CN101405793A - 磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现设备 - Google Patents

Abstract

一种离散磁道型磁记录介质(30)包括：非磁性基底(1)；在所述非磁性基底的至少一个面上提供的磁记录磁道和伺服信号图形；以及通过从具有某个图形形状的掩膜(6)上方进行离子注入(7)而非磁性化了的部分(4)，用来从物理上隔开所述磁记录磁道和所述伺服信号图形。一种磁记录和再现设备包括：所述磁记录介质(30)；用来在记录方向上驱动所述磁记录介质的驱动部分(26)；由记录部分和再现部分构成的磁头(27)；使所述磁头相对应所述磁记录介质移动的部分(28)；用来向所述磁头输入信号和再现所述磁头的输出信号的记录和再现信号处理单元(29)。

Description

磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现设备

相关申请的交叉引用

本申请是根据35U.S.C.§111(a)提交的一个申请，根据35U.S.C.§119(e)(1)要求获得根据36U.S.C.§111(b)于2006年2月27日提交的临时申请No.60/776,732和2006年2月21提交的日本专利申请No.2006-044295以及2006年4月14日提交的No.2006-111833的申请目的权益。

技术领域

本发明涉及到一种用在硬盘驱动器中的磁记录介质、该磁记录介质的制造方法、以及一种磁记录和再现设备。

背景技术

近年来，磁记录设备(诸如硬盘驱动器、软盘驱动器以及磁带驱动器)已经大大地扩大了其使用范围，并具有重要意义。许多工作致力于使这些设备中所用的磁记录介质显著提高其记录密度。具体说，自从引入磁阻(MR)磁头和部分响应最大似然(partial response maximum likelihood，PRML)技术后，人们一直热衷于增加表面记录密度。近年来，由于进一步引入了巨磁阻(GMR)磁头和隧道磁阻(TMR)磁头，记录密度的增加以每年约100％的速度继续着。未来要求这些磁记录介质获得更高的记录密度，并且增大其磁记录层的矫顽力、信噪比(SNR)和分辨率。近年来的工作一直是在继续增加线性记录密度并通过增加磁道密度也增加面记录密度。

在最新的磁记录设备中，磁道密度已经达到了110kTPI。当磁道密度进一步增加时，会出现这样的问题，诸如相邻磁道中所记录的信息之间发生干扰，边界线区域中的磁化转变区成为噪声源并使SNR降低。这个事实妨碍了记录密度的增加，因为它马上导致误码率的增大。

为了增加面记录密度，需要磁记录介质上的各个记录位具有尽可能小的尺寸，并保证具有尽可能大的饱和磁化强度和磁性膜厚度。然而，当记录位的尺寸进一步减小时，会出现这样的问题，比如每个位的最小磁化体积减小，由于热涨落所导致的磁化反转使所记录的数据消失。

此外，由于磁道间距变小，磁记录设备需要有非常精确的磁道伺服技术，同时，一般要求在记录期间采用记录宽度大而再现宽度小的方法以便尽可能消除邻近磁道的影响。虽然这种方法能够将邻近磁道之间的影响降到最小，但会遇到这样的问题，比如，很难获得足够的再现输出信号，从而很难保证足够大的SNR。

作为处理热涨落问题并获得正常SNR或获得足够输出信号的方法，目前正在尝试通过在记录介质表面上沿着磁道形成参差结构从而在物理上使相邻磁道彼此隔开来提高磁道密度。这种技术也被称作“离散磁道技术”，而在下文中通过这种技术制备的磁记录介质将被称作“离散磁道介质”。

作为离散磁道介质的一个例子，已知有一种磁记录介质，该磁记录介质形成在非磁性基底上，该基底在其表面上有不规则图形，能够从物理上隔开磁记录磁道和伺服信号图形(参见例如JP-A 2004-164692)。

