CN101414058A - 透明基底上的装置与微机电系统装置 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示一种透明基底上的装置与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
Description
本申请是申请日为2007年1月30日、申请号为200710007514.X、发明名称为“透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明有关于一种微机电系统(micro electro-mechanicalsystems，MENS)装置制造，特别是有关于一种在MENS装置制造中透明基底上对准标记图案化。更特别的是一种透明基底上对准标记图案化的方法及系统，适用于具有多个反射元件的基底空间光调节器(spatial light modulator)。
背景技术
典型的可变形镜面(deformable-mirror)空间光调节器(亦可称作数字光处理器、可变形镜面装置(deformable-mirrordevice，DMD))包括多个活动元件，例如反射元件或数字微镜面(micro-mirror)。在一般应用中，数字微镜面是调整数字影像或图像信号、光源及/或投影镜头，以反射一数字影像于一对象。传统上，多个反射元件建立于单一基底上，例如非光学透明的硅基底，其具有一个以上的CMOS控制电路。传统上，单一基底结构的制造复杂、昂贵且良率通常很低。
一种双重基底空间光调节器可用于制造一个以上的MENS装置。典型的双重基底空间光调节器包括多个反射元件，每一个具有面向光学透明基底的前表面以及面向非光学透明基底(例如，半导体基底)的后表面。反射元件可选择性偏斜或扭转，以空间调节入射至上基底(光学透明基底)的光而将其反射回上基底。反射元件的扭转角度可通过调整驱动装置的输入电压来控制。因此，不同的反射路径可视为开/关状态。
双重基底空间光调节器的制造包括在一半导体基底上形成一地址电路及电极。一吸引电极(attraction electrode)贴附于反射元件的后表面。当施加一偏压于反射元件的吸引电极与对应的致动电极(actuating electrode)时，吸引电极牵引至致动电极，造成反射元件偏斜。通常，反射元件倾角增加可改善镜面投影机的对比率以及灰阶。
另外对于电极而言，双重基底空间光调节器的制造包括将光学透明基底对准与结合至半导体基底。光学透明基底与半导体基底的接触区域必须于晶圆制造中被图案化。然而，当两基底结合在一起时，盲步进(blind stepping)忽略了晶圆对准标记，造成光学透明基底上图案定义偏差。当施加偏压时，反射元件倾角变化减小而降低镜面投影机的对比率以及灰阶。另外，当对准激光通过沉积层(例如，透明基底的二氧化硅或铟锡氧化(indium tinoxide，ITO)层)以进行图案化时，光穿透光学透明基底并减弱光侦测器所侦测到的反射光强度。如此一来，最终产品时常存在缺陷。
因此，有必要寻求一种方法及系统以准确地图案化透明基底上的对准标记，使两基底结合偏移的问题得以降低或排除。另外，有必要寻求一种方法及系统以准确地图案化透明基底上多个晶片的对准标记，使得被对准装置退回的晶圆可降到最低。
发明内容
有鉴于此，根据上述的目的，本发明提供一种透明基底上对准标记形成方法。提供一对准标记于一光学透明基底中。在光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕对准标记的一区域。去除光学透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，其中该光学透明基底是一直径在4英寸至30英寸范围的晶圆。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，其中该光反射层是一部分光学透明层。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，其中该光反射层的去除包括通过等离子蚀刻、湿蚀刻及非等离子气相蚀刻其中的至少一种来蚀刻该光反射层。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，其中该光反射层的厚度在50埃至1000埃的范围。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，更包括在该光反射层下方形成一粘着层。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，其中该对准标记具有一深度，其在500埃至3000埃的范围。
