚度计测器，该厚度计测器埋设于卡盘工作台的吸附台进行配设，计测吸附台的保持面上所吸引保持的被加工物的厚度，因而不在被加工物的被磨削面上留下损伤就能够计测卡盘工作台上所保持的被加工物的厚度。

附图说明

图1是根据本发明所构成的磨削装置的立体图。

图2是图1所示的磨削装置中装备的卡盘工作台的主要部分剖面图。

图3是图1所示的磨削装置中装备的非接触式的厚度计测器的结构框图。

图4是使用图1所示的磨削装置中装备的接触式的厚度计测器来实施的第1加工前的厚度计测工序的说明图。

图5是使用图1所示的磨削装置来实施的磨削工序的说明图。

图6是表示图1所示的磨削装置中装备的非接触式的厚度计测器的一个实施方式的结构框图。

图7是表示图1所示的磨削装置中装备的非接触式的厚度计测器的再一个实施方式的结构框图。

图8表示将非接触式的厚度计测器按构成卡盘工作台的吸附台的径向配置多个的状态。

符号说明

2：装置外壳

3：磨削单元

31：移动底盘

4：轴单元

41：轴外壳

42：旋转轴

43：伺服电动机

44：轮支架

5：磨削轮

51：磨具底盘

52：磨削磨具

6：磨削单元进给机构

64：脉冲电动机

7：卡盘工作台机构

71：卡盘工作台

8：接触式的厚度计测器

81：计测用接触针

9：非接触式的厚度计测器

91：计测盒

92：发光机构

921：激光二极管(LD)

922：聚光透镜

93：受光机构

931：CCD线传感器

94：透明板

9a：非接触式的厚度计测器

91a：激光二极管(LD)

92a：光束分离器

93a：聚光透镜

94a：干涉计数器

9b：非接触式的厚度计测器

10：控制机构

具体实施方式

下面，对于根据本发明的磨削方法及磨削装置的具体实施方式，参照附图更为详细地进行说明。

在图1中表示出，根据本发明所构成的磨削装置1的立体图。图1所示的磨削装置1具备用号码2表示整体的装置外壳。该装置外壳2具有：细长延伸的长方体形状的主体21；直立壁22，设置于该主体21的后端部(在图1中是右上端)上，实质上向上方垂直伸展。在直立壁22的前面，设置按上下方向延伸的一对导轨221、221。在该一对导轨221、221上可上下方向移动地安装作为磨削机构的磨削单元3。

磨削单元3具备移动底盘31和安装于该移动底盘31上的轴单元4。移动底盘31在后面两侧设有按上下方向延伸的一对支脚部311、311，在该一对支脚部311、311上形成可滑动地与上述一对导轨221、221结合的被引导槽312、312。在这样可滑动地安装于直立壁22上所设置的一对导轨221、221上的移动底盘31的前面，设有向前方突出的支撑部313。在该支撑部313上安装作为磨削机构的轴单元4。

作为磨削机构的轴单元4具备：轴外壳41，安装于支撑部313上；旋转轴42，旋转自如地配设于该轴外壳41上；以及作为驱动源的伺服电动机43，用来对该旋转轴42进行旋转驱动。被轴外壳41旋转自如地支撑的旋转轴42其一端部(在图1中是下端部)从轴外壳41的下端突出进行配设，并且在其一端上(在图1中是下端)设置轮支架44。而且，在该轮支架44的下面安装磨削轮5。该磨削轮5由环状的磨具底盘51和下述多个部分(segment)来构成，该多个部分由安装于该磨具底盘51下面的磨削磨具52构成；磨具底盘51通过紧固螺钉53安装于轮支架44上。上述伺服电动机43由下述的控制机构10来控制。