这种磁记录介质在基底表面上形成有铁磁层并在铁磁层的表面上形成有保护膜，其中该基底通过软磁性层在其表面上获得多个参差结构。这种磁记录介质在其凸起区域中形成磁记录区，该磁记录区在磁性上与环境隔开。

根据这种磁记录介质来看，可以形成不产生很大噪声的高密度磁记录介质，这是因为，能够抑制软磁性层中磁壁的出现这个事实可以防止热涨落影响的出现并可以消除邻近信号之间的干扰。

已知有两种离散磁道技术，即，在形成含有若干层叠薄膜的磁记录介质之后形成磁道的方法，以及或者直接在基底表面上形成薄膜磁记录介质或者在为形成磁道准备好的薄膜层上形成不规则图形之后形成薄膜磁记录介质的方法(参见例如JP-A 2004-178793和JP-A 2004-178794)。前一种方法通常被称作磁性层处理型方法，其不利之处在于，在制造期间很容易使介质受到污染，并也使制造工艺大大地复杂化，因为该方法要求在形成介质之后对表面进行物理处理。后一种方法通常被称作压印处理型方法，尽管该方法不会在制造期间引入污染，但其不利之处在于，使记录和再现磁头在介质上飞行的同时进行记录和再现时的飞行姿态和高度变得不稳定，因为，在基底上形成的不规则形状肯定会在形成的薄膜中继续存在。

压印处理型制造方法不容易形成平坦的表面，因为在基底上所形成的不规则形状被磁性层和保护层覆盖，于是在形成的表面上会继续存在。

另一方面，由磁性层处理型方法制造的离散磁道型磁记录介质采用了在基底表面上形成用于记录的磁性层、随后再形成磁性图形的工艺，因此就能获得一种结构，该结构这样来形成，即，采用半导体工艺中所使用的压印方法形成图形，随后对要形成非磁性部分的区域进行干刻，之后埋入SiO2或碳基非磁性材料，对所得到的表面进行平坦化处理，进一步用保护膜层覆盖表面，并在上面形成润滑层。这种磁性层刻蚀型离散磁道介质使制造工艺复杂化，并且不仅导致污染的产生而且也不能获得平坦的表面。

一般地，具有上述结构的磁记录介质能够通过磁头放大输出和输入信号，并且也能够提高记录密度，因为磁头到磁性层的距离随着保护膜层的变薄也相应地减小。磁道中的位密度由在形状不规则的保护膜层的表面上飞行的磁头的飞行高度来决定。因此，如何使磁头保持稳定飞行对于实现高密度来说就是一个重要的任务。所以，要求所述不规则图形能够使磁头保持稳定的飞行，能够使磁头尽可能靠近磁性层，另外能够防止相邻磁道上的信号彼此干扰。

然而，在制造过程中几乎没有引起污染的危险并且能够形成平坦表面的离散磁道介质制造技术到现在还没有出现。

在因磁道密度的提高而导致了技术困难的磁记录设备中，本发明用于大大增加磁道密度从而增加面记录密度，同时确保获得比以往更高的记录和再现特性。特别是，在通过在基底上形成磁性层之后再形成图形而得到的离散磁道型磁记录介质中，本发明可以提供一种制造方法，与常规的磁性层处理型工艺相比，通过去掉这个常规工艺中的刻蚀磁性层的步骤和利用抗蚀剂形成图形的步骤，本方法极大地简化了制造过程，并且几乎不会有引入污染的危险，并提供一种离散磁道型磁记录介质，这种介质具有优异的磁头飞行特性并证明是有用的。

为了解决上述问题，本发明提供一种离散磁道介质和一种磁记录设备。

发明内容

作为本发明的第一方面，本发明提供一种离散磁道型磁记录介质，该介质包括：非磁性基底；在所述非磁性基底的至少一个面上提供的磁记录磁道和伺服信号图形；以及通过从具有某个图形形状的掩膜上方进行离子注入而非磁性化了的部分，其中该图形用来从物理上隔开所述磁记录磁道和所述伺服信号图形。