又根据上述的目的，本发明提供一种透明基底上对准标记形成方法。在一光学透明基底上沉积一光反射层。形成一掩膜图案。去除未被掩膜图案所覆盖的光反射层。去除掩膜图案以形成一对准标记。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，其中该光反射层的厚度在100埃至1000埃的范围。
本发明所述的透明基底上对准标记形成方法，更包括在该光反射层下方形成一粘着层。
又根据上述的目的，本发明提供一种透明基底上的装置，其包括：一大体光学透明基底、位于光学透明基底上至少一个部分光学透明的对准标记以及贴附于光学透明基底上的多个反射镜。
又根据上述的目的，本发明提供一种透明基底上的装置，其包括：一大体光学透明基底、位于光学透明基底上至少一个部分光学透明的对准标记以及贴附于光学透明基底上的多个影像像素。
又根据上述的目的，本发明提供微机电系统装置，包括：一光学透明基底、位于光学透明基底上的至少一个部分光学透明的对准标记、贴附于光学透明基底上的多个反射元件以及对准并耦接至光学透明基底的一第二基底，其用以致动反射元件。
本发明所述的微机电系统装置，其中该光学透明基底是一晶片或一影像装置晶片。
本发明所述的微机电系统装置，其中该光学透明基底是一直径在4英寸至30英寸范围的晶圆。
本发明所述的微机电系统装置，其中该部分光学透明的对准标记是由金属材料所构成。
本发明所述的微机电系统装置，其中所述反射元件是由铝基材料所构成。
本发明所述的微机电系统装置，其中更包括一光学透明层，位于该部分光学透明的对准标记以及该光学透明基底上。
本发明所述的微机电系统装置，其中该部分光学透明的对准标记的厚度在100埃至1000埃的范围。
本发明所述的微机电系统装置，其中该第二基底是一半导体基底，具有CMOS控制电路，且电性耦接至形成于该光学透明基底上的一装置。
本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
附图说明
图1是绘示出根据本发明实施例的可变形镜面装置(DMD)的微机电系统(MENS)装置示意图。
图2是绘示出光学透明基底与半导体基底的盲步进及结合的剖面示意图。
图3至图5是绘示出根据本发明实施例的在光学透明基底上图案化对准标记的剖面示意图。
图6是绘示出根据本发明第一实施例的对准标记图案化制程平面示意图。
图7是绘示出根据本发明第二实施例的对准标记图案化制程平面示意图。
图8是绘示出根据本发明第三实施例的对准标记图案化制程平面示意图。
图9A至图9B是绘示出根据本发明第四实施例的对准标记图案化制程剖面示意图。
图10A至图10B是绘示出根据本发明第五实施例的对准标记图案化制程剖面示意图。
图11是绘示出使用本发明实施例的对准标记图案化制程在一晶圆上图案化一总体的反射对准标记平面示意图。
图12是绘示出使用本发明实施例的对准标记图案化制程图案化晶片对晶片的反射对准标记平面示意图。
具体实施方式
请参照图1，其绘示出根据本发明实施例的可变形镜面装置(DMD)的微机电系统(MENS)装置10。可变形镜面装置的微机电系统装置10包括二基底：一光学透明基底12及一具有CMOS控制电路的半导体基底14。多个镜面或反射元件16贴附于光学透明基底12。每一镜面或反射元件16可由铝基材料所构成，且分别代表一像素。当可变形镜面装置的微机电系统装置10调整一数字信号或一图像信号、一光源或一投影镜头18时，反射元件16反射一数字影像至一屏幕20。在本实施例中，一吸引电极贴附于反射元件16的背表面且当施加一偏压于两基底时，该吸引电极被牵引至半导体基底14上一对应的致动电极22，造成反射元件16偏斜。通常反射元件16具有较大的倾斜角度时，可变形镜面装置的微机电系统装置10会有较佳的对比率及灰阶。