图示的磨削装置1具备磨削单元进给机构6，该磨削单元进给机构6使上述磨削单元3沿着上述一对导轨221、221按上下方向(对下述卡盘工作台的保持面垂直的方向)进行移动。该磨削单元进给机构6具备外螺纹杆61，该外螺纹杆61配设于直立壁22的前侧，实质上垂直延长。该外螺纹杆61其上端部及下端部通过直立壁22上所安装的轴承部件62及63旋转自如地进行支撑。在上侧的轴承部件62上配设作为驱动源的脉冲电动机64，用来对外螺纹杆61进行旋转驱动；该脉冲电动机64的输出轴传动连结到外螺纹杆61上。在移动底盘31的后面还形成从其宽度方向中央部向后方突出的连结部(未图示)，在该连结部上形成按垂直方向延长的穿通内螺纹孔(未图示)，在该内螺纹孔中螺纹结合有上述外螺纹杆61。从而，若脉冲电动机64进行了正转，则使移动底盘31也就是磨削单元3下降也就是前进，若脉冲电动机64进行了反转，则使移动底盘31也就是磨削单元3上升也就是后退。还有，脉冲电动机64由下述的控制机构10来控制。

在上述外壳2的主体21上配设卡盘工作台机构7。卡盘工作台机构7具备：卡盘工作台71；罩盖部件72，遮盖该卡盘工作台71的周围；折皱机构73及74，配设于该罩盖部件72的前后。卡盘工作台71如图2所示，具备：卡盘工作台主体711；框体713，通过紧固螺栓712安装于该卡盘工作台主体711的上表面；吸附台714，安装于该框体713的上表面。在框体713的上表面设有圆形状的凹部713a，在该凹部713a内嵌入圆形状的吸附台714。这样，其构成为作为下述吸附台714的上表面的保持面和框体713的上表面成为同一平面，上述吸附台714嵌入框体713的凹部713a内。吸附台714采用多孔陶瓷材料来形成，上表面作为保持被加工物的保持面来发挥作用。还有，框体713上所设置的凹部713a通过吸引通路713b及卡盘工作台主体711上所设置的连通通路711a，连接到未图示的吸引机构上。从而，若使未图示的吸引机构进行了工作，则负压通过连通通路711a和吸引通路713b及凹部713a作用于作为吸附台714上表面的保持面上，吸引保持该保持面上所放置的被加工物。按上述方法构成的卡盘工作台71由未图示的旋转驱动机构使之旋转。

另外，卡盘工作台71通过未图示的卡盘工作台移动机构，在图1所示的被加工物放置区域70a和与构成上述轴单元4的磨削轮5相对的磨削区域70b之间使之移动。上述折皱机构73及74可以采用像帆布那样适当的材料来形成。折皱机构73的前端固定在主体21的前面壁上，后端固定在罩盖部件72的前端面上。折皱机构74的前端固定在罩盖部件72的后端面上，后端固定在装置外壳2的直立壁22前面上。当使卡盘工作台71向由箭头71a所示的方向进行移动时，折皱机构73伸展，折皱机构74收缩，当使卡盘工作台71向由箭头71b所示的方向进行移动时，折皱机构73收缩，折皱机构74伸展。

图示的磨削装置1具备接触式的厚度计测器8，配设于上述罩盖部件72上，测量卡盘工作台71上所保持的下述被加工物的厚度。该非接触式的厚度计测器8可以是广泛使用的厚度计测器，具备计测用的接触针81，通过使该计测用的接触针81与被计测物的表面进行接触，从而将被加工物表面的高度位置信号输出给下述的控制机构10。

图示的磨削装置1具备非接触式的厚度计测器9，配设于构成上述卡盘工作台71的吸附台714内，测量保持面上所保持的被加工物厚度。该非接触式的厚度计测器9如图2所示，具备计测盒91，该计测盒91收存于在作为吸附台714上表面的保持面上开口的计测器收存孔714a内。在计测盒91中如图3所示，配设发光机构92和接收由该发光机构92所照射的光的受光机构93，并且在上面配设透明板94。发光机构92具备激光二极管(LD)921和聚光透镜922。激光二极管(LD)921对下述的被加工物激发具有透射性的波长，例如具有1100nm波长的激光光线。从该激光二极管(LD)921激发出的激光光线通过聚光透镜922进行聚光，如图3所示经过透明板94对上述卡盘工作台71的吸附台714上保持的作为被加工物的基晶片W以规定的入射角θ进行照射。照射到基晶片W上的激光光线如图3所示由基晶片W的下表面进行反射，并且透过了基晶片的光由基晶片W的上表面进行反射。