本发明的第二方面提供根据所述第一方面的磁记录介质，其中，所述磁记录磁道为垂直磁记录磁道。

作为本发明的第三方面，本发明也提供一种离散磁道型磁记录介质的制造方法，其中该磁记录介质处于非磁性基底的至少一侧上，具有在物理上隔开的磁记录磁道和伺服信号图形，所述方法包括这样的步骤，即从具有预期被分隔开的图形形状的掩膜上方注入离子，从而形成非磁性化部分，以便从物理上隔开所述磁记录磁道和所述伺服信号图形。

作为本发明的第四方面，本发明还提供一种磁记录和再现设备，该设备包括一下各部分的组合：根据所述第一和第二方面的磁记录介质；用来在记录方向上驱动所述磁记录介质的驱动部分；由记录部分和再现部分构成的磁头；使所述磁头相对于所述磁记录介质移动的部分；以及用来向所述磁头输入信号和再现从所述磁头输出的信号的记录和再现信号处理单元。

在非磁性基底上设置了磁性层之后，在形成图形的离散磁道磁记录介质中，本发明能够提供这样一种磁记录介质，该介质能确保磁头飞行的稳定性，具有优良的磁道隔离特性，能避免相邻磁道之间的信号干扰的影响，具有很高的记录密度特性。此外，由于本发明可以省略掉用来刻蚀磁性层处理型介质中的磁性层并使制造过程极其复杂的干刻步骤、形成图形时所需要的应用抗蚀剂的步骤和在使用之后去掉抗蚀剂的步骤，所以，本发明不仅能够大大提高生产率，而且也可以避免颗粒的出现并制造出优良的磁记录介质。

本发明所提供的磁记录和再现设备，由于其使用了本发明所设想的磁记录介质，所以磁头的飞行特性和磁道分离性非常好，而且由于避免了邻近磁道之间的信号干扰的影响，所以高记录密度特性非常好。

附图说明

图1是一个截面图，显示了根据本发明所述的磁记录介质的结构；

图2显示了根据本发明所述的磁记录和再现设备的配置。

具体实施方式

首先描述本发明所述的离散型磁记录介质的横截面结构。

图1显示了本发明所述的离散型磁记录介质的横截面结构，该图包括了掩膜和离子注入的图像。本发明所述的磁记录介质30所具有的结构是这样形成的，即，在非磁性基底1的第一表面上形成软磁性层和中间层2、具有磁性图形的磁性层3、非磁化层4和保护膜层5，然后在最上面形成没有显示出来的润滑层。事先形成有预定图形的掩膜6设置为垂直于离子的注入7并平行于磁记录介质。尽管本发明中所用的掩膜采用石英作为其材料，但能够挡住离子从而形成预定图形的任何材料，诸如钠钙玻璃或硅晶片，都可以用作掩膜。

为了提高记录密度，具有磁性图形的磁性层3优选包括宽度W小于等于100nm的磁性部分，和宽度L小于等于200nm的非磁性部分。于是，磁道间距P(＝W+L)就最大限度地减小到小于等于300nm的范围内，从而提高了记录密度。

作为本发明中所用的非磁性基底，可以选用任何非磁性基底，诸如由Al作主成分的Al-Mg合金所制成的Al合金基底、由普通的钠钙玻璃、铝硅酸盐玻璃(aluminosilicate-based glass)、玻璃陶瓷所制成的基底、以及由硅、钛、陶瓷和各种树脂制成的基底。在上面所举出的其它材料中，特别优先使用Al合金基底、由玻璃陶瓷制成的玻璃基底和硅基底。这样选出的基底的平均表面粗糙度(Ra)优选小于等于1nm，更优选的是小于等于0.5nm，特别优选的是小于等于0.1nm。