以下进一步详细说明之。可变形镜面装置的微机电系统装置10是通过在光学透明基底12上形成至少一部分光学透明的对准标记。部分光学透明的对准标记可用于将光学透明基底12上的反射元件16对准于半导体基底14。于正确地对准时，包含一或多个CMOS控制电路的半导体基底14可通过至少一部分光学透明的对准标记而电性耦接至光学透明基底12。
请参照图2，其绘示出根据本发明实施例的使用盲步进及结合技术来制造图1中可变形镜面装置的微机电系统装置10的流程100。进行步骤102，忽略光学透明基底12的对准且将反射元件16图案化至没有对准标记的光学透明基底12上(盲步进)。进行步骤104，使用光学透明基底12上部分光学透明的对准标记，将光学透明基底12与半导体基底14结合形成可变形镜面装置的微机电系统装置10。精准地定义出光学透明基底12与半导体基底14的接触开口以利于结合操作。在其他实施例中，接触区域24的重叠将造成反射元件16背侧的吸引电极与半导体基底14的致动电极22相对位置的偏移。本发明一种方法及系统，用以图案化光学透明基底12上的对准标记，如以下所述。
请参照图3至图5，在一实施例中，光学透明基底12可由玻璃、石英或其他能承受后续制程温度的材料组成。如图3所示，在光学透明基底12的对准标记28上方沉积一第一牺牲层30。对准标记28是通过光刻及等离子蚀刻技术而形成于光学透明基底12中。对准标记28可为栅型且深度在500埃至3000埃的范围。在一实施例中，第一牺牲层30可由硅所构成，例如多晶硅或非晶硅，且其厚度在50埃至500埃的范围。第一牺牲层30可通过化学气相沉积(CVD)、溅镀法或其他在晶圆上沉积薄膜的技术形成。另外，在不脱离本发明的精神和范围内，亦可使用硅以外的牺牲材料。
如图4所示，在图3中的第一牺牲层30上方沉积一第二牺牲层32。在一实施例中，第二牺牲层32的厚度在50埃至1000埃(
)的范围。第二牺牲层32可由金属材料所构成，例如钨或钛金属。第二牺牲层32可通过等离子溅镀法或其他在晶圆上沉积薄膜的技术形成。第二牺牲层32是形成一反射结构，用以防止对准激光穿透光学透明基底12。因此，由于存在反射的第二牺牲层32，反射光具有足够的强度来提供光侦测器26的侦测。第一牺牲层30是作为一粘着层，以防止第二牺牲层32的金属材料自光学透明基底12剥离。
如图5所示，在沉积第一牺牲层30及第二牺牲层32之后，利用光致抗蚀剂来图案化围绕对准标记28的区域34。在一实施例中，蚀刻第一牺牲层30及第二牺牲层32，以露出除了区域34之外大体的光学透明基底12，使得后续的薄膜可形成于上。在另一实施例中，可蚀刻第一牺牲层30及第二牺牲层32而形成开口，以作为两基底的结合垫。接着，在构成镜面结构之后蚀刻第一牺牲层30及第二牺牲层32。第一牺牲层30及第二牺牲层32可通过非等离子气相蚀刻去除，例如二氟化氙(XeF2)。然而，亦可在不脱离本发明的精神和范围内，实施其他制程，例如全面性等离子干蚀刻(blanket plasma dry etching)或是湿蚀刻。在去除第一牺牲层30及第二牺牲层32之后，一反射层形成于光学透明基底12的区域34上方，其准确地对准光学透明基底12。
请参照图6，位于光学透明基底12上表面的对准标记28更进一步依据第一实施例150进行处理。进行步骤152，光学透明基底12包含一光学透明层，例如铟锡氧化(indium tin oxide，ITO)层或二氧化硅(SiO2)层。ITO层为一导电材料，且可使用于可变形镜面装置的微机电系统装置10中的半导体基底14与光学透明基底12之间，用以作为电性连接。由于光学透明基底12由非导电材料所构成，故具有透明且导电特性的材料，例如ITO，可用以形成一双重基底可变形镜面装置的微机电系统装置10。