上述受光机构93在图示的实施方式中，具备CCD线传感器931，配设在从上述发光机构92所照射的激光光线由基晶片W进行正反射的位置。构成受光机构93的CCD线传感器931将其检测信号，通过卡盘工作台主体711上所设置的未图示的旋转刷传送给控制机构10。控制机构10控制发光元件921，并且根据来自CCD线传感器931的接收信号及来自上述接触式的厚度计测器8的检测信号，控制作为上述磨削机构的轴单元4的脉冲电动机64和伺服电动机43等。

这里，对于构成上述非接触式的厚度计测器9的发光机构92和受光机构93的作用，参照图3进行说明。

从发光机构92照射到基晶片W上的激光光线由被加工物W的下表面进行反射，并且透过了基晶片W的光由基晶片W的上表面进行反射。可以通过受光机构93的CCD线传感器931来接受由该基晶片W的下表面所反射的光和由基晶片W的上表面所反射的光，根据其间隔(L)与入射角θ作为被加工物W的厚度来求取。然而，因为基晶片W根据其材料质量而折射率不同，所以难以正确计测基晶片W的厚度。从而，正确计测基晶片W的厚度如下所述，要进行修正。

图示的磨削装置1如上构成，下面对于使用上述磨削装置1将从形成晶片的晶锭所切下的基晶片W磨削为规定厚度的磨削方法，进行说明。

基晶片W放置于定位到图1所示的上述磨削装置1上被加工物放置区域70a上的卡盘工作台71的吸附台714上，通过使未图示的吸引机构进行工作而被吸引保持于吸附台714上。若在卡盘工作台71的吸附台714上吸引保持了基晶片W，则控制机构10使上述接触式的厚度计测器8进行工作，实施计测吸附台714上所保持的基晶片W的加工前厚度(T1)的第1加工前厚度计测工序。

第1加工前厚度计测工序如图4(a)所示，使接触式的厚度计测器8的计测用接触针81与卡盘工作台71的框体713的上表面进行接触，将其高度位置信号(H1)传送给控制机构10。还有，该卡盘工作台71的高度位置的计测也可以在吸附台714上保持基晶片W之前，使接触式的厚度计测器8的计测用接触针81与作为卡盘工作台71的上表面的保持面进行接触，来实施。接着，如图4(b)所示，使接触式的厚度计测器8的计测用接触针81与卡盘工作台71的吸附台714的上表面所保持的基晶片W的上表面进行接触，将其高度位置信号(H2)传送给控制机构10。控制机构10根据从接触式厚度计测器8所传送的上述高度位置信号(H1)及高度位置信号(H2)，从卡盘工作台71的吸附台714的上表面所保持的基晶片W的上表面的高度位置(H2)减去卡盘工作台71的框体713(吸附台714)的上表面的高度位置(H1)，来求取基晶片W的厚度(T1)(T1＝H2-H1)。按上述方法求出的基晶片W的厚度(T1)被存储于控制机构10的存储器中。

接着，控制机构10使上述非接触式的厚度计测器9进行工作，实施计测卡盘工作台71的吸附台714上所保持的基晶片W的加工前厚度(T2)的第2加工前厚度计测工序。也就是说，控制机构10如图3所示，使发光机构92及受光机构93进行工作。然后，控制机构10根据下述两个位置之间的间隔(L)与入射角(θ)，来求取基晶片W的加工前的厚度(T2)(T2＝(cosθ/sin2θ)×L)，上述位置分别是从发光机构92所照射的激光光线由基晶片W的下表面反射并被作为受光机构93的CCD线传感器931接收到的位置，以及在CCD线传感器931中接收到由基晶片W的上表面所反射的光的位置。

因为通过上述第2加工前厚度计测工序求出的基晶片W加工前的厚度(T2)如上所述，根据基晶片W的材料性质而折射率不同，所以不能作为基晶片W正确的厚度。也就是说，虽然可以通过将基晶片W材质固有的折射率与上述厚度(T2)的计算式相乘，来求取基晶片W正确的厚度，但是因为难以得知基晶片W正确的折射率，所以为了方便将折射率设为1求取了厚度，因此上述厚度(T2)不能作为基晶片W正确的厚度。因此，控制机构10实施修正值运算工序，该修正值运算工艺根据由上述第1加工前厚度计测工序计测出的被加工物的加工前厚度(T1)和由第2加工前厚度计测工序计测出的被加工物的加工前厚度(T2)，来求取对由非接触式厚度计测器9得到的计测值进行修正的修正值(T1/T2)。按上述方法求出的修正值(T1/T2)被存储于控制机构10的存储器中。