在具有上述质量的非磁性基底的第一表面上要形成的磁性层可以是面内磁记录层(in-plane magnetic recording layer)，也可以是垂直磁记录层。然而，为了获得高的记录密度，优选是垂直磁记录层。所述磁记录层优选是由含Co作为主成分的合金来形成。

作为用于面内磁记录介质中的磁记录层，可以使用例如由非磁性的CrMo衬层和铁磁性的CoCrPtAa磁性层所构成的层叠结构。

作为用于垂直磁记录介质中的磁记录层，可以使用这样的层叠结构，该结构包括由软磁性FeCo合金(诸如FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(诸如FeTaN、FeTaC等)或Co合金(诸如CoTaZr、CoZrNB、CoB等)构成的底层、由Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等构成的取向控制层、作为可选项的由Ru等构成的中间层、由60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金构成的磁性层。

磁记录层的厚度为大于等于3nm小于等于20nm，优选为大于等于5nm小于等于15nm。磁记录层只需要依照所用磁性合金的类型和层叠体的结构来形成，使得磁头能够获得足够的输出和输入即可。磁性层需要有一定程度以上的膜厚，以便在再现期间获得预定程度的输出。同时，必须为磁性层设定最佳的膜厚，因为表示记录和再现特性的各种参数一般在输出增加时会同比例退化。

一般地，采用溅射方法将磁记录层形成为薄膜。

在磁记录层的第一表面上形成保护膜层5。对于保护膜层，通常使用的保护膜层材料有，例如，包含碳(C)、氢化碳(HxC)、氮化碳(CN)、非晶碳、碳化硅(SiC)等的含碳物质、SiO₂、Zr₂O₃、TiN等。保护膜层也可以由两层或两层以上构成。

保护膜层3的膜厚必须小于10nm。如果保护膜层的膜厚超过10nm，那么就会使磁头和磁性层之间的距离太大，从而使输入和输出信号不能获得足够的强度。一般地，保护膜层通过溅射方法或CVD方法来形成。

在保护膜层之上优选形成润滑层。作为用于润滑层中的润滑剂，可以使用例如氟基润滑剂、烃基润滑剂或者是两者的混合物。润滑层的厚度通常形成为1到4nm。

下面将特别描述本发明所述的离散型磁记录介质的制造方法。

磁记录介质的制造过程通常始于对基底的清洗和干燥。本发明优选也在形成磁性膜层之前进行基底的清洗和干燥工作，以确保各个组成层之间的粘附性。不需要特别对基底的尺寸进行限制。

在本发明中，在基底的第一表面上形成FeCoB软磁性层、Ru中间层、70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金磁性层、以及碳保护膜层。

随后，将基底置于离子注入设备的空腔中，磁性层正好设置在基底之上，两者都垂直于离子注入的方向，启动设备，在所述空腔中注入能够使磁性层非磁性化的离子。本发明考虑使用Si作为离子源。

为了用离子注入设备注入微粒，采用商用离子注入设备在磁性层中进行注入。尽管Si、In、B、P、C、F等可以用于离子注入，但离子的类型或其混合物不受特别限制。只要求这些离子能够注入并能够用于消除磁性。在进行微粒注入时，本发明试图使在磁性层深度方向进行的所述注入到达在深度方向上中心部分以及更靠下的区域，并使这些微粒在磁性层的深度方向上达到一定程度的分布。本发明并不特别地限制注入的深度，因为其目标是将微粒注入磁性层中并使其相关部分非磁性化。微粒注入的深度由所用离子注入设备的加速电压的大小恰当地决定。