进行步骤154，在光学透明基底12上沉积一部分光学透明层36。部分光学透明层36可由低光学透明度的金属材料所构成，例如钨或钛金属，且其厚度在50埃至1000埃的范围，而较佳的厚度在50埃至500埃的范围。在一实施例中，部分光学透明层36的透明度低于50％。另外，部分光学透明层36可由金属氮化物、金属化合物、金属合金、硅、多晶硅或非晶硅所构成。例如，部分光学透明层36可由铝、铜、氮化钨及氮化钛所构成。再者，部分光学透明层36可通过等离子溅镀法或其他技术形成，例如化学气相沉积(CVD)。
可在光学透明基底12与部分光学透明层36之间形成一粘着层，以防止部分光学透明层36自光学透明基底12剥离。粘着层可由硅、钨或其组合所构成，且其厚度在50埃至500埃的范围。
进行步骤156，定义出围绕对准标记28的区域34，用以进行图案化。使用一光致抗蚀剂38覆盖区域34。进行步骤158，去除该部分光学透明层36，以露出区域34以外绝大部分的光学透明基底12。部分光学透明层36可通过等离子蚀刻或非等离子气相蚀刻，例如二氟化氙(XeF2)。进行步骤160，在去除部分光学透明层36之后，去除区域34上方的光致抗蚀剂38并在光学透明基底12的对准标记28上形成永久反射层40。光致抗蚀剂38可通过氧等离子或H2SO4或H2SO4+H2O2等溶液去除。
请参照图7，其绘示出本发明第二实施例180的对准标记图案化制程平面示意图。进行步骤182，对准标记28是位于晶圆的光学透明基底12的上表面。光学透明基底12是由非导电材料所构成，例如玻璃，且包含一光学透明层，例如ITO层或SiO2层。ITO层为一导电材料，且可使用于可变形镜面装置的微机电系统装置10中的半导体基底14与光学透明基底12之间，用以作为电性连接。由于光学透明基底12由非导电材料所构成，故具有透明且导电特性的材料，例如ITO，需用以形成一双重基底可变形镜面装置的微机电系统装置10。
进行步骤184，一图案化的光致抗蚀剂38是用以覆盖绝大部分的光学透明基底12，而露出围绕待图案化的对准标记28的区域34。进行步骤186，部分光学透明层36是沉积于整个晶圆上方并包含区域34。部分光学透明层36可由低光学透明度的金属材料所构成，例如钨或钛金属，且其厚度在50埃至1000埃的范围，而较佳的厚度在50埃至500埃的范围。在一实施例中，部分光学透明层36的透明度低于50％。另外，部分光学透明层36可由金属氮化物、金属化合物、金属合金、硅、多晶硅或非晶硅所构成。例如，部分光学透明层36可由铝、铜、氮化钨及氮化钛所构成。再者，部分光学透明层36可通过等离子溅镀法或其他技术形成，例如CVD。
如同第一实施例150，可在光学透明基底12与部分光学透明层36之间形成一粘着层，以防止部分光学透明层36自光学透明基底12剥离。粘着层可由硅、钨或其组合所构成，且其厚度在50埃至500埃的范围。上述硅可为多晶硅或是非晶硅。
进行步骤188，通过剥落(lift-off)法自绝大部分的光学透明基底12上去除光致抗蚀剂38，以将围绕对准标记28的区域34以外的部分光学透明层36去除。光致抗蚀剂38亦可通过干氧等离子或如H2SO4溶液的湿蚀刻液去除，而较佳为使用湿蚀刻而通过剥落法去除光致抗蚀剂38。在剥除部分光学透明层36及光致抗蚀剂38之后，永久反射层40形成于光学透明基底12的对准标记28上方。
请参照图8，其绘示出本发明第三实施例200的对准标记图案化制程平面示意图。进行步骤202，提供一光学透明基底12于一晶圆上。光学透明基底12是由非导电材料所构成，例如玻璃。
进行步骤204，部分光学透明层36是沉积于光学透明基底12上。部分光学透明层36可由低光学透明度的金属材料所构成，例如钨或钛金属，且其厚度在200埃至2500埃的范围，而较佳的厚度在500埃至1500埃的范围。在一实施例中，部分光学透明层36的透明度低于50％。另外，部分光学透明层36可由金属氮化物、金属化合物、金属合金、硅、多晶硅或非晶硅所构成。例如，部分光学透明层36可由铝、铜、氮化钨及氮化钛所构成。再者，部分光学透明层36可通过等离子溅镀法或其他技术形成，例如CVD。
如同第一实施例150及第二实施例180，可在光学透明基底12与部分光学透明层36之间形成一粘着层，以防止部分光学透明层36剥离。粘着层可由硅、钨或其组合所构成，上述硅可为多晶硅或是非晶硅，且粘着层厚度在50埃至500埃的范围。