通过如上所述求取对由非接触式的厚度计测器9得到的计测值进行修正的修正值(T1/T2)，根据该修正值(T1/T2)来修正非接触式的厚度计测器9计测出的厚度，就能够求取基晶片W正确的厚度。接着，控制机构10实施磨削工序，该磨削工序一边使非接触式的厚度计测器9进行工作，计测卡盘工作台71的吸附台714的上表面(保持面)所保持的基晶片W的厚度，一边使磨削机构进行工作，磨削卡盘工作台71的吸附台714的上表面(保持面)所保持的基晶片W。也就是说，控制机构10使保持基晶片W的卡盘工作台71未图示的移动机构进行工作，把卡盘工作台71向在图1中用箭头71a所示的方向进行移动，将其定位于磨削区域70b上，并且如图5所示进行定位以便磨削轮5的多个磨削磨具52的外周缘通过卡盘工作台71的旋转中心。

这样，若磨削轮5和卡盘工作台71上所保持的基晶片W设置成了规定的位置关系，由控制机构10驱动未图示的旋转驱动机构，使卡盘工作台71向在图5中用箭头A所示的方向例如以300rpm的转速进行旋转，并且驱动上述伺服电动机43，使磨削轮5向用箭头B所示的方向例如以6000rpm的转速进行旋转。然后，控制机构9对磨削单元进给机构6的脉冲电动机64进行正转驱动，使磨削轮5下落(磨削进给)，将多个磨削磨具52以规定的压力按压于作为基晶片W的上表面的被磨削面上。其结果为，基晶片W的被磨削面被磨削(磨削工序)。

在上述磨削工序中，由非接触式的厚度计测器9测量出了基晶片W的厚度(T0)。由非接触式的厚度计测器9计测的基晶片W的厚度(T0)根据下述两个位置之间的间隔(L)与入射角θ来计算，上述两个位置分别是从上述发光机构92所照射的激光光线由基晶片W的下表面反射并被作为受光机构93的CCD线传感器931接收到的位置，以及在CCD线传感器931中接收到由基晶片W的上表面所反射的光的位置。也就是说，基晶片W的(厚度T0)为(T0＝(cosθ/sin2θ)×L)。然而，因为由非接触式厚度计测器9计测的基晶片W的厚度(T0)如上所述，根据基晶片W的反射率而不同，所以不能作为基晶片W正确的厚度。因此，控制机构10要对基晶片W的厚度(T0)乘上上述修正值(T1/T2)，来求取基晶片W的厚度(T)(T＝T0×(T1/T2))。然后，控制机构10若基晶片W的厚度(T)(T＝T0×(T1/T2))达到了规定值，则对磨削单元进给机构6的脉冲电动机64进行反转驱动，使磨削轮5上升(磨削结束工序)。其结果为，由磨削轮5产生的磨削作用结束。

如上所述，由于在磨削工序中通过非接触式的厚度计测器9从基晶片W的下表面计测厚度(T0)，因而不在作为基晶片W的上表面的被磨削面上留下损伤。而且，因为由非接触式的厚度计测器9计测出的基晶片W的厚度(T0)利用上述修正值(T1/T2)进行修正，所以即便根据基晶片W的材料性质而折射率不同，也可以磨削为基晶片W的正确的厚度(T)。

下面，对于上述非接触式厚度计测器别的实施方式，参照图6进行说明。还有，除了非接触式厚度计测器之外，和构成上述磨削装置1的各部件相同。

图6所示的非接触式的厚度计测器9a包括：作为发光机构的激光二极管(LD)91a，配设于上述计测盒91内，对上述基晶片W激发具有透射性的波长、例如具有1100nm波长的激光光线；光束分离器92a，将从该激光二极管(LD)91a所激发的激光光线在附图中向上方进行分光；聚光透镜93a，对由该光束分离器92a分光后的激光光线进行聚光，朝向卡盘工作台71的吸附台714上所保持的基晶片W进行照射；以及干涉计数器94a，通过上述光束分离器92a接受从该聚光透镜93a所照射的激光光线由基晶片W的下表面及上表面所反射的反射光，将由该干涉计数器94a计数的干涉数传送给上述控制机构10。