为了形成除保护膜层3之外的磁记录介质的其它组成层，可以使用RF溅射方法、DC溅射方法等，这些是用于成膜的通常采用的方法。

另一方面，保护膜层通常是采用P-CVD将类金刚石碳变为薄膜来形成。然而，这并不是唯一的方法。

下面，在图2中显示本发明所述的磁记录和再现设备的结构。本发明的磁记录和再现设备设置有本发明的磁记录介质30、用来在记录方向上驱动所述介质的介质驱动部分26、包含记录部分和再现部分的磁头27、用来使磁头27相对于磁记录介质30移动的磁头驱动部分28、以及结合了记录和再现信号处理机构以便将信号输入磁头27中以及对来自磁头27的信号进行再现的记录和再现信号系统29。通过将这些部件结合起来，可以构成一种具有高记录密度的磁记录和再现设备。由于磁记录介质的记录磁道在物理上做成离散的，因此本发明使再现头和记录头具有几乎同样的工作宽度，而目前通常的做法是，使再现头的宽度比记录头的宽度小一些，从而消除磁道边缘部分的磁化转变区的影响。因此，可以获得令人满意的再现输出和高的SNR。

此外，采用GMR头或TMR头来构成磁头的再现部分可以在高记录密度的情况下也能获得令人满意的信号强度，并实现具有高记录密度的磁记录设备。通过在装置中加入符合最大似然解码方法的信号处理电路能够进一步提高记录密度。即使在磁道密度大于等于每英寸100k个磁道、线性记录密度大于等于每英寸1000k个比特、和记录密度大于等于每平方英寸100G个位的情况下进行记录和再现操作也能获得令人满意的SNR。

对照例1

将HD取向的玻璃基底放置在真空腔中，将真空腔预先抽真空到1.0×10^-5Pa或更低。这里所用的玻璃基底由采用Li₂Si₂O₅、Al₂O₃-K₂O、MgO-P₂O₅和Sb₂O₃-ZnO作为成分的玻璃陶瓷制成。基底的外径为65mm、内径为20mm，平均表面粗糙度(Ra)为2埃。

在所述玻璃基底上，利用普通的RF溅射方法形成厚度为200nm的SiO₂膜作为预压印层(pre-emboss layer)。

接着，利用提前准备好的由Ni制成的压模对上述被涂敷了的基底进行压印。所述压模的磁道间距为100nm。将凹槽深度调整到恒定的20nm。利用具有相关设计的压模来完成压印。

然后，利用离子束刻蚀对SiO₂层进行刻蚀。SiO₂层上较薄的部分被刻蚀到露出基底，于是在基底的第一表面上形成凹凸图形，该图形与由压模所形成的参差图形一致。

在所述基底的第一表面上，通过DC溅射方法层叠FeCoB软磁性层、Ru中间层和70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金磁性层，并进一步通过P-CVD方法层叠C(碳)保护膜层和氟基润滑膜，各层的顺序如上所述。

FeCoB软磁性层的厚度为600埃，Ru中间层的厚度为100埃，磁性层的厚度为150埃，C(碳)保护膜层平均膜厚4nm。这个样品作为对照例1中的压印品的一个例子。

对照例2

将HD取向的玻璃基底放置在真空腔中，将真空腔预先抽真空到1.0×10^-5Pa或更低。这里所用的玻璃基底由采用Li₂Si₂O₅、Al₂O₃-K₂O、MgO-P₂O₅和Sb₂O₃-ZnO作为成分的玻璃陶瓷制成。基底的外径为65mm、内径为20mm，平均表面粗糙度(Ra)为2埃。

在所述玻璃基底上，通过DC溅射方法层叠FeCoB软磁性层、Ru中间层和70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金磁性层，并进一步通过P-CVD方法层叠C(碳)保护膜层和氟基润滑膜，各层顺序如以上所述。FeCoB软磁性层的厚度为600埃，Ru中间层的厚度为100埃，磁性层的厚度为150埃，C(碳)保护膜层平均膜厚4nm。随后，对磁性层进行工艺处理以形成磁性图形。具体说，在施加热固性树脂作抗蚀剂来形成与预定图形一致的参差图形之后，在真空设备中通过离子铣削去掉磁性层的凹进部分，然后剥落抗蚀剂的剩余的凸起部分，然后形成碳膜用以填埋磁性层中被去掉的部分。之后，通过P-CVD沉积厚度为4nm的碳膜，以便涂上润滑层。所得到的表面通过离子束刻蚀进行平坦化。将这样得到的样品置于真空腔内，该真空腔预先被抽真空到1×10^-4Pa，然后在真空腔内引入Ar气体，直到分压达到5Pa。在所述样品上施加300W的RF电压对样品的表面进行刻蚀。这个样品作为对照例2中的制造出的磁性层产品的例子。

在所述填埋处理(embedding process)中，使用非磁性材料来进行填埋。在本样品的制造过程中，使用SiO₂。采用溅射技术来形成所述膜层。

顺便提及，涂上抗蚀剂之后要形成的图形具有磁道的形状，其中每个磁道都包括凹进和凸起部分，通过直接将给定的压模贴在基底或磁性层上所形成的保护膜上并在高压下压该压模，使这些凹进和凸起形成在保护膜层的第一表面上。或者，利用热固性树脂、UV固性的树脂等来形成所述图形所具有的凹进和凸起。

作为该工艺中所用的压模，可以使用具有很细的磁道图形的金属板，该磁道图形可以通过例如电子束成像技术等方法来形成。该压模所用的材料要求具有能够抵御所述工艺的影响的硬度和耐用性。例如，可以使用Ni。只要求材料能满足上述目的，其种类并不重要。除了用来记录普通数据的磁道外，在压模上还形成有诸如脉冲图形等伺服信号图形、格雷码图形和前导码图形。

在去掉抗蚀剂的时候，使用诸如干刻、反应离子刻蚀或离子铣削等技术来去掉表面上的抗蚀剂和部分的保护膜层。这样处理之后，就剩下了形成有磁性图形的磁性层和部分保护膜层。通过对条件进行选择，可以全部去掉保护膜层，只剩下形成有图形的磁性层。

例1

类似于对照例2，将HD取向的玻璃基底放置在真空腔中，将真空腔预先抽真空到1.0×10^-5Pa或更低。这里所用的玻璃基底是包含Li₂Si₂O₅、Al₂O₃-K₂O、MgO-P₂O₅和Sb₂O₃-ZnO的玻璃陶瓷。基底的外径为65mm、内径为20mm，平均表面粗糙度(Ra)为2埃。

在所述玻璃基底上，通过DC溅射方法层叠FeCoB软磁性层、Ru中间层和70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金磁性层，并进一步通过P-CVD方法层叠C(碳)保护膜层和氟基润滑膜，各层的顺序如以上所述。FeCoB软磁性层的厚度为600埃，Ru中间层的厚度为100埃，磁性层的厚度为150埃，C(碳)保护膜层平均膜厚4nm。

之后，采用本发明所述的技术形成磁性图形。具体说，将预先形成有希望形成的图形的掩膜置于层叠了直到保护膜层的各个组成层的玻璃基底上，将所有这些都置于离子注入设备中，然后用Si离子进行注入，结果，形成具有预期形状的非磁性图形。之后，涂上润滑剂以完成磁记录介质的制备。这样获得的样品用作例1中的成品的一个例子。在离子注入中，加速电压固定在28keV，注入剂量为5×10¹⁶/cm²。

利用旋转台(spin stand)估计例1、对照例1和对照例2中的样品的电磁转换特性。在这个估计中，利用垂直记录头进行记录，利用TMR头进行读取。对记录了750kFCI的信号之后的样品测试其SNR值和3T挤压(3T-squash)。测试发现，与对照例1和2中的样品相比，例1中的样品其RW特性(诸如SNR和3T-squash)有实质性的提高。可以推断出，这个提高是由于稳定了磁头的飞行特性，从而可以在预定的飞行高度上进行RW(读写)。由于证实了RW特性(诸如SNR和3T-squash)，所以也可以证实例1中的样品可以用非磁性部分将相邻磁道清楚地分开，同时，根据本发明，使得能够在样品的磁性层部分中形成包含磁性部分和非磁性部分的磁性图形，该图形与具有指定形状的图形一致。

在确定了电磁转换特性之后，利用AFM测试例1、对照例1和2中的样品的表面粗糙度。利用Digital Instruments Corp.所制造的AFM，在10微米的视场中估计例1和对照例1及2中制造的用于垂直记录介质的非磁性基底的粗糙度(Ra)。所述估计过程使用256×256分辨率的轻敲模式(tapping mode)，扫描速度为1微米/秒。估计结果示于下面的表1中。与对照例1和2中的样品相比，例1中的样品显示了非常低的表面粗糙度。可以推断出，这个提高导致了磁头飞行的稳定。

估计例1和对照例1及2中的样品的滑移雪崩特性(glide avalancheproperty)。利用Glideright Hardware Corp.制造的50％滑动头，在Sony/Tektronix Corp制造的以产品号“DS4100”销售的设备中来进行这个估计。估计结果示于下面的表1中。很清楚，由于滑移雪崩(glideavalanche)很低，例1中的磁头飞行特性优于对照例1和2。

从例1和对照例1及2的比较中可以清楚看到，本发明能够方便地制造出这样的离散型介质，该介质显示出足够低的表面粗糙度，并能使磁头稳定飞行，这是通过从具有需要被分隔开的图形形状的掩膜上方注入离子从而对所需形状中的磁性层进行非磁性化而实现的。正如例1和对照例1及2的比较所清楚地显示的，如此执行的这个最大程度地降低表面粗糙度的制造方法构成了稳定磁头飞行的重要因素。本发明优选将表面粗糙度固定在R≤2nm，更优选的是固定在Ra≤1.5nm范围。很明显，本发明可以作为一种有效方法，用来分隔开图形化的非磁性和磁性层，并且和离散方法相比，进一步制造出具有更高记录密度的被构图介质。

表1

	注入离子的种类	注入离子的量(粒子数/cm2)	加速电压(keV)	SNR(dB)	3T-squash(％)	Ra(nm)	滑移雪崩(nm)
								例1	Si	5×e16	28	13.2	85.3	0.5	5.5
对照例1	无	无		6.5	54.3	8.0	12.1
								对照例2	无	无		10.5	69.8	2.7	9.5

工业实用性

本发明所述的磁记录介质可以保证磁头飞行的稳定性、具有优良的磁道隔离特性、具有很高的记录密度特性，可以简化制造工艺，并且不仅能够大大提高生产率，而且能够避免颗粒的出现。

Claims (4)

1.一种离散磁道型磁记录介质，包括：

非磁性基底；

在所述非磁性基底的至少一侧上提供的磁记录磁道和伺服信号图形；以及

通过从具有预期被分隔开的图形形状的掩膜上方进行离子注入而非磁性化了的部分，用来从物理上隔开所述磁记录磁道和所述伺服信号图形。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁记录磁道为垂直磁记录磁道。

3.一种离散磁道型磁记录介质的制造方法，其中该磁记录介质设置于非磁性基底的至少一侧上，具有在物理上分隔开的磁记录磁道和伺服信号图像，所述方法包括的步骤有，从具有预期被分隔开的图形形状的掩膜上方注入离子，从而形成非磁性化部分，以便从物理上隔开所述磁记录磁道和所述伺服信号图形。

4.一种磁记录和再现设备，包括：

根据权利要求1或2所述的磁记录介质；

用来在记录方向上驱动所述磁记录介质的驱动部分；

由记录部分和再现部分构成的磁头；

使所述磁头相对于所述磁记录介质移动的部分；

用来向所述磁头输入信号和再现所述磁头的输出信号的记录和再现信号处理装置。

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