进行步骤206，使用一光致抗蚀剂38覆盖部分光学透明层36，用以定义对准标记28。进行步骤208，图案化以定义出对准标记28的图案而露出部分光学透明层36。进行步骤210，可通过非等离子气相蚀刻，例如XeF2、等离子蚀刻或湿蚀刻，以去除部分光学透明层36。进行步骤212，去除光致抗蚀剂38，以在光学透明基底12上形成反射对准标记28，其仅包含反射金属材料。光致抗蚀剂38可通过氧等离子或H2SO4或H2SO4+H2O2等溶液去除。在形成反射对准标记28之后，沉积一ITO层或是SiO2层。ITO层为一导电材料，且可使用于可变形镜面装置的微机电系统装置10中的半导体基底14与光学透明基底12之间，用以作为电性连接。由于光学透明基底12由非导电材料所构成，故具有透明且导电特性的材料，例如ITO，需用以形成一双重基底可变形镜面装置的微机电系统装置10。通常半导体基底具有CMOS控制电路并电性耦接至光学透明基底12上的装置。除了在光学透明基底12上制作用于数字光处理(digitallight proce ssing，DLP)的反射镜之外，其他装置，例如影像像素、CMOS影像感测器亦可制作于光学透明基底12上。
请参照图9A至图9B，其绘示出根据本发明第四实施例的对准标记图案化制程剖面示意图。如图9A所示，在光学透明基底12上沉积一相偏移材料层42。光学透明基底12是由非导电材料所构成，例如玻璃，且包含一光学透明层，例如ITO层或SiO2层。ITO层为一导电材料，且可使用于可变形镜面装置的微机电系统装置10中的半导体基底14与光学透明基底12之间，用以作为电性连接。由于光学透明基底12由非导电材料所构成，故具有透明且导电特性的材料，例如ITO，需用以形成一双重基底可变形镜面装置的微机电系统装置10。在另一实施例中，光学透明材料、部分光学透明材料或是非光学透明(半导体)材料，可在不脱离本发明的精神和范围内，使用相偏移材料。
如图9B所示，在光学透明基底12中形成一第一图案。在本实施例中，第一图案包含形成于光学透明基底12中的沟槽44。在相偏移材料层42中形成一第二图案。由于相变化而产生波束干涉(beam interfe rence)，第一图案及第二图案上的入射波束，例如一电磁波、激光或可见光，可产生足够的反射光强度，以作为光学透明基底上的永久反射对准标记。此永久反射对准标记可供后续光学透明基底12对准之用。
请参照图10A至图10B，绘示出根据本发明第五实施例的对准标记图案化制程剖面示意图。如图10A所示，在一光学透明基底12中形成一沟槽44图案。如图10B所示，在光学透明基底12上沉积一部分光学透明层36并将其图案化以形成永久反射对准标记28。部分光学透明层36可由金属材料所构成，例如钨或钛金属，且其厚度在100埃至1000埃的范围，而较佳的厚度在50埃至500埃的范围。在一实施例中，部分光学透明层36的透明度低于50％。在本实施例中，对准标记28具有一深度d约在500埃至2500埃的范围、一宽度W约在4微米至12微米(μm)的范围以及一间距S约在约在4微米至12微米的范围。
请参照图11，其绘示出使用本发明实施例的对准标记图案化制程在一晶圆上图案化一总体的反射对准标记平面示意图。如图11所示，晶圆46包括一光学透明基底12。晶圆46的直径可为任何尺寸，例如在4英寸至30英寸的范围。多个晶片48位于晶圆46中。每一晶片48可使用于单一的可变形镜面装置的微机电系统装置10。另外，每一晶片48可使用于其他装置的晶片，包含影像感测器、红外线感测器、温度感测器及压力感测器。总体的对准标记28是通过本发明的对准标记图案化制程而形成于光学透明基底12上。总体的对准标记28可提供足够的待侦测的反射光强度于光侦测器。如此一来，晶圆46便不会被对准装置所退回。