图6所示的非接触式的厚度计测器9a如上构成，下面对于其作用进行说明。

从激光二极管(LD)91a所激发的激光光线由光束分离器92a进行分光，由聚光透镜93a进行聚光，对卡盘工作台71的吸附台714上所保持的基晶片W进行照射。照射到基晶片W上的激光光线由基晶片W的下表面及上表面进行反射，通过聚光透镜93a及光束分离器92a到达干涉计数器94a。这里，对于到达干涉计数器94a的反射光进行说明。在不磨削基晶片W而上表面的高度位置不发生变化时，由基晶片W的上表面和下表面所反射的反射光的光波按同一周期进行迁移。另一方面，若磨削基晶片W，上表面的高度位置发生了变化，则由基晶片W的下表面和上表面所反射的反射光的光波逐渐周期发生偏离。在图示的实施方式中，从激光二极管(LD)91a激发的激光光线由于波长(α)设定成1100nm，因而每次基晶片W被磨削1100nm，都造成由基晶片W的下表面所反射的反射光的光波和由基晶片W的上表面所反射的反射光的光波发生干涉。从而，通过由干涉计数器94a对该干涉次数(n)进行计数，对干涉次数(n)乘上波长(α)，就可以求取磨削量(n×α)。

对于使用具备图6所示的非接触式的厚度计测器9a的上述磨削装置1将从形成晶片的晶锭所切下的基晶片W磨削为规定厚度的磨削方法，进行说明。

使上述接触式的厚度计测器8进行工作来计测卡盘工作台71上所保持的基晶片W的加工前厚度(T1)的加工前厚度计测工序和上述实施方式的第1加工前厚度计测工序相同来实施。

接着，和上述的实施方式相同，实施磨削工序，该磨削工序使磨削机构进行工作，磨削卡盘工作台71的吸附台714的上表面(保持面)所保持的基晶片W。

在该磨削工序中，通过非接触式的厚度计测器9a如上所述求取了磨削量(n×α)。通过求取该磨削量(n×α)，从由上述加工前的厚度计测工序计测出的基晶片W的加工前的厚度(T1)减去磨削量(n×α)，以此就可以求取当前基晶片W的厚度(T)(T＝T1-(n×α))。然后，若当前基晶片W的厚度(T)(T＝T1-(n×α))达到了规定值，则控制机构10对磨削单元进给机构6的脉冲电动机64进行反转驱动，使磨削轮5上升(磨削结束工序)。其结果为，由磨削轮5产生的磨削作用结束。由于这样在磨削工序中通过非接触式厚度计测器9a计测基晶片W的上表面(被磨削面)来求取磨削量(n×α)，从由加工前厚度计测工序计测出的基晶片W的加工前的厚度(T1)减去磨削量(n×α)，以此就可以求取当前的基晶片W的厚度(T)(T＝T1-(n×α))，因而不在基晶片W的被磨削面上留下损伤。

下面，对于上述非接触式厚度计测器的再一个实施方式，参照图7进行说明。还有，除了非接触式厚度计测器之外，和构成上述磨削装置1的各部件相同。

图7所示的非接触式厚度计测器9b具备配设于计测盒91内的超声波激发机构92b和反射波接收机构93b。超声波激发机构82b包括：超声波振子921b，采用钛酸钡、钛酸锆酸铅及钽酸锂等的压电陶瓷来形成；电压施加机构922b，对该超声波振子81b例如施加250V的脉冲变压；以及传输部件923b，传送并激发由超声波振子921b所生成的超声波，朝向卡盘工作台71的吸附台714的上表面(保持面)所保持的基晶片W，例如激发频率为1kHz的超声波。从该超声波激发机构92b所激发的超声波由吸附台714的上表面(保持面)所保持的基晶片W的下表面进行反射，并且由基晶片W的上表面进行反射。由基晶片W的下表面和上表面所反射的反射波由反射波接收机构93b进行接收。该反射波接收机构93b接收由基晶片W的下表面所反射的反射波和由基晶片W的上表面所反射的反射波，将接收信号传送给上述控制机构10。

对于使用具备图7所示的非接触式的厚度计测器9b的上述磨削装置1将从形成晶片的晶锭切下的基晶片W磨削为规定厚度的磨削方法，进行说明。

使上述接触式的厚度计测器8进行工作来计测卡盘工作台71上所保持的基晶片W加工前厚度(T1)的加工前厚度计测工序和上述实施方式的第1加工前厚度计测工序相同来实施。

接着，控制机构10使超声波激发机构92b及反射波接收机构93b进行工作，求取下述时间(t1)和时间(t2)之差(t)＝(t2-t1)，该时间(t1)是起自从超声波激发机构92b激发脉冲超声波直到由加工前的基晶片W的下表面所反射的反射波由反射波接收机构93b接收为止的时间，该时间(t2)是起自从超声波激发机构92b激发脉冲超声波直到由加工前的基晶片W的上表面所反射的反射波由反射波接收机构93b接收为止的时间。然后，通过用两个反射光到达反射波接收机构93b为止的时间差(t)除以由上述加工前的厚度计测工序求出的基晶片W的加工前厚度(T1)，来求取厚度计测基准值(T1/t)。按上述方法求出的厚度计测基准值(T1/t)被存储于控制机构10的存储器中。

接着，和上述的实施方式相同，实施磨削工序，该磨削工序使磨削机构进行工作，磨削卡盘工作台71的吸附台714的上表面(保持面)所保持的基晶片W。

在该磨削工序中，通过非接触式的厚度计测器9b求取了下述时间(t1)和时间(t2)之差(t0)＝(t2-t1)，该时间(t1)是起自从超声波激发机构92c激发脉冲超声波直到由基晶片W的下表面所反射的反射波由反射波接收机构93b接收为止的时间，该时间(t2)是起自从超声波激发机构92b激发脉冲超声波直到由基晶片W的上表面所反射的反射波由反射波接收机构93b接收为止的时间。然后，控制机构10就可以将两个反射光到达反射波接收机构93b为止的时间差(t0)与上述厚度计测基准值(T1/t)相乘，来求取当前基晶片W的厚度(T)(T＝(T1/t)×t0)。若按上述方法求出的当前基晶片W的厚度(T)(T＝(T1/t)×t0)达到了规定值，则控制机构10对磨削单元进给机构6的脉冲电动机64进行反转驱动，使磨削轮5上升(磨削结束工序)。其结果为，由磨削轮5产生的磨削作用结束。这样，由于在磨削工序中可以通过非接触式的厚度计测器9b来求取当前基晶片W的厚度(T)(T＝(T1/t)×t0)，因而不在基晶片W的被磨削面上留下损伤。

在上述各实施方式中，虽然表示出在构成卡盘工作台71的吸附台714上配设1个非接触式的厚度计测器的例子，但优选的是，如图8所示按构成卡盘工作台71的吸附台714径向配设多个。也就是说，如图8所示，可以通过在吸附台714的中央部和外周部以及中央部和外周部的中间部上分别配设非接触式的厚度计测器9(9a、9b)，来检测基晶片W各部位的磨削误差。

Claims (5)

1、一种磨削装置，包括：卡盘工作台，具备吸附台，该吸附台具有保持被加工物的保持面；以及磨削机构，磨削该卡盘工作台上所保持的被加工物的上表面，其特征在于，具备：

非接触式的厚度计测器，埋设于该卡盘工作台的该吸附台进行配设，计测该吸附台的保持面上所吸引保持的被加工物的厚度。

2、如权利要求1所述的磨削装置，其特征在于，

该非接触式的厚度计测器具备：

发光机构，对该卡盘工作台的该吸附台上所保持的被加工物照射具有透射性的波长的激光光线；以及

受光机构，接受从该发光机构所照射的激光光线由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。

3、如权利要求1所述的磨削装置，其特征在于，

该非接触式的厚度计测器具备：

发光机构，对该卡盘工作台的该吸附台上所保持的被加工物照射具有透射性的波长的激光光线；以及

干涉计数器，接受从该发光机构所照射的激光光线由被加工物的下表面及上表面所反射的反射光。

4、如权利要求1所述的磨削装置，其特征在于，

该非接触式的厚度计测器具备：

超声波激发机构，对该卡盘工作台的该吸附台上所保持的被加工物激发超声波；以及

反射波接收机构，接收从该超声波激发机构激发且由被加工物的下表面及上表面所反射的超声波。

5、如权利要求1到4任一项所述的磨削装置，其特征为，

该非接触式的厚度计测器在该卡盘工作台的该吸附台上按径向配设多个。

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