请参照图12，其绘示出使用本发明实施例的对准标记图案化制程图案化晶片对晶片(die-by-die)的反射对准标记平面示意图。除了形成于光学透明基底12上总体的对准标记28之外，每一晶片48包括各自的对准标记，如晶片对晶片的对准标记50。使用本发明的对准标记图案化制程图案化光学透明基底12上晶片对晶片的对准标记50。晶片对晶片的对准标记50可提供足够的待侦测的反射光强度于光侦测器。如此一来，晶片48便不会被对准装置所退回。另外，晶片对晶片的对准标记50提供准确的晶片对准以克服形成可变形镜面装置的微机电系统装置10时发生结合偏移的问题。
请再参阅图12，具有总体的对准标记28及/或晶片对晶片的对准标记50的光学透明基底12可容易且准确地对准半导体基底14。
综上所述，本发明的对准标记图案化制程可提供更准确的晶圆对准。再者，可防止晶圆级制造中光学透明结构上偏离的图案定义。另外，可在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件。较佳的对准有助于稳定镜面移动的倾斜角，而使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。举例而言，单一的半导体基底中，镜面投影器的对比率为800至1。而在使用本发明的图案化制程的后，镜面投影器的对比率为增加至1000至1。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
10：可变形镜面装置的微机电系统装置
12：光学透明基底
14：半导体基底
16：反射元件
18：投影镜头
22：致动电极
26：光侦测器
28、50：对准标记
30：第一牺牲层
32：第二牺牲层
34：区域
36：部分光学透明基底
38：光致抗蚀剂
40：永久反射层
42：相偏移材料
44：沟槽
46：晶圆
48：晶片
100：流程
102、104、152、154、156、158、160、182、184、186、188、202、204、206、208、210、212：步骤
150：第一实施例
180：第二实施例
200：第三实施例
d：深度
S：间距
W：宽度。
Claims (9)
1.一种透明基底上的装置，其特征在于，包括：
一光学透明基底；
至少一个部分光学透明的对准标记，位于该光学透明基底上，其中该至少一个部分光学透明的对准标记包括光学透明层；以及
多个反射镜，贴附于该光学透明基底上。
2.一种透明基底上的装置，其特征在于，包括：
一光学透明基底；
至少一个部分光学透明的对准标记，位于该光学透明基底上，其中该至少一个部分光学透明的对准标记包括光学透明层；以及
多个影像像素，贴附于该光学透明基底上。
3.一种微机电系统装置，其特征在于，包括：
一光学透明基底；
至少一个部分光学透明的对准标记，位于该光学透明基底上，其中该至少一个部分光学透明的对准标记包括光学透明层；
多个反射元件，贴附于该光学透明基底上；以及
一第二基底，对准并耦接至该光学透明基底，用以致动所述反射元件。
4.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，该光学透明基底是一晶片或一影像装置晶片。
5.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，该光学透明基底是一直径在4英寸至30英寸范围的晶圆。
6.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，该部分光学透明的对准标记是由金属材料所构成。
7.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，所述反射元件是由铝基材料所构成。
8.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，该部分光学透明的对准标记的厚度在100埃至1000埃的范围。
9.根据权利要求3所述的微机电系统装置，其特征在于，该第二基底是一半导体基底，具有CMOS控制电路，且电性耦接至形成于该光学透明基底上的一装置。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110511 